JPH06112268A - 半導体素子の実装方法 - Google Patents
半導体素子の実装方法Info
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- JPH06112268A JPH06112268A JP25467092A JP25467092A JPH06112268A JP H06112268 A JPH06112268 A JP H06112268A JP 25467092 A JP25467092 A JP 25467092A JP 25467092 A JP25467092 A JP 25467092A JP H06112268 A JPH06112268 A JP H06112268A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】製造コストを低減する。
【構成】ガラス基板２の半導体素子搭載領域９に対して
紫外線照射装置１０を用いて紫外線を露光し、次いで、
その半導体素子搭載領域９に光硬化樹脂１９を塗布し、
その塗布した光硬化樹脂を介して半導体素子２０を搭載
し、然る後上記紫外線照射装置１０を用いてガラス基板
２の半導体素子の非搭載領域を介してガラス基板２の裏
側に配置した反射板２４に紫外線を投光し、その反射板
２４により反射された紫外線により上記塗布した光硬化
樹脂１９を露光且つ固化して半導体素子２０をガラス基
板２上に固定せしめた
紫外線照射装置１０を用いて紫外線を露光し、次いで、
その半導体素子搭載領域９に光硬化樹脂１９を塗布し、
その塗布した光硬化樹脂を介して半導体素子２０を搭載
し、然る後上記紫外線照射装置１０を用いてガラス基板
２の半導体素子の非搭載領域を介してガラス基板２の裏
側に配置した反射板２４に紫外線を投光し、その反射板
２４により反射された紫外線により上記塗布した光硬化
樹脂１９を露光且つ固化して半導体素子２０をガラス基
板２上に固定せしめた
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は透光性基板上に光硬化樹
脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方法
に関するものである。
脂を介して半導体素子を搭載する半導体素子の実装方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子を搭載したデバイスが
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
種々開発されている。例えば、液晶モジュール、ＥＬパ
ネル等があり、この液晶モジュールには、ガラス基板の
上に半導体素子を搭載したＣＯＧ方式として提案されて
いる。
【０００３】このガラス基板の上に半導体素子を搭載し
た構成においては、そのガラス基板の上の配線部と半導
体素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されて
いるが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部と
を直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。
この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネ
クタを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案さ
れている（特公平２７１８０号参照）。
た構成においては、そのガラス基板の上の配線部と半導
体素子とをワイヤーボンディングする技術が確立されて
いるが、近年、半導体素子の電極と基板の上の配線部と
を直接接続するフェイスダウン方式も提案されている。
この接続には異方性導電膜、導電性ペースト、ゴムコネ
クタを用いたり、更に光硬化樹脂を用いることも提案さ
れている（特公平２７１８０号参照）。
【０００４】この光硬化樹脂を用いる場合には、その塗
布面を予め紫外線により照射し、これにより、その被着
面に付いた有機物を除去し、その結果、光硬化樹脂の基
板に対する密着性を高めることも提案されている。
布面を予め紫外線により照射し、これにより、その被着
面に付いた有機物を除去し、その結果、光硬化樹脂の基
板に対する密着性を高めることも提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
提案のように光硬化樹脂の塗布面を予め紫外線により照
射する工程、更に光硬化樹脂を塗布する工程、更に塗布
した樹脂を硬化する工程等を順次行う一連の製造プロセ
スでは、工程数が多くなり、それに伴って製造コストが
大きくなるという問題点があった。
提案のように光硬化樹脂の塗布面を予め紫外線により照
射する工程、更に光硬化樹脂を塗布する工程、更に塗布
した樹脂を硬化する工程等を順次行う一連の製造プロセ
スでは、工程数が多くなり、それに伴って製造コストが
大きくなるという問題点があった。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明の半導体素子の
実装方法は、透光性基板の半導体素子搭載領域に紫外線
照射装置を用いて紫外線を露光し、次いで、その半導体
素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布し、その塗布した光硬
化樹脂を介して半導体素子を搭載し、然る後上記紫外線
照射装置を用いて透光性基板の半導体素子の非搭載領域
を介して透光性基板の裏側に配置した反射手段に紫外線
を投光し、その反射手段により反射された紫外線により
上記塗布した光硬化樹脂を露光且つ固化して半導体素子
を透光性基板上に固定せしめたことを特徴する。
実装方法は、透光性基板の半導体素子搭載領域に紫外線
照射装置を用いて紫外線を露光し、次いで、その半導体
素子搭載領域に光硬化樹脂を塗布し、その塗布した光硬
化樹脂を介して半導体素子を搭載し、然る後上記紫外線
照射装置を用いて透光性基板の半導体素子の非搭載領域
を介して透光性基板の裏側に配置した反射手段に紫外線
を投光し、その反射手段により反射された紫外線により
上記塗布した光硬化樹脂を露光且つ固化して半導体素子
を透光性基板上に固定せしめたことを特徴する。
【０００７】
【作用】上記構成の半導体素子の実装方法によれば、透
光性基板の上に半導体素子を搭載するＣＯＧ方式液晶モ
ジュール等においては、同一の紫外線照射装置を用いて
半導体素子搭載領域に対して紫外線を露光し、しかも、
光硬化樹脂を露光且つ固化して半導体素子を透光性基板
上に固定せしめることができ、これにより、従来であれ
ば、両者の紫外線照射を別々の紫外線照射装置により行
われなければならなかったのに対して、一個の装置だけ
でよく、その結果、その装置の削減に伴う製造コストの
低減が可能となった。
光性基板の上に半導体素子を搭載するＣＯＧ方式液晶モ
ジュール等においては、同一の紫外線照射装置を用いて
半導体素子搭載領域に対して紫外線を露光し、しかも、
光硬化樹脂を露光且つ固化して半導体素子を透光性基板
上に固定せしめることができ、これにより、従来であれ
ば、両者の紫外線照射を別々の紫外線照射装置により行
われなければならなかったのに対して、一個の装置だけ
でよく、その結果、その装置の削減に伴う製造コストの
低減が可能となった。
【０００８】
【実施例】本発明をＣＯＧ方式液晶モジュールにおいて
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。
半導体素子を搭載する場合を実施例にして詳細に説明す
る。
【０００９】図１は液晶パネル１のガラス基板２に半導
体素子を搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに当
たって、その搭載状態を示しており、３は表示領域、４
はその表示領域を駆動するための配線領域である。この
液晶パネル１を作製するには、２枚のガラス基板２、５
の各一主面にインジウム・スズ・オキサイドとクロムと
アルミニウムとの各層を順次積層し、次に表示領域３に
位置するクロムとアルミニウムとの両層をエッチング除
去するとともに、この表示領域３に複数の透明電極（図
示せず）をライン状に配列し、この透明電極を配線領域
４にまで延在させ、その延在した透明電極に上にクロム
層とアルミニウム層とを順次積層してなる配線部６を形
成し、その後、表示領域３の透明電極の上に配向膜（図
示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビング処
理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するようにし
ている。このような２枚の被膜基板を、各透明電極ライ
ンが交差するように且つ対向するように配置して、その
間に液晶７を注入して表示領域３と成すとともに、更に
この表示領域３の周囲をシール部８でもって封止する。
同図中の９は半導体素子の搭載領域である。
体素子を搭載してＣＯＧ方式液晶モジュールにするに当
たって、その搭載状態を示しており、３は表示領域、４
はその表示領域を駆動するための配線領域である。この
液晶パネル１を作製するには、２枚のガラス基板２、５
の各一主面にインジウム・スズ・オキサイドとクロムと
アルミニウムとの各層を順次積層し、次に表示領域３に
