JPH06164186A

JPH06164186A - 電磁波遮蔽体

Info

Publication number: JPH06164186A
Application number: JP33369692A
Authority: JP
Inventors: Hidemi Nakai; 日出海中井; Etsuo Ogino; 悦男荻野; Toshio Sumi; 俊雄角
Original assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Current assignee: Nippon Sheet Glass Co Ltd
Priority date: 1992-11-19
Filing date: 1992-11-19
Publication date: 1994-06-10

Abstract

(57)【要約】【目的】優れた電磁波遮蔽性能と高い可視光線透過率
との両立を図るとともに、低コストの単板の電磁波遮蔽
体を提供する。【構成】透明誘電体層１１と銀層１２とをこの順序で
交互に透明基体１０上に形成して多層膜が構成されてい
る。そして、この多層膜上には、酸化シリコン、酸窒化
シリコン及び窒化シリコンのうちの何れかの膜１３が形
成されている。そして、この膜１３は、１μｍ乃至２０
μｍの範囲内の膜厚で形成されている。この膜１３の形
成は、反応ガス供給後の反応室の真空度が１０Ｐａ以下
であって、且つ電子の数密度が１０¹¹／ｃｍ³以上のア
ーク放電プラズマ中の化学的気相合成法で形成されてい
る。この膜１３は銀層１２に対して極めて優れた保護膜
として作用するため、単板で使用可能な耐久性を有する
電磁波遮蔽体を得ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電磁波の遮蔽性能に優
れるとともに、可視光線について高透過率を有し、単板
で使用することが出来る電磁波遮蔽体に関する。

【０００２】

【従来の技術】今日の情報化社会においては、種々の電
磁波が、種々の役割を果たすために多くの装置で用いら
れている。そして、この傾向は今後ますます強まるもの
と考えられている。しかし、これらの電磁波によって、
コンピュータ、電子制御機器、工業用ロボット等の装置
の誤動作を生じ、いわゆる電磁波障害が発生していた。
また、機密保持の点から、コンピュータ等の装置内の情
報を含んだ電磁波の漏洩を防止することが必要とされて
いた。

【０００３】そこで、電磁波を遮蔽するために、オフィ
イスとして使用する部屋を地下に設置したり、地上に設
置する場合は窓のない部屋にするといった手段がとられ
ていた。

【０００４】しかし、地下室や窓のない部屋をオフィス
として使用するには、オフィス内に居る人にとって精神
衛生上の問題があった。この問題を解決するため、従
来、電磁波を遮蔽しながら、地上の窓のあるオフィスと
同等の快適性をもたせるために、電磁波を遮蔽する透明
な窓ガラスが提案されていた。

【０００５】このような窓ガラスとして使用できる第１
従来例として、銀のような金属膜を透明誘電体膜で挟ん
で、サンドイッチ構造にした被膜をガラス基板上に形成
したものがある。特に、銀膜を用いることにより、高い
電磁波遮蔽性能を得ることが出来るとともに、可視光線
領域での吸収を少なくすることが出来、これにより透過
率を高くすることが出来る。

【０００６】しかし、第１従来例によれば、銀膜の化学
的、機械的耐久性が十分ではないので、外部環境に直接
曝されないようにいわゆる複層ガラスとして使用しなけ
ればならなかった。

【０００７】また、第１従来例において、銀膜の代わり
に耐久性に優れたタンタルやチタンのような金属膜を用
いた場合には、電磁波遮蔽能を高めるために金属膜の膜
厚を厚くしなければならず、これにより可視光線領域の
透過率が大幅に低減するという問題があった。

【０００８】更に、第２従来例としては、耐久性が高い
電磁波遮蔽ガラスとして、ニッケルメッキしたポリエス
テル繊維をネット状に組んでなる電磁波遮蔽材料を、２
枚のプラスチックフィルムを介して２枚の透明ガラスの
間に挟み込んだ合わせガラス（日本板硝子社製品名マグ
ペーン_R）が市販されている。

【０００９】しかし、第１従来例の複層ガラスや第２従
来例の合わせガラスは、自動車のリアガラスやサイドガ
ラスに使用出来ず、使用する場所の制限を受けていた。
また、第１従来例の複層ガラスや第２従来例の合わせガ
ラスをコストの面から使用したくないという用途に対し
ては、単板の状態で使用出来る低コストの電磁波遮蔽体
が要望されていた。

【００１０】そこで、第３従来例としては、単板で使用
することが出来る電磁波遮蔽体として、少量の酸化錫を
ドープ剤として含む酸化インジウムのような酸化物半導
体の厚膜（１μｍ以上）を利用するものが提案されてい
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかし、酸化物半導体
の厚膜を利用する場合には、銀膜と比べて電磁波遮蔽性
能が劣るため、電磁波遮蔽性能を高めるためには少なく
とも１μｍ以上の膜厚が必要であり、少量の酸化錫をド
ープ剤として含む酸化インジウムのような高価な半導体
材料を厚膜で利用するため高コストであった。

【００１２】そこで、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性能と高い可視光線透過率との両立を図ることが出来
るとともに、低コストな単板の電磁波遮蔽体を提供する
ことにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明に係る電磁波遮蔽
体は、透明基体１０と、この透明基体１０上に、透明誘
電体層１１と銀層１２とがこの順序で交互に積層されて
構成されている多層膜と、この多層膜上に形成され、酸
化シリコン、酸窒化シリコン及び窒化シリコンのうちの
何れかの膜であって且つ１μｍ乃至２０μｍの範囲の膜
厚を有する膜１３とを備えてなり、この膜１３は、反応
ガス供給後の雰囲気の圧力が１０Ｐａ以下であって、且
つ電子の数密度が１０¹¹／ｃｍ³以上のアーク放電プラ
ズマ中における化学的気相合成法で形成された膜である
ことを特徴とする。

【００１４】

【作用】酸化シリコン、酸窒化シリコン及び窒化シリコ
ンのうちの何れかの膜であって且つ１μｍ乃至２０μｍ
の範囲の厚さを有する膜を、高真空高密度アーク放電プ
ラズマ中の化学的気相合成法により形成したため、この
膜にクラックが発生するのを防止することが出来る。更
に、この膜は、多層膜の最上層の膜との密着性に優れて
いる。従って、この膜は、多層膜中の銀層に対して極め
て優れた保護膜として作用する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を参照しな
がら説明する。なお、図１及び図２の共通部分には同一
の符号を付してある。

【００１６】図１は、本発明に係る電磁波遮蔽体の一例
を示す側面図である。図中、透明基体１０としては、本
実施例では、耐久性を考慮してガラス基板が使用されて
いる。このガラス基板１０の代わりにアクリル板やポリ
カーボネート板のようなプラスチック板を用いてもよ
い。そして、ガラス基板１０上には、透明誘電体層１１
及び銀層１２がこの順序で順次に積層されている。この
透明誘電体層１１及び銀層１２を、後述する実施例１〜
５では３層積層した場合及び５層積層した場合について
示したが、２層以上であれば何層積層してもよい。

【００１７】次に電磁波遮蔽体の製造方法について説明
する。先ず、透明誘電体層１１としては、酸化錫、酸化
亜鉛、酸化タンタル、及び酸化ジルコニウムなどの何れ
かを用いることができる。これらの透明誘電体層１１
は、銀層１２とガラス基板１０との間の付着力を保つた
めに必要である。また透明誘電体層１１の屈折率は、可
視光線の反射率を下げるために２．０程度であることが
望ましい。更に、この透明誘電体層１１の膜厚は、可視
光線領域での透過率が高くなるように、即ち反射率が低
くなるように１０〜１００ｎｍの範囲で調整されてい
る。この範囲から透明誘電体層１１の膜厚が外れると可
視光線の反射率が増加する。

