JPH10189823A - 信号線路の差働対を含む集積回路チップパッケージ及びその製造方法 - Google Patents

信号線路の差働対を含む集積回路チップパッケージ及びその製造方法

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JPH10189823A
JPH10189823A JP9349714A JP34971497A JPH10189823A JP H10189823 A JPH10189823 A JP H10189823A JP 9349714 A JP9349714 A JP 9349714A JP 34971497 A JP34971497 A JP 34971497A JP H10189823 A JPH10189823 A JP H10189823A
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エイ.ラムソン マイケル
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号線路の寸法を縮小することなく、集積回
路チップパッケージのプレーナ領域内に信号線路の多数
の差働対を配置可能とする。 【解決手段】 集積回路チップパッケージ1は、集積回
路チップに結合された信号線路の1つ以上の差働対20
を組み込む。各差働対は、第1信号線路21と第2信号
線路22とを含む。第1信号線路21は、第2信号線路
22に対して非共面内にあり、第1面内に設けられてよ
い。第2信号線路21は、第1面と異なる第2面内に設
けられてよい。第1接地面51が前記第1信号線路に隣
接して設けられ、かつ第2接地面52が前記第2信号線
路に隣接して設けられる。それぞれの信号線路の間隔の
とり方によって、特に、パッケージのプレーナ領域内に
信号線路の高密度の差働対を配置する能力が提供され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に集積回路チ
ップパッケージ用信号線路の差働対、特に集積回路パッ
ケージ用差働対幾何学に関する。
【0002】集積回路チップパッケージは、所望の電子
機能を遂行するために、普通、プリント回路板上に特定
配位(particular configurati
on)をとって配置される。集積回路チップパッケージ
は、そのチップの電子回路(circuitry)に電
気的に結合された1本以上の信号線路を備える集積回路
チップを含むと云える。これらの信号線路は、チップか
らプリント回路板上の1つ以上の他の構成要素へ情報を
搬送し、かつこれら他の構成要素からチップへ情報を搬
送して返す。これは、典型的に、入力/出力機能又はI
/O機能として知られている。
【0003】従来の集積回路チップパッケージでは、単
一離散信号線路がチップから他の構成要素へ情報を搬送
するのに専用された。別個の単一信号伝送線路が情報を
チップへ搬送するのに専用された。離散入力信号線路及
び離散出力信号線路を持つことの不利な点は、所与の線
路にとって、外部源からの雑音が信号線路を経由して回
路に導入し得ることである。一般に、雑音は、これが信
号線路によって搬送される信号を劣化すると云う理由か
ら、好ましくない。
【0004】雑音の問題を取り扱う1つの方法は、信号
がその雑音から容易に区別可能なように比較的高い電圧
(例えば、約5ボルトの程度)で信号を発生することで
ある。しかしながら、集積回路は、ますます高い速度で
動作するように設計されつつある。したがって、信号の
無い状態から信号が機能レベルで存在する状態への高速
立上がり時間を有することが望ましい。より高い速度か
つより高速の立上がり時間を必要とするのは、集積回路
を設計するに連れてその動作するに当たっての信号周波
数が高まることに一部は起因する。立上がり時間を向上
する1つの方法は、信号用電圧を低めることである。例
えば、もし信号電圧が約1ボルトの程度であるならば、
信号電圧が約5ボルトの程度の場合よりも高速の立上が
り時間を達成することになる。しかしながら、低い電圧
を使用することに関する問題は、回路上の雑音を回路を
通して伝送される信号から区別することが難しくなると
云うことである。
【0005】この問題を克服する方法は、入力/出力機
能を達成する信号線路の差働対を使用することである。
このようなシステムでは、線路の対が設けられ、これら
の線路の1本が情報を受け取り、かつ他の線路が情報を
伝送する。差働対を用いると、これらの線路の極性が互
いに反対であることを除き同じ信号が両線路を通して走
行する。このような配位では、1本の線路上の雑音値は
この対の他の線路上の雑音値を相殺することになり、こ
れによって雑音分離(noise isolatio
n)を達成する。
【0006】信号線路の差働対を使用する典型的集積回
路チップパッケージは、パッケージに組み込むことがで
きる線路の数を制限される。線路の数を制限する因子
は、その差働対のインピーダンス特性である。電気回路
内のインピーダンスは、制御されなければならず、かつ
典型的に所定値にセットされる。集積回路チップパッケ
ージのインピーダンスレベル、したがって集積回路チッ
プパッケージ内の差働対のインピーダンスは、集積回路
チップパッケージを組み込む電子デバイスによって検知
される。インピーダンスは、一般に、線路の幅、線路高
さ、及び差働対内での線路の互いからの離隔距離(se
paration)の関数である。また、集積回路チッ
プパッケージ内での信号線路から接地までの距離が特別
のインピーダンスに寄与する。信号線路の差働対を組み
込む典型的集積回路チップパッケージは、所与の差働対
を作り上げる2本の線路が共平面内にある(copla
nar)ように形成される。すなわち、線路の差働対が
集積回路チップパッケージによって画定される(def
ined)面に平行な1つの面内に存在する。典型的に
は、接地面が差働対の面と異なる別の面内に設けられ
る。
【0007】インピーダンスが対間の空間によって及び
所与の対の2本の線路間の空間によって影響されるの
で、典型的集積回路チップパッケージはこのパッケージ
の所与のプレーナ領域内に設けられる差働対の数を制限
される。1つの解決は、線路自体を小さく作り、それに
よってより多くの対を所与の面内に共存させることであ
る。しかしながら、この関係における工業内の能力は制
限されている。たとえ工業上利用可能である最も小さい
線を使用しても、集積回路チップパッケージの所与のプ
レーナ領域内に信号線路のより多くの対を持ち得ること
が望ましい。また、差働対のより小さい線路を開発しか
つ製造することは、費用がかかる。更に、もし線路が余
りに小さく設計されるならば、その線路は信号を妥当に
搬送しなくなるかもしれずかつ損傷又は劣化を受けるお
それが多くなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、信号線路の差働対を組み込む従来の集積回路チ
ップパッケージのこれらの欠点及び他の欠点を解決する
ことにある。
【0009】本発明の他の目的は、所与の集積回路チッ
プパッケージのプレーナ領域内に多数の差働対を備えて
よいと云うように、信号線路の差働対を組み込む集積回
路チップパッケージを提供することである。
【0010】本発明の他の目的は、集積回路チップパッ
ケージの製造費用を実質的に増大することなく大きい密
度の信号線路の差働対を有する集積回路チップパッケー
ジを提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の第1実施例によ
れば、集積回路チップを含む集積回路チップパッケージ
が提供される。信号線路の少なくとも1つの差働対が集
積回路チップに接続される。少なくとも1つの差働対は
第1信号線路、及び第1信号線路に対して非共面内にあ
る(non−coplanar)第2信号線路を含む。
【0012】本発明の1態様によれば、パッケージは面
を画定する。第1信号線路は、パッケージの面に平行な
第1面内に配置される。第2信号線路は、パッケージの
面に平行でありかつ第1面から間隔を置いた第2面内に
配置される。本発明の他の態様によれば、第1信号線路
及び第2信号線路は、パッケージの厚さに関して異なる
レベルに配置される。別の態様によれば、第1信号線路
及び第2信号線路は、パッケージの共通法線(comm
on normal)と各々交差する。
【0013】集積回路チップパッケージは複数の差働対
を含んでよく、これらの差働対の各々が第1信号線路及
び第2信号線路を有する。第1信号線路の少なくとも1
本は、第2信号線路の少なくとも1本に対して非共面内
にある。第1信号線路の少なくとも1本及び第2信号線
路の少なくとも1本は、パッケージの共通法線と交差し
てよい。
【0014】集積回路チップパッケージはまた、1つ以
上の接地面を含んでよい。好適には、パッケージは、少
なくとも2つの接地面を含む。第1接地面を第1信号線
路に隣接して設けてよく、第2面を第2信号線路に隣接
して設けてよい。これらの接地面をバイアによって接続
してよい。
【0015】本発明の第2実施例によれば、集積回路チ
ップパッケージは、集積回路チップを含む。パッケージ
はまた、集積回路チップに電気的に接続された信号線路
の第1差働対及び集積回路チップに電気的に接続された
信号線路の第2差働対を含む。第1差働対は、第2差働
対に対して非共面内にある。
【0016】第1差働対及び第2差働対は、パッケージ
の共通法線と交差してよい。第1差働対は、第2差働対
から共通法線に沿って間隔を置いてよい。差働対の各々
は、2本の非共平面内信号線路を含む。
【0017】本発明の第3実施例によれば、集積回路チ
ップパッケージの製造方法が提供される。本方法は、い
くつかのステップを含む。第1層はカプセル封入材料か
ら形成される。第2層は導電材料でありかつ第1層上に
形成される。第3層はカプセル封入材料でありかつ第2
層上に形成される。第4層は導電材料でありかつ第1信
号線路を含む。第4層は第3層上に形成される。第5層
はカプセル封入材料でありかつ第4層上に形成される。
第6層は導電材料でありかつ第2信号線路を含む。第6
層は第5層上に形成される。
【0018】カプセル封入材料の第7層が第6層上に形
成されることがある。導電材料の第8層が第7層上に形
成されることがある。カプセル封入材料の第9層が第8
層上に形成されることがある。第1信号線路及び第2信
号線路は、パッケージの共通法線と交差してよい。
【0019】本発明の技術的利点は、本発明が、従来の
集積回路チップパッケージに較べて、所与のプレーナ領
域内に設けてよい信号線路の差働対の数を増やすことで
ある。
【0020】本発明の他の技術的利点は、信号線路の寸
法を縮小することなく、多数の信号線路の差働対を集積
回路チップパッケージ内に設けてよいことである。本発
明の更に他の技術的利点は、信号対間の漏話雑音からの
改善された電気的分離である。
【0021】本発明の他の態様、特徴、及び技術的利点
は、関連技術の習熟者に容易に明らかであろう。
【0022】
【発明の実施の形態】一般に、本発明は、入力/出力信
号線路の多数の差働対を集積回路チップパッケージの所
与のプレーナ領域内に設けることを可能にする差働対幾
何学を提供する。これらの対の各々内の2本の線路は、
互いに偏差しかつ共面内にあるのではなくて別々の面内
に配置される。
【0023】図1に示されたように、本発明の第1実施
例による集積回路チップパッケージ1は、集積回路チッ
プ10を含み、このチップは信号線路の少なくとも1つ
の差働対20をチップ10に電気的に結合してかつこれ
から延長して有する。好適には、信号線路の複数の差働
対20がパッケージ1に組み込まれる。集積回路チップ
10及び信号線路の部分は、誘電体30内にカプセル封
入されてよい。集積回路チップ10は、なんらか所望の
電気的機能を遂行することができるどれか典型的な集積
回路チップであってよい。好適には、集積回路チップ1
0は、高速性能に適した形式のものである。信号線路
は、差働対20内に設けられて、パッケージ1に電気的
に結合される他の構成要素(図示されていない)に対す
る集積回路チップ10の入力/出力機能を提供する。チ
ップ10及び他の構成要素は、例えば、プリント回路板
(図示されていない)上に配置されてよい。誘電体30
は、ポリイミド、FR4TNレジン、BTINレジン、又は
セラミックのようなどれか適当な誘電体を含んでよい。
【0024】本発明は、信号線路の差働対が設けられる
所ならば何処にでも使用されてよい。これは、例えば、
ワイヤボンド型又はフリップフロップ型集積回路チップ
パッケージに使用されることを含む。また、その差働対
幾何学は、集積回路チップパッケージのプリント回路板
への取付けに関する取付け構成のどの型式とも関連して
使用されてよい。これは、例えば、ボールグリッドアレ
ー(ball grid array)、ピングリッド
アレー(pin grid array)、又は表面取
付け周辺パッケージを含む。
【0025】図2に示されたように、各差働対20は、
少なくとも1本の第1信号線路21及び少なくとも1本
の第2信号線路22を含む。差働対20のこれらの信号
線路は、銅又はどれか他の金属を含んでよい。それゆ
え、好適には、複数の第1信号線路21及び複数の第2
信号線路22が設けられる。これらの信号線路は、例え
ば、チップ10のボンディングパッド(図示されていな
い)でチップ10に電気的に接続される。
【0026】パッケージ1は(例えば、図2に寸法
「t」で指定されたような)厚さを有するが、パッケー
ジ1は面を画定するとして見てよい。例えば、パッケー
ジ1は、第1側面11及び第2側面12を有し、これら
は周面13によって互いに接続される。好適には、第1
側面11及び第2側面12は、プレーナであり、かつパ
ッケージ1によって画定された面に平行である。パッケ
ージのプレーナ面は、第1側面11又は第2側面12の
どちらかの領域である。
【0027】好適には、第1信号線路21の各々は第1
面内に配置され、かつ第2信号線路22は第1面と異な
る第2面内に配置される。好適には、第1面及び第2面
は、互いにかつ集積回路チップパッケージの面に平行で
ある。したがって、第1面及び第2面は、各々、第1側
面11及び第2側面12に平行である。
【0028】好適には、各差働対20毎に、第1信号線
路21及び第2信号線路22は、共にパッケージ1の共
通法線と交差する。例えば、図2に示されたように、差
働対の第1信号線路及び第2信号線路は、パッケージ1
の法線N−Nと交差して示されている。
【0029】第1接地面51が第1信号線路21に隣接
して設けられ、かつ第2接地面52が第2信号線路22
に隣接して設けられる。好適には、第1接地面51及び
第2接地面52は、1つ以上のバイア53を経由して互
いに結合されるが、しかし差働対20のそれぞれの信号
線路から分離される。好適には、バイアは、第1接地面
51と第2接地面52を相互接続するためにパッケージ
1内に設けられる。オプショナルに、第1接地面51と
第2接地面52を、例えば、集積回路チップのボンディ
ングパッドで一緒に終端させてよい。好適には、第1信
号線路21は、接地面51と第2信号線路22との間に
配置される。好適には、第2信号線路22は、第1信号
線路21と接地面52との間に配置される。接地面51
及び52は、接地を提供し、チップへ接地電流を搬送
し、かつ(線路幅及び離隔距離のような他の因子と一緒
に)システムインピーダンスを確立する。
【0030】この実施例の或る1つの態様によれば、第
1信号線路21は、必ずしも、各々、単一面内に配置さ
れなければならない訳ではない。同様に、第2信号線路
22は、各々、同じ面内に配置されなければならない訳
ではない。第1信号線路21が第2信号線路22に対し
て共面内にない限りパッケージ1のプレーナ領域内に多
数の差働対20を設けることができる。例えば、図3に
示されたように、所与の差働対に対して、第1信号線路
21が集積回路チップパッケージの厚さ内の第1レベル
に位置決めされ、かつ第2信号線路22が第1レベルと
異なる第2レベルに位置決めされる。しかしながら、第
1信号線路21の全ては単一面内にはなく、かつ第2信
号線路22の全ても同様に単一面内にはない。好適に
は、各差働対20毎に、第1信号線路及び第2信号線路
は、依然、パッケージ1の共通法線(例えば、図3内の
N−N)と交差する。
【0031】図4に示されたように、本発明の第2実施
例では、集積回路チップパッケージ100が提供され、
これは、図1〜3と関連して上に論じられた型式の2つ
の層を含む。集積回路チップパッケージ100は、信号
線路120の差働対をこのパッケージから延長して含
む。第1層111では、差働対は、第1信号線路121
及び第2信号線路122を含む。第1接地面151は第
1信号線路121に近接して配置され、かつ第2接地面
152は第2信号線路122に近接して配置される。好
適には、第1信号線路121は、第1接地面151と第
2信号線路122との間に配置される。第1接地面と第
2接地面は、1つ以上のバイア155を経由して接続さ
れてよい。
【0032】第2層112では、差働対120は、第3
信号線路123及び第4信号線路124を含む。第3接
地面153は第3信号線路123に近接して配置され、
かつ第4接地面154は第4信号線路124に近接して
配置される。好適には、第3信号線路123は、第3接
地面153と第4信号線路124との間に配置される。
好適には、第4信号線路124は、第3信号線路123
と第4接地面154との間に配置される。第3接地面1
53と第4接地面154は、1つ以上のバイア156を
経由して接続されてよい。
【0033】信号線路121、122、123、124
は、前掲の実施例の場合のように、1端でかつ集積回路
チップ(図示されていない)に電気的に接続される。好
適には、これらの構成要素は、誘電体130内にカプセ
ル封入される。第2接地面152及び第3接地面153
は、1つ以上のバイア160を経由して互いに電気的に
接続されてよい。この実施例の或る1つの態様によれ
ば、他の層は、層111及び112のようにして積層さ
れてよい。他の態様によれば、それぞれの層間に存在す
る接地面、例えば、接地面152及び153が単一接地
面で置換されるように集積回路チップパッケージ100
を再配位し(reconfigurate)てよい。前
掲の実施例の場合のように、これらの接地面は信号線路
と同じ材料(例えば、銅)又は信号線路に使用されたの
と異なる導電材料を含んでよい。
【0034】本発明の代替実施例によれば、図5に示さ
れたように、ボールグリッドアレーパッケージが、非共
面内信号線路の少なくとも1つの差働対を含む。図示さ
れたように、信号線路の差働対は、第1信号線路221
及び第2信号線路222を含み、これらの信号線路は上
述したように配向される。これらの信号線路は、平行配
位(side−by−side configurat
ion)にあるのではなく、パッケージの共通法線と交
差する。換言すれば、差働対の各信号線路が別々の面内
に設けられる。好適には、これらの信号線路の面は、互
いにかつパッケージによって画定された面に平行であ
る。チップ210が備わり、かつこのチップはこれらの
信号線路から横方向に離れている。第1接地面251及
び第2接地面252が前掲の実施例に類似の仕方で設け
られ、かつバイア253によって相互接続される。バイ
ア254は第1信号線路221と第2信号線路222を
はんだボール接続器260に相互接続し、これらの接続
器はパッケージを、例えば、プリント回路板(図示され
ていない)に接続する。
【0035】本発明の集積回路チップパッケージの製造
方法によれば、基板誘電体として働いてよいカプセル封
止材料を含む第1層が形成される。この層は、パッケー
ジの内側構成要素を保護する。第2層が第1層上に設け
られる。第2層は、第1接地面として働く導電材料の層
を含む。第3層が第2層上に設けられる。第3層は、カ
プセル封止材料を含み、かつ第1接地面を第1信号線路
から分離する。第4層が第3層上に設けられかつ導電材
料の他の層を含む。第4層の部分は、信号線路のそれぞ
れの差働対の第1信号線路を残して除去されてよい。第
5層が第4層上に設けられかつカプセル封止材料を含
む。この層は、第1信号線路を第2信号線路から分離す
る。第6層が第5層上に設けられる。第6層は導電材料
を含み、この材料の部分がそれぞれの差働対の第2信号
線路を残して除去されてよい。第7層が第6層上に設け
られかつカプセル材料を含む。第7層は、第2信号線路
を第2接地面から分離する。第8層が第7層上に設けら
れかつ第2接地面として働く導電材料を含む。第9層が
第8層上に設けられかつカプセル封止材料を含む。この
層は、カプセル封止プロセスを完成させかつパッケージ
の内側構成要素を環境から保護する。これらの種々の層
は、既知の堆積技術によって設けられてよい。
【0036】集積回路チップパッケージのこの製造方法
は例として提供されるが、第1信号線路が第2信号線路
に対して非共面内にある限り集積回路チップパッケージ
のどれか典型的構成方法が使用されてよい。集積回路チ
ップパッケージの製造方法他の例は、セラミック基板を
使用し、この基板上にタングステン導体がプリントされ
る。次いで、プリントされたセラミック基板が、タング
ステン導体をキュアするためにキルン内で焼かれる。
【0037】所与の差働対の第1信号線路と第2信号線
路との間の間隔、異なる差働対間の間隔、及び所与の信
号線路とそれらに隣接する接地面との間の間隔のような
集積回路チップパッケージの異なる寸法は、この集積回
路チップパッケージのインピーダンスによって書き取ら
れることになる。これが、立ち代わって、この集積回路
チップパッケージを組み込む全電子回路のインピーダン
スによって決定されることになる。
【0038】本発明及びその利点が詳細に説明された
が、云うまでもなく、これらに、変形実施例、置換実
施、及び代替実施例を、添付の特許請求の範囲によって
定義された本発明の精神及び範囲に反することなく、行
うことができる。
【0039】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。
【0040】(1) 集積回路チップと、前記集積回路
チップに接続された信号線路の少なくとも1つの差働対
であって、前記少なくとも1つの差働対が第1信号線路
と第2信号線路とを含み、前記第1信号線路が前記第2
信号線路に対して非共面内にある前記信号線路の少なく
とも1つの差働対とを含む集積回路チップパッケージ。
【0041】(2) 第1項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記パッケージがパッケージ面を画定
し、前記第1信号線路が前記パッケージ面に平行な第1
面内に配置され、前記第2信号線路が前記パッケージ面
に平行である第2面であってかつ前記第1面から間隔を
置いた前記第2面内に配置される集積回路チップパッケ
ージ。
【0042】(3) 第1項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記第1信号線路と前記第2信号線路
とが前記パッケーの厚さに関して異なるレベルに配置さ
れる集積回路チップパッケージ。
【0043】(4) 第1項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記第1信号線路と前記第2信号線路
とが、各々、前記パッケージの共通法線と交差する集積
回路チップパッケージ。
【0044】(5) 第1項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記第1信号線路と前記第2信号線路
とが平行である集積回路チップパッケージ。
【0045】(6) 第1項記載の集積回路チップパッ
ケージであって、前記第1信号線路に隣接した第1接地
面を更に含む集積回路チップパッケージ。
【0046】(7) 第6項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記第1信号線路が前記第1接地面と
前記第2信号線路との間に配置される集積回路チップパ
ッケージ。
【0047】(8) 第7項記載の集積回路チップパッ
ケージであって、前記第1接地面に平行でありかつ前記
第2信号線路に隣接した第2接地面を更に含み、前記第
2信号線路が前記第1信号線路と前記第2接地面との間
に配置される集積回路チップパッケージ。
【0048】(9) 第8項記載の集積回路チップパッ
ケージにおいて、前記第1接地面と前記第2接地面とが
1つ以上のバイアによって電気的に接続される集積回路
チップパッケージ。
【0049】(10) 第1項記載の集積回路チップパ
ッケージにおいて、前記少なくとも1つの差働対が複数
の差働対をなし、前記複数の差働対の各々が第1信号線
路と第2信号線路とを含み、前記第1信号線路の少なく
とも1本が前記第2信号線路の少なくとも1本に対して
非共面内にある集積回路チップパッケージ。
【0050】(11) 第10項記載の集積回路チップ
パッケージにおいて、前記第1信号線路が或る1つの面
内に配置され、かつ前記第2信号線路の少なくとも1本
が前記面から間隔を置いている集積回路チップパッケー
ジ。
【0051】(12) 第10項記載の集積回路チップ
パッケージにおいて、前記第1信号線路が第1面内に配
置され、かつ前記第2信号線路が前記第1面と異なる第
2面内に配置される集積回路チップパッケージ。
【0052】(13) 第10項記載の集積回路チップ
パッケージにおいて、前記少なくとも1本の第1信号線
路と前記少なくとも1本の第2信号線路とが前記パッケ
ージの共通法線と交差する集積回路チップパッケージ。
【0053】(14) 集積回路チップと、前記集積回
路チップに電気的に接続された信号線路の第1差働対
と、前記集積回路チップに電気的に接続された信号線路
の第2差働対であって、前記第1差働対が前記第2差働
対に対して非共面内にある前記第2差働対とを含む集積
回路チップパッケージ。
【0054】(15) 第14項記載の集積回路チップ
パッケージにおいて、前記第1差働対と前記第2差働対
とが前記パッケージの共通法線と交差し、前記第1差働
対が前記第2差働対から前記共通法線に沿って間隔を置
いている集積回路チップパッケージ。
【0055】(16) 第11項記載の集積回路チップ
パッケージにおいて、前記第1差働対と前記第2差働対
との各々が2本の非共面内信号線路を含む集積回路チッ
プパッケージ。
【0056】(17) 集積回路チップパッケージの製
造方法であって、カプセル封入材料を含む第1層を形成
するステップと、前記第1層上に導体を含む第2層を形
成するステップと、前記第2層上にカプセル封入材料を
含む第3層を形成するステップと、前記第3層上に第1
信号線路を含む第4層を形成するステップと、前記第4
層上にカプセル封入材料を含む第5層を形成するステッ
プと、前記第5層上に第2信号線路を含む第6層を形成
するステップとを含む方法。
【0057】(18) 第17項記載の方法において、
前記第1信号線路と前記第2信号線路とが前記パッケー
ジの共通法線と交差する方法。
【0058】(19) 第17項記載の方法であって、
前記第6層上にカプセル材料を含む第7層を形成するス
テップと、前記第7層上に導体を含む第8層を形成する
ステップと、前記第8層上にカプセル材料を含む第9層
を形成するステップとを更に含む方法。
【0059】(20) 第19項記載の方法であって、
1つ以上のバイアを経由して前記第2層と前記第7層と
を電気的に連結する(joining)ステップを更に
含む方法。
【0060】(21) 集積回路チップパッケージ1が
提供され、前記パッケージは集積回路チップに結合され
た信号線路の1つ以上の差働対20を組み込む。前記差
働対は、各々、第1信号線路21と第2信号線路22と
を含む。前記第1信号線路は、前記第2信号線路に対し
て非共面内にある。前記差働対の前記第1信号線路は、
第1面内に設けられてよい。前記差働対の前記第2信号
線路は、第1面と異なる第2面内に設けられてよい。第
1接地面51が前記第1信号線路に隣接して設けられ、
かつ第2接地面52が前記第2信号線路に隣接して設け
られる。それぞれの信号線路の間隔のとり方によって、
なかでも、集積回路チップパッケージのプレーナ領域内
に信号線路の高密度の差働対を配置する能力が提供され
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の或る態様による集積回路
チップパッケージの平面図。
【図2】図1の線2−2に沿う図1の集積回路チップパ
ッケージの断面図。
【図3】本発明の第1実施例の他の態様による集積回路
チップパッケージの断面図。
【図4】本発明の第2実施例による集積回路チップパッ
ケージの断面図。
【図5】本発明の代替実施例による集積回路チップパッ
ケージの断面図。
【符号の説明】
1 集積回路チップパッケージ 10 集積回路チップ 20 差働対 21 第1信号線路 22 第2信号線路 30 誘電体 51 第1接地面 52 第2接地面 53 バイア 100 集積回路チップパッケージ 120 差働対 121 第1信号線路 122 第2信号線路 123 第3信号線路 124 第4信号線路 151 第1接地面 152 第2接地面 153 第3接地面 154 第4接地面 155 バイア 160 バイア 210 チップ 221 第1信号線路 222 第2信号線路 251 第1接地面 252 第2接地面 260 はんだボール接続器 253 バイア 254 バイア

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 集積回路チップと、 前記集積回路チップに接続された信号線路の少なくとも
    1つの差働対であって、前記少なくとも1つの差働対が
    第1信号線路と第2信号線路とを含み、前記第1信号線
    路が前記第2信号線路に対して非共面内にある前記信号
    線路の少なくとも1つの差働対とを含む集積回路チップ
    パッケージ。
  2. 【請求項2】 集積回路チップパッケージの製造方法で
    あって、 カプセル封入材料を含む第1層を形成するステップと、 前記第1層上に導体を含む第2層を形成するステップ
    と、 前記第2層上にカプセル封入材料を含む第3層を形成す
    るステップと、 前記第3層上に第1信号線路を含む第4層を形成するス
    テップと、 前記第4層上にカプセル封入材料を含む第5層を形成す
    るステップと、 前記第5層上に第2信号線路を含む第6層を形成するス
    テップとを含む方法。
JP9349714A 1996-12-18 1997-12-18 信号線路の差働対を含む集積回路チップパッケージ及びその製造方法 Pending JPH10189823A (ja)

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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7336468B2 (en) 1997-04-08 2008-02-26 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US7321485B2 (en) 1997-04-08 2008-01-22 X2Y Attenuators, Llc Arrangement for energy conditioning
US9054094B2 (en) 1997-04-08 2015-06-09 X2Y Attenuators, Llc Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit
US6246112B1 (en) * 1998-06-11 2001-06-12 Intel Corporation Interleaved signal trace routing
EP1104584A1 (de) 1998-07-28 2001-06-06 Siemens Aktiengesellschaft Leiterbahnrahmen, platine mit leiterbahnrahmen und verfahren zur herstellung eines leiterbahnrahmens
US6790760B1 (en) 2000-07-21 2004-09-14 Agere Systems Inc. Method of manufacturing an integrated circuit package
US6465882B1 (en) 2000-07-21 2002-10-15 Agere Systems Guardian Corp. Integrated circuit package having partially exposed conductive layer
US6462423B1 (en) 2000-08-31 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Flip-chip with matched lines and ground plane
US6627999B2 (en) * 2000-08-31 2003-09-30 Micron Technology, Inc. Flip-chip with matched signal lines, ground plane and ground bumps adjacent signal bumps
US6501166B2 (en) 2000-12-29 2002-12-31 Intel Corporation Stitched plane structure and process for package power delivery and dual referenced stripline I/O performance
US6879492B2 (en) 2001-03-28 2005-04-12 International Business Machines Corporation Hyperbga buildup laminate
US6680530B1 (en) * 2002-08-12 2004-01-20 International Business Machines Corporation Multi-step transmission line for multilayer packaging
US7782587B2 (en) 2005-03-01 2010-08-24 X2Y Attenuators, Llc Internally overlapped conditioners
CN100574552C (zh) * 2005-08-12 2009-12-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 印刷电路板
US9713258B2 (en) * 2006-04-27 2017-07-18 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip packaging
US7591655B2 (en) * 2006-08-02 2009-09-22 Tyco Electronics Corporation Electrical connector having improved electrical characteristics
US7549897B2 (en) * 2006-08-02 2009-06-23 Tyco Electronics Corporation Electrical connector having improved terminal configuration
US8142236B2 (en) * 2006-08-02 2012-03-27 Tyco Electronics Corporation Electrical connector having improved density and routing characteristics and related methods
US7670196B2 (en) * 2006-08-02 2010-03-02 Tyco Electronics Corporation Electrical terminal having tactile feedback tip and electrical connector for use therewith
US7753742B2 (en) * 2006-08-02 2010-07-13 Tyco Electronics Corporation Electrical terminal having improved insertion characteristics and electrical connector for use therewith
US9679865B2 (en) * 2013-11-08 2017-06-13 SK Hynix Inc. Substrate for semiconductor package and semiconductor package having the same
JP2015153808A (ja) * 2014-02-12 2015-08-24 ソニー株式会社 半導体チップ、および、半導体モジュール
FR3124639A1 (fr) * 2021-06-29 2022-12-30 STMicroelectronics (Alps) SAS Dispositif electronique comprenant un boitier muni d’une structure d’interconnexion

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60125002A (ja) * 1983-12-12 1985-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超伝導集積回路用入出力ケ−ブル
JPS60134440A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2682727B2 (ja) * 1990-06-15 1997-11-26 三菱電機株式会社 半導体集積回路装置
JPH04184962A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP3009788B2 (ja) * 1991-11-15 2000-02-14 日本特殊陶業株式会社 集積回路用パッケージ
US5475606A (en) * 1993-03-05 1995-12-12 International Business Machines Corporation Faraday cage for a printed circuit card
US5338970A (en) * 1993-03-24 1994-08-16 Intergraph Corporation Multi-layered integrated circuit package with improved high frequency performance
US5641988A (en) * 1993-12-22 1997-06-24 Vlsi Technology, Inc. Multi-layered, integrated circuit package having reduced parasitic noise characteristics
US5530287A (en) * 1994-09-14 1996-06-25 Unisys Corporation High density wire bond pattern for integratd circuit package
US5625166A (en) * 1994-11-01 1997-04-29 Intel Corporation Structure of a thermally and electrically enhanced plastic pin grid array (PPGA) package for high performance devices with wire bond interconnect
JPH08139281A (ja) * 1994-11-08 1996-05-31 Hitachi Ltd 半導体装置
US5763947A (en) * 1996-01-31 1998-06-09 International Business Machines Corporation Integrated circuit chip package having configurable contacts and a removable connector
US5847935A (en) * 1996-12-16 1998-12-08 Sarnoff Corporation Electronic circuit chip package

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