位置するクロムとアルミニウムとの両層をエッチング除
去するとともに、この表示領域３に複数の透明電極（図
示せず）をライン状に配列し、この透明電極を配線領域
４にまで延在させ、その延在した透明電極に上にクロム
層とアルミニウム層とを順次積層してなる配線部６を形
成し、その後、表示領域３の透明電極の上に配向膜（図
示せず）を形成し、更にこの配向膜の表面をラビング処
理して液晶分子の向きを所定の方向に設定するようにし
ている。このような２枚の被膜基板を、各透明電極ライ
ンが交差するように且つ対向するように配置して、その
間に液晶７を注入して表示領域３と成すとともに、更に
この表示領域３の周囲をシール部８でもって封止する。
同図中の９は半導体素子の搭載領域である。
【００１０】次いで、この液晶パネル１を有機溶剤と超
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
音波洗浄を組み合わせて洗浄し、その後に液晶配向検査
を行う。この液晶配向検査は偏光板を介して光を透過さ
せることにより行う。
【００１１】その後、上記液晶パネル１に対して、図２
に示すような紫外線照射装置１０でもって紫外線照射す
る。この紫外線照射装置１０はランプ電源コントローラ
１１と光源ユニット１２とから構成され、この光源ユニ
ット１２にはキセノンランプ１３（例えば強度１．２Ｗ
／ｃｍ2 の水銀キセノンランプ）が搭載され、このキセ
ノンランプ１３はその背後に配置された反射鏡１４によ
り有効に反射されながら紫外線を照射する。また、この
照射に当たっては、ランプ電源コントローラ１１により
コントロールされながらキセノンランプ１３に電力印加
される。そして、キセノンランプ１３により照射された
紫外線はフレキシブルケーブル１５を介してその端部の
露光部１６より所定の方向に照らされる。
に示すような紫外線照射装置１０でもって紫外線照射す
る。この紫外線照射装置１０はランプ電源コントローラ
１１と光源ユニット１２とから構成され、この光源ユニ
ット１２にはキセノンランプ１３（例えば強度１．２Ｗ
／ｃｍ2 の水銀キセノンランプ）が搭載され、このキセ
ノンランプ１３はその背後に配置された反射鏡１４によ
り有効に反射されながら紫外線を照射する。また、この
照射に当たっては、ランプ電源コントローラ１１により
コントロールされながらキセノンランプ１３に電力印加
される。そして、キセノンランプ１３により照射された
紫外線はフレキシブルケーブル１５を介してその端部の
露光部１６より所定の方向に照らされる。
【００１２】次に上記液晶パネル１に対して紫外線照射
装置１０でもって紫外線照射する工程を図３〜図６によ
り説明する。
装置１０でもって紫外線照射する工程を図３〜図６によ
り説明する。
【００１３】先ず図３に示すように液晶パネル１の半導
体素子搭載領域９に対して紫外線照射し、この領域９の
面に付着した有機物等を分解除去する。これには上記水
銀キセノンランプ１３の主たる発光波長のうち１８４ｎ
ｍ、２５４ｎｍ付近の短波長が有効である（但し、この
短波長光はガラス基板２、５に吸収される）。この工程
により半導体素子搭載領域９のガラス面の接触角が大き
くなり、ガラス基板２に対する紫外線硬化樹脂の密着性
が著しく向上する。この接触角は図６に示すように基板
１７に紫外線硬化樹脂１８を滴下したときの基板１７と
樹脂１８との接点の角度θでもって表し、本実施例では
接触角θが約１４°であり、この紫外線照射がない場合
には、その接触角θが約８２°であった。そして、両者
に対して半導体素子を基板に接続したサンプルを作成
し、導通の有無を評価することにより不良率を求めたと
ころ、その紫外線硬化樹脂の密着性の不良率は前者が
０．０３％であるのに対して、後者は４．６％であっ
た。
体素子搭載領域９に対して紫外線照射し、この領域９の
面に付着した有機物等を分解除去する。これには上記水
銀キセノンランプ１３の主たる発光波長のうち１８４ｎ
ｍ、２５４ｎｍ付近の短波長が有効である（但し、この
短波長光はガラス基板２、５に吸収される）。この工程
により半導体素子搭載領域９のガラス面の接触角が大き
くなり、ガラス基板２に対する紫外線硬化樹脂の密着性
が著しく向上する。この接触角は図６に示すように基板
１７に紫外線硬化樹脂１８を滴下したときの基板１７と
樹脂１８との接点の角度θでもって表し、本実施例では
接触角θが約１４°であり、この紫外線照射がない場合
には、その接触角θが約８２°であった。そして、両者
に対して半導体素子を基板に接続したサンプルを作成
し、導通の有無を評価することにより不良率を求めたと
ころ、その紫外線硬化樹脂の密着性の不良率は前者が
０．０３％であるのに対して、後者は４．６％であっ
た。
【００１４】このように紫外線硬化樹脂１８を塗布する
前に半導体素子搭載領域９のガラス基板上を主たる発光
波長が２５４ｎｍ付近の短波長を照射することにより、
その紫外線硬化樹脂１８のガラス基板に対する密着性が
顕著に高くなった。
前に半導体素子搭載領域９のガラス基板上を主たる発光
波長が２５４ｎｍ付近の短波長を照射することにより、
その紫外線硬化樹脂１８のガラス基板に対する密着性が
顕著に高くなった。
【００１５】次に図４に示すように半導体素子搭載領域
９にディスペンサーを用いて紫外線硬化樹脂１９を塗布
し、そして、図５に示すように半導体素子２０を搭載
し、この半導体素子２０を紫外線硬化樹脂１９によりガ
ラス基板２に固定する。この固定方法によれば、半導体
素子２０は電極パッド２１に、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ
等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田等
から成る金属突起２２を形成した構成であり、この半導
体素子２０の金属突起２２と配線部６とを位置合わせ
し、半導体素子２０の上から加圧治具２３でもって押圧
し、紫外線硬化樹脂１９は押し広げられ、これら金属突
起２２と配線部６とは電気的な接続が得られる。そし
て、この状態のもとで紫外線硬化樹脂１９に紫外線照射
装置１０でもって露光部１６から紫外線照射する。この
照射では、上記水銀キセノンランプ１３の主たる発光波
長のうち３６０ｎｍ付近の波長が最も有効であり、この
波長光はガラス基板２を透過し、このガラス基板２の背
後に配置した凹面鏡である反射板２４でもって反射し、
その反射光が再びガラス基板２を透過し、紫外線硬化樹
脂１９を紫外線照射する。また、露光部１６からの照射
光のうち一部の光は直接樹脂１９を紫外線照射する。
９にディスペンサーを用いて紫外線硬化樹脂１９を塗布
し、そして、図５に示すように半導体素子２０を搭載
し、この半導体素子２０を紫外線硬化樹脂１９によりガ
ラス基板２に固定する。この固定方法によれば、半導体
素子２０は電極パッド２１に、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｔｉ−Ｐｄ
等の多層金属膜を被着して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、半田等
から成る金属突起２２を形成した構成であり、この半導
体素子２０の金属突起２２と配線部６とを位置合わせ
し、半導体素子２０の上から加圧治具２３でもって押圧
し、紫外線硬化樹脂１９は押し広げられ、これら金属突
起２２と配線部６とは電気的な接続が得られる。そし
て、この状態のもとで紫外線硬化樹脂１９に紫外線照射
装置１０でもって露光部１６から紫外線照射する。この
照射では、上記水銀キセノンランプ１３の主たる発光波
長のうち３６０ｎｍ付近の波長が最も有効であり、この
波長光はガラス基板２を透過し、このガラス基板２の背
後に配置した凹面鏡である反射板２４でもって反射し、
その反射光が再びガラス基板２を透過し、紫外線硬化樹
脂１９を紫外線照射する。また、露光部１６からの照射
光のうち一部の光は直接樹脂１９を紫外線照射する。
【００１６】かくして上記構成によれば、金属突起２２
と配線部６との電気的接続は圧接により行われ、ガラス
基板２上の半導体素子２０の固定は硬化した紫外線硬化
樹脂１９により行われる。
と配線部６との電気的接続は圧接により行われ、ガラス
基板２上の半導体素子２０の固定は硬化した紫外線硬化
樹脂１９により行われる。
【００１７】また、この実施例では、キセノンランプ１
３により照射された紫外線はフレキシブルケーブル１５
を介して照射する構成であり、２５４ｎｍ付近までしか
照射できなかったが、ランプでもって基板に直接照射す
る方法を採用すれば、１８４ｎｍ付近まで照射すること
ができ、これにより、有機物等を更に効率的に分解除去
することができる。
３により照射された紫外線はフレキシブルケーブル１５
を介して照射する構成であり、２５４ｎｍ付近までしか
照射できなかったが、ランプでもって基板に直接照射す
る方法を採用すれば、１８４ｎｍ付近まで照射すること
ができ、これにより、有機物等を更に効率的に分解除去
することができる。
【００１８】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変
更、改良等は何ら差し支えない。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子の実
装方法によれば、透光性基板の上に半導体素子を搭載す
るＣＯＧ方式液晶モジュール等においては、同一の紫外
線照射装置を用いて、その紫外線の主たる２波長の光を
使い分けて、先ず一方の波長光の紫外線を半導体素子搭
載領域に対して露光し、しかも、他方の波長光の紫外線
を光硬化樹脂に露光して固化し、これにより、半導体素
子を透光性基板上に固定せしめることができ、その結
果、従来であれば、両者の紫外線照射を別々の紫外線照
射装置により行われなければならなかったのに対して、
一個の装置だけでよく、その装置の削減に伴う製造コス
トの低減が可能となった。
装方法によれば、透光性基板の上に半導体素子を搭載す
るＣＯＧ方式液晶モジュール等においては、同一の紫外
線照射装置を用いて、その紫外線の主たる２波長の光を
使い分けて、先ず一方の波長光の紫外線を半導体素子搭
載領域に対して露光し、しかも、他方の波長光の紫外線
を光硬化樹脂に露光して固化し、これにより、半導体素
子を透光性基板上に固定せしめることができ、その結
果、従来であれば、両者の紫外線照射を別々の紫外線照
射装置により行われなければならなかったのに対して、
一個の装置だけでよく、その装置の削減に伴う製造コス
トの低減が可能となった。
【図１】実施例における液晶パネルの断面図である。
【図２】紫外線照射装置の概略図である。
【図３】実施例における液晶パネルに対する紫外線照射
の方法を示す説明図である。
の方法を示す説明図である。
【図４】実施例における液晶パネルに対する紫外線硬化
樹脂の塗布を示す説明図である
樹脂の塗布を示す説明図である
【図５】実施例における液晶パネルに対する紫外線照射
の方法を示す説明図である。
の方法を示す説明図である。
【図６】ガラス基板に対する紫外線硬化樹脂の接触角を
示す説明図である。
示す説明図である。
１・・・・・液晶パネル ２、５・・・ガラス基板 ６・・・・・配線部 ９・・・・・半導体搭載領域 １０・・・・紫外線照射装置 １３・・・・キセノンランプ １９・・・・紫外線硬化樹脂 ２４・・・・反射板
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性基板の半導体素子搭載領域に紫外
線照射装置を用いて紫外線を露光し、次いで該半導体素
子搭載領域に光硬化樹脂を塗布し、その塗布した光硬化
樹脂を介して半導体素子を搭載し、然る後上記紫外線照
射装置を用いて透光性基板の半導体素子の非搭載領域を
介して透光性基板の裏側に配置した反射手段に紫外線を
投光し、該反射手段により反射された紫外線を上記塗布
した光硬化樹脂に露光して固化することにより半導体素
子を透光性基板上に固定せしめたことを特徴とする半導
体素子の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25467092A JP3220254B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25467092A JP3220254B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子の実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112268A true JPH06112268A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3220254B2 JP3220254B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=17268234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25467092A Expired - Fee Related JP3220254B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 半導体素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220254B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010182998A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Lintec Corp | 光照射装置及び光照射方法 |
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1992
- 1992-09-24 JP JP25467092A patent/JP3220254B2/ja not_active Expired - Fee Related
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