【００１８】次に、透明誘電体層１１の上に銀層１２を
形成する。この銀層１２の膜厚の範囲は、電磁波遮蔽性
能を高くし、且つ可視光線領域の透過率を高くするため
に、６〜２０ｎｍであることが好ましい。銀層１２の膜
厚がこの範囲の上限より厚くなると、可視光線領域での
透過率が減少し、約５０％以上の透過率の値を確保する
ことが困難となる。この約５０％以上の可視光線の透過
率は、建物や自動車の窓ガラスに適用する場合に、薄暮
のように室外や車外が暗くなってきても、自然に十分な
視界を確保できるために必要な値である。また、銀層１
２の膜厚がこの範囲の下限より薄くなると、銀層１２が
島状に点在する構造となり、電磁波遮蔽性能が低下する
とともに、化学的耐久性も悪化する。

【００１９】また、前記銀層１２の直上に、Ｎｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒなどの金属被膜またはＴｉＮ、ＺｒＮなどの金
属窒化物被膜を、１〜５ｎｍの膜厚で形成してもよい。
このように形成することにより、銀層上に透明誘電体層
の酸化物の膜を被覆するときに、銀層の酸化を防止する
ことが出来る。

【００２０】次に、透明誘電体層１１と銀層１２とを積
層して形成した多層膜の上に、酸化シリコン、酸窒化シ
リコン、窒化シリコンのうち何れか１つ又は２つ以上積
層した被膜を１μｍ乃至２０μｍの範囲の膜厚の厚膜１
３で形成する。この範囲の下限より薄くなると化学的及
び機械的な外力に対する耐久性が劣化する。また上限よ
り厚くなると膜応力の絶対値が増大する。厚膜１３の膜
厚の範囲は１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。更
に好ましい範囲は、２μｍ〜５μｍである。

【００２１】このようにして、銀層１２により優れた電
磁波遮蔽性能を実現するとともに、銀層１２に対する厚
膜１３の保護膜を形成することにより、電磁波遮蔽体を
単板で使用出来る耐久性を確保することが出来る。これ
らの膜は、何れも可視光線領域で透明で、屈折率が２．
０以下であるので、可視光線の透過率を高めることがで
きるとともに、可視光線の反射率を下げることができ
る。

【００２２】図２は、透明誘電体層１１と、この透明誘
電体層１１の上に積層する銀層１２とを繰り返して積層
した場合を示す。この繰り返し数は必要に応じて決定す
ることが出来る。このように透明誘電体層１１と銀層１
２とを繰り返して積層する場合に、透明誘電体層１１の
各層を同じ材料から構成すると製造する上で有利であ
る。しかし、これに限定されるわけではなく、光学特
性、例えば屈折率が満足されるならば、異なる材料を用
いても良い。

【００２３】図４は、厚膜１３を成膜するのに用いる高
真空高密度アーク放電プラズマを利用した化学的気相合
成装置の概略断面図である。この化学的気相合成装置
は、本出願人が先に提案した特開平４−１１０４７３に
示す装置と類似しているが、本願では基板を加熱してい
る点が大きく異なる。

【００２４】この化学的気相合成装置は、減圧された雰
囲気を調製することが出来る真空槽２１と、この真空槽
２１内にプラズマビームを発生させる圧力勾配型のプラ
ズマビーム発生装置３８とを備えている。

【００２５】真空槽２１内には、成膜室（反応室）２２
が形成されている。そして成膜室２２内には、基板２４
の表面に対向して基板２４の移動方向に複数のヒータ２
３が配列されている。そして、このヒータ２３により基
板２４を加熱する。更に、真空槽２１には、基板２４の
表面を含む平面についてヒータ２３と反対側に、放電陽
極２９が絶縁体３０を介して取り付けられている。そし
て、この放電陽極２９は、結線４１を介して直流電源３
７のプラス側に接続されているとともに、成膜室２２内
に露出する部分が開口３１ａを有する防着板３１で覆わ
れている。

【００２６】真空槽２１には、放電陽極２９と対向して
プラズマビーム発生装置３８が取り付けられている。こ
のプラズマビーム発生装置３８は、電子加速用の複数の
中間電極２７と、これらの中間電極２７間及び中間電極
２７と真空槽２１との間をそれぞれ絶縁する絶縁体３０
と、Ｔａパイプ及びディスク状ＬａＢ₆を有する複合陰
極２８と、成膜室２２内にＡｒの放電ガスを導入する導
入管３３とを備えている。そして、複合陰極２８は結線
４２を介して、複数の中間電極２７の一方の中間電極５
１は抵抗Ｒ₁及び結線４３を介して、他方の中間電極５
２は抵抗Ｒ₂及び結線４４を介して、それぞれ直流電源
３７のマイナス側に接続されている。

【００２７】前記プラズマビーム発生装置３８及び放電
陽極２９のそれぞれの近傍には、プラズマビーム発生装
置３８により発生させたプラズマビームを放電陽極２９
に向かうようにする空芯コイル２５が配設されている。
そして、プラズマビーム発生装置３８と空芯コイル２５
との間には、プラズマビーム発生装置３８から引き出さ
れたプラズマ流をシート状にするための一対の永久磁石
２６が配設されている。

【００２８】更に成膜室２２内のシートプラズマ３２に
対して基板２４と反対側にはガス供給ノズル３４が配置
されている。そして、このガス供給ノズル３４には、原
料ガス源（不図示）から原料ガスを導入する原料ガス導
入管３５と、反応ガス源（不図示）から反応ガスを導入
する反応ガス導入管３６とがそれぞれ連結されている。

【００２９】上述した化学的気相合成装置により膜形成
を行うには、先ず真空槽２１にセットした基板２４を加
熱する。次に導入管３３から放電ガスを導入する。次
に、プラズマビーム発生装置３８と放電陽極２９との間
に直流電力を供給して、高密度アーク放電プラズマ流を
成膜室２２内に引き出す。次に、一対の永久磁石２６に
より、引き出されたプラズマ流をシート状に形成する。
次に、ガス供給ノズル３４から原料ガスと反応ガスとを
成膜室２２内に導入することにより高速で厚膜１３の形
成を行うことが出来る。

【００３０】以上のように、酸化シリコン、酸窒化シリ
コン、窒化シリコンのうち何れかの厚膜１３を、高真空
高密度アーク放電プラズマ中の化学的気相合成法で形成
したため、高速で成膜出来るので工業的生産手段として
好適である。また、このようにして得られる厚膜１３
は、基板１０を加熱しない従来法で得られる厚膜に比べ
て緻密である。更に、１μｍ以上の厚膜１３であっても
クラック（膜のひび割れ）の発生がなく、下地との密着
性に優れている。従って、化学的、機械的な外力に対し
て十分な抵抗を示すことが出来る。

【００３１】また、酸化シリコン、酸窒化シリコン、窒
化シリコンのうち何れかの厚膜１３の膜厚は、少なくと
も１μｍ以上必要であり、好ましくは２μｍ以上である
ことが望ましい。このような厚膜１３とすることによ
り、銀層１２に対して十分な保護効果が得られるととも
に、光学干渉による色むらの発生を抑えることが出来
る。また、厚膜１３の表面が化学的に侵されたとして
も、上述した膜厚とすることにより、光学特性の変化量
を小さく抑えることが出来る。

【００３２】（実施例１）先ず、周知の直流マグネトロ
ンスパッタ装置を用いてガラス基板１０上に多層膜を形
成してなるガラスサンプルを作成する。このガラスサン
プルを作成するには、初めに直流マグネトロンスパッタ
装置の２つのカソードに、それぞれ金属Ｚｎと金属Ａｇ
をセットする。次に、表面を清浄にした２ｍｍ厚のフロ
ートガラス基板を真空槽にいれ、この真空槽内を真空ポ
ンプで１×１０^-3Ｐａ以下まで排気する。次に、この真
空槽内に酸素ガスを導入し、スロットルバルブを用いて
０．２Ｐａの圧力に調整する。次に、金属Ｚｎターゲッ
トに３Ａの電流を流してスパッタを開始する。そして、
ターゲットの上方を所定の速度でガラス基板を通過させ
る。このようにして、約７３ｎｍの第１層目の透明誘電
体層１１である酸化亜鉛被膜を形成した。

【００３３】次いで、真空槽の雰囲気をＡｒガスに置換
し、圧力を０．２Ｐａに調節する。次に、金属Ａｇター
ゲットに１Ａの電流を流してスパッタを開始し、ターゲ
ットの上方を所定の速度でガラス基板を通過させる。こ
のようにして、約１０ｎｍの銀層１２を酸化亜鉛被膜の
上に形成した。

【００３４】次いで、再度、真空槽内の雰囲気を酸素ガ
スに置換して、第１層目と同様にして、銀層の上に約３
６ｎｍの酸化亜鉛被膜を形成した。

【００３５】このようにして３層の多層膜が形成された
ガラスサンプルを直流マグネトロンスパッタ装置の真空
槽から取り出し、直ちに上述した高真空高密度のアーク
放電プラズマを利用した化学的気相合成装置の真空槽２
１にセットする。次に、ガラスサンプルをヒータ２３に
より、約１５０℃に加熱する。このときのガラスサンプ
ルの加熱温度は、本実施例では約１５０℃にしたが、約
１５０℃でなくてもよく、１００℃〜２００℃の範囲が
好ましい。１００℃未満では、厚膜１３を形成する際に
ＳｉＨ₄の原料ガスの未分解生成物がこの厚膜１３中に
取り込まれ、厚膜１３がポーラスとなる。また、２００
℃より高くなると、銀層１２が凝集して光学性能が低下
する。なお、ガラスサンプルの加熱の温度範囲として、
さらに好ましいのは１３０℃〜１７０℃である。

【００３６】次に、成膜室２２内を５×１０^-4Ｐａ以下
に排気する。その後に、放電ガス（Ａｒ）を導入管３３
から成膜室２２内に約４０ｓｃｃｍの流量で導入する。
導入後の成膜室２２内の圧力は０．０３Ｐａであった。
次に、複合陰極２８を予備加熱した後、約８０Ａの直流
電流を印加し、シート状の高密度プラズマ３２を形成す
る。

【００３７】次いで、原料ガスとしてＳｉＨ₄(モノシラ
ン) ガスを導入管３５から約４００ｓｃｃｍ、反応ガス
として酸素ガスを導入管３６から約１０００ｓｃｃｍの
流量でそれぞれ導入し、ガス供給ノズル３４からシート
プラズマ３２中に供給する。供給後の成膜室２２内の圧
力は約１Ｐａであり、１３Ｐａ以上の圧力で行う通常の
プラズマＣＶＤよりもはるかに高真空である。

【００３８】次いで、シートプラズマ３２上を所定の速
度でガラスサンプルを往復通過させ、酸化亜鉛被膜の上
に厚膜１３である約３μｍの酸化シリコン被膜を形成す
る。

【００３９】上述した如く構成されたサンプルの電磁波
遮蔽性能をＫＥＣ法により測定した結果、２００ＭＨｚ
から１ＧＨｚにわたる広い周波数帯において、少なくと
も約４０ｄＢ（電磁波の強度がもとの０．０１％程度に
減衰）の遮蔽特性を示していた。また、このサンプルの
可視光線透過率は７１．２％、日射光線透過率は５３．
４％であった。そして、サンプルの透過色及び反射色
は、共に中性色（ニュートラルな無彩色）であった。

【００４０】また、図３の実線１５がこのサンプルの赤
外線遮蔽性能を測定した結果を示している。この実線１
５から、このサンプルの赤外線の透過が効果的に抑えら
れていることがわかる。

【００４１】次いで、このサンプルの耐湿試験を、５０
℃、９５％ＲＨ（相対湿度）の雰囲気中に約２４０時間
放置して行った。目視観察の結果では、少数の小さなピ
ンホールが存在する程度で大きな変化は認められなかっ
た。

【００４２】（実施例２）先ず、実施例１と同様に、ガ
ラス基板１０上に酸化亜鉛膜、銀層及び酸化亜鉛膜から
構成される３層被膜をこの順序で形成してガラスサンプ
ルを作成する。その後に、このガラスサンプルを実施例
１と同一の化学的気相合成装置の真空槽２１にセット
し、ヒータ３により約１５０℃に加熱する。次に、最上
層の膜も実施例１と同様の方法で、前記３層被膜の上に
約３μｍの厚さの酸窒化シリコンの膜を形成する。ここ
で、反応ガスとして３００ｓｃｃｍの酸素ガスと６００
ｓｃｃｍの笑気ガス（Ｎ₂Ｏ）を用いることにより、酸
化シリコンの代わりに酸窒化シリコンを成膜した点だけ
が実施例１と異なる。

【００４３】そして、ガラスサンプルは、ガラス基板１
０上の７２ｎｍ厚の酸化亜鉛膜、この酸化亜鉛膜上の８
ｎｍ厚の銀層、この銀層上の１７ｎｍ厚の酸化亜鉛膜及
び３μｍ厚の酸窒化シリコン厚膜を備えて構成されてい
る。このサンプルの電磁波遮蔽性能をＫＥＣ法により測
定した結果、２００ＭＨｚから１ＧＨｚにわたる広い周
波数帯において、少なくとも３０ｄＢ以上（電磁波の強
度がもとの０．１％以下に減衰）の遮蔽特性を示してい
た。また、このサンプルの可視光線透過率は７１．８
％、日射光線透過率は５９．０％であった。そして、サ
ンプルの透過色及び反射色は、実施例１と同様に共に中
性色であった。

【００４４】また、図３の一点鎖線１６がこのサンプル
の赤外線遮蔽性能を測定した結果を示している。この一
点鎖線１６から、このサンプルの赤外線の透過が効果的
に抑えられていることがわかる。

【００４５】次いで、このサンプルの耐湿試験を、５０
℃、９５％ＲＨの雰囲気中に約２４０時間放置して行っ
た。目視観察の結果では、実施例１と同様に少数の小さ
なピンホールが存在する程度で大きな変化は認められな
かった。

【００４６】（実施例３）先ず、実施例１及び２と同様
に、ガラス基板１０上に酸化亜鉛膜、銀層及び酸化亜鉛
膜から構成される３層被膜をこの順序で形成してガラス
サンプルを作成する。

【００４７】その後に、このガラスサンプルを実施例１
と同一の化学的気相合成装置の真空槽２１にセットし、
ヒータ２３により約１５０℃に加熱する。次に、厚膜１
３も実施例１及び２と同様の方法で、３層被膜の上に約
３μｍの厚さの窒化シリコンの膜を形成する。ここで、
反応ガスとして１０００ｓｃｃｍの窒素ガスを用いて、
酸化シリコン又は酸窒化シリコンの代わりに窒化シリコ
ンを成膜した点だけが実施例１及び２と異なる。

【００４８】このようにして、ガラスサンプルは、ガラ
ス基板上の７１ｎｍ厚の酸化亜鉛膜、この酸化亜鉛膜上
の１５ｎｍ厚の銀層、この銀層上の１４ｎｍ厚の酸化亜
鉛膜及び３μｍ厚の窒化シリコン厚膜を備えて構成され
ている。このサンプルの電磁波遮蔽性能をＫＥＣ法によ
り測定した結果、２００ＭＨｚから１ＧＨｚにわたる広
い周波数帯において、少なくとも４０ｄＢ以上（電磁波
の強度がもとの０．０１％以下に減衰）の遮蔽特性を示
していた。また、このサンプルの可視光線透過率は５
２．２％、日射光線透過率は４１．６％であった。そし
て、可視光線反射率は約２８％と高いものの、サンプル
の透過色及び反射色は、実施例１と同様に共に中性色で
あった。

【００４９】（実施例４）実施例４では、酸化亜鉛膜、
銀層及び酸化亜鉛膜から成る多層膜の膜厚のみが実施例
３と異なる。即ち、実施例４では、ガラス基板上の８０
ｎｍ厚の酸化亜鉛膜、この酸化亜鉛膜上の６．５ｎｍ厚
の銀層、この銀層上の２０ｎｍ厚の酸化亜鉛膜及び３μ
ｍ厚の窒化シリコン厚膜を備えて構成されている。この
サンプルの可視光線透過率は７０．５％、日射光線透過
率は６３．６％であった。そして、可視光線反射率は約
１５％とやや高いものの、サンプルの透過色及び反射色
は、共に中性色であった。

【００５０】また、図３の二点鎖線１７が、このサンプ
ルの赤外線遮蔽性能を測定した結果を示している。この
二点鎖線１７から、このサンプルの赤外線の透過が効果
的に抑えられていることがわかる。

【００５１】次いで、このサンプルの耐湿試験を、５０
℃、９５％ＲＨの雰囲気中に約２４０時間放置して行っ
た。目視観察の結果では、実施例１又は２と同様に少数
の小さなピンホールが存在する程度で大きな変化は認め
られなかった。

【００５２】（実施例５）実施例１と同様の成膜を反復
することにより、ガラス基板上に酸化亜鉛膜、銀層、酸
化亜鉛膜、銀層及び酸化亜鉛膜をこの順序で成膜して５
層被膜の多層膜を形成する。その後に、このガラスサン
プルを実施例１と同一の化学的気相合成装置の真空槽に
セットし、ヒータ２３により約１５０℃に加熱する。次
に、厚膜１３も実施例１と同様の方法で、前記３層被膜
の上に約３μｍの厚さの酸化シリコンの膜を形成する。

【００５３】このようにして得られたガラスサンプル
は、ガラス基板上の３８ｎｍ厚の酸化亜鉛膜、この酸化
亜鉛膜上の１２ｎｍ厚の銀層、この銀層上の８８ｎｍ厚
の酸化亜鉛膜、この酸化亜鉛膜上の１２ｎｍ厚の銀層、
この銀層上の３２ｎｍ厚の酸化亜鉛膜及びこの酸化亜鉛
膜上の３μｍの酸化シリコン膜を備えて構成されてい
る。このガラスサンプルの電磁波遮蔽性能をＫＥＣ法に
より測定した結果、２００ＭＨｚから１ＧＨｚにわたる
広い周波数帯において、少なくとも５０ｄＢ以上（電磁
波の強度がもとの０．００１％以下に減衰）の遮蔽特性
を示していた。また、このサンプルの可視光線透過率は
６３．１％、日射光線透過率は３１．９％、可視光線反
射率は９．４％であった。そして、サンプルの透過色は
淡いグリーン、反射色は、ブルーであった。

【００５４】次いで、このサンプルの耐湿試験を、５０
℃、９５％ＲＨの雰囲気中に約２４０時間放置して行っ
た。目視観察の結果では、実施例１又は２と同様に少数
の小さなピンホールが存在する程度で大きな変化は認め
られなかった。

【００５５】（比較例１）実施例１、２及び３と同様の
方法で、ガラス基板上に酸化亜鉛膜、銀層及び酸化亜鉛
膜の構成の３層被膜を形成した。そして、実施例１、２
及び３とは異なり最外側層の酸化亜鉛被膜の上には、酸
化シリコン、酸窒化シリコン及び窒化シリコンのいずれ
の被膜も保護膜として形成しなかった。

【００５６】このようにして、比較例１のガラスサンプ
ルは、ガラス基板上に、４４ｎｍの酸化亜鉛膜、１２ｎ
ｍの銀層及び４１ｎｍの酸化亜鉛膜がこの順序で積層さ
れて構成された。この比較例１のサンプルの電磁波遮蔽
性能をＫＥＣ法により測定した結果、実施例１、２及び
３と同様に、２００ＭＨｚから１ＧＨｚにわたる広い周
波数帯において、少なくとも４０ｄＢ以上の遮蔽特性を
示していた。

【００５７】また、図３の破線１８から明らかなよう
に、赤外線の透過が効果的に抑えられている。また、こ
の比較サンプルの可視光線透過率は７８．９％、日射光
線透過率は５４．７％であった。但し、透過色はニュー
トラルであるものの、反射色がかなり明確な赤色を呈し
ていた。このサンプルを５０℃、９５％ＲＨの雰囲気中
に約２４０時間放置して耐湿試験を行った。目視観察の
結果では、実施例１、２及び３とは全く異なり全面にひ
ろがる無数のピンホールが観察された。

【００５８】（比較例２）実施例１、２及び３と同様の
方法で、ガラス基板上に酸化亜鉛膜、窒化チタン膜及び
酸化亜鉛膜の構成の３層被膜を形成した。そして、実施
例１、２及び３とは異なり、銀層を形成する代わりに窒
化チタン膜を形成し、保護膜は形成しなかった。この窒
化チタン膜の形成は、先ず、スパッタ装置内に窒素ガス
を導入し、スロットルバルブを用いて０．２Ｐａの圧力
に調整する。次に金属Ａｇターゲットの代わりにセット
した金属チタンターゲットに３Ａの電流を流してスパッ
タを開始し、ターゲットの上方を所定の速度でガラス基
板を通過させることにより、約４ｎｍの窒化チタン被膜
を形成した。

【００５９】このようにして、比較例２のガラスサンプ
ルは、ガラス基板上に、６２ｎｍの酸化亜鉛膜、４ｎｍ
の窒化チタン膜、４５ｎｍの酸化亜鉛膜がこの順序で積
層されて構成された。この比較例２のガラスサンプルの
赤外線遮蔽性能を測定した結果を図３に示す。図３の破
線１９から赤外線の遮蔽性能が実施例１、２及び３や比
較例１に比べて劣っていることがわかる。この比較サン
プルの可視光線透過率は７０．１％、日射光線透過率は
６７．４％であった。また、透過色はほぼ中性色であっ
たが、反射色は明らかな黄色であった。このサンプルを
５０℃、９５％ＲＨの雰囲気中に約２４０時間放置して
耐湿試験を行った。目視観察の結果では、実施例１、２
及び３と同様に大きな変化は認められなかった。

【００６０】

【発明の効果】本発明による電磁波遮蔽体では、透明基
体上に形成されている多層膜上にこの多層膜中の銀層に
対する保護膜が形成されているので、銀層の外部環境に
対する耐久性が高く、銀層の有している優れた電磁波遮
蔽性能及び高い可視光線透過率を維持したまま単板で使
用することが出来る。従って、優れた電磁波遮蔽性能等
を得るために複層ガラスや合わせガラスとする必要がな
く低コストである。

【００６１】また酸化錫をドープ剤として含む酸化イン
ジウムのような高価な半導体材料を厚膜で使用する必要
がなく、これによっても低コストの電磁波遮蔽体を得る
ことが出来る。更には、単板で使用出来るため、設計の
自由度が広がるとともに、施工性も容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜４の側面図である。

【図２】本発明の実施例５の側面図である。

【図３】本発明の実施例１、２及び４の分光透過率曲線
図である。

【図４】化学的気相合成装置の概略断面図である。

【符号の説明】

１０透明基体１１透明誘電体層１２銀層１３厚膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基体と、この透明基体上に、透明誘電体層と銀層とがこの順序で
交互に積層されて構成されている多層膜と、この多層膜上に形成され、酸化シリコン、酸窒化シリコ
ン及び窒化シリコンのうちの何れかの膜であって且つ１
μｍ乃至２０μｍの範囲の膜厚を有する膜とを備えてな
り、この膜は、反応ガス供給後の雰囲気の圧力が１０Ｐａ以
下であって、且つ電子の数密度が１０¹¹／ｃｍ³以上の
アーク放電プラズマ中における化学的気相合成法で形成
された膜であることを特徴とする電磁波遮蔽体。
【請求項２】請求項１記載の電磁波遮蔽体において、
前記多層膜上の膜は、前記透明基体が１００℃乃至２０
０℃の範囲に加熱された状態で形成されたことを特徴と
する電磁波遮蔽体。
【請求項３】請求項１記載の電磁波遮蔽体において、
前記銀層と透明誘電体層との間に金属被膜又は金属窒化
物被膜が介在していることを特徴とする電磁波遮蔽体。