JPH06144854A - 光導波膜の作製方法 - Google Patents
光導波膜の作製方法Info
- Publication number
- JPH06144854A JPH06144854A JP29711292A JP29711292A JPH06144854A JP H06144854 A JPH06144854 A JP H06144854A JP 29711292 A JP29711292 A JP 29711292A JP 29711292 A JP29711292 A JP 29711292A JP H06144854 A JPH06144854 A JP H06144854A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass fine
- particle layer
- fine particle
- substrate
- fluorine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1453—Thermal after-treatment of the shaped article, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 火炎堆積法においてガラス微粒子層の透明化
温度を低くすることによって透明度の高い光導波膜を形
成すること。 【構成】 ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板の表面
は、基板を構成するＳｉとフッ素添加用のＳｉＦ4 とが
反応することを防止するため、予め５μｍの酸化膜で覆
っておく。一定温度に加熱されたＳｉ基板上に、火炎バ
ーナからのガラス微粒子を２種類堆積させる。堆積した
下側クラッド層用及びコア層用のガラス微粒子層を、電
気炉を使用しＳｉＦ4 ガス雰囲気下で透明ガラス化し
た。ガラス微粒子層の透明化温度がＦの添加によって下
がり、かつ、Ｓｉ基板の表面を５μｍの酸化膜で覆うこ
とによりＦによるＳｉ基板の浸蝕を有効に防止できるの
で、得られたガラス膜は、低損失で、かつ、表面に凹凸
が無いものとなる。
温度を低くすることによって透明度の高い光導波膜を形
成すること。 【構成】 ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板の表面
は、基板を構成するＳｉとフッ素添加用のＳｉＦ4 とが
反応することを防止するため、予め５μｍの酸化膜で覆
っておく。一定温度に加熱されたＳｉ基板上に、火炎バ
ーナからのガラス微粒子を２種類堆積させる。堆積した
下側クラッド層用及びコア層用のガラス微粒子層を、電
気炉を使用しＳｉＦ4 ガス雰囲気下で透明ガラス化し
た。ガラス微粒子層の透明化温度がＦの添加によって下
がり、かつ、Ｓｉ基板の表面を５μｍの酸化膜で覆うこ
とによりＦによるＳｉ基板の浸蝕を有効に防止できるの
で、得られたガラス膜は、低損失で、かつ、表面に凹凸
が無いものとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、火炎堆積法を用いた光
導波膜の作製方法に関するものである。
導波膜の作製方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来の
火炎堆積法では、火炎バーナからのガラス微粒子を基板
上に一様に堆積して多孔質状のガラス微粒子層を形成し
た後、このガラス微粒子層を加熱して透明化する（特開
昭５８−１０５１１１）。このような火炎堆積法では、
ガラス化温度、屈折率等の調節を目的としてその組成中
にリンや硼素が添加されるが、これらを多量に添加する
と透明化温度は下がるものの気泡が発生しやすいという
問題があった。
火炎堆積法では、火炎バーナからのガラス微粒子を基板
上に一様に堆積して多孔質状のガラス微粒子層を形成し
た後、このガラス微粒子層を加熱して透明化する（特開
昭５８−１０５１１１）。このような火炎堆積法では、
ガラス化温度、屈折率等の調節を目的としてその組成中
にリンや硼素が添加されるが、これらを多量に添加する
と透明化温度は下がるものの気泡が発生しやすいという
問題があった。
【０００３】そこで本発明は、火炎堆積法において、リ
ン及び硼素の添加量を増加すことなくガラス微粒子層の
透明化温度を低くすることによって、透明度の高い光導
波膜を形成することを目的とする。
ン及び硼素の添加量を増加すことなくガラス微粒子層の
透明化温度を低くすることによって、透明度の高い光導
波膜を形成することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の光導波膜の作製方法では、火炎バーナから
のガラス微粒子をシリコン基板上に堆積して多孔質状の
ガラス微粒子層を形成した後、該ガラス微粒子層を加熱
して透明化する。この場合、ガラス微粒子層の形成前
に、シリコン基板の表面が２μｍ以上の酸化膜で覆われ
ており、ガラス微粒子層の透明化に際して、ガラス微粒
子層にフッ素添加を行うこととしている。
め、本発明の光導波膜の作製方法では、火炎バーナから
のガラス微粒子をシリコン基板上に堆積して多孔質状の
ガラス微粒子層を形成した後、該ガラス微粒子層を加熱
して透明化する。この場合、ガラス微粒子層の形成前
に、シリコン基板の表面が２μｍ以上の酸化膜で覆われ
ており、ガラス微粒子層の透明化に際して、ガラス微粒
子層にフッ素添加を行うこととしている。
【０００５】
【作用】上記光導波膜の作製方法においては、ガラス微
粒子層の透明化に際してガラス微粒子層にフッ素添加を
行うので、リン及び硼素の添加量を少量に保ったままで
ガラス微粒子層の透明化温度を下げることができる。ま
た、ガラス微粒子層の形成前に既にシリコン基板の表面
が２μｍ以上の酸化膜で覆われているので、フッ素によ
るシリコン基板の浸蝕を有効に防止できる。よって、ガ
ラス微粒子層を十分に高い温度で透明化することがで
き、得られた光導波膜の透過率を向上させることができ
る。
粒子層の透明化に際してガラス微粒子層にフッ素添加を
行うので、リン及び硼素の添加量を少量に保ったままで
ガラス微粒子層の透明化温度を下げることができる。ま
た、ガラス微粒子層の形成前に既にシリコン基板の表面
が２μｍ以上の酸化膜で覆われているので、フッ素によ
るシリコン基板の浸蝕を有効に防止できる。よって、ガ
ラス微粒子層を十分に高い温度で透明化することがで
き、得られた光導波膜の透過率を向上させることができ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板は、反応容器
内のターンテーブル上に載置される。このターンテーブ
ルは、直径が６００ｍｍで、内部にヒータが埋め込まれ
ている。これにより、ターンテーブル上のＳｉ基板のガ
ラス微粒子堆積面の温度が約６００℃に保たれる。Ｓｉ
基板上には、火炎バーナからのガラス微粒子が堆積す
る。これと同時に、ターンテーブルを回転させ火炎バー
ナをその動径方向に往復移動させるので、火炎バーナか
らのガラス微粒子はＳｉ基板上に一様に堆積される。な
お、ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板の表面は、基板
を構成するＳｉとフッ素添加用のＳｉＦ4 とが反応する
ことを防止するため、予め５μｍの酸化膜で覆ってお
く。この酸化膜は、Ｓｉ基板表面の熱酸化等によって形
成する。
する。ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板は、反応容器
内のターンテーブル上に載置される。このターンテーブ
ルは、直径が６００ｍｍで、内部にヒータが埋め込まれ
ている。これにより、ターンテーブル上のＳｉ基板のガ
ラス微粒子堆積面の温度が約６００℃に保たれる。Ｓｉ
基板上には、火炎バーナからのガラス微粒子が堆積す
る。これと同時に、ターンテーブルを回転させ火炎バー
ナをその動径方向に往復移動させるので、火炎バーナか
らのガラス微粒子はＳｉ基板上に一様に堆積される。な
お、ガラス微粒子を堆積すべきＳｉ基板の表面は、基板
を構成するＳｉとフッ素添加用のＳｉＦ4 とが反応する
ことを防止するため、予め５μｍの酸化膜で覆ってお
く。この酸化膜は、Ｓｉ基板表面の熱酸化等によって形
成する。
【０００７】Ｓｉ基板上に堆積するガラス微粒子層は、
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 組成の第１クラッド層用
の下側微粒子層と、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｇ
ｅＯ2 組成のコア層用の上側微粒子層とからなる。この
場合、火炎バーナに供給する原料の投入量は、以下のよ
うなものであった。
ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 組成の第１クラッド層用
の下側微粒子層と、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ｐ2 Ｏ5 −Ｇ
ｅＯ2 組成のコア層用の上側微粒子層とからなる。この
場合、火炎バーナに供給する原料の投入量は、以下のよ
うなものであった。
【０００８】１）第１クラッド層用の下側微粒子層（合
成時間１４分） ＳｉＣｌ4 ：１００ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： １ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 ：２ｌ／ｍｉｎ Ｏ2 ：６ｌ／ｍｉｎ Ａｒ ：３ｌ／ｍｉｎ ２）コア層用の上側微粒子層（合成時間５分） ＳｉＣｌ4 ：１００ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： １ｃｃ／ｍｉｎ ＧｅＣｌ4 ： １０ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 ：２ｌ／ｍｉｎ Ｏ2 ：６ｌ／ｍｉｎ Ａｒ ：３ｌ／ｍｉｎ 上記のようにして堆積した２重構造のガラス微粒子層
を、電気炉を使用して混合ガス雰囲気下でガラス化し、
透明なガラス膜を得た。図１は、ガラス微粒子層のガラ
ス化のための熱処理過程を示す。すなわち、初期の熱処
理領域Ａでは、電気炉内に１０ｖｏｌ％のＯ2 ガスを含
むＨｅガスを供給しつつ電気炉を１４００℃まで昇温し
て１時間保持する。次の熱処理領域Ｂでは、一旦電気炉
を１３００℃まで降温し、電気炉内に５％のＯ2 ガスを
含むＳｉＦ4 ガスを供給して電気炉を１４００℃まで昇
温しそのまま３時間保持する。
成時間１４分） ＳｉＣｌ4 ：１００ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： １ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 ：２ｌ／ｍｉｎ Ｏ2 ：６ｌ／ｍｉｎ Ａｒ ：３ｌ／ｍｉｎ ２）コア層用の上側微粒子層（合成時間５分） ＳｉＣｌ4 ：１００ｃｃ／ｍｉｎ ＢＣｌ3 ： ２０ｃｃ／ｍｉｎ ＰＯＣｌ3 ： １ｃｃ／ｍｉｎ ＧｅＣｌ4 ： １０ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 ：２ｌ／ｍｉｎ Ｏ2 ：６ｌ／ｍｉｎ Ａｒ ：３ｌ／ｍｉｎ 上記のようにして堆積した２重構造のガラス微粒子層
を、電気炉を使用して混合ガス雰囲気下でガラス化し、
透明なガラス膜を得た。図１は、ガラス微粒子層のガラ
ス化のための熱処理過程を示す。すなわち、初期の熱処
理領域Ａでは、電気炉内に１０ｖｏｌ％のＯ2 ガスを含
むＨｅガスを供給しつつ電気炉を１４００℃まで昇温し
て１時間保持する。次の熱処理領域Ｂでは、一旦電気炉
を１３００℃まで降温し、電気炉内に５％のＯ2 ガスを
含むＳｉＦ4 ガスを供給して電気炉を１４００℃まで昇
温しそのまま３時間保持する。
【０００９】この様にして得られたガラス膜は、低損失
で、かつ、表面に凹凸が無いガラス膜であった。したが
って、このガラス膜上部のコア層を適当な手段でエッチ
ングしてパターンニングした後、その上にガラス微粒子
層を堆積して第２クラッド層を形成すれば、低損失の石
英系光導波路を得ることができる。
で、かつ、表面に凹凸が無いガラス膜であった。したが
って、このガラス膜上部のコア層を適当な手段でエッチ
ングしてパターンニングした後、その上にガラス微粒子
層を堆積して第２クラッド層を形成すれば、低損失の石
英系光導波路を得ることができる。
【００１０】以下、従来技術に対応する第１の比較例に
ついて説明する。この比較例の製造条件は、酸化膜で覆
われていないＳｉ基板上にガラス微粒子層を形成する点
で上記実施例と異なるが、その他はほぼ上記実施例と同
様である。まず、Ｓｉ基板上にガラス微粒子層を直接堆
積し、その後、得られたガラス微粒子層を電気炉を使用
してＳｉＦ4 を含むガス雰囲気下で熱処理した。この場
合、１０００℃以上の高温において、ＳｉＦ4 とＳｉ基
板とが反応してＳｉＦ2 が生じるためにＳｉ基板は腐蝕
されてしまった。
ついて説明する。この比較例の製造条件は、酸化膜で覆
われていないＳｉ基板上にガラス微粒子層を形成する点
で上記実施例と異なるが、その他はほぼ上記実施例と同
様である。まず、Ｓｉ基板上にガラス微粒子層を直接堆
積し、その後、得られたガラス微粒子層を電気炉を使用
してＳｉＦ4 を含むガス雰囲気下で熱処理した。この場
合、１０００℃以上の高温において、ＳｉＦ4 とＳｉ基
板とが反応してＳｉＦ2 が生じるためにＳｉ基板は腐蝕
されてしまった。
【００１１】以下、第２の比較例について説明する。こ
の比較例の製造条件は、１μｍ以下の酸化膜で覆われて
いるＳｉ基板上にガラス微粒子層を形成する点で上記実
施例と異なるが、その他はほぼ上記実施例と同様であ
る。この場合、ＳｉＦ4 を含む雰囲気中での透明ガラス
化の工程においてＳｉ基板が腐蝕された。このようなＳ
ｉ基板の腐蝕は、ＳｉＦ4 によるフッ素添加の開始から
ガラス微粒子層が透明ガラス化するまでに約４時間を要
し、このフッ素添加中にフッ素が酸化膜中を拡散してＳ
ｉ基板まで到達することに起因するものと考えられる。
の比較例の製造条件は、１μｍ以下の酸化膜で覆われて
いるＳｉ基板上にガラス微粒子層を形成する点で上記実
施例と異なるが、その他はほぼ上記実施例と同様であ
る。この場合、ＳｉＦ4 を含む雰囲気中での透明ガラス
化の工程においてＳｉ基板が腐蝕された。このようなＳ
ｉ基板の腐蝕は、ＳｉＦ4 によるフッ素添加の開始から
ガラス微粒子層が透明ガラス化するまでに約４時間を要
し、このフッ素添加中にフッ素が酸化膜中を拡散してＳ
ｉ基板まで到達することに起因するものと考えられる。
【００１２】フッ素の酸化膜中での拡散についてより詳
細に説明する。１４００℃における石英ガラス中でのフ
ッ素の拡散係数Ｄは、 Ｄ〜１０-12 ｃｍ2 ／ｓｅｃ であると推定される（文献「W. Hermann, A. Raith, an
d Rau, "Diffusion of Fluorine in Silica", Ber. Bun
senges. Phys. Chem. Vol.91, pp56-58(1987) 」の式
（２）参照）。拡散係数Ｄと時間ｔにより、一般的に平
均的な拡散距離は、１次元の拡散を考えて（Ｄｔ）1/2
と表されるので、 （Ｄｔ）1/2 〜１．２μｍ となる。すなわち、約１４００℃のフッ素雰囲気中で４
時間の熱処理を施した場合、フッ素が石英ガラス中を拡
散する距離は１．２μｍであるから、１μｍ以下の酸化
膜ではフッ素がこれを透過してＳｉ基板まで到達し、Ｓ
ｉ基板が侵蝕されてしまう。よって、２μｍ以上の酸化
膜をＳｉ基板上に予め形成しておくことが望ましいもの
と考えられる。
細に説明する。１４００℃における石英ガラス中でのフ
ッ素の拡散係数Ｄは、 Ｄ〜１０-12 ｃｍ2 ／ｓｅｃ であると推定される（文献「W. Hermann, A. Raith, an
d Rau, "Diffusion of Fluorine in Silica", Ber. Bun
senges. Phys. Chem. Vol.91, pp56-58(1987) 」の式
（２）参照）。拡散係数Ｄと時間ｔにより、一般的に平
均的な拡散距離は、１次元の拡散を考えて（Ｄｔ）1/2
と表されるので、 （Ｄｔ）1/2 〜１．２μｍ となる。すなわち、約１４００℃のフッ素雰囲気中で４
時間の熱処理を施した場合、フッ素が石英ガラス中を拡
散する距離は１．２μｍであるから、１μｍ以下の酸化
膜ではフッ素がこれを透過してＳｉ基板まで到達し、Ｓ
ｉ基板が侵蝕されてしまう。よって、２μｍ以上の酸化
膜をＳｉ基板上に予め形成しておくことが望ましいもの
と考えられる。
【００１３】以下、第３の比較例について説明する。こ
の比較例の製造条件は、様々なＯ2ガス濃度の雰囲気中
で透明ガラス化の熱処理を行う点で上記実施例と異なる
が、その他はほぼ上記実施例と同様である。この場合、
熱処理領域Ｂにおける酸素濃度が１ｖｏｌ％以下のと
き、酸化膜とＳｉ基板界面において気泡（ＳｉＯと考え
られる）が発生して酸化膜が破壊され、酸化膜が破壊さ
れた部分から侵入したＳｉＦ4 がシリコンと反応してＳ
ｉ基板を侵蝕した。また、熱処理領域Ｂにおける酸素濃
度が８０ｖｏｌ％以上のとき、Ｓｉ基板の腐蝕は観察さ
れなかったが、ガラス微粒子層は透明ガラス化しなかっ
た。これは、ガラス微粒子に適量のフッ素が添加されな
かったため、ガラス微粒子の透明化温度が下がらなかっ
たものと考えられる。
の比較例の製造条件は、様々なＯ2ガス濃度の雰囲気中
で透明ガラス化の熱処理を行う点で上記実施例と異なる
が、その他はほぼ上記実施例と同様である。この場合、
熱処理領域Ｂにおける酸素濃度が１ｖｏｌ％以下のと
き、酸化膜とＳｉ基板界面において気泡（ＳｉＯと考え
られる）が発生して酸化膜が破壊され、酸化膜が破壊さ
れた部分から侵入したＳｉＦ4 がシリコンと反応してＳ
ｉ基板を侵蝕した。また、熱処理領域Ｂにおける酸素濃
度が８０ｖｏｌ％以上のとき、Ｓｉ基板の腐蝕は観察さ
れなかったが、ガラス微粒子層は透明ガラス化しなかっ
た。これは、ガラス微粒子に適量のフッ素が添加されな
かったため、ガラス微粒子の透明化温度が下がらなかっ
たものと考えられる。
【００１４】以下、第４の比較例について説明する。こ
の比較例の製造条件は、ＳｉＦ4 含有雰囲気を導入する
温度が異なる点で上記実施例と異なるが、その他はほぼ
上記実施例と同様である。ＳｉＦ4 雰囲気開始温度を１
３５０℃以上にしてフッ素の添加を開始した。この場
合、フッ素がガラス微粒子層全体に均一に添加される前
にガラス微粒子層最表面において高濃度のフッ素が添加
されるためこの最表面のみガラス化し、それ以外のガラ
ス微粒子層はフッ素添加されず透明ガラス化しなかっ
た。
の比較例の製造条件は、ＳｉＦ4 含有雰囲気を導入する
温度が異なる点で上記実施例と異なるが、その他はほぼ
上記実施例と同様である。ＳｉＦ4 雰囲気開始温度を１
３５０℃以上にしてフッ素の添加を開始した。この場
合、フッ素がガラス微粒子層全体に均一に添加される前
にガラス微粒子層最表面において高濃度のフッ素が添加
されるためこの最表面のみガラス化し、それ以外のガラ
ス微粒子層はフッ素添加されず透明ガラス化しなかっ
た。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光導
波膜の作製方法によれば、ガラス微粒子層の透明化に際
してガラス微粒子層にフッ素添加を行うので、リン及び
硼素の添加量を少量に保ったままでガラス微粒子層の透
明化温度を下げることができる。また、ガラス微粒子層
の形成前に既にシリコン基板の表面が２μｍ以上の酸化
膜で覆われているので、フッ素によるシリコン基板の浸
蝕を有効に防止できる。よって、ガラス微粒子層を十分
に高い温度で透明化することができ、得られた光導波膜
の透過率を向上させることができる。
波膜の作製方法によれば、ガラス微粒子層の透明化に際
してガラス微粒子層にフッ素添加を行うので、リン及び
硼素の添加量を少量に保ったままでガラス微粒子層の透
明化温度を下げることができる。また、ガラス微粒子層
の形成前に既にシリコン基板の表面が２μｍ以上の酸化
膜で覆われているので、フッ素によるシリコン基板の浸
蝕を有効に防止できる。よって、ガラス微粒子層を十分
に高い温度で透明化することができ、得られた光導波膜
の透過率を向上させることができる。
【図１】実施例のフッ素添加の熱処理工程を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 真二 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 相川 晴彦 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 斉藤 真秀 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 火炎バーナからのガラス微粒子をシリコ
ン基板上に堆積して多孔質状のガラス微粒子層を形成し
た後、該ガラス微粒子層を加熱して透明化する光導波膜
の作製方法において、 前記ガラス微粒子層の形成前に、前記シリコン基板の表
面が２μｍ以上の酸化膜で覆われており、前記ガラス微
粒子層の透明化に際して、該前記ガラス微粒子層にフッ
素添加を行うことを特徴とする光導波膜の作製方法。 - 【請求項２】 前記ガラス微粒子層へのフッ素添加を、
フッ素の原料ガスとこれに対し１乃至８０ｖｏｌ％の濃
度の酸素ガスとの混合雰囲気下で行うことを特徴とする
請求項１記載の光導波膜の作製方法。 - 【請求項３】 前記ガラス微粒子層へのフッ素添加を、
フッ素を含む１３００℃以下の雰囲気下で開始すること
を特徴とする請求項１記載の光導波膜の作製方法。 - 【請求項４】 前記フッ素添加用の原料として、ＳｉＦ
4 を用いることを特徴とする請求項１記載の光導波膜の
作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29711292A JPH06144854A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光導波膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29711292A JPH06144854A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光導波膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06144854A true JPH06144854A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=17842370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29711292A Pending JPH06144854A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 光導波膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06144854A (ja) |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP29711292A patent/JPH06144854A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4425146A (en) | Method of making glass waveguide for optical circuit | |
| EP0545432B1 (en) | A method for fabricating an optical waveguide | |
| US5660611A (en) | Method for producing glass thin film | |
| JPH0854528A (ja) | 光導波路の製造方法 | |
| JPS60260430A (ja) | フツ素をクラツド部に含有する光フアイバ用母材の製造方法 | |
| JPH06144854A (ja) | 光導波膜の作製方法 | |
| JPH051220B2 (ja) | ||
| JP3326774B2 (ja) | 酸化物ガラス薄膜の製造方法およびその製造装置 | |
| JPH0756038A (ja) | 光導波路の作成方法 | |
| JP3697155B2 (ja) | 二酸化シリコン膜生成方法及び光導波路生成方法 | |
| JPH0463365B2 (ja) | ||
| JP3517250B2 (ja) | 光伝送路用ガラスファイバ母材の製造方法 | |
| JP2002162526A (ja) | 光導波路およびその製造方法 | |
| JPH0551542B2 (ja) | ||
| JP2540056B2 (ja) | フッ素含有クラッド光フアイバプリフオ―ムの製造方法 | |
| JPS6365619B2 (ja) | ||
| JP2814805B2 (ja) | ポリシリコンｔｆｔ式ｌｃｄ用石英ガラス基板 | |
| JPH1059730A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
| JPS5874532A (ja) | ガラス光導波膜の製造方法及び製造装置 | |
| JPH06265743A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JPH08136754A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JPH0735936A (ja) | 光導波路の作製方法 | |
| JPH0710571A (ja) | 合成石英ガラス部材の製造方法 | |
| JPH0329732B2 (ja) | ||
| JPH06347653A (ja) | 光導波膜の製造方法 |