JP3304143B2 - 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法 - Google Patents

仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法

Info

Publication number
JP3304143B2
JP3304143B2 JP32245192A JP32245192A JP3304143B2 JP 3304143 B2 JP3304143 B2 JP 3304143B2 JP 32245192 A JP32245192 A JP 32245192A JP 32245192 A JP32245192 A JP 32245192A JP 3304143 B2 JP3304143 B2 JP 3304143B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tank
finishing liquid
liquid
finishing
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP32245192A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06142403A (ja
Inventor
昌宏 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optic Co Ltd filed Critical Olympus Optic Co Ltd
Priority to JP32245192A priority Critical patent/JP3304143B2/ja
Publication of JPH06142403A publication Critical patent/JPH06142403A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3304143B2 publication Critical patent/JP3304143B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は金属部品や光学部品の洗
浄において、洗浄物の乾燥を行う仕上液を再生して使用
するため、混入している親水性溶液を分離する分離装置
および分離方法に関する。
【0002】
【従来の技術】上述のような洗浄物の洗浄ではフロンや
トリクロロエタンなどの塩素系有機溶剤が使用されてい
たが、これらの塩素系有機溶剤はオゾン層を破壊する環
境問題があるため、その使用が世界的に禁止される傾向
となっている。このため、塩素系有機溶剤の代替品が数
多く開発されている。なお、塩素系有機溶剤を用いた洗
浄方法としては、「精密洗浄装置と最新応用技術」(1
991年11月8日、(株)工業資料センター発行)の
570〜574頁に記載されるように、洗剤による洗浄
→水によるリンス→IPAなどの親水性溶液による脱水
→フロンベーパーによる乾燥の順でなされている。
【0003】このようなフロンを使用した乾燥工程にお
いて、フロンに代えてシリコン化合物を主成分とした仕
上液を使用すると、フロンと同等な効果が得られること
を発明者らは見出している。この場合のシリコン化合物
としては、オクタメチルシクロテトラシロキサン,オク
タメチルトリシロキサンなどの低分子シリコン化合物が
ある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような仕上液を用いた場合においては、乾燥の前工程で
洗浄物に付着したIPAなどの親水性溶液が仕上液中に
混入して仕上液の純度が低下する。そして、この低下に
より、乾燥力が劣化したり、シミが残る原因となってい
た。
【0005】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であり、親水性溶液の混入で純度が低下した仕上液を再
生して循環使用可能とした仕上液と親水性溶液の分離装
置および分離方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成する本発明は、水よりも低比重の非水溶性溶液が洗浄
物の乾燥時に使用される仕上液として用いられ、前記乾
燥時に混入した親水性溶液によりその純度が低下した前
記仕上液が再生されて用いられるようにする仕上液と親
水性溶液の分離装置であって、前記親水性溶液により純
度が低下した仕上液が供給される液入口を下部に設け、
この液入口から供給された仕上液に接触させて前記仕上
液に混入した親水性溶液を吸収し分離する水を充填した
槽内の前記液入口よりも高い位置に、前記仕上液と水と
の接触時間および接触面積が大きくなるように、仕上液
を沿わせて上昇させるための傾斜した分離板を備えた第
1槽と、前記第1槽に対し連設するとともに液面を低く
し、第1槽から溢出した仕上液を槽内に受け入れてこの
仕上液から水を比重差で分離して仕上液の純度を高くす
る槽と、を具備する構成とした。また、本発明の分離装
置は、前記第1槽に対し連設するとともに液面を低く
し、第1槽から溢出した仕上液を槽内に受け入れてこの
仕上液から水を比重差で分離して仕上液の純度を高くす
る槽は、前記受け入れた仕上液とこの槽から流出する仕
上液とが混合しないようにこの槽の液面を分画する分画
板を備えた構成とした。また本発明の分離方法は、洗浄
に使用された親水性溶液が付着した洗浄物を、洗浄の仕
上液として水よりも低比重の非水溶性溶液で仕上洗浄し
た後、この仕上液内に混入した親水性溶液により純度が
低下した仕上液を水槽の下部から水槽内に導いて水に接
触させ、水に親水性溶液を吸収させることにより水槽内
で仕上液と親水性溶液とを分離し、且つ水と仕上液との
比重差により上昇する仕上液を水中で傾斜した状態の分
離板に沿わせて上昇させて水槽上部に仕上液を貯め、次
いでこの貯めた仕上液を前記水槽に連設した下槽に溢出
により流入させてこの下槽内で仕上液から水を分離させ
るとともに、この下槽で浮上した仕上液を洗浄用の仕上
液として用いることとした。
【0007】上記構成においては、仕上液に混入した親
水性溶剤は、水を充填した第1槽(水槽)内の中を傾斜
した分離板に沿って上昇して行く課程で水との接触時間
および接触面積が大きくなり、仕上液に混入した親水性
溶液のみが水との溶解作用により効率よく水に吸収され
る。その後、この第1槽(水槽)に連設した槽(下槽)
に、前記親水性溶液が分離された仕上液を溢出(オーバ
ーフロー)により流入させ、この槽内で比重差により水
分を沈澱させることで仕上液と水が分離され、純度の高
い仕上液を再生することができる。このとき、比重差に
より異物も分離することができる。
【0008】
【実施例1】図1および図2は本発明の実施例1を示
す。洗浄物の乾燥に使用する仕上液が充填された乾燥槽
11に溢出槽20が設けられ、この溢出槽20に分離槽
12がパイプを介して連結されている。分離槽12は仕
切板3,4によって仕切られることにより第1槽12
a,第2槽12bおよび第3槽12cからなる連設した
3槽構造となっている。これらの槽は第1槽12a,第
2槽12b,第3槽12cの順で段階的に液面が低くな
っており、低い槽は高い槽から溢出(オーバーフロー)
した仕上液を受け入れるようになっている。第1槽12
aは仕上液を仕上液内に混入している親水性溶液との分
離を行うものであり、その内部には純水7が充填されて
いる。溢出槽20からの仕上液はこの第1槽20aの下
部々分に設けた液入口2から第1槽12a内に供給され
る。かかる第1槽12aの内部には分離板1が複数設け
られている。複数の分離板1は交互に対向すると共に、
傾斜した状態で第1槽の内部に設けられており、液入口
