JPH06142404A - 乾燥液の再生方法と再生装置 - Google Patents
乾燥液の再生方法と再生装置Info
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- JPH06142404A JPH06142404A JP32245292A JP32245292A JPH06142404A JP H06142404 A JPH06142404 A JP H06142404A JP 32245292 A JP32245292 A JP 32245292A JP 32245292 A JP32245292 A JP 32245292A JP H06142404 A JPH06142404 A JP H06142404A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 洗浄後の乾燥に使用する乾燥液を再生し、循
環使用可能とする。 【構成】 乾燥液を収容する洗浄槽１と、乾燥液との相
溶性が小さく脱水液との相溶性が大きな分離液９を下部
に収容し乾燥液９に溶解した脱水液を分離する脱水液分
離装置７と、モリキュラーシーブ２４が充填された分離
液除去装置２３と、洗浄槽１から脱水液分離装置７の下
部に洗浄液を導く導通路８と、脱水液分離装置７の上部
から分離液除去装置２３に乾燥液５を導く配管１１と、
分離液分離装置２３で再生された乾燥液を洗浄槽１に導
く配管２５とを有する。
環使用可能とする。 【構成】 乾燥液を収容する洗浄槽１と、乾燥液との相
溶性が小さく脱水液との相溶性が大きな分離液９を下部
に収容し乾燥液９に溶解した脱水液を分離する脱水液分
離装置７と、モリキュラーシーブ２４が充填された分離
液除去装置２３と、洗浄槽１から脱水液分離装置７の下
部に洗浄液を導く導通路８と、脱水液分離装置７の上部
から分離液除去装置２３に乾燥液５を導く配管１１と、
分離液分離装置２３で再生された乾燥液を洗浄槽１に導
く配管２５とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学部品や電気部品等
の精密洗浄に用いる乾燥液の再生方法および再生装置に
関する。
の精密洗浄に用いる乾燥液の再生方法および再生装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】工業製品の洗浄に際しては、フロンある
いはトリクロロエタン等の塩素系有機溶剤が用いられて
いたが、フロンやトリクロロエタン等は大気中のオゾン
層の破壊の原因になるところから、世界的に使用が禁止
される方向にある。このため、塩素系有機溶剤の代替品
が数多く開発されている。例えば、「Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｃｏｎｔｒｏｌ ＆ 洗浄設計」Ｎｏ．４９（１９９１
年４月１日、近代編集社発行）の２〜１１頁にはシリコ
ン化合物を主成分とした洗浄液が記載されている。
いはトリクロロエタン等の塩素系有機溶剤が用いられて
いたが、フロンやトリクロロエタン等は大気中のオゾン
層の破壊の原因になるところから、世界的に使用が禁止
される方向にある。このため、塩素系有機溶剤の代替品
が数多く開発されている。例えば、「Ｓｕｒｆａｃｅ
Ｃｏｎｔｒｏｌ ＆ 洗浄設計」Ｎｏ．４９（１９９１
年４月１日、近代編集社発行）の２〜１１頁にはシリコ
ン化合物を主成分とした洗浄液が記載されている。
【０００３】また、精密洗浄手順としては、「精密洗浄
装置と最新応用技術」（１９９１年１１月８日、（株）
工業資料センター発行）の５７０〜５７４頁に記載され
る方法が行われている。図５はこの手順を示し、洗剤に
よる洗浄工程→水あるいは純水によるリンス工程→ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）による脱水工程→フロン
ベーパーによる乾燥工程から構成されている。
装置と最新応用技術」（１９９１年１１月８日、（株）
工業資料センター発行）の５７０〜５７４頁に記載され
る方法が行われている。図５はこの手順を示し、洗剤に
よる洗浄工程→水あるいは純水によるリンス工程→ＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）による脱水工程→フロン
ベーパーによる乾燥工程から構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レンズ等の
光学部品は、最終製造工程として反射防止用のコーティ
ングが施されるところから、このコーティング膜剥離を
生じさせないため、洗浄では高度の清浄性が要求され
る。ところが、精密洗浄後における乾燥工程において、
フロンの代わりにシリコン化合物を主成分とした乾燥液
を使用すると、被洗浄物に付着したＩＰＡが乾燥液に持
ち込まれる。そして、洗浄を繰り返すことにより乾燥液
中のＩＰＡ濃度が増加し、その結果、洗浄物表面からの
乾燥液の乾燥速度にばらつきが生じてシミやむらができ
る不具合があった。また、ＩＰＡは吸湿性が高いため、
ＩＰＡ濃度の増加に伴い乾燥液中の水分含有量が増加
し、その結果、水シミ（ウオーターマーク）ができる不
具合があった。
光学部品は、最終製造工程として反射防止用のコーティ
ングが施されるところから、このコーティング膜剥離を
生じさせないため、洗浄では高度の清浄性が要求され
る。ところが、精密洗浄後における乾燥工程において、
フロンの代わりにシリコン化合物を主成分とした乾燥液
を使用すると、被洗浄物に付着したＩＰＡが乾燥液に持
ち込まれる。そして、洗浄を繰り返すことにより乾燥液
中のＩＰＡ濃度が増加し、その結果、洗浄物表面からの
乾燥液の乾燥速度にばらつきが生じてシミやむらができ
る不具合があった。また、ＩＰＡは吸湿性が高いため、
ＩＰＡ濃度の増加に伴い乾燥液中の水分含有量が増加
し、その結果、水シミ（ウオーターマーク）ができる不
具合があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を考慮してなされも
のであり、精密洗浄に使用するための乾燥液の再生方法
および再生装置を提供することを目的とする。
のであり、精密洗浄に使用するための乾燥液の再生方法
および再生装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、被洗浄物を脱水液により水切り
した後、シリコン化合物からなる乾燥液により乾燥させ
る方法において、シリコン化合物に不溶でかつ脱水液と
の相溶性がシリコン化合物よりも大きな分離液を乾燥に
使用した後の乾燥液に添加して乾燥液と脱水液とを分離
させた後、乾燥液に溶存した分離液あるいはシリコン化
合物に内在する非揮発性物質および分離液をモレキュラ
ーシーブにより除去するものである。ここで非揮発性物
質は洗浄以前からシリコン化合物に微量に含まれるもの
であり、蒸留によって除去されることなく残存してい
る。
成するために本発明は、被洗浄物を脱水液により水切り
した後、シリコン化合物からなる乾燥液により乾燥させ
る方法において、シリコン化合物に不溶でかつ脱水液と
の相溶性がシリコン化合物よりも大きな分離液を乾燥に
使用した後の乾燥液に添加して乾燥液と脱水液とを分離
させた後、乾燥液に溶存した分離液あるいはシリコン化
合物に内在する非揮発性物質および分離液をモレキュラ
ーシーブにより除去するものである。ここで非揮発性物
質は洗浄以前からシリコン化合物に微量に含まれるもの
であり、蒸留によって除去されることなく残存してい
る。
【０００７】また、本発明の再生装置は、乾燥液を収容
する洗浄槽と、乾燥液との相溶性が小さく脱水液との相
溶性が大きい分離液を下部に収容し乾燥液に溶解した脱
水液を分離する脱水液分離装置と、モレキュラーシーブ
が充填された分離液除去装置と、洗浄槽から脱水液分離
装置の下部に洗浄液を導く導通路と、脱水液分離装置の
上部から分離液除去装置に乾燥液を導く配管と、分離液
除去装置で再生された乾燥液を洗浄槽に導く配管とを有
している。
する洗浄槽と、乾燥液との相溶性が小さく脱水液との相
溶性が大きい分離液を下部に収容し乾燥液に溶解した脱
水液を分離する脱水液分離装置と、モレキュラーシーブ
が充填された分離液除去装置と、洗浄槽から脱水液分離
装置の下部に洗浄液を導く導通路と、脱水液分離装置の
上部から分離液除去装置に乾燥液を導く配管と、分離液
除去装置で再生された乾燥液を洗浄槽に導く配管とを有
している。
【０００８】上記構成において、例えば、脱水液として
ＩＰＡ、分離液として水を使用した場合、脱水液として
用いるＩＰＡは、乾燥液として用いるシリコン化合物へ
の相溶性が大きいため洗浄槽中では溶解している。そこ
で乾燥液をシリコン化合物との相溶性が小さく、かつＩ
ＰＡの相溶性がシリコン化合物との相溶性よりも大きい
水を通すことにより、シリコン化合物中に溶解していた
ＩＰＡは水に引き寄せられる。その結果、シリコン化合
物中からＩＰＡが除去される。水よりも比重が小さくて
軽いシリコン化合物は、ＩＰＡが溶解した水の上に液層
を形成する。
ＩＰＡ、分離液として水を使用した場合、脱水液として
用いるＩＰＡは、乾燥液として用いるシリコン化合物へ
の相溶性が大きいため洗浄槽中では溶解している。そこ
で乾燥液をシリコン化合物との相溶性が小さく、かつＩ
ＰＡの相溶性がシリコン化合物との相溶性よりも大きい
水を通すことにより、シリコン化合物中に溶解していた
ＩＰＡは水に引き寄せられる。その結果、シリコン化合
物中からＩＰＡが除去される。水よりも比重が小さくて
軽いシリコン化合物は、ＩＰＡが溶解した水の上に液層
を形成する。
【０００９】このように再生された乾燥液には、分離液
として使用した水が僅かながら溶存している。また、シ
リコン化合物には若干量の非揮発性物質が存在する。こ
のため、乾燥液中の分離液は孔径の小さいモレキュラー
シーブを通過させることで除去し、孔径の大きいモレキ
ュラーシーブを使用することによりシリコン化合物に内
在する非揮発性物質および分離液を除去する。
として使用した水が僅かながら溶存している。また、シ
リコン化合物には若干量の非揮発性物質が存在する。こ
のため、乾燥液中の分離液は孔径の小さいモレキュラー
シーブを通過させることで除去し、孔径の大きいモレキ
ュラーシーブを使用することによりシリコン化合物に内
在する非揮発性物質および分離液を除去する。
【００１０】ここでモレキュラーシーブ（Ｍｏｌｅｃｕ
ｌｏｒ Ｓｉｅｖｅ，以下、ＭＳと記する。）は、アル
ミノケイ塩酸からなる吸着剤であり、この吸着剤は結晶
格子の隙間に水分子その他の分子を吸着する。このＭＳ
としては、Ｋ9 Ｎａ3 ［（ＡｌＯ2 ）12（Ｓｉ
Ｏ2 ）12］・２７Ｈ2 Ｏ（孔径３Å）、Ｃａ4.5 Ｎａ3
［（ＡｌＯ2 ）12］・３０Ｈ2 Ｏ（孔径５Å）、Ｎａ86
［（ＡｌＯ2 ）86（ＳｉＯ2 ）106 ］・ｘＨ2 Ｏ（孔径
１０Å）等、種々の孔径のものを目的とする吸着分子に
より使い分けることができる。脱水液が溶解した分離液
は、定期的に廃棄することで高い分離能力を維持でき
る。またＭＳは２００〜４００℃に熱することで再生が
可能である。
ｌｏｒ Ｓｉｅｖｅ，以下、ＭＳと記する。）は、アル
ミノケイ塩酸からなる吸着剤であり、この吸着剤は結晶
格子の隙間に水分子その他の分子を吸着する。このＭＳ
としては、Ｋ9 Ｎａ3 ［（ＡｌＯ2 ）12（Ｓｉ
Ｏ2 ）12］・２７Ｈ2 Ｏ（孔径３Å）、Ｃａ4.5 Ｎａ3
［（ＡｌＯ2 ）12］・３０Ｈ2 Ｏ（孔径５Å）、Ｎａ86
［（ＡｌＯ2 ）86（ＳｉＯ2 ）106 ］・ｘＨ2 Ｏ（孔径
１０Å）等、種々の孔径のものを目的とする吸着分子に
より使い分けることができる。脱水液が溶解した分離液
は、定期的に廃棄することで高い分離能力を維持でき
る。またＭＳは２００〜４００℃に熱することで再生が
可能である。
【００１１】上述した相溶性をＳＰ値（溶解度パラメー
タ；Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）で表
すと、水のＳＰ値は２３．４、ＩＰＡのＳＰ値は１１．
４５、シリコンのＳＰ値は５．５である。そしてこれら
の３成分を混合した場合に、ＩＰＡはシリコンよりも水
に対して相溶性が高いことが、ＩＲ（赤外線分光）の分
析にて確認された。
タ；Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒ）で表
すと、水のＳＰ値は２３．４、ＩＰＡのＳＰ値は１１．
４５、シリコンのＳＰ値は５．５である。そしてこれら
の３成分を混合した場合に、ＩＰＡはシリコンよりも水
に対して相溶性が高いことが、ＩＲ（赤外線分光）の分
析にて確認された。
【００１２】なお、上述の説明では、分離液として水あ
るいは純水を使用し、脱水液としてＩＰＡを使用した
が、これに限定されるものではなく、ＳＰ値を目安にし
て、水あるいは純水に代えて塩酸溶液、硝酸溶液、硫酸
溶液等を用いることができ、また、ＩＰＡに代えてアセ
トン、エタノール、メタノール、ＭＥＸ（メチルエチル
ケトン）等を使用することができる。
るいは純水を使用し、脱水液としてＩＰＡを使用した
が、これに限定されるものではなく、ＳＰ値を目安にし
て、水あるいは純水に代えて塩酸溶液、硝酸溶液、硫酸
溶液等を用いることができ、また、ＩＰＡに代えてアセ
トン、エタノール、メタノール、ＭＥＸ（メチルエチル
ケトン）等を使用することができる。
【００１３】
【実施例１】図１は本発明が適用される洗浄システムを
示し、第１の洗浄工程において、ガラスレンズ等の洗浄
物に付着しているレンズ研削時等の切削油、指紋等の有
機物汚れあるいは酸化セリウム、ほこり等の無機物汚れ
を洗剤により除去する。第２のリンス工程において、洗
剤を洗浄物から水で洗い流す。第３の脱水工程におい
て、洗浄物に付着した水をＩＰＡで置換する。第４の乾
燥工程において、洗浄物を乾燥液に浸漬してＩＰＡを乾
燥液で置換する。そして洗浄物を引き上げ後、清浄な空
気で温風乾燥し、あるいは減圧乾燥して洗浄が完了す
る。
示し、第１の洗浄工程において、ガラスレンズ等の洗浄
物に付着しているレンズ研削時等の切削油、指紋等の有
機物汚れあるいは酸化セリウム、ほこり等の無機物汚れ
を洗剤により除去する。第２のリンス工程において、洗
剤を洗浄物から水で洗い流す。第３の脱水工程におい
て、洗浄物に付着した水をＩＰＡで置換する。第４の乾
燥工程において、洗浄物を乾燥液に浸漬してＩＰＡを乾
燥液で置換する。そして洗浄物を引き上げ後、清浄な空
気で温風乾燥し、あるいは減圧乾燥して洗浄が完了す
る。
【００１４】図２は乾燥液の再生装置を示し、洗浄槽１
は内槽２と外槽３で構成され、外槽３の外側底部中央に
は超音波発振器４が設けられている。外槽３は、内槽２
からオーバーフローしたシリコン化合物（商品名ＦＲＷ
−１（東芝（株）製）、粘度２．２ＣＳｔ（２５℃）の
単一成分）からなる乾燥液５を受け止めるもので、内槽
２と外槽３との隙間における外槽３の底部には、乾燥液
５の回収パイプ６が接続されている。回収パイプ６の先
端部分は乾燥液排出パイプ８となっており、このパイプ
８が脱水液分離装置７の内部に引き込まれている。脱水
液分離装置７内には、乾燥液５と分離液９である水が、
その比重差によって上下に分離した状態で溜められてい
る。この場合、乾燥液排出パイプ８には、回収パイプ６
で回収された乾燥液５中に含まれるＩＰＡが分離液９に
効率よく溶解するように、多数の穴１０が開口されてい
る（図３参照）。
は内槽２と外槽３で構成され、外槽３の外側底部中央に
は超音波発振器４が設けられている。外槽３は、内槽２
からオーバーフローしたシリコン化合物（商品名ＦＲＷ
−１（東芝（株）製）、粘度２．２ＣＳｔ（２５℃）の
単一成分）からなる乾燥液５を受け止めるもので、内槽
２と外槽３との隙間における外槽３の底部には、乾燥液
５の回収パイプ６が接続されている。回収パイプ６の先
端部分は乾燥液排出パイプ８となっており、このパイプ
８が脱水液分離装置７の内部に引き込まれている。脱水
液分離装置７内には、乾燥液５と分離液９である水が、
その比重差によって上下に分離した状態で溜められてい
る。この場合、乾燥液排出パイプ８には、回収パイプ６
で回収された乾燥液５中に含まれるＩＰＡが分離液９に
効率よく溶解するように、多数の穴１０が開口されてい
る（図３参照）。
【００１５】乾燥液５が収納される脱水液分離装置７の
上部側面には、再生液循環パイプ１１が接続され、その
他端は分離液除去装置２３の上部に接続されている。分
離液除去装置２３内には多孔板２４′上にＭＳ（Ｋ9 Ｎ
ａ3 ［（ＡｌＯ2 ）12（ＳｉＯ2 ）12］・２７Ｈ2 Ｏ）
２４が充填されている。分離液除去装置２３の下部には
再生液循環パイプ２５が接続され、その他端は外槽３の
底部から内槽２３の底部に接続されている。再生液循環
パイプ２５にはポンプ１２とフィルター１３が途中部分
に配置され、乾燥液５を洗浄槽１→脱水液分離装置７→
分離液除去装置２３→洗浄槽１の経路で循環させてい
る。フィルター１３は、液中の微粒子を除去するもので
ある。脱水液分離装置７には上蓋１４が設けられ、上蓋
１４には、乾燥液５の液面感知用のフロートスイッチ１
５と乾燥液の新液槽１６と連通した新液供給パイプ１７
が取り付けられている。新液供給パイプ１７には、途中
に弁１８が設けられ、フロートスイッチ１５により乾燥
液５り液面低下が感知されると弁１５が開いて新液槽１
６から乾燥液５の新液が脱水液分離装置７に供給される
ようになっている。さらに、脱水液分離装置７の底部に
は、分離液供給パイプ１９と分離液排出パイプ２０が接
続されている。分離液供給パイプ１９は図示しない純水
供給装置に接続され、分離液排出パイプ２０は、図示し
ない排水貯蔵タンクに接続されている。分離液供給パイ
プ１９および分離液排出パイプ２０には、途中にそれぞ
れ弁２１，２２が設けられ、分離液９が供給および排出
自在になっている。そして、脱水液分離装置７内には、
分離液供給パイプ１９を介して純水供給装置から供給さ
れた水が分離液９として半分ほど溜められるようになっ
ている。
上部側面には、再生液循環パイプ１１が接続され、その
他端は分離液除去装置２３の上部に接続されている。分
離液除去装置２３内には多孔板２４′上にＭＳ（Ｋ9 Ｎ
ａ3 ［（ＡｌＯ2 ）12（ＳｉＯ2 ）12］・２７Ｈ2 Ｏ）
２４が充填されている。分離液除去装置２３の下部には
再生液循環パイプ２５が接続され、その他端は外槽３の
底部から内槽２３の底部に接続されている。再生液循環
パイプ２５にはポンプ１２とフィルター１３が途中部分
に配置され、乾燥液５を洗浄槽１→脱水液分離装置７→
分離液除去装置２３→洗浄槽１の経路で循環させてい
る。フィルター１３は、液中の微粒子を除去するもので
ある。脱水液分離装置７には上蓋１４が設けられ、上蓋
１４には、乾燥液５の液面感知用のフロートスイッチ１
５と乾燥液の新液槽１６と連通した新液供給パイプ１７
が取り付けられている。新液供給パイプ１７には、途中
に弁１８が設けられ、フロートスイッチ１５により乾燥
液５り液面低下が感知されると弁１５が開いて新液槽１
６から乾燥液５の新液が脱水液分離装置７に供給される
ようになっている。さらに、脱水液分離装置７の底部に
は、分離液供給パイプ１９と分離液排出パイプ２０が接
続されている。分離液供給パイプ１９は図示しない純水
供給装置に接続され、分離液排出パイプ２０は、図示し
ない排水貯蔵タンクに接続されている。分離液供給パイ
プ１９および分離液排出パイプ２０には、途中にそれぞ
れ弁２１，２２が設けられ、分離液９が供給および排出
自在になっている。そして、脱水液分離装置７内には、
分離液供給パイプ１９を介して純水供給装置から供給さ
れた水が分離液９として半分ほど溜められるようになっ
ている。
【００１６】前工程の脱水工程で水から置換され洗浄物
に付着しているＩＰＡは、洗浄槽１の内槽２の乾燥液５
中に洗浄物を浸漬することにより、乾燥液５に溶解して
混入し、洗浄物から取り除かれる。内槽２の上部からオ
ーバーフローし外槽３内に流れ込んだＩＰＡ混入の乾燥
液５は、回収パイプ６を通って乾燥液排出パイプ８の穴
１０から分離液９中に放出される。この分離液９は、乾
燥液５よりもＩＰＡとの相溶性が大きいため、乾燥液５
が分離液９中を通って上面まで達する間に乾燥液５中の
ＩＰＡが分離液９に溶解し、再生された乾燥液５層が分
離液９の上に形成される。
に付着しているＩＰＡは、洗浄槽１の内槽２の乾燥液５
中に洗浄物を浸漬することにより、乾燥液５に溶解して
混入し、洗浄物から取り除かれる。内槽２の上部からオ
ーバーフローし外槽３内に流れ込んだＩＰＡ混入の乾燥
液５は、回収パイプ６を通って乾燥液排出パイプ８の穴
１０から分離液９中に放出される。この分離液９は、乾
燥液５よりもＩＰＡとの相溶性が大きいため、乾燥液５
が分離液９中を通って上面まで達する間に乾燥液５中の
ＩＰＡが分離液９に溶解し、再生された乾燥液５層が分
離液９の上に形成される。
【００１７】僅かに分離液９が溶存している乾燥液５
は、分離液除去装置２３内のＭＳ２４により分離液９を
除去する。ＭＳの孔径は３Åであり、この大きさは水を
選択的に捕獲できるものである。ポンプ１２により分離
液除去装置２３を通過した乾燥液５は、再生液循環パイ
プ２５を通って洗浄槽１の底部から内槽２内に供給され
る。一方、ＩＰＡの混入した分離液９は、分離液排出パ
イプ２０を通って定期的に排水貯蔵タンクに排出される
とともに、新たに分離液９は純水供給装置から分離液供
給パイプ１９を通って供給され、脱水液分離装置７の分
離液９の液高が一定かつ混入するＩＰＡの濃度が一定以
下に維持される。５０００個のワークを洗浄した後、本
実施例により再生した乾燥液中のＩＰＡ濃度をガスクロ
マトグラフィーを使って分析した。また、乾燥液中の水
分含有量を水分計にて測定した。表１に測定結果を示
す。ＭＳを用いた本再生装置により、乾燥液中のＩＰＡ
および水分の濃度を低く抑えることが可能であることが
確認された。
は、分離液除去装置２３内のＭＳ２４により分離液９を
除去する。ＭＳの孔径は３Åであり、この大きさは水を
選択的に捕獲できるものである。ポンプ１２により分離
液除去装置２３を通過した乾燥液５は、再生液循環パイ
プ２５を通って洗浄槽１の底部から内槽２内に供給され
る。一方、ＩＰＡの混入した分離液９は、分離液排出パ
イプ２０を通って定期的に排水貯蔵タンクに排出される
とともに、新たに分離液９は純水供給装置から分離液供
給パイプ１９を通って供給され、脱水液分離装置７の分
離液９の液高が一定かつ混入するＩＰＡの濃度が一定以
下に維持される。５０００個のワークを洗浄した後、本
実施例により再生した乾燥液中のＩＰＡ濃度をガスクロ
マトグラフィーを使って分析した。また、乾燥液中の水
分含有量を水分計にて測定した。表１に測定結果を示
す。ＭＳを用いた本再生装置により、乾燥液中のＩＰＡ
および水分の濃度を低く抑えることが可能であることが
確認された。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【実施例２】図４は本発明の再生装置の実施例２を示
し、実施例１と同一の要素には同一の符号を付してあ
る。本実施例は、実施例１と比べ分離液除去装置および
使用したＭＳが異なる。分離液除去装置２６内には仕切
板２７，２８，２９とＭＳ（Ｎａ86［（ＡｌＯ2）
86（ＳｉＯ2 ）106 ］・ｘＨ2 Ｏ）の充填板３０，３１
が鉛直方向に立てられている。仕切板２７はその下方が
開放されている。仕切板２８，２９およびＭＳ充填板３
０，３１はその上方が開放されている。
し、実施例１と同一の要素には同一の符号を付してあ
る。本実施例は、実施例１と比べ分離液除去装置および
使用したＭＳが異なる。分離液除去装置２６内には仕切
板２７，２８，２９とＭＳ（Ｎａ86［（ＡｌＯ2）
86（ＳｉＯ2 ）106 ］・ｘＨ2 Ｏ）の充填板３０，３１
が鉛直方向に立てられている。仕切板２７はその下方が
開放されている。仕切板２８，２９およびＭＳ充填板３
０，３１はその上方が開放されている。
【００２０】脱水液分離装置７から排出された乾燥液５
は、仕切板２７の下方と仕切板２８の上方を通ってＭＳ
充填板３０，３１に導かれる。乾燥液５が仕切板２８の
上方を通過する前に、一部の流入分離液９は、乾燥液５
と分離液９の比重差により仕切板２７の下方に堆積す
る。その後、ＭＳ充填板３０，３１内を通過するときに
溶存分離液９とシリコン化合物中の非揮発性物質が除去
される。ＭＳの孔径は１０Åであり、この大きさは水お
よびシリコン化合物に内在する非揮発性物質を選択的に
