JPH06132693A - 配線板構造 - Google Patents
配線板構造Info
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- JPH06132693A JPH06132693A JP28280092A JP28280092A JPH06132693A JP H06132693 A JPH06132693 A JP H06132693A JP 28280092 A JP28280092 A JP 28280092A JP 28280092 A JP28280092 A JP 28280092A JP H06132693 A JPH06132693 A JP H06132693A
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- land
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は絶縁層にポリイミド樹脂を使用した
配線板構造に関し、ランドとシールド用導体層間の浮遊
容量を小さくし、信号線路の特性インピーダンスの変化
を低減して電気特性を改善することを目的とする。 【構成】 絶縁層１８、１９にビア５０が形成されてお
り、ビア５０には、平坦部５１ａ，５１ｂが形成されて
いる。平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 を、平坦部５１ａの寸法
Ｄ0 よりも大きくしている。Ｌn+1 層ランド４２は、Ｌ
n+1 層ライン２７引き出し方向側以外では、ビア５０の
平坦部５１ａまでに制限されて形成され、Ｌn+1 層ライ
ン２７引き出し方向側では、上記ビア５０の平坦部５１
ｂから絶縁層１９の上面１９ａ上にかけて形成されてい
る。
配線板構造に関し、ランドとシールド用導体層間の浮遊
容量を小さくし、信号線路の特性インピーダンスの変化
を低減して電気特性を改善することを目的とする。 【構成】 絶縁層１８、１９にビア５０が形成されてお
り、ビア５０には、平坦部５１ａ，５１ｂが形成されて
いる。平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 を、平坦部５１ａの寸法
Ｄ0 よりも大きくしている。Ｌn+1 層ランド４２は、Ｌ
n+1 層ライン２７引き出し方向側以外では、ビア５０の
平坦部５１ａまでに制限されて形成され、Ｌn+1 層ライ
ン２７引き出し方向側では、上記ビア５０の平坦部５１
ｂから絶縁層１９の上面１９ａ上にかけて形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は配線板構造に係り、特
に、絶縁層にポリイミド樹脂を使用した配線板構造に関
する。
に、絶縁層にポリイミド樹脂を使用した配線板構造に関
する。
【０００２】近年、電子装置の小型化、高速化に伴い、
機能を集約した回路モジュール（サブプリント板）を使
用することが多くなった。このような回路モジュールに
使用する配線板は、配線の微細化が可能で、高速信号に
適用可能であることが要求されている。この様な要求を
満たすものとして、現在、ポリイミド樹脂と銅配線を使
用した銅ポリイミド配線板が実用化されている。
機能を集約した回路モジュール（サブプリント板）を使
用することが多くなった。このような回路モジュールに
使用する配線板は、配線の微細化が可能で、高速信号に
適用可能であることが要求されている。この様な要求を
満たすものとして、現在、ポリイミド樹脂と銅配線を使
用した銅ポリイミド配線板が実用化されている。
【０００３】上記銅ポリイミド配線板について、より電
気特性の良好なものが必要とされている。
気特性の良好なものが必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】図４は、従来の銅ポリイミド配線板構造
の一例の断面図を示す。また、図５は、図４のＬn 層、
Ｌn+1 層部分の説明図で、図５（Ａ）は、Ｌn 層、Ｌ
n+1 層部分の平面図を示し、図５（Ｂ）は、Ｌn 層、Ｌ
n+1 層部分の断面図を示す。
の一例の断面図を示す。また、図５は、図４のＬn 層、
Ｌn+1 層部分の説明図で、図５（Ａ）は、Ｌn 層、Ｌ
n+1 層部分の平面図を示し、図５（Ｂ）は、Ｌn 層、Ｌ
n+1 層部分の断面図を示す。
【０００５】銅ポリイミド配線板は、一般的に、図４に
示すように、セラミック等の基板１１上に、アース又は
電源層であるシールド用導体層のＬn-1 層１２、Ｌn+2
層１５、信号導体層であるＬn 層１３、Ｌn+1 層１４
が、ポリイミド樹脂の絶縁層１６、１７、２０を介して
形成されている。
示すように、セラミック等の基板１１上に、アース又は
電源層であるシールド用導体層のＬn-1 層１２、Ｌn+2
層１５、信号導体層であるＬn 層１３、Ｌn+1 層１４
が、ポリイミド樹脂の絶縁層１６、１７、２０を介して
形成されている。
【０００６】導体層間の絶縁層を厚くする必要がある配
線板では、図４に示すように、ポリイミド樹脂を２回に
分けて塗布することが一般的に行われる。信号導体層間
の接続は、絶縁層に形成されたビアとビア上下のランド
により行っている。図４では、絶縁層１８、１９にビア
２８を形成し、ビア２８の上下にＬn+1 層ランド２６、
Ｌn 層ランド２５を形成し、ビア２８の表面にランド２
６、２５と接続された導体層を形成している。これによ
り、信号線であるＬn+1 層ライン２７とＬn 層ライン２
４を接続している。
線板では、図４に示すように、ポリイミド樹脂を２回に
分けて塗布することが一般的に行われる。信号導体層間
の接続は、絶縁層に形成されたビアとビア上下のランド
により行っている。図４では、絶縁層１８、１９にビア
２８を形成し、ビア２８の上下にＬn+1 層ランド２６、
Ｌn 層ランド２５を形成し、ビア２８の表面にランド２
６、２５と接続された導体層を形成している。これによ
り、信号線であるＬn+1 層ライン２７とＬn 層ライン２
４を接続している。
【０００７】なお、アース又は電源層であるＬn-1 層１
２、Ｌn+2 層１５は、メッシュ導体２２、２３となって
おり、略方形のメッシュ開口部２３ａが形成されてい
る。
２、Ｌn+2 層１５は、メッシュ導体２２、２３となって
おり、略方形のメッシュ開口部２３ａが形成されてい
る。
【０００８】図５に示すように、ビア２８は絶縁層１８
に形成された径の小さいビア２９と、絶縁層１９に形成
されたビア２９よりも径の大きいビア３０とから形成さ
れている。
に形成された径の小さいビア２９と、絶縁層１９に形成
されたビア２９よりも径の大きいビア３０とから形成さ
れている。
【０００９】接続信頼性の要因により、接続用ランドで
あるＬn 層ランド２５、Ｌn+1 層ランド２６は、共に、
ビア２８の最大径（図５（Ｂ）のビア２８最上部での
径）より大きな形状としている。
あるＬn 層ランド２５、Ｌn+1 層ランド２６は、共に、
ビア２８の最大径（図５（Ｂ）のビア２８最上部での
径）より大きな形状としている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、図４、図５
に示した従来の銅ポリイミド配線板では、接続信頼性の
確保のために、ビア２８上下の接続用ランドであるＬn
層ランド２５、Ｌn+1 層ランド２６は、ビア２８の径よ
りも大きくする必要がある。
に示した従来の銅ポリイミド配線板では、接続信頼性の
確保のために、ビア２８上下の接続用ランドであるＬn
層ランド２５、Ｌn+1 層ランド２６は、ビア２８の径よ
りも大きくする必要がある。
【００１１】この構造においては、Ｌn-1 層１２、Ｌ
n+2 層１５に形成されたメッシュ導体２２、２３とラン
ド２５、２６の向かい合う面積（図５（Ａ）の２本の２
点鎖線で囲まれた面積Ｓ0 ）が広いため、ランド２５、
２６とメッシュ導体２２、２３間の浮遊容量が大きい。
このため、ビア２８を含む信号線路の特性インピーダン
スが変化し、反射ノイズや信号伝播遅延時間等の電気特
性に悪影響を及ぼすという問題があった。
n+2 層１５に形成されたメッシュ導体２２、２３とラン
ド２５、２６の向かい合う面積（図５（Ａ）の２本の２
点鎖線で囲まれた面積Ｓ0 ）が広いため、ランド２５、
２６とメッシュ導体２２、２３間の浮遊容量が大きい。
このため、ビア２８を含む信号線路の特性インピーダン
スが変化し、反射ノイズや信号伝播遅延時間等の電気特
性に悪影響を及ぼすという問題があった。
【００１２】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、ランドとシールド用導体層間の浮遊容量が小さく、
信号線路の特性インピーダンスの変化を低減して電気特
性を改善することができる配線板構造を提供することを
目的とする。
で、ランドとシールド用導体層間の浮遊容量が小さく、
信号線路の特性インピーダンスの変化を低減して電気特
性を改善することができる配線板構造を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、積層
された第１の絶縁層及び第２の絶縁層からなる絶縁層の
下面と上面とに形成された第１の信号導体層と第２の信
号導体層が、上記絶縁層に形成されたビアにより接続さ
れており、第３の絶縁層を介して上記第１の信号導体層
に対向する第１のシールド用導体層が形成され、第４の
絶縁層を介して上記第２の信号導体層に対向する第２の
シールド用導体層が形成された配線板構造において、第
１の絶縁層のビアの第２の絶縁層に接する面での大きさ
と第２の絶縁層のビアの第１絶縁層に接する面での大き
さとの差により、ビアの平坦部が形成されており、上記
平坦部は、第２の信号導体層の信号線引き出し方向側で
のビアの中心からビアの内面方向への寸法を、第２の信
号導体層の信号線引き出し方向側以外でのビアの中心か
らビアの内面方向への寸法よりも大きくし、第２の信号
導体層のランドは、第２の信号導体層の信号線引き出し
方向側以外では、上記ビアの平坦部までにとどめて形成
され、第２の信号導体層の信号線引き出し方向側では、
上記ビアの平坦部から第２の絶縁層が第２の信号層に接
する面上にかけて形成された構成とする。
された第１の絶縁層及び第２の絶縁層からなる絶縁層の
下面と上面とに形成された第１の信号導体層と第２の信
号導体層が、上記絶縁層に形成されたビアにより接続さ
れており、第３の絶縁層を介して上記第１の信号導体層
に対向する第１のシールド用導体層が形成され、第４の
絶縁層を介して上記第２の信号導体層に対向する第２の
シールド用導体層が形成された配線板構造において、第
１の絶縁層のビアの第２の絶縁層に接する面での大きさ
と第２の絶縁層のビアの第１絶縁層に接する面での大き
さとの差により、ビアの平坦部が形成されており、上記
平坦部は、第２の信号導体層の信号線引き出し方向側で
のビアの中心からビアの内面方向への寸法を、第２の信
号導体層の信号線引き出し方向側以外でのビアの中心か
らビアの内面方向への寸法よりも大きくし、第２の信号
導体層のランドは、第２の信号導体層の信号線引き出し
方向側以外では、上記ビアの平坦部までにとどめて形成
され、第２の信号導体層の信号線引き出し方向側では、
上記ビアの平坦部から第２の絶縁層が第２の信号層に接
する面上にかけて形成された構成とする。
【００１４】請求項２の発明は、前記第２の信号導体層
のランドは、第２の信号導体層の信号線と接続する引き
出し部を、前記ビアの平坦部におけるランドの幅よりも
幅が小さく、第２の信号導体層の信号線の幅よりも幅が
大きいフィレットとした構成とする。
のランドは、第２の信号導体層の信号線と接続する引き
出し部を、前記ビアの平坦部におけるランドの幅よりも
幅が小さく、第２の信号導体層の信号線の幅よりも幅が
大きいフィレットとした構成とする。
【００１５】請求項３の発明は、第１のシールド用導体
層、及び前記第２のシールド用導体層はメッシュ導体と
し、前記第２の信号導体層のランドは、前記第２のシー
ルド用導体層のメッシュ導体の開口部に対向する位置に
配置し、第１の信号導体層のランドは、前記第１のシー
ルド用導体層の開口部に対向する位置に配置し、上記第
２の信号導体層のランドの引き出し部に対向する上記第
２のシールド用導体層のメッシュ導体に導体を除去した
導体ぬき部を形成し、上記第２の信号導体層のランドの
引き出し部分に対向する上記第１のメッシュ導体に導体
を除去した導体ぬき部を形成した構成とする。
層、及び前記第２のシールド用導体層はメッシュ導体と
し、前記第２の信号導体層のランドは、前記第２のシー
ルド用導体層のメッシュ導体の開口部に対向する位置に
配置し、第１の信号導体層のランドは、前記第１のシー
ルド用導体層の開口部に対向する位置に配置し、上記第
２の信号導体層のランドの引き出し部に対向する上記第
２のシールド用導体層のメッシュ導体に導体を除去した
導体ぬき部を形成し、上記第２の信号導体層のランドの
引き出し部分に対向する上記第１のメッシュ導体に導体
を除去した導体ぬき部を形成した構成とする。
【００１６】
【作用】請求項１の発明の構成は、ランドと信号線との
接続信頼性を維持したまま、ランドとシールド用導体層
間の浮遊容量を低減する。このため、信号線路の特性イ
ンピーダンスの変化を低減して電気特性を改善すること
を可能とする。
接続信頼性を維持したまま、ランドとシールド用導体層
間の浮遊容量を低減する。このため、信号線路の特性イ
ンピーダンスの変化を低減して電気特性を改善すること
を可能とする。
【００１７】請求項２の発明の構成は、ランドの引き出
し部分とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するた
め、一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減
する。
し部分とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するた
め、一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減
する。
【００１８】請求項３の発明の、ランドとシールド導体
層のメッシュ導体が対向しない構成は、ランドとメッシ
ュ導体間の浮遊容量を更に低減する。このため、一層、
信号線路の特性インピーダンスの変化を低減する。
層のメッシュ導体が対向しない構成は、ランドとメッシ
ュ導体間の浮遊容量を更に低減する。このため、一層、
信号線路の特性インピーダンスの変化を低減する。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の説明図を示し、
図１（Ａ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の平面図、図１
（Ｂ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の断面図を示す。なお、
図１は、第１の絶縁層１８、第２の絶縁層１９と第１の
信号導体層であるＬn 層１３、第２の信号導体層である
Ｌn+1 層１４の部分についての図であり、図１（Ｂ）の
Ｌn 層１３、Ｌn+1 層１４の上下にある、第３の絶縁層
１６、第４の絶縁層２０、第１のシールド用導体層１
２、第２のシールド用導体層１５、及び基板１１は、図
４と同様である。
図１（Ａ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の平面図、図１
（Ｂ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の断面図を示す。なお、
図１は、第１の絶縁層１８、第２の絶縁層１９と第１の
信号導体層であるＬn 層１３、第２の信号導体層である
Ｌn+1 層１４の部分についての図であり、図１（Ｂ）の
Ｌn 層１３、Ｌn+1 層１４の上下にある、第３の絶縁層
１６、第４の絶縁層２０、第１のシールド用導体層１
２、第２のシールド用導体層１５、及び基板１１は、図
４と同様である。
【００２０】図１に示すように、絶縁層１７は第１の絶
縁層１８及び第２の絶縁層１９からなり第１の絶縁層１
８の下面に第１の信号導体層であるＬn 層１３が形成さ
れており、第２の絶縁層１９の上面に第２の信号導体層
であるＬn+1 層１４が形成されている。
縁層１８及び第２の絶縁層１９からなり第１の絶縁層１
８の下面に第１の信号導体層であるＬn 層１３が形成さ
れており、第２の絶縁層１９の上面に第２の信号導体層
であるＬn+1 層１４が形成されている。
【００２１】絶縁層１７にはＬn 層１３とＬn+1 層を接
続するためのビア５０が形成されている。ビア５０は、
絶縁層１８に形成されたビア５１と絶縁層１９に形成さ
れたビア５２とからなる。ビア５１、５２の形状は、平
面図では略方形で、断面図で示すように、側面を斜面と
している。
続するためのビア５０が形成されている。ビア５０は、
絶縁層１８に形成されたビア５１と絶縁層１９に形成さ
れたビア５２とからなる。ビア５１、５２の形状は、平
面図では略方形で、断面図で示すように、側面を斜面と
している。
【００２２】なお、ビア５２の絶縁層１８と接する面で
の大きさを、ビア５１の絶縁層１９と接する面での大き
さよりも大きくしており、これにより、ビア５０の平坦
部５１ａ、５１ｂが形成されている。
の大きさを、ビア５１の絶縁層１９と接する面での大き
さよりも大きくしており、これにより、ビア５０の平坦
部５１ａ、５１ｂが形成されている。
【００２３】平坦部５１ａ、５１ｂは、Ｌn+1 層１４の
信号線であるＬn+1 層ライン２７の引き出し方向側の平
坦部５１ｂの、ビア５０の中心からビア５０の内面方向
への寸法Ｄ1 を、Ｌn+1 層ライン２７の引き出し方向側
以外の平坦部５１ａの、ビア５０の中心からビア５０の
内面方向への寸法Ｄ0 よりも大きくしている。
信号線であるＬn+1 層ライン２７の引き出し方向側の平
坦部５１ｂの、ビア５０の中心からビア５０の内面方向
への寸法Ｄ1 を、Ｌn+1 層ライン２７の引き出し方向側
以外の平坦部５１ａの、ビア５０の中心からビア５０の
内面方向への寸法Ｄ0 よりも大きくしている。
【００２４】例えば、絶縁層１７の厚さを１０〜３０μ
ｍ、ビア５２の上部の一辺を２００〜２５０μｍとする
場合、平坦部５１ａの寸法Ｄ0 を１０〜４０μｍとする
のに対して、平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 は５０〜１００μ
ｍとする。
ｍ、ビア５２の上部の一辺を２００〜２５０μｍとする
場合、平坦部５１ａの寸法Ｄ0 を１０〜４０μｍとする
のに対して、平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 は５０〜１００μ
ｍとする。
【００２５】Ｌn+1 層１４のランド４２は、Ｌn+1 層ラ
イン２７の引き出し方向側以外で、ビア５０の平坦部５
１ａに形成されたランド４２ａと、Ｌn+1 層ライン２７
の引き出し方向で、平坦部５１ｂからビア５２の斜面を
介して絶縁層１９の上面１９ａにかけて形成された引き
出し部４２ｂとからなる。ランド４２ａの範囲は、平坦
部５１ａのみにとどめており、ビア５２の上部にかから
ないように形成されている。
イン２７の引き出し方向側以外で、ビア５０の平坦部５
１ａに形成されたランド４２ａと、Ｌn+1 層ライン２７
の引き出し方向で、平坦部５１ｂからビア５２の斜面を
介して絶縁層１９の上面１９ａにかけて形成された引き
出し部４２ｂとからなる。ランド４２ａの範囲は、平坦
部５１ａのみにとどめており、ビア５２の上部にかから
ないように形成されている。
【００２６】なお、ランド４２は、ビア５１の斜面、及
び底面に形成された導体を介してＬ n 層ランド４１に接
続されている。Ｌn 層ランド４１は、ビア５１の上部の
大きさとほぼ等しい略方形で、Ｌn 層１３の信号線であ
るＬn 層ライン２４に接続されている。
び底面に形成された導体を介してＬ n 層ランド４１に接
続されている。Ｌn 層ランド４１は、ビア５１の上部の
大きさとほぼ等しい略方形で、Ｌn 層１３の信号線であ
るＬn 層ライン２４に接続されている。
【００２７】第１実施例では、Ｌn+1 層ランド４２のう
ち、Ｌn+1 層１４に形成された部分４２ｃ（図１（Ａ）
の２点鎖線で囲まれた部分）の面積Ｓ1 を、図５（Ａ）
に示す従来の配線構造での面積Ｓ0 に比べて大幅に小さ
くできる。また、Ｌn+1 層ランド４２のうち、ビア５０
の平坦部５１ａ、５１ｂに形成された部分は、従来の配
線構造での面積Ｓ0 に比べて小さく、かつ、Ｌn+1 層１
４よりも、上側のＬn+ 2 層１５のメッシュ導体２３から
距離が離れている。
ち、Ｌn+1 層１４に形成された部分４２ｃ（図１（Ａ）
の２点鎖線で囲まれた部分）の面積Ｓ1 を、図５（Ａ）
に示す従来の配線構造での面積Ｓ0 に比べて大幅に小さ
くできる。また、Ｌn+1 層ランド４２のうち、ビア５０
の平坦部５１ａ、５１ｂに形成された部分は、従来の配
線構造での面積Ｓ0 に比べて小さく、かつ、Ｌn+1 層１
４よりも、上側のＬn+ 2 層１５のメッシュ導体２３から
距離が離れている。
【００２８】このため、従来の配線構造に比べ、Ｌn+1
層ランド４２とメッシュ導体２３との間の浮遊容量を２
／３以下に低減することができる。従って、ビア５０を
含む信号線路の特性インピーダンスの変化を低減するこ
とができ、反射ノイズや信号伝播遅延時間の増加等を防
ぎ、電気特性を改善することができる。
層ランド４２とメッシュ導体２３との間の浮遊容量を２
／３以下に低減することができる。従って、ビア５０を
含む信号線路の特性インピーダンスの変化を低減するこ
とができ、反射ノイズや信号伝播遅延時間の増加等を防
ぎ、電気特性を改善することができる。
【００２９】なお、ビア５０の平坦部５１ｂの寸法Ｓ1
を平坦部５１ａの寸法Ｓ0 よりも大きくしている。この
ため、平坦部５１ａからビア５２の斜面を介して絶縁層
１９の上面１９ａにかけて形成されるランドの引き出し
部４２ｂは、メッキの際にメッキ液のまわりこみが良く
なり、導体の厚さｔが厚く安定した形で形成される。こ
のため、ランド４２部分の接続信頼性を充分高くするこ
とができる。
を平坦部５１ａの寸法Ｓ0 よりも大きくしている。この
ため、平坦部５１ａからビア５２の斜面を介して絶縁層
１９の上面１９ａにかけて形成されるランドの引き出し
部４２ｂは、メッキの際にメッキ液のまわりこみが良く
なり、導体の厚さｔが厚く安定した形で形成される。こ
のため、ランド４２部分の接続信頼性を充分高くするこ
とができる。
【００３０】図２は本発明の第２実施例の説明図を示
し、図２（Ａ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の平面図、図２
（Ｂ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の断面図を示す。なお、
図２は、第１の絶縁層１８、第２の絶縁層１９と第１の
信号導体層であるＬn 層１３、第２の信号導体層である
Ｌn+1 層１４の部分についての図である。
し、図２（Ａ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の平面図、図２
（Ｂ）はＬn 層、Ｌn+1 層部分の断面図を示す。なお、
図２は、第１の絶縁層１８、第２の絶縁層１９と第１の
信号導体層であるＬn 層１３、第２の信号導体層である
Ｌn+1 層１４の部分についての図である。
【００３１】図２（Ｂ）のＬn 層１３、Ｌn+1 層１４の
上下にある、第３の絶縁層１６、第４の絶縁層２０、第
１のシールド用導体層１２、第２のシールド用導体層１
５、及び基板１１は、図４と同様である。なお、図２に
おいて、図１と同一構成部分には同一符号を付し、適宜
説明を省略する。
上下にある、第３の絶縁層１６、第４の絶縁層２０、第
１のシールド用導体層１２、第２のシールド用導体層１
５、及び基板１１は、図４と同様である。なお、図２に
おいて、図１と同一構成部分には同一符号を付し、適宜
説明を省略する。
【００３２】絶縁層１７にはＬn 層１３とＬn+1 層１４
を接続するためのビア５０が形成されている。ビア５０
は、絶縁層１８に形成されたビア５１と絶縁層１９に形
成されたビア５２とからなる。ビア５１、５２の形状
は、平面図では略方形で、断面図では、側面を斜面とし
ている。
を接続するためのビア５０が形成されている。ビア５０
は、絶縁層１８に形成されたビア５１と絶縁層１９に形
成されたビア５２とからなる。ビア５１、５２の形状
は、平面図では略方形で、断面図では、側面を斜面とし
ている。
【００３３】なお、ビア５２の絶縁層１８と接する面で
の大きさを、ビア５１の絶縁層１９と接する面での大き
さよりも大きくしており、これにより、ビア５０の平坦
部５１ａ、５１ｂが形成されている。
の大きさを、ビア５１の絶縁層１９と接する面での大き
さよりも大きくしており、これにより、ビア５０の平坦
部５１ａ、５１ｂが形成されている。
【００３４】平坦部５１ａ、５１ｂは、Ｌn+1 層ライン
２７の引き出し方向側の平坦部５１ｂの、ビアの中心か
らビアの内面方向への寸法Ｄ1 を、Ｌn+1 層ライン２７
の引き出し方向側以外の平坦部５１ａの、ビアの中心か
らビアの内面方向への寸法Ｄ 0 よりも大きくしている。
２７の引き出し方向側の平坦部５１ｂの、ビアの中心か
らビアの内面方向への寸法Ｄ1 を、Ｌn+1 層ライン２７
の引き出し方向側以外の平坦部５１ａの、ビアの中心か
らビアの内面方向への寸法Ｄ 0 よりも大きくしている。
【００３５】例えば、絶縁層１７の厚さを１０〜３０μ
ｍ、ビア５２の上部の一辺を２００〜２５０μｍとする
場合、ビア平坦部５１ａの寸法Ｄ0 を１０〜４０μｍと
するのに対して、ビア平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 は５０〜
１００μｍとする。
ｍ、ビア５２の上部の一辺を２００〜２５０μｍとする
場合、ビア平坦部５１ａの寸法Ｄ0 を１０〜４０μｍと
するのに対して、ビア平坦部５１ｂの寸法Ｄ1 は５０〜
１００μｍとする。
【００３６】Ｌn+1 層１４のランド６２は、ビア５０の
平坦部５１ａと平坦部５１ｂの端部に形成されたランド
６２ａと、Ｌn+1 層ライン２７の引き出し方向で、平坦
部５１ｂからビア５２の斜面を介して絶縁層１９の上面
１９ａにかけて形成されたＬ n+1 層ランドの引き出し部
であるフィレット６２ｂとからなる。Ｌn+1 層ランドの
フィレット６２ｂの幅Ｗ3 は、ランド６２ａの幅Ｗ1 よ
りも小さく、Ｌn+1 層ラインの幅Ｗ2 よりも大きくして
いる。
平坦部５１ａと平坦部５１ｂの端部に形成されたランド
６２ａと、Ｌn+1 層ライン２７の引き出し方向で、平坦
部５１ｂからビア５２の斜面を介して絶縁層１９の上面
１９ａにかけて形成されたＬ n+1 層ランドの引き出し部
であるフィレット６２ｂとからなる。Ｌn+1 層ランドの
フィレット６２ｂの幅Ｗ3 は、ランド６２ａの幅Ｗ1 よ
りも小さく、Ｌn+1 層ラインの幅Ｗ2 よりも大きくして
いる。
【００３７】なお、ランド６２は、ビア５１の斜面、及
び底面に形成された導体を介してＬ n 層ランド４１に接
続されている。Ｌn 層ランド４１は、ビア５１の上部の
大きさとほぼ等しい略方形で、Ｌn 層ライン２４に接続
されている。
び底面に形成された導体を介してＬ n 層ランド４１に接
続されている。Ｌn 層ランド４１は、ビア５１の上部の
大きさとほぼ等しい略方形で、Ｌn 層ライン２４に接続
されている。
【００３８】第２実施例では、Ｌn+1 層ランドの引き出
し部であるフィレット６２ｂの幅Ｗ 3 をランド６２ａの
幅Ｗ1 よりも小さくしている。このため、上側のＬn+2
層１５のメッシュ導体２３と対向するフィレット６２ａ
の面積、特に、Ｌn+1 層に形成された部分６２ｃの面積
（図２（Ａ）の２点鎖線で囲まれた部分の面積）Ｓ2が
第１実施例よりも小さくなる。
し部であるフィレット６２ｂの幅Ｗ 3 をランド６２ａの
幅Ｗ1 よりも小さくしている。このため、上側のＬn+2
層１５のメッシュ導体２３と対向するフィレット６２ａ
の面積、特に、Ｌn+1 層に形成された部分６２ｃの面積
（図２（Ａ）の２点鎖線で囲まれた部分の面積）Ｓ2が
第１実施例よりも小さくなる。
【００３９】このため、Ｌn+1 層ランド６２とメッシュ
導体２３との間の浮遊容量を、更に低減することがで
き、一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減
し、反射ノイズ、信号伝播遅延時間等の電気特性の改善
をすることができる。
導体２３との間の浮遊容量を、更に低減することがで
き、一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減
し、反射ノイズ、信号伝播遅延時間等の電気特性の改善
をすることができる。
【００４０】図３は本発明の第３実施例の説明図を示
す。図３は、ビア５０が形成された部分の配線板を上部
から見た図である。なお、Ｌn 層１３、Ｌn+1 層１４の
上下にある、絶縁層１６、２０、シールド用導体層１
２、１５、及び基板１１は、図４と同様である。図３に
おいて、図１、図２と同一構成部分には同一符号を付
し、適宜説明を省略する。
す。図３は、ビア５０が形成された部分の配線板を上部
から見た図である。なお、Ｌn 層１３、Ｌn+1 層１４の
上下にある、絶縁層１６、２０、シールド用導体層１
２、１５、及び基板１１は、図４と同様である。図３に
おいて、図１、図２と同一構成部分には同一符号を付
し、適宜説明を省略する。
【００４１】ビア５０は第１実施例、第２実施例と同様
にして絶縁層１８、１９に形成されている。また、Ｌ
n+1 層ランド７２は、第１実施例のランド４２、又は第
２実施例のランド６２と同様にして形成されている。即
ち、ランド７２は、ビア５０の平坦部に形成されたラン
ド７２ａとＬn+1 層ライン２７と接続する引出し部７２
ｂとからなる。
にして絶縁層１８、１９に形成されている。また、Ｌ
n+1 層ランド７２は、第１実施例のランド４２、又は第
２実施例のランド６２と同様にして形成されている。即
ち、ランド７２は、ビア５０の平坦部に形成されたラン
ド７２ａとＬn+1 層ライン２７と接続する引出し部７２
ｂとからなる。
【００４２】また、ランド７２はビア５０の斜面、及び
底面に形成された導体を介して、Ｌ n 層ランド４１に接
続されており、Ｌn 層ランド４１には、Ｌn 層ライン２
４が接続されている。
底面に形成された導体を介して、Ｌ n 層ランド４１に接
続されており、Ｌn 層ランド４１には、Ｌn 層ライン２
４が接続されている。
【００４３】Ｌn+1 層１４の上側には、絶縁層２０を介
してＬn+2 層１５にメッシュ導体２３が形成されてお
り、Ｌn 層１３の下側には、絶縁層１６を介してＬn-1
層１２にメッシュ導体２２が形成されている。
してＬn+2 層１５にメッシュ導体２３が形成されてお
り、Ｌn 層１３の下側には、絶縁層１６を介してＬn-1
層１２にメッシュ導体２２が形成されている。
【００４４】第３実施例では、図３に示すように、メッ
シュ導体２２、２３の開口部２２ａ、２３ａに対向する
位置に、Ｌn 層ランド４１及びＬn+1 層ランド７２を配
置している。また、Ｌn+1 層ランド７２の引出し部７２
ｂに対向するメッシュ導体２３、及びメッシュ導体２２
の導体を削除して、導体ぬき部２３ｂ、２２ｂを形成し
ている。
シュ導体２２、２３の開口部２２ａ、２３ａに対向する
位置に、Ｌn 層ランド４１及びＬn+1 層ランド７２を配
置している。また、Ｌn+1 層ランド７２の引出し部７２
ｂに対向するメッシュ導体２３、及びメッシュ導体２２
の導体を削除して、導体ぬき部２３ｂ、２２ｂを形成し
ている。
【００４５】このため、第３実施例では、Ｌn 層ランド
４１、Ｌn+1 層ランド７２と対向する位置にメッシュ導
体２２、２３の導体部が無く、Ｌn 層ランド４１、Ｌ
n+1 層ランド７２とメッシュ導体２２、２３間の浮遊容
量を低減することができる。従って、一層、信号線路の
特性インピーダンスの変化を低減し、反射ノイズ、信号
伝播遅延時間等の電気特性の改善をすることができる。
４１、Ｌn+1 層ランド７２と対向する位置にメッシュ導
体２２、２３の導体部が無く、Ｌn 層ランド４１、Ｌ
n+1 層ランド７２とメッシュ導体２２、２３間の浮遊容
量を低減することができる。従って、一層、信号線路の
特性インピーダンスの変化を低減し、反射ノイズ、信号
伝播遅延時間等の電気特性の改善をすることができる。
【００４６】なお、上記の各実施例では、ビアとランド
の形状は、略方形としたが、これに限られず、円、楕
円、多角形等の形状で構成することもできる。また、信
号層は、２層に限られず、更に多く設けた構成としても
よい。
の形状は、略方形としたが、これに限られず、円、楕
円、多角形等の形状で構成することもできる。また、信
号層は、２層に限られず、更に多く設けた構成としても
よい。
【００４７】
【発明の効果】上述の如く、請求項１の発明によれば、
ランドと信号線との接続信頼性を維持したまま、ランド
とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するため、信号
線路の特性インピーダンスの変化を低減して電気特性を
改善することができる等の特長をゆうする。
ランドと信号線との接続信頼性を維持したまま、ランド
とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するため、信号
線路の特性インピーダンスの変化を低減して電気特性を
改善することができる等の特長をゆうする。
【００４８】請求項２の発明によれば、ランドの引き出
し部とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するため、
一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減する
ことができる。
し部とシールド用導体層間の浮遊容量を低減するため、
一層、信号線路の特性インピーダンスの変化を低減する
ことができる。
【００４９】請求項３の発明によれば、ランドとシール
ド用導体層のメッシュ導体が対向せず、ランドとメッシ
ュ導体間の浮遊容量を更に低減するため、一層、信号線
路の特性インピーダンスの変化を低減することができ
る。
ド用導体層のメッシュ導体が対向せず、ランドとメッシ
ュ導体間の浮遊容量を更に低減するため、一層、信号線
路の特性インピーダンスの変化を低減することができ
る。
【図１】本発明の第１実施例の説明図である。
【図２】本発明の第２実施例の説明図である。
【図３】本発明の第３実施例の説明図である。
【図４】従来の銅ポリイミド配線板構造の一例の断面図
である。
である。
【図５】図４のＬn 層、Ｌn+1 層部分の説明図である。
１１ 基板 １２ Ｌn-1 層 １３ Ｌn 層 １４ Ｌn+1 層 １５ Ｌn+2 層 １６ 絶縁層 １７ 絶縁層 １８ 第１の絶縁層 １９ 第２の絶縁層 ２０ 絶縁層 ２２ Ｌn-1 層メッシュ導体 ２３ Ｌn+2 層メッシュ導体 ２２ａ，２３ａ メッシュ開口部 ２２ｂ，２３ｂ 導体ぬき部 ２４ Ｌn 層ライン ２７ Ｌn+1 層ライン ４１ Ｌn 層ランド ４２ Ｌn+1 層ランド ４２ｂ Ｌn+1 層ランド引き出し部 ５０ ビア ５１ａ，５１ｂ ビア平坦部 ６２ Ｌn+1 層ランド ６２ｂ Ｌn+1 層ランド引き出し部 ７２ Ｌn+1 層ランド ７２ｂ Ｌn+1 層ランド引き出し部
Claims (3)
- 【請求項１】 積層された第１の絶縁層（１８）及び第
２の絶縁層（１９）からなる絶縁層（１７）の下面と上
面に形成された第１の信号導体層（１３）と第２の信号
導体層（１４）が、上記絶縁層（１７）に形成されたビ
ア（５０）により接続されており、第３の絶縁層（１
６）を介して上記第１の信号導体層（１３）に対向する
第１のシールド用導体層（１２）が形成され、第４の絶
縁層（２０）を介して上記第２の信号導体層（１４）に
対向する第２のシールド用導体層（１５）が形成された
配線板構造において、 上記第１の絶縁層（１８）のビア（５１）の上記第２の
絶縁層（１９）に接する面での大きさと上記第２の絶縁
層（１９）のビア（５２）の上記第１絶縁層（１８）に
接する面での大きさとの差により、上記ビア（５０）の
平坦部（５１ａ，５１ｂ）が形成されており、上記平坦
部（５１ａ，５１ｂ）は、上記第２の信号導体層（１
４）の信号線（２７）引き出し方向側での上記ビア（５
０）の中心から上記ビア（５０）の内面方向への寸法
（Ｄ1 ）を、上記第２の信号導体層（１４）の信号線
（２７）引き出し方向側以外での上記ビア（５０）の中
心から上記ビア（５０）の内面方向への寸法（Ｄ0 ）よ
りも大きくし、 上記第２の信号導体層（１４）のランド（４２）は、上
記第２の信号導体層（１４）の信号線（２７）引き出し
方向側以外では、上記ビア（５０）の平坦部（５１ａ）
までにとどめられて形成され、上記第２の信号導体層
（１４）の信号線（２７）引き出し方向側では、上記ビ
ア（５０）の平坦部（５１ｂ）から上記第２の絶縁層
（１９）が上記第２の信号層（１４）に接する面（１９
ａ）上にかけて形成された構成としたことを特徴とする
配線板構造。 - 【請求項２】 前記第２の信号導体層（１４）のランド
（６２）は、上記第２の信号導体層（１４）の信号線
（２７）と接続する引き出し部を、前記ビア（５０）の
平坦部（５１ａ，５１ｂ）におけるランド（６２ａ）の
幅Ｗ1 よりも幅が小さく、上記第２の信号導体層の信号
線（２７）の幅（Ｗ2 ）よりも幅が大きい、幅（Ｗ3 ）
のフィレット（６２ｂ）としたことを特徴とする請求項
１記載の配線板構造。 - 【請求項３】 前記第１のシールド用導体層（１２）、
及び前記第２のシールド用導体層（１５）はメッシュ導
体（２２，２３）とし、 前記第２の信号導体層（１４）のランド（７２）は、上
記第２のシールド用導体層（１５）のメッシュ導体（２
３）の開口部（２３ａ）に対向する位置に配置し、前記
第１の信号導体層（１３）のランド（４１）は、上記第
１のシールド用導体層（１２）のメッシュ導体（２２）
の開口部（２２ａ）に対向する位置に配置し、 上記第２の信号導体層（１４）のランド（７２）の引き
出し部（７２ｂ）に対向する上記第２のシールド用導体
層（１５）のメッシュ導体（２３）に導体を除去した導
体ぬき部（２３ｂ）を形成し、上記第２の信号導体層
（１４）のランド（７２）の引き出し部分（７２ｂ）に
対向する上記第１のシールド用導体層（１２）のメッシ
ュ導体（２２）に導体を除去した導体ぬき部（２２ｂ）
を形成したことを特徴とする請求項１又は２記載の配線
板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28280092A JPH06132693A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 配線板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28280092A JPH06132693A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 配線板構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132693A true JPH06132693A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17657259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28280092A Withdrawn JPH06132693A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 配線板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132693A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1965421A3 (en) * | 2007-02-28 | 2009-11-11 | TDK Corporation | Wiring structure, forming method of the same and printed wiring board |
| EP1936677A3 (en) * | 2006-12-22 | 2009-11-11 | TDK Corporation | Wiring structure of printed wiring board and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP28280092A patent/JPH06132693A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1936677A3 (en) * | 2006-12-22 | 2009-11-11 | TDK Corporation | Wiring structure of printed wiring board and method for manufacturing the same |
| US8227710B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-07-24 | Tdk Corporation | Wiring structure of printed wiring board and method for manufacturing the same |
| EP1965421A3 (en) * | 2007-02-28 | 2009-11-11 | TDK Corporation | Wiring structure, forming method of the same and printed wiring board |
| KR101504348B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2015-03-19 | 티디케이가부시기가이샤 | 배선 구조 및 그 형성 방법, 그리고 프린트 배선판 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |