JPH06160486A - Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置 - Google Patents

Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置

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Publication number
JPH06160486A
JPH06160486A JP4313612A JP31361292A JPH06160486A JP H06160486 A JPH06160486 A JP H06160486A JP 4313612 A JP4313612 A JP 4313612A JP 31361292 A JP31361292 A JP 31361292A JP H06160486 A JPH06160486 A JP H06160486A
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JP
Japan
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buffer memory
data
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test vector
vector buffer
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JP4313612A
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English (en)
Inventor
Yosuke Iida
洋介 飯田
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Advantest Corp
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Advantest Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 メモリセルを高速診断するバッファメモリ装
置を提供する。 【構成】 複数ブロックに分割されたバッファメモリ2
を具備し、データ用アドレスポインタ3を具備し、診断
テスト用アドレスポインタ4を具備し、ポインタ3およ
びポインタ4を切換えるマルチプレクサ5を具備し、マ
ルチプレクサ5の出力は複数ブロックのアドレス入力に
共通接続し、データおよび診断用データを切換えるマル
チプレクサ7を具備し、マルチプレクサ7の出力は複数
ブロックのデータ入力に共通接続し、複数ブロックの出
力に接続するパラレルシリアル変換器21を具備し、変
換器21の出力をテストシステムに供給する読出しバッ
ファ8を具備し、変換器21の出力と期待値とを比較す
る比較器9を具備し、比較器9の出力に接続するシフト
レジスタ23を具備する大容量バッファメモリ装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、LSIテストシステ
ム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置に関し、
特に大容量バッファメモリ自体の全メモリセルの診断を
高速に実施することができるLSIテストシステム用大
容量テストベクトルバッファメモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来例を図2を参照して説明する。図2
において、1は診断制御部であり、2はLSIテストシ
ステム用大容量テストベクトルバッファメモリである。
3はデータ用アドレスポインタであり、データをテスト
ベクトルバッファメモリ2に書込む際のアドレスを指定
するものである。4は診断テスト用アドレスポインタで
あり、診断制御部1により制御されて制御部から送り込
まれる診断用データをテストベクトルバッファメモリ2
に書き込む際のアドレスを指定するものである。データ
用アドレスポインタ3および診断テスト用アドレスポイ
ンタ4のアドレス信号はテストベクトルバッファメモリ
2に対してマルチプレクサ5により切換え供給される。
【0003】13はデータバスであり、上述のデータを
テストベクトルバッファメモリ2に送り込むためのもの
である。6ライトデータバッファであり、データバス1
3を介して送り込まれるデータはライトデータバッファ
6に一時的に保持されてテストベクトルバッファメモリ
2に送り込まれる。データバス13を介して送り込まれ
るデータおよび診断制御部1から送り込まれる診断用デ
ータはテストベクトルバッファメモリ2に対してマルチ
プレクサ7により切換え供給される。
【0004】8は読出バッファであり、テストベクトル
バッファメモリ2に書き込まれたデータを読出してこれ
をLSIテストシステム20に送り出す。9は排他的論
理和回路より成る比較器であり、テストベクトルバッフ
ァメモリ2の出力と診断制御部1から供給される期待値
とを順次に比較する。なお、12はタイミング調整用の
微小遅延素子である。11は不良フラグレジスタであ
り、比較器9から不一致のOR回路10を介して供給さ
れる複数データビットの不一致のOR出力に基づいて、
不良フラグを立てるものであり、これが立つと、診断停
止信号を発生してこれを診断制御部1に供給し、診断動
作を停止する。
【0005】ここで、大容量テストベクトルバッファメ
モリ装置は、自身のテストベクトルバッファメモリ2の
診断時以外の通常動作時においては、データバス13を
介して送り込まれるデータをライトデータバッファ6に
ロードし、これをテストベクトルバッファメモリ2のア
ドレスポインタ3の示すアドレスにマルチプレクサ7を
介して書き込む。テストベクトルバッファメモリ2に書
き込まれたデータは読出バッファ8に読出してLSIテ
ストシステム20に送り出す。
【0006】テストベクトルバッファメモリの診断時
は、診断制御部1から供給される診断用データをテスト
ベクトルバッファメモリ2のテスト用アドレスポインタ
4の指定するアドレスにマルチプレクサ7を介して書き
込む。診断用データはテストベクトルバッファメモリ2
から読出され、比較器9において診断制御部1から供給
される期待値と比較される。読出された診断用データと
期待値とが不一致の場合は不良フラグがセットされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、テストベク
トルバッファメモリ2の診断は比較的に大きいメモリサ
イクルタイムで実施せざるを得ず、その容量は大容量で
あるところから全メモリセルを診断するには多大の時間
を必要とすることになる。この発明は、大容量バッファ
メモリの全メモリセルの診断を高速に実施することがで
きる上述の通りの問題を解消したLSIテストシステム
用大容量テストベクトルバッファメモリ装置を提供する
ものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】複数ブロックに分割され
たテストベクトルバッファメモリ2を具備し、データ用
アドレスポインタ3を具備し、診断テスト用アドレスポ
インタ4を具備し、データ用アドレスポインタ3および
診断テスト用アドレスポインタ4から送り出されるアド
レスを切換えるマルチプレクサ5を具備し、マルチプレ
クサ5の出力は複数ブロックそれぞれのアドレス入力に
共通に接続し、データおよび診断用データを切換えるマ
ルチプレクサ7を具備し、マルチプレクサ7の出力は複
数ブロックそれぞれのデータ入力に共通に接続し、複数
ブロックそれぞれの出力に接続するパラレルシリアル変
換器21を具備し、パラレルシリアル変換器21の出力
をLSIテストシステムに供給する読出しバッファ8を
具備し、パラレルシリアル変換器21の出力と期待値と
を比較する比較器9を具備し、比較器9の出力に接続す
るシフトレジスタ23を具備することを特徴とするLS
Iテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモ
リ装置。
【0009】
【実施例】この発明の実施例を図1を参照して説明す
る。図1において、1は診断制御部であり、2はLSI
テストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ
である。テストベクトルバッファメモリ2は、図示され
る通り、8個のブロック20ないし27 に分割して互い
に同時に並列的に取扱われる。3はデータ用アドレスポ
インタであり、データをテストベクトルバッファメモリ
2の各ブロック20 ないし27 に書き込む際のアドレス
を指定するものである。4は診断テスト用アドレスポイ
ンタであり、診断制御部1により制御されて制御部から
送り込まれる診断用データをテストベクトルバッファメ
モリ2の各ブロック20 ないし27 に書き込む際のアド
レスを指定するものである。データ用アドレスポインタ
3および診断テスト用アドレスポインタ4のアドレス信
号はテストベクトルバッファメモリ2の各ブロック20
ないし27 に対してマルチプレクサ5により切換え供給
される。ここで、マルチプレクサ5の出力はテストベク
トルバッファメモリ2の各ブロック20 ないし27 の対
応するアドレスを指定する。
【0010】13はデータバスであり、上述のデータを
テストベクトルバッファメモリ2に送り込むためのもの
である。6はライトデータバッファであり、データバス
13を介して送り込まれるデータはライトデータバッフ
ァ6に一時的に保持されてテストベクトルバッファメモ
リ2に送り込まれる。データバス13を介して送り込ま
れるデータおよび診断制御部1から送り込まれる診断用
データはテストベクトルバッファメモリ2の各ブロック
0 ないし27 に対してマルチプレクサ7により切換え
供給される。ここで、マルチプレクサ7の出力は、テス
トベクトルバッファメモリ2の各ブロック20 ないし2
7 のデータ入力端子に共通に接続している。
【0011】200 ないし207 はラッチであり、それ
ぞれバッファメモリ2の各ブロック20 ないし27 の出
力を一時的に保持して出力するものである。21はマル
チプレクサより成るパラレルシリアル変換器であり、ラ
ッチ20のパラレル出力信号をシリアル信号に変換する
ものである。22は8進カウンタであり、そのクロック
周期は50nSである。ところで、上述の診断制御部1
のクロック周期はバッファメモリ2のサイクルタイムに
相当する400nSに設定されているので、8進カウン
タ22の50nSというクロック周期はサイクルタイム
の8倍高速であるということになる。パラレルシリアル
変換器21はこの8進カウンタにより50nSというク
ロック周期で歩進せしめられている。
【0012】9は排他的論理和回路より成る比較器であ
り、パラレルシリアル変換器21のシリアル出力と診断
制御部1から供給される期待値とを順次に比較する。な
お、12はタイミング調整用の微小遅延素子である。2
3は直列入力並列出力シフトレジスタであり、8段のフ
リップフロップ230 ないし237 より成り、50nS
のクロック周期で動作する。このシフトレジスタ23の
8段のフリップフロップ230 ないし237 にはバッフ
ァ10を介して送り込まれる排他的論理和回路9の出力
が順次に入力され、バッファメモリ2の各ブロック20
ないし27 の内の何れにおいて不良が発生したかを示
す。11は不良フラグレジスタであり、OR回路24を
介してシフトレジスタ23のフリップフロップ各段から
送り出される出力結果に基づいて、不良フラグを立てる
ものであり、これが立つと、診断停止信号を発生してこ
れを診断制御部1に供給し、診断動作を停止する。
【0013】ここで、テストベクトルバッファメモリ装
置の動作について説明する。テストベクトルバッファメ
モリ装置は、自身のテストベクトルバッファメモリ2の
診断時以外の通常動作時においては、データバス13を
介して送り込まれるデータをライトデータバッファ6に
ロードし、これをテストベクトルバッファメモリ2の各
ブロック20 ないし27 のアドレスポインタ3が指定す
る対応するアドレスにマルチプレクサ7を介して書き込
む。テストベクトルバッファメモリ2の各ブロック20
ないし27 に書き込まれたデータは読み出され、それぞ
れのラッチ200 ないし207 に一時的に保持され、次
いでパラレルシリアル変換器21に並列的に送り込ま
れ、シリアル変換される。パラレルシリアル変換器21
のシリアル出力は読出バッファ8に読出してLSIテス
トシステム20に送り出される。
【0014】テストベクトルバッファメモリ2の診断時
は診断制御部1から供給される診断用データをテストベ
クトルバッファメモリ2の各ブロック20 ないし27
テスト用アドレスポインタ4が指定する対応するアドレ
スにマルチプレクサ7を介して書き込む。各ブロック2
0 ないし27 に書き込まれるデータは互いに同一のデー
タである。そのために期待値の発生は各ブロック20
いし27 共通でよい。テストベクトルバッファメモリ2
の各ブロック20 ないし27 に書き込まれた診断用デー
タは読み出され、それぞれのラッチ200 ないし207
に一時的にラッチされ、次いでパラレルシリアル変換器
21に並列的に送り込まれ、シリアル変換される。パラ
レルシリアル変換器21のシリアル出力は比較器9にお
いて診断制御部1から供給される期待値と比較される。
比較結果は不一致のOR10を介してデータ方向の不一
致のORがとられ、シフトレジスタ23のフリップフロ
ップ各段に保存される。シフトレジスタ23の出力はO
R回路24を介して8サイクル分の期待値との不一致の
ORがとられ、不良フラグレジスタ11に供給される。
【0015】パラレルシリアル変換器21のシリアル出
力と期待値とが不一致の場合、バッファメモリ2の各ブ
ロック20 ないし27 の内の何れにおいて不良が発生し
たかはシフトレジスタ23の保存結果を見ることにより
知ることができ、不良フラグレジスタ11に不良フラグ
がセットされる。このことに起因して不良フラグレジス
タ11において診断停止信号を発生し、この信号に基づ
いて診断制御部1の診断動作を停止する。
【0016】
【発明の効果】テストベクトルバッファメモリ2のサイ
クルタイムは例えば400nSであるものとしても、診
断に関与する上述の論理回路は実際は400nSよりも
遥かに速い50nS以上の高速動作することができるも
のである。この様な事情から、上述された実施例の如
く、テストベクトルバッファメモリ2を例えば8個のブ
ロックに分割して各ブロックに共通する互いに同一のデ
ータを並列的に同時に書込み、メモリの診断を8個のブ
ロック同時に実施し、出力結果をメモリの1サイクル内
において8回の比較をする様にすることができる。この
様にすることにより、診断時間を結局1/8に短縮する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示す図。
【図2】従来例を示す図。
【符号の説明】
2 テストベクトルバッファメモリ 3 データ用アドレスポインタ 4 診断テスト用アドレスポインタ 5 マルチプレクサ 7 マルチプレクサ 8 バッファ 9 比較器 21 パラレルシリアル変換器 23 シフトレジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数ブロックに分割されたテストベクト
    ルバッファメモリを具備し、データ用アドレスポインタ
    を具備し、診断テスト用アドレスポインタを具備し、デ
    ータ用アドレスポインタおよび診断テスト用アドレスポ
    インタから送り出されるアドレスを切換えるマルチプレ
    クサを具備し、マルチプレクサの出力は複数ブロックそ
    れぞれのアドレス入力に共通に接続し、データおよび診
    断用データを切換えるマルチプレクサを具備し、マルチ
    プレクサの出力は複数ブロックそれぞれのデータ入力に
    共通に接続し、複数ブロックそれぞれの出力に接続する
    パラレルシリアル変換器を具備し、パラレルシリアル変
    換器の出力をLSIテストシステムに供給する読出しバ
    ッファを具備し、パラレルシリアル変換器の出力と期待
    値とを比較する比較器を具備し、比較器の出力に接続す
    るシフトレジスタを具備することを特徴とするLSIテ
    ストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装
    置。
JP4313612A 1992-11-24 1992-11-24 Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置 Pending JPH06160486A (ja)

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JP4313612A JPH06160486A (ja) 1992-11-24 1992-11-24 Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP4313612A JPH06160486A (ja) 1992-11-24 1992-11-24 Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置

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JPH06160486A true JPH06160486A (ja) 1994-06-07

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ID=18043418

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JP4313612A Pending JPH06160486A (ja) 1992-11-24 1992-11-24 Lsiテストシステム用大容量テストベクトルバッファメモリ装置

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JP (1) JPH06160486A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6301190B1 (en) 2000-01-06 2001-10-09 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device with a rapid packet data input, capable of operation check with low speed tester
JP2010225239A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体集積回路およびメモリの機能検証方法

Cited By (3)

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US6519194B2 (en) 2000-01-06 2003-02-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device with a rapid packet data input, capable of operation check with low speed tester
JP2010225239A (ja) * 2009-03-24 2010-10-07 Toshiba Corp 半導体集積回路およびメモリの機能検証方法

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20011218