捕獲できるものである。
は、仕切板２７の下方と仕切板２８の上方を通ってＭＳ
充填板３０，３１に導かれる。乾燥液５が仕切板２８の
上方を通過する前に、一部の流入分離液９は、乾燥液５
と分離液９の比重差により仕切板２７の下方に堆積す
る。その後、ＭＳ充填板３０，３１内を通過するときに
溶存分離液９とシリコン化合物中の非揮発性物質が除去
される。ＭＳの孔径は１０Åであり、この大きさは水お
よびシリコン化合物に内在する非揮発性物質を選択的に
捕獲できるものである。
【００２１】本実施例により再生した乾燥液に対して実
施例１と同様な分析を実施した。また、シリコン化合物
中の非揮発性物質もガスクロマトグラフィーで分析し、
所望の不純物が除去されていることを確認した。なお、
上記各実施例では、シリコン化合物として商品名ＦＲＷ
−１（東芝（株））を用いたが、商品名ＥＥ３１１０
（オリンパス光学工業（株）製、粘度１ＣＳｔ（２５
℃）の単一成分）でも同様の結果が得られる。これによ
ってオクタメチルシクロテトラシロキサン，オクタメチ
ルトリシロキサン等の低分子シリコン化合物等に対して
有効となっている。
施例１と同様な分析を実施した。また、シリコン化合物
中の非揮発性物質もガスクロマトグラフィーで分析し、
所望の不純物が除去されていることを確認した。なお、
上記各実施例では、シリコン化合物として商品名ＦＲＷ
−１（東芝（株））を用いたが、商品名ＥＥ３１１０
（オリンパス光学工業（株）製、粘度１ＣＳｔ（２５
℃）の単一成分）でも同様の結果が得られる。これによ
ってオクタメチルシクロテトラシロキサン，オクタメチ
ルトリシロキサン等の低分子シリコン化合物等に対して
有効となっている。
【００２２】本実施例によれば、初めに脱脂液分離装置
７内に流入した分離液９を除去した後、溶存分離液９を
除去する二段階方式であるため確実な除去が可能であ
る。
７内に流入した分離液９を除去した後、溶存分離液９を
除去する二段階方式であるため確実な除去が可能であ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
連続的に洗浄しても常時乾燥液を再生できるので乾燥液
の純度を一定に保つことができ、その結果シミやむら等
の外観不良を無くすことが可能となる。
連続的に洗浄しても常時乾燥液を再生できるので乾燥液
の純度を一定に保つことができ、その結果シミやむら等
の外観不良を無くすことが可能となる。
【図１】本発明が適用される洗浄システムのブロック
図。
図。
【図２】本発明の実施例１の断面図。
【図３】脱水液分離装置の斜視図。
【図４】実施例２の断面図。
【図５】従来方法のブロック図。
１ 洗浄槽 ５ 乾燥液 ７ 脱水液分離装置 ９ 分離液 ２３ 分離液除去装置
Claims (3)
- 【請求項１】 被洗浄物を脱水液により水切りした後、
シリコン化合物からなる乾燥液により乾燥させる方法に
おいて、前記シリコン化合物に不溶でかつ脱水液との相
溶性がシリコン化合物よりも大きな分離液を前記乾燥に
使用した後の乾燥液に添加して乾燥液と脱水液とを分離
させた後、乾燥液に溶存した分離液をモレキュラーシー
ブにより除去することを特徴とする乾燥液の再生方法。 - 【請求項２】 前記モレキュラーシーブは前記分離波お
よびシリコン化合物に内在する非揮発性物質を除去する
ことを特徴とする請求項１記載の乾燥液の再生方法。 - 【請求項３】 乾燥液を収容する洗浄槽と、前記乾燥液
との相溶性が小さく脱水液との相溶性が大きな分離液を
下部に収容し乾燥液に溶解した脱水液を分離する脱水液
分離装置と、モリキュラーシーブが充填された分離液除
去装置と、前記洗浄槽から脱水液分離装置の下部に洗浄
液を導く導通路と、脱水液分離装置の上部から分離液除
去装置に乾燥液を導く配管と、分離液分離装置で再生さ
れた乾燥液を前記洗浄槽に導く配管とを有することを特
徴とする乾燥液の再生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32245292A JPH06142404A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 乾燥液の再生方法と再生装置 |
| CA002109069A CA2109069A1 (en) | 1992-02-25 | 1993-02-24 | Biaxially oriented, laminated polyester film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32245292A JPH06142404A (ja) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | 乾燥液の再生方法と再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06142404A true JPH06142404A (ja) | 1994-05-24 |
Family
ID=18143824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32245292A Withdrawn JPH06142404A (ja) | 1992-02-25 | 1992-11-06 | 乾燥液の再生方法と再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06142404A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5647914A (en) * | 1994-07-26 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Nonaqueous solvent regenerating method for use in cleaning |
| JP2006015214A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 水切り乾燥装置 |
| JP2009228048A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Asahi Glass Co Ltd | 物品の水切り方法 |
| JP2011205145A (ja) * | 2011-07-15 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法 |
| JP2012009705A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体 |
-
1992
- 1992-11-06 JP JP32245292A patent/JPH06142404A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5647914A (en) * | 1994-07-26 | 1997-07-15 | Olympus Optical Co., Ltd. | Nonaqueous solvent regenerating method for use in cleaning |
| JP2006015214A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Denso Corp | 水切り乾燥装置 |
| JP2009228048A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Asahi Glass Co Ltd | 物品の水切り方法 |
| JP2012009705A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Tokyo Electron Ltd | 高温、高圧処理方法及び高温、高圧処理装置並びに記憶媒体 |
| JP2011205145A (ja) * | 2011-07-15 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |