JPS5874532A - ガラス光導波膜の製造方法及び製造装置 - Google Patents

ガラス光導波膜の製造方法及び製造装置

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JPS5874532A
JPS5874532A JP16996781A JP16996781A JPS5874532A JP S5874532 A JPS5874532 A JP S5874532A JP 16996781 A JP16996781 A JP 16996781A JP 16996781 A JP16996781 A JP 16996781A JP S5874532 A JPS5874532 A JP S5874532A
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glass
optical waveguide
container
waveguide film
vessel
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JP16996781A
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Masao Kawachi
河内 正夫
Mitsuho Yasu
安 光保
Akira Tomaru
暁 都丸
Noriyoshi Shibata
典義 柴田
Takao Edahiro
枝広 隆夫
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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    • C03B2201/42Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with transition metals other than rare earth metals, e.g. Zr, Nb, Ta or Zn doped with titanium

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、屈折率値及び膜厚の制御性力;良く、かつひ
び割れの発生がなく、無着色で低吸収損失のガラス光導
波膜の製造方法及び製造装置に関する。
現在、光通信の進展に伴い、光平面回路部品の必要性が
高まっている。光平面回路部品を構成するのに必要な光
導波膜の製造方法としては1、真空蒸着法及びスノ(ツ
タリング法−1)E知られているが、これらの方法で製
造しうるガラス光導波膜の膜厚は数μm以下であり、多
モード光ファイバ通信の分野で求められている膜厚数1
0μmのガラス光導波膜を提供できないという欠点力S
あった。
厚膜のガラス光導波膜を製造しうる方法としては、CV
D法を適用する方法が知られている。
すなわち、添付図面の第1図の(A)は従来のガラス光
導波膜の製造装置の一具体例を示した構成概略図、(B
)は容器の入口からの距離と温度との関係を示したグラ
フであシ、1a11b11c、 1’d及び1eは該装
置における各原料の液溜め、2は導管、3は電気炉、4
は容器、5は酸素導管、6は容器内の温度分布曲線、6
aは飛高温一部、6bは温度勾配部、7は基板ホルダー
、8は石英ガラス基板、?、はガラス微粒子層、10は
排ガス処理装置を示す。
液溜め1a、1b、1c、1d及び1eの中には、それ
ぞれガラス原料5iC4、GeC/4、TiCl2、p
ct3及びBBr3が収容され、温度制御されている。
各液溜め1a、 1b、 1c、、1d及び1eには、
所望のガラス組成に応じて流量制御されたキャリアガス
(例えばアルゴンガスのような不活性ガス)が注入され
、発生した方ラス原料ガスは、導管2を経て電気炉3め
内部に設置された容器4へ□ヶゎ、a、 51、音工、
□4よ、ヮ導管5を経て酸素ガスが供給きれる。第1図
の(B)に示すように、容器4は、長手方向の距離(横
軸×)に対して温度分布曲線6に示す温度分布を持って
おシ、ガラス原料ガスは最高温度部6aに達すると、酸
素ガスによシ熱酸化反応によシガラス微粒子が容器4内
に生成する。ガラス微粒子は容器4中を長手方向(図面
では右方向)へと流れ、やがて温度勾配部6bに設けら
れた基板ホルダー7上のイ’+ 屯#ラス基板8の上面
に堆積してガラス微粒子JJ 9を形成する。
余剰のガラス微粒子及び排;−7<は排ガス処理装置1
0へ導かれる。
通常、最高温度部6aの温吐け、熱酸化反応を効率良く
進めるために、12【・0℃以上に設定され、又、温度
勾配部6bの温度勾配は、5℃/副程度である。
石英ガラス基板8上に堆積されたガラス微粒子層9は、
次゛□いて別の電気炉(図示せず)中に1 移され1400℃程度の高温に加熱されて透明自゛・・
ニ ガラス膜と透水。
この方法では、液溜め1a〜1eへ供給するキャリアガ
スの流量及び堆積時間“を調節することによシ、多層構
造の透明、ガラス膜を膜厚及び屈折率値の再現性良く製
造することができるが、次のような欠点を有している。
す々わち、多モード光ファイバ通信の分野では、膜厚が
50μm以上であると同時に、石英ガラス基板との比屈
折率差が1チ以上のガラス光導波膜が要求されるが、主
なドーパントとしてゲルマニウムを添加した5i02−
 GeO2系ガラス光導波膜を形成した場合、上記比屈
折率差を1チ以上にするためには、’GeO2の添加量
が10モルチ以上に及び、このようなガラス組成では、
熱膨張係数が大きくなり、熱膨張係数の小さい石英ガラ
ス基板上で在住にしてひび割れが発生し、広い面積にわ
たってガラス光導波膜を得ることができず、又、種種の
加工にも耐えないという欠点があシ、5i02− Ge
O2系ガラス光導波膜でひび割れが生じない安全組成範
囲は、比屈折率差で0.8チ程度以下に制限されていた
上記の問題を解決する1つの方法としては、石英ガラス
よシもむしろ熱膨張係数が小さいS i 02−’ T
i (%系を主体とするガラス組成を用いることである
が、この場合には、ひび割れの発生なく比屈折率差1g
6以上のガラス光導波膜を50μm以上の膜厚で形成す
ることができるli而、この系では新たに次の問題があ
った。すなわち、チタンイオンは、本来、d電子を持た
ない四価が安定であるが、在住にしてガラス中で三価と
なシd電子による着色を生じ、透明であるべきガラス光
導波膜の吸収損失が増えて実用に供し得ないという問題
があった。
本発明の目的は、上記の問題点を解決し、屈折率値及び
膜厚の制御性が良く、かつひび割れがなく無着色で低吸
収損失の5i02− TiO2系ガラス光導波膜の製造
方法及び製造装置を提供することである。
本発明につき概説すれば、本発明のガラス光導波膜の製
造方法(第1番目の発明)は、ケイ素のハロゲン化物を
主成分としチタンのハロゲン化物をドーパント成分とし
て含むガラス原料ガスをガラス微粒子合成トーチに供給
して火炎加水分解反応させ、生成したガラス微粒子を電
気炉内の容器中に導入して該容器中に設置した基板上に
堆積させ、次いで、該堆積ガラス微粒子を加熱して透明
ガラス化することを特徴とし、父、本発明のガラス光導
波膜の製造装置(第2番目の発明)は、電気炉内の容器
中に収容した基板上にケイ素の酸化物を主成分としチタ
ンの酸化物をドーパントとして含むガラス層を堆積させ
てガラス光導波膜を形成するガラス光導波膜の製造装置
において、該容器の入口に、火炎加水分解反応によりガ
ラス微粒子を形成して該容器内に供給するためのガラス
微粒子合成トーチを連結して設けたことを特徴とするも
のである。
本発明者等は、5i02−Ti02系ガラス微粒子の生
成方法と目的物のガラス光導波膜の着色との関係を鋭意
検討した結果、容器の入口にガラス微粒子合成トーチを
設け、これに可燃性ガス(水素ガス)、助燃性ガス(酸
素ガス)及び不活性ガス(例えばアルゴンガス)を導入
して約1500℃以上の温度としこの中にガラス原料ガ
スを吹込んで加熱し、火炎加水分解反応によシガラス微
粒子を生成させ、これを容器内に送込み容器内に設けた
基板上に比較的低温(約900℃)で堆積させることに
よシ目的物のガラス光導波膜の着色を防止できることを
見出して本発明に到達したものである。
本発明の構成及び作用については、図面を参照して詳細
に後記するが、本発明によシチタンイオンの着色が防止
できる理由につきまず考察する。チタンイオンの着色の
防止には、ガラス微粒子合成トーチによるガラス原料ガ
スの火炎加水分解反応の結果、ガラス微粒子中に1,0
00ppm程度取込まれる水酸イオン(OHイオン)が
重要な役割を果していると推察される。水酸イオンが存
在すると石英ガラス中の酸素欠陥等の発生を抑制するこ
とは、ガラスの科学分野で既知の事実であり、本発明に
よるガラス光導波膜においても水酸イオンの同様の作用
が働いているものと考えられる。透明ガラス化後のガラ
ス光導波膜中に残存している水酸イオンは1100pp
 8度に減シ、ガラス光導波膜の損失特性に、0.6〜
0.8μmの波長範囲で、実用上影響を及はすことはな
い。
なお、前記第1図の方法で形成したガラス微粒子層を、
水蒸気を含む雰囲気中で透明ガラス化して結果的にガラ
ス光導波膜中に200 ppm程度の水酸イオンを導入
しても好結果は得られず、本発明者等の研究によれば、
チタンイオンの着色を防止するためには、ガラス微粒子
生成の段階で火炎加水分解により多、量の水酸イオンを
導入しておく必要があることが判明した5、次に、本発
明を図面を参照して詳細に説明する。
第2図の(A)は本発明のガラス光導波膜の製造装置の
一具体例を示した構成概略図、(B)は容器の入口から
の距離と温度との関係を示したグラフであシ符号2.3
.4.6.6a、6b、7.8.9.10は第1図にお
けるものと同じ意味を有し、5aは酸素導管、5bはア
ルゴン導管、5cは水素導管、6cは火炎中の最高温度
、20はガラス微粒子合成トーチ、20aは火炎、20
bはガラス微粒子、21a、21b及び21cは本装置
における各原料の液溜め、21dはB C13のボンベ
、22は流量計を示す。
第2図の(A)に示した本発明の装置が前記第1図の(
A)に示した従来装置と異なる主な点は、容器4の入口
にガラス微粒子合成トーチ20が連結されていることで
ある。この装置の作動に当っては、まず液溜め21a、
21b及び21cにキャリアガス(例えばアルゴンガス
)を供給し、SIC!4を主成分とし’I’IC14を
主ドーパントとする所望の組成のガラス原料ガスを発生
させ、導管2を経て、多重管構造を有するガラス微粒子
合成トーチ20へ送込む。21dはB C13を貯えた
ステンレス製ボンベであり、必要に応じて流量計22を
経てB C13ガスが導管2へ送込まれる。ガラス微粒
子合成トーチ20には、あらかじめ02ガス、H2ガス
及、びArガスが供給され、容器4内で火炎20aを構
成している。火炎20aに供給されたガラス原料ガスは
、火炎加水分解反応によシガラス微粒子20bを生成す
る。
ガラス微粒子20bは容器4内を長手方向(本図では右
方向)へ向って進み、温度勾配部6bに設置された石英
ガラス基板8上にガラス微粒子層9として堆積する。石
英ガラス基板8上のガラス微粒子層9は、続いて別の高
温電気炉(図示せず)中で透明ガラス化される。
本発明においては、最高温度部6aの温度は、石英ガラ
ス基板8を含む温度勾配部6bに所望の温度勾配を形成
するように設定すればよく、従来法の場合と異なり、ガ
ラス微粒子の生成は、火炎2Oa中で約1,500℃又
はそれ以上の尚温(6c)で完了しているので約1.0
00〜1.200℃程度の比較的低温に選ぶことが可能
である1゜次に、本発明及びその効果を実施例により説
明するが、本発明はこれによシなんら限定されるもので
はない。
実施例 第2図を参照し、5iC4を収容しだ液溜め21aを3
5℃に保持し、キャリア用Arガスを300’ cc/
分の流速で供給し、又、TiCl2を収容した液溜め2
1bを40℃に保持し、キャリア用Arガスを500 
cc/分の流速で供給して、ガラス原料ガス′を発生さ
せた。又、同時に、ガラスの軟化点を低くする目的で、
流量計22によシB C1,ガスを15cc/分の流速
で供給し、上記S i C14ガス及びTiCt4ガス
と共にガラス微粒子合成トーチ20へ導入した。なお本
例ではPCl3を併用しなかった。ガラス微粒子合成ト
ーチ20は、同心四重管構造を有し、最外層ノズルから
02ガス2t/分を、次層ノズルからArガス0.5t
/分を、更に次層ノズルからH2ガス217分を個別に
吹出させて、着火して火炎20aを構成させ、最内層(
中心)ノズルから吹出されるガラス原料ガスを包み込む
ようにして火炎加水分解反応を生じさせ、ガラス微粒子
20bを生成させた。ガラス微粒子の生成は2Oa中で
約1500℃の高温□ゝ16cで完了した。
容器4中の最高温度部6aの温度は1100℃に、又、
石英ガラス基板8近傍の温度は900℃程度でかつ10
℃/m程度の温度勾配を有するように電気炉3を温度制
御した。なお、石英ガラス基板8の大きさは5m角で2
wn厚であった。330分間上記のガラス微粒子を石英
ガラス基板8上に堆積させてコア層を形成した後、液溜
め21bへのキャリアガスの供給を停止した状態で20
分間ガラス微粒子の堆積を続け、TlO2を含まないク
ラッド層を形成した。堆積の終了した2層構造のガラス
微粒子層9を、別に設けた石英ガラス管を炉心管とする
高温炉(図示せず)中でHeガスと02ガスとの10:
1(体積比)の混合雰囲気中で1450℃まで昇温し、
脱泡、透明ガラス化した。
このようにして製造したガラス光導波膜の外観は透明で
あり、Ti3+イオンに起因する着色はみられなかった
。又、5cn4角全面にわたってひび割れの発生は全く
なかった。ガラス光導波膜の一部の断面を薄片状にスラ
イスして干渉顕微鏡によシ観察したところ、Si 02
− Ti 02’ −B203 コア層の厚みは50μ
m、石英ガラス基板9との比屈折率差は1;3チ、Si
 02− B203クラッド層の厚みは30μm1同上
比屈折率差は−0,1%であった。
又、このガラス光導波膜の端面を光学研磨し、He N
eレーザ光を入射したところ、はとんど減衰することな
く光の伝播が認められた。更に、比較のため、従来法で
作製した5i02− TiO2−B203系ガラス光導
波膜にHeNeレーザ光を入射したととろ、強い着色の
ために5咽長程度までの導光を認めるのみでめった。
以上説明したように、本発明によれば、火炎加水分解反
応によりガラス微粒子を生成し、これを容器内の基板上
に堆積させることによシ、従来着色のため実用に供する
ことができ々かったSi 02− Ti 02系ガラス
光導波膜を着色させることなく製造することができる。
5i02−Ti02系ガラスは熱膨張係数が小さく、石
英ガラス基板上に50μmを越える厚みのガラス光導波
膜を形成しても、ひび割れの発生がなく、比屈折率差も
1チ以上を容易に得ることができるので、多モード光フ
ァイバ通信用平面光回路の作製分野に適用して効果が大
である。
【図面の簡単な説明】
第1図の(A)は従来のガラス光導波膜の製造装置の一
具体例を示した構成概略図、(B)は容器の入口からの
距離と温度との関係を示したグラフ、第2図の(A)は
本発明のガラス光導波膜の製造装置の一具体例を示した
構成概略図、(B)は容器の入口からの距離と温度との
関係を示したグラフである。 1a、 ib、、 1c、 1d、 1e−−−・第1
図における各原料の液溜め 2・・・・・・導管 3・、・・・・電気炉4・・・・
・・容器  5.5a・酸素導管5b・・・・・・ ア
ルゴン導管  5C・・・ご 水素導管6 ・・・・・
・容器内の温度分布曲線6a・・・・・・最高温度部 
6b・・、・・・・温度勾配部6c・・・・・・火炎中
の最高温度 7 ・・・・・・基板ホルダー 8 ・・・・・・石英ガラス基板 9 ・・・・・・ガラス微粒子層 10  ・・・・排ガス処理装置 20・・・・・・ガラス微粒子合成トーチ21a、 2
1b、 21c・・・・・・第2図における各原料の液
溜め 21d・・・・・BCl2のボンベ、22  ・・・・
流M 8十特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中 本  宏 ・( 11

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)  ケイ素のハロゲン化物を主成分としチタンの
    ハロゲン化物をドーパント成分として含むガラス原料ガ
    スをガラス微粒子合成トーチに供給して火炎加水分解反
    応させ、生成したガラス微粒子を電気炉内の容器中に導
    入して該容器中に設置した基板上に堆積させ、次いで、
    該堆積ガラス微粒子を加熱して透明ガラス化することを
    特徴とするガラス光導波膜の製造方法。
  2. (2)電気炉内の容器中に収容した基板上にケイ素の酸
    化物を主成分としチタンの酸化物をドーパントとして含
    むガラス層を堆積させてガラス光導波膜を形成するガラ
    ス光導波膜の製造装置において、該容器の入口に、火炎
    加水分解反応によシガラス微粒子を形成して該容器内に
    供給するためのガラス微粒子合成トーチを連結して設け
    たことを特徴とするガラス光導波膜の製造装置。
JP16996781A 1981-10-26 1981-10-26 ガラス光導波膜の製造方法及び製造装置 Pending JPS5874532A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03119305A (ja) * 1989-10-03 1991-05-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波膜の製造方法
US6328807B1 (en) * 1999-12-14 2001-12-11 Corning Incorporated Chuck heater for improved planar deposition process

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