2から供給された仕上液8は純水との比重差により分離
板1に沿いながら上昇し、第1槽12aの上部に貯まっ
た後、溢出して第2槽12bに流入する。
【0009】分離槽12における第2槽12bおよび第
3槽12cには、各槽に流入する仕上液と各槽から流出
する仕上液とが混合しないように分画する分画板21,
22がそれぞれ垂直状に設けられている。これらの第2
槽12bおよび第3槽12cは仕上液8と仕上液内の水
分とを比重差により分離する槽である。この場合、第3
槽12cには同槽12c内の上限および下限の液面高さ
を検出する液面センサ6が設けられており、仕上液が所
定量よりも多いか、少ないかを検出するようになってい
る。なお、各槽12a,12b,12cにはそれぞれの
槽内の液体を抜き取って入れ換えを行うドレンバルブ1
3が設けられると共に(図2参照)、第1槽12aの下
面には排水バルブ19が設けられている。図2におい
て、14は分離槽12上部を覆う蓋体である。
【0010】10は分離槽12の第3槽12cの液出口
5と連結されたポンプであり、装置内における液体の循
環を行う。このポンプ10にはフィルタ9を介して乾燥
槽11が連結される。17は新たな仕上液を補給する補
給タンクであり、補給バルブ18を介して分離槽12の
第3槽12cにおける液補給口5aに連結されている。
また16は液面センサ6からの信号により新たな仕上液
を供給するか否かを制御するコントローラであり、補給
バルブ18の開閉を行う。
【0011】次に、仕上液として粘度1CSt(25
℃)の単一組成分からなるシリコンオイル(商品名EE
3110,オリンパス光学工業(株)製)、親水性溶液
としてIPA(以下アルコールと記する。)を用いた本
実施例の作動を説明する。この場合、補給タンク17に
は純度99.8%の新たなシリコンオイルが貯留されて
いる。洗浄物としては芯取り加工が行われることにより
芯取り油(ユシロン化合(株)製)が付着した両凸ガラ
スレンズを用い、このレンズを洗剤による洗浄→水によ
るリンス→アルコールによる脱水の後、乾燥槽11内の
シリコンオイルで乾燥し、仕上げする。
【0012】この洗浄により乾燥槽11から溢出したア
ルコール混入のシリコンオイルは純度99.0%となっ
ており、パイプを通って液入口2から分離槽12の第1
槽12aに入る。このアルコールの混入したシリコンオ
イルは第1槽12a内にあらかじめ充填されている純水
7の中で比重差により分離し浮上する。この浮上するア
ルコールの混入したシリコンオイルは第1槽12a内に
斜めに取り付けられた分離板1に沿って純水7の中を上
昇する。この上昇過程でアルコールの混入したシリコン
オイル中のアルコール分が純水7に吸収される。
【0013】これを繰り返して行くと、アルコールの混
入したシリコンオイル中のアルコールが除去されて高い
純度のシリコンオイル8が浮上してくる。このときの成
分をガスクロマトグラフィーおよびカールフィッシャー
水分計によりシリコンオイルの純度を測定したところ、
99.3%であった。浮上してきたシリコンオイル8が
過度に溜まると第1槽12aを越えてオーバーフロー
し、連設した液面が低い第2槽12bに流れ、第2槽1
2bに流れ込んだシリコンオイル8は分画板21で分画
されて溜まって行く過程でさらに水分が比重差により分
離され、水分が槽底に溜まる。
【0014】ここで分離浮上したシリコンオイル8が溜
まると、第2槽12bを越えて第3槽12cに流れ込
む。第2槽から出るときは99.5%の純度であった。
こうして第3槽12cに流れ込んだシリコンオイル8
は、分画板22で分画されながら更に水分が比重差によ
り分離され、シリコンオイル流出側の第3槽12cの液
面側には純度の高い(純度99.8%)シリコンオイル
8が溜まる。これにより、シリコンオイル8の再生が行
われ、再生されたシリコンオイルは液出口5からポンプ
に吸い上げられて再び乾燥槽11に送り込まれる。
【0015】このようにして乾燥槽11には常にアルコ
ールが除去されたシリコンオイル8を貯留することがで
きる。なお、蒸発によってシリコンオイルの量が減少し
た場合は、液面センサ6が検知し、コントローラ16に
よって液補給タンク17の補給バルブ18が開き純度9
9.8%のシリコンオイルが補給される。また、分離槽
への親水性溶剤の持ち込みが増えて全体の液量が増えて
くると液面センサ6が検知しコントローラ16によって
ドレンバルブ13が開き、水が排水されて適正な液量と
なる。
【0016】
【実施例2】図3および図4は本発明の実施例2を示
し、実施例1と同一の要素は同一の符号で対応させてあ
る。図3において、分離槽12の第1槽12a内に分離
板15が複数設けられるが、複数の分離板15は同一方
向に傾斜している。この分離板15は図4に示すよう
に、多数の孔15aが開口された多孔板が使用されてい
る。
【0017】本実施例において、実施例1と同様な工程
を経たガラスレンズを乾燥槽11に入れ、この乾燥槽1
1からオーバーフローしたシリコンオイルの純度を測定
したところ、99.0%であった。アルコールが混入し
たシリコンオイルはパイプを通って液入口2から分離槽
12の第1槽12aに入る。このシリコンオイルは第1
槽12a内に充填されている純水7の中で比重差により
分離し浮上する。浮上するシリコンオイルは、分離板1
5に当たって傾斜面に沿いながら上昇あるいは穴を通過
して行く過程でシリコンオイル中のアルコールが純水に
吸収される。第1槽12a上部のシリコンオイルを測定
すると、純度は99.2%であった。これを繰り返して
いくと、シリコンオイル中のアルコールが除去されて、
第2槽では99.4%、第3槽では約99.8%となっ
て高い純度のシリコンオイル8が浮上する。すなわち、
浮上してきたシリコンオイル8が溜まると第1槽12a
を越えてオーバーフローし、第2槽12bに流れ込む。
第2槽12bに流れ込んだシリコンオイル8は分画板2
1で分離され、槽右側(図3参照)に溜まっていく内に
さらに水分が比重差で分離されて水分が底に溜まる。こ
こで分離浮上したシリコンオイルは約99.4%の純度
であり、このシリコンオイル8が溜まってくると仕切り
板4を越えて第3槽12cに流れ込む。こうして、第3
槽には分画板22で分離されてさらに純度の高くなった
シリコンオイル8が溜まる。このときの純度は、約9
9.8%である。このシリコンオイル8は液出口5から
ポンプ10に吸い上げられて再び乾燥槽11に送りこま
れる。従って乾燥槽11には常に純度の高いシリコンオ
イル8を貯めておくことができる。
【0018】なお、上記各実施例においては、粘度1C
St(25℃)のシリコンオイルで説明したが粘度2.
2CSt(25℃)の単一成分(商品名FRW−1;東
芝(株))でも同様の効果を奏することができる。ま
た、親水性溶液として、IPAを用いたが、エタノー
ル、メタノール、ブタノール等の低級アルコールであっ
てもよい。さらに、水は水の単体に代えて、水を分散媒
とする混合溶液例えば水に少量の界面活性剤および/ま
たは親水性溶剤を加えたものを使用してもよい。
【0019】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明によれば水
よりも低比重の非水溶性溶液に混入した親水性溶液を効
率的に非水溶性溶液から除去でき、常に混入量を複数槽
によって0.5%以下に保つことができる。このため仕
上液の劣化が少なくなり、洗浄物の乾燥時に再生された
仕上液が用いられても洗浄物にシミが残る等の不良が減
少する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の構成を示す側面図。
【図2】分離槽の平面図。
【図3】実施例2の構成を示す側面図。
【図4】分離板の平面図。
【符号の説明】
1 分離板 12 分離槽 12a 第1槽 12b 第2槽 12c 第3槽

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水よりも低比重の非水溶性溶液が洗浄物
    の乾燥時に使用される仕上液として用いられ、前記乾燥
    時に混入した親水性溶液によりその純度が低下した前記
    仕上液が再生されて用いられるようにする仕上液と親水
    性溶液の分離装置であって、 前記親水性溶液により純度が低下した仕上液が供給され
    る液入口を下部に設け、この液入口から供給された仕上
    液に接触させて前記仕上液に混入した親水性溶液を吸収
    し分離する水を充填した槽内の前記液入口よりも高い位
    置に、前記仕上液と水との接触時間および接触面積が大
    きくなるように、仕上液を沿わせて上昇させるための傾
    斜した分離板を備えた第1槽と、 前記第1槽に対し連設するとともに液面を低くし、第1
    槽から溢出した仕上液を槽内に受け入れてこの仕上液か
    ら水を比重差で分離して仕上液の純度を高くする槽と、 を具備していることを特徴とする仕上液と親水性溶液の
    分離装置。
  2. 【請求項2】 前記第1槽に対し連設するとともに液面
    を低くし、第1槽から溢出した仕上液を槽内に受け入れ
    てこの仕上液から水を比重差で分離して仕上液の純度を
    高くする槽は、前記受け入れた仕上液とこの槽から流出
    する仕上液とが混合しないようにこの槽の液面を分画す
    る分画板を備えたことを特徴とする請求項1記載の仕上
    液と親水性溶液の分離装置。
  3. 【請求項3】 洗浄に使用された親水性溶液が付着した
    洗浄物を、洗浄の仕上液として水よりも低比重の非水溶
    性溶液で仕上洗浄した後、 この仕上液内に混入した親水性溶液により純度が低下し
    た仕上液を水槽の下部から水槽内に導いて水に接触さ
    せ、 水に親水性溶液を吸収させることにより水槽内で仕上液
    と親水性溶液とを分離し、且つ水と仕上液との比重差に
    より上昇する仕上液を水中で傾斜した状態の分離板に沿
    わせて上昇させて水槽上部に仕上液を貯め、 次いでこの貯めた仕上液を前記水槽に連設した下槽に溢
    出により流入させてこの下槽内で仕上液から水を分離さ
    せるとともに、この下槽で浮上した仕上液を洗浄用の仕
    上液として用いることを特徴とした仕上液と親水性溶液
    の分離方法。
JP32245192A 1992-11-06 1992-11-06 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法 Expired - Fee Related JP3304143B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32245192A JP3304143B2 (ja) 1992-11-06 1992-11-06 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32245192A JP3304143B2 (ja) 1992-11-06 1992-11-06 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06142403A JPH06142403A (ja) 1994-05-24
JP3304143B2 true JP3304143B2 (ja) 2002-07-22

Family

ID=18143813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32245192A Expired - Fee Related JP3304143B2 (ja) 1992-11-06 1992-11-06 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3304143B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06142403A (ja) 1994-05-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003297795A (ja) 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法
KR20080022044A (ko) 기판처리장치
CN100471543C (zh) 脱水方法以及脱水装置
NL9000484A (nl) Werkwijze voor het in een centrifuge verwijderen van een vloeistof van een oppervlak van een substraat.
TW200946254A (en) Cleaning method and cleaning system for electronic part
US5282923A (en) Liquid agitation and purification system
TW200946253A (en) Method for cleaning electronic parts and cleaning system
JP3304143B2 (ja) 仕上液と親水性溶液の分離装置および分離方法
JPH06103686B2 (ja) 表面乾燥処理方法および装置
WO2004091749A1 (ja) 洗浄に用いる非水系溶剤の再生方法および装置
JPS63110731A (ja) 半導体基板処理装置
JP5129911B2 (ja) 水分除去装置
KR100598914B1 (ko) 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비
JP3272400B2 (ja) 乾燥液の再生装置
JP5197228B2 (ja) 被処理物洗浄方法及び被処理物洗浄装置
KR20040022091A (ko) 증기 건조 방식의 반도체 웨이퍼 건조 장치
JPH06142404A (ja) 乾燥液の再生方法と再生装置
US5799676A (en) Nonaqueous solvent regenerating apparatus for use in cleaning
JP3099907B2 (ja) 半導体処理装置
JPH06124934A (ja) ウエット洗浄装置
JPH06154714A (ja) 洗浄装置
JP2600987Y2 (ja) 洗浄機における洗浄液分離装置
JPS649621B2 (ja)
US20050016680A1 (en) Device for etching rinsing and drying substrates in an ultra-clean atmosphere
JP2000033347A (ja) 洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020416

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080510

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090510

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100510

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110510

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees