JPH06112096A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH06112096A JPH06112096A JP28061292A JP28061292A JPH06112096A JP H06112096 A JPH06112096 A JP H06112096A JP 28061292 A JP28061292 A JP 28061292A JP 28061292 A JP28061292 A JP 28061292A JP H06112096 A JPH06112096 A JP H06112096A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性高分子物質の電導度を高めるととも
に、固体電解コンデンサのＥＳＲの低下と耐熱性の向上
を図る。 【構成】 弁作用金属箔に誘電体酸化被膜を形成した
後、化学重合により化学酸化重合膜を形成し、次いで電
解重合液中に浸漬して電解重合により同化学酸化重合膜
上に導電性高分子物質よりなる電解重合膜を形成するに
あたって、電解重合液中に少なくとも１つ以上のシアノ
基を有する２置換ベンゼン化合物を添加する。
に、固体電解コンデンサのＥＳＲの低下と耐熱性の向上
を図る。 【構成】 弁作用金属箔に誘電体酸化被膜を形成した
後、化学重合により化学酸化重合膜を形成し、次いで電
解重合液中に浸漬して電解重合により同化学酸化重合膜
上に導電性高分子物質よりなる電解重合膜を形成するに
あたって、電解重合液中に少なくとも１つ以上のシアノ
基を有する２置換ベンゼン化合物を添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサの製
造方法に関し、さらに詳しく言えば、導電性高分子物質
からなる固体電解質を備えた固体電解コンデンサの製造
方法に関するものである。
造方法に関し、さらに詳しく言えば、導電性高分子物質
からなる固体電解質を備えた固体電解コンデンサの製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】弁作用金属箔に導電性高分子物質、例え
ばポリピロールからなる固体電解質を形成するには、化
学重合工程と電解重合工程の２工程が実施される。
ばポリピロールからなる固体電解質を形成するには、化
学重合工程と電解重合工程の２工程が実施される。
【０００３】このうち、化学重合工程においては、まず
誘電体酸化被膜が形成された弁作用金属箔としての例え
ばアルミニウムエッチド箔をピロールモノマーを含む水
溶液中に浸漬し、次いで過硫酸アンモニウムなどの酸化
剤とパラトルエンスルホン酸アンモニウム塩などの支持
電解質を含む水溶液中に浸漬する。そして、洗浄、乾燥
し、通常はこれを２〜３回繰り返して誘電体酸化被膜上
に化学酸化重合膜を形成するようにしている。
誘電体酸化被膜が形成された弁作用金属箔としての例え
ばアルミニウムエッチド箔をピロールモノマーを含む水
溶液中に浸漬し、次いで過硫酸アンモニウムなどの酸化
剤とパラトルエンスルホン酸アンモニウム塩などの支持
電解質を含む水溶液中に浸漬する。そして、洗浄、乾燥
し、通常はこれを２〜３回繰り返して誘電体酸化被膜上
に化学酸化重合膜を形成するようにしている。
【０００４】これに対して、電解重合工程においてはピ
ロールモノマーと支持電解質と溶媒からなる電解重合液
中に浸漬し、その化学酸化重合膜に陽極側給電端子を接
触させるとともに、電解重合槽側を陰極として所定の重
合電圧を印加する。これにより、同化学酸化重合膜上に
ポリピロールよりなる電解重合膜が形成される。
ロールモノマーと支持電解質と溶媒からなる電解重合液
中に浸漬し、その化学酸化重合膜に陽極側給電端子を接
触させるとともに、電解重合槽側を陰極として所定の重
合電圧を印加する。これにより、同化学酸化重合膜上に
ポリピロールよりなる電解重合膜が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】電解重合液の組成をピ
ロールモノマー０．３モル／ｌ（リットル）、支持電解
質０．１モル／ｌとして、電流密度５．６ｍＡ／平方ｃ
ｍ、重合時間２０分、重合温度２０℃なる条件のもとで
電解重合を行なってポリピロールを形成したところ、そ
の電導度は約１０Ｓ／ｃｍであり、また、同ポリピロー
ルを実際に定格１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサ
に適用したところ、その等価直列抵抗（ＥＳＲ）は８０
ｍΩ（１００ｋＨｚ時）であった。
ロールモノマー０．３モル／ｌ（リットル）、支持電解
質０．１モル／ｌとして、電流密度５．６ｍＡ／平方ｃ
ｍ、重合時間２０分、重合温度２０℃なる条件のもとで
電解重合を行なってポリピロールを形成したところ、そ
の電導度は約１０Ｓ／ｃｍであり、また、同ポリピロー
ルを実際に定格１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサ
に適用したところ、その等価直列抵抗（ＥＳＲ）は８０
ｍΩ（１００ｋＨｚ時）であった。
【０００６】しかしながら、他の固体電解質と比較した
場合、電導度が１０Ｓ／ｃｍということは満足し得る良
い値ではない。また、従来の条件では形成される電解重
合膜の厚さにばらつきが生じ易く、これが原因でコンデ
ンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）がばらつく他に、耐熱性
の低下を引き起こしている。
場合、電導度が１０Ｓ／ｃｍということは満足し得る良
い値ではない。また、従来の条件では形成される電解重
合膜の厚さにばらつきが生じ易く、これが原因でコンデ
ンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）がばらつく他に、耐熱性
の低下を引き起こしている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の事情
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、弁作用金
属箔に誘電体酸化被膜を形成した後、化学重合により化
学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に浸漬して
電解重合により同化学酸化重合膜上に導電性高分子物質
よりなる電解重合膜を形成する固体電解コンデンサの製
造方法において、上記電解重合に用いられる電解重合液
中に少なくとも１つ以上のシアノ基を有する２置換ベン
ゼン化合物を添加することにある。
に鑑みなされたもので、その構成上の特徴は、弁作用金
属箔に誘電体酸化被膜を形成した後、化学重合により化
学酸化重合膜を形成し、次いで電解重合液中に浸漬して
電解重合により同化学酸化重合膜上に導電性高分子物質
よりなる電解重合膜を形成する固体電解コンデンサの製
造方法において、上記電解重合に用いられる電解重合液
中に少なくとも１つ以上のシアノ基を有する２置換ベン
ゼン化合物を添加することにある。
【０００８】すなわち、まず化学重合工程において、弁
作用金属箔、例えばアルミニウムエッチド箔をモノマー
と溶媒を含む水溶液に浸漬し、同アルミニウムエッチド
箔の細孔内にモノマーを導入する。モノマー液として
は、例えば５〜５０ｗｔ％のピロールを含む水・エタノ
ール混合水溶液が用いられ、モノマー濃度は好ましくは
２０〜４０ｗｔ％が良い。次いで、酸化剤と支持電解質
を含む水溶液に浸漬し、同アルミニウムエッチド箔表面
および細孔内のモノマーを導電性高分子に重合する。
作用金属箔、例えばアルミニウムエッチド箔をモノマー
と溶媒を含む水溶液に浸漬し、同アルミニウムエッチド
箔の細孔内にモノマーを導入する。モノマー液として
は、例えば５〜５０ｗｔ％のピロールを含む水・エタノ
ール混合水溶液が用いられ、モノマー濃度は好ましくは
２０〜４０ｗｔ％が良い。次いで、酸化剤と支持電解質
を含む水溶液に浸漬し、同アルミニウムエッチド箔表面
および細孔内のモノマーを導電性高分子に重合する。
【０００９】そして、モノマーと支持電解質と溶媒から
なる電解重合液中において電解重合を行なうのである
が、本発明では同電解重合液中に少なくとも１つ以上の
シアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を添加すること
を特徴としている。
なる電解重合液中において電解重合を行なうのである
が、本発明では同電解重合液中に少なくとも１つ以上の
シアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を添加すること
を特徴としている。
【００１０】この場合、電解重合液に対する同２置換ベ
ンゼン化合物の添加量は０．１〜０．２モル／ｌである
ことが好ましい。０．１モル／ｌ未満であると効果が少
なくなり、他方０．２モル／ｌを越えると添加剤が完全
に溶解せず、重合液が懸濁してしまい、重合膜にムラが
生じ易くなる。
ンゼン化合物の添加量は０．１〜０．２モル／ｌである
ことが好ましい。０．１モル／ｌ未満であると効果が少
なくなり、他方０．２モル／ｌを越えると添加剤が完全
に溶解せず、重合液が懸濁してしまい、重合膜にムラが
生じ易くなる。
【００１１】このシアノ基を有する２置換ベンゼン化合
物には次の化合物が含まれる。すなわち、第２の基を
（−ＯＨ）とするものとして２−シアノフェノール、３
−シアノフェノール、４−シアノフェノール、第２の基
を（−ＣＯＯＨ）とするものとして２−シアノ安息香
酸、３−シアノ安息香酸、４−シアノ安息香酸、第２の
基を（−ＣＨＯ）とするものとして３−シアノベンズア
ルデヒド、４−シアノベンズアルデヒド、第２の基を
（−ＮＨ２）とするものとしてｏ−アミノベンゾニトリ
ル、ｍ−アミノベンゾニトリル、ｐ−アミノベンゾニト
リル、第２の基を（−ＣＮ）とするものとしてフタロニ
トリル、イソフタロニトリル、テレフタロニトリルなど
が例示される。
物には次の化合物が含まれる。すなわち、第２の基を
（−ＯＨ）とするものとして２−シアノフェノール、３
−シアノフェノール、４−シアノフェノール、第２の基
を（−ＣＯＯＨ）とするものとして２−シアノ安息香
酸、３−シアノ安息香酸、４−シアノ安息香酸、第２の
基を（−ＣＨＯ）とするものとして３−シアノベンズア
ルデヒド、４−シアノベンズアルデヒド、第２の基を
（−ＮＨ２）とするものとしてｏ−アミノベンゾニトリ
ル、ｍ−アミノベンゾニトリル、ｐ−アミノベンゾニト
リル、第２の基を（−ＣＮ）とするものとしてフタロニ
トリル、イソフタロニトリル、テレフタロニトリルなど
が例示される。
【００１２】なお、モノマーの濃度は０．０１〜１．０
モル／ｌ、好ましくは０．０５〜０．５モル／ｌが良
い。支持電解質の濃度は０．０１〜１．０モル／ｌ、好
ましくは０．０５〜０．５モル／ｌが良い。
モル／ｌ、好ましくは０．０５〜０．５モル／ｌが良
い。支持電解質の濃度は０．０１〜１．０モル／ｌ、好
ましくは０．０５〜０．５モル／ｌが良い。
【００１３】モノマーとしては、ピロール、チォフェ
ン、フラン、アニリンなどの複素環式化合物が用いられ
る。
ン、フラン、アニリンなどの複素環式化合物が用いられ
る。
【００１４】化学重合に用いられる酸化剤としては、ヨ
ウ素、臭素、ヨウ化臭素などのハロゲン、五フッ化ヒ
素、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブデン
などの金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、
トリフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロトン
酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化合物、過
硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素、過酢
酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなどの過酸化
物、硝酸第２鉄、硫酸第２鉄などの鉄化合物、硝酸第２
銅、硫酸銅などの銅化合物などが用いられる。
ウ素、臭素、ヨウ化臭素などのハロゲン、五フッ化ヒ
素、五フッ化アンチモン、四フッ化ケイ素、五塩化リ
ン、五フッ化リン、塩化アルミニウム、塩化モリブデン
などの金属ハロゲン化物、硫酸、硝酸、フルオロ硫酸、
トリフルオロメタン硫酸、クロロ硫酸などのプロトン
酸、三酸化イオウ、二酸化窒素などの含酸素化合物、過
硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、過酸化水素、過酢
酸、ジフルオロスルホニルパーオキサイドなどの過酸化
物、硝酸第２鉄、硫酸第２鉄などの鉄化合物、硝酸第２
銅、硫酸銅などの銅化合物などが用いられる。
【００１５】また、支持電解質には、Ｐ−トルエンスル
ホン酸、ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸な
どのスルホン酸、安息香酸、アジピン酸、シュウ酸、フ
タル酸などのカルボン酸、フェニルリン酸、ナフチルリ
ン酸などのリン酸、フェニルホウ酸などのホウ酸が単独
でもしくは混合して用いられる。
ホン酸、ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸な
どのスルホン酸、安息香酸、アジピン酸、シュウ酸、フ
タル酸などのカルボン酸、フェニルリン酸、ナフチルリ
ン酸などのリン酸、フェニルホウ酸などのホウ酸が単独
でもしくは混合して用いられる。
【００１６】溶媒としては、水のほかエタノール、メタ
ノールなどのプロトン性溶媒と、アセトニトリル、プロ
ピレンカーボネイト、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの非プロトン性溶媒が単独でもしくは混合して用いら
れる。溶媒の種類は支持電解質により適宜選択される。
ノールなどのプロトン性溶媒と、アセトニトリル、プロ
ピレンカーボネイト、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの非プロトン性溶媒が単独でもしくは混合して用いら
れる。溶媒の種類は支持電解質により適宜選択される。
【００１７】用いられる弁作用金属箔としては、アルミ
ニウム、タンタル、チタンもしくはニオブなどの２０〜
３００μｍの薄箔が好ましい。
ニウム、タンタル、チタンもしくはニオブなどの２０〜
３００μｍの薄箔が好ましい。
【００１８】
【作用】上記のように、電解重合に用いられる電解重合
液中にシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を添加す
ることにより電導度の高い電解重合膜が得られ、またこ
れに伴ってコンデンサのＥＳＲが低下するとともに、耐
熱性が向上する。
液中にシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を添加す
ることにより電導度の高い電解重合膜が得られ、またこ
れに伴ってコンデンサのＥＳＲが低下するとともに、耐
熱性が向上する。
【００１９】
【実施例】まず、電解重合膜を単体として形成し、その
電導度σ（Ｓ／ｃｍ）を測定した。なお、電解重合膜を
単体として形成するにはＩＴＯガラス（インジウム・酸
化スズ複合体ガラス）を用い、次の重合条件によった。
電導度σ（Ｓ／ｃｍ）を測定した。なお、電解重合膜を
単体として形成するにはＩＴＯガラス（インジウム・酸
化スズ複合体ガラス）を用い、次の重合条件によった。
【００２０】すなわち、電流密度５．６ｍＡ／平方ｃ
ｍ、重合液量１６．７ｍｌ／平方ｃｍ（ＩＴＯガラス２
０ｍｍ×１５ｍｍに対し５０ｍｌ）、重合時間２０分、
重合温度室温の条件のもと、ＩＴＯガラスを陽極、ステ
ンレス板を陰極として電解重合液中に互いに接触しない
ように３０ｍｍの間隔をもって対向させた状態で浸漬
し、１６．７ｍＡの定電流電源より電流を供給した。
ｍ、重合液量１６．７ｍｌ／平方ｃｍ（ＩＴＯガラス２
０ｍｍ×１５ｍｍに対し５０ｍｌ）、重合時間２０分、
重合温度室温の条件のもと、ＩＴＯガラスを陽極、ステ
ンレス板を陰極として電解重合液中に互いに接触しない
ように３０ｍｍの間隔をもって対向させた状態で浸漬
し、１６．７ｍＡの定電流電源より電流を供給した。
【００２１】〈比較例１〉ピロールモノマー０．３モル
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液を用い上記の条件で
電解重合を行なった。ＩＴＯガラス上に形成されたポリ
ピロールの電導度σを測定したところ、１０．２Ｓ／ｃ
ｍであった。
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液を用い上記の条件で
電解重合を行なった。ＩＴＯガラス上に形成されたポリ
ピロールの電導度σを測定したところ、１０．２Ｓ／ｃ
ｍであった。
【００２２】《実施例１》ピロールモノマー０．３モル
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｏ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、５８．１Ｓ／ｃｍであった。
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｏ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、５８．１Ｓ／ｃｍであった。
【００２３】《実施例２》ピロールモノマー０．３モル
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｍ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、５１．５Ｓ／ｃｍであった。
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｍ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、５１．５Ｓ／ｃｍであった。
【００２４】《実施例３》ピロールモノマー０．３モル
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｐ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、４６．１Ｓ／ｃｍであった。
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｐ−
ＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物を
０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行な
った。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電導
度σを測定したところ、４６．１Ｓ／ｃｍであった。
【００２５】《実施例４》ピロールモノマー０．３モル
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｏ−
ＣＯＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物
を０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行
なった。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電
導度σを測定したところ、５６．８Ｓ／ｃｍであった。
／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスルホン酸
を０．１モル／ｌを含む電解重合液に、第２の基をｏ−
ＣＯＯＨとしたシアノ基を有する２置換ベンゼン化合物
を０．１５モル／ｌ添加して上記の条件で電解重合を行
なった。ＩＴＯガラス上に形成されたポリピロールの電
導度σを測定したところ、５６．８Ｓ／ｃｍであった。
【００２６】このように、電解重合液中にシアノ基を有
する２置換ベンゼン化合物を添加することにより、高い
電導度を示す電解重合膜が得られる。参考までに、上記
比較例１および実施例１〜３の電導度の比較結果を表１
に示す。
する２置換ベンゼン化合物を添加することにより、高い
電導度を示す電解重合膜が得られる。参考までに、上記
比較例１および実施例１〜３の電導度の比較結果を表１
に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】また、上記比較例１および実施例１〜４で
得られた電解重合膜（ポリピロール）について、１０５
℃、５００時間の定格電圧印加による耐熱性テストを行
ない、その比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）を測定した結果を図１
に示す。このポリマー耐熱性グラフから分かるように、
本発明によれば耐熱性の面でも改善が見られる。
得られた電解重合膜（ポリピロール）について、１０５
℃、５００時間の定格電圧印加による耐熱性テストを行
ない、その比抵抗ρ（Ω・ｃｍ）を測定した結果を図１
に示す。このポリマー耐熱性グラフから分かるように、
本発明によれば耐熱性の面でも改善が見られる。
【００２９】次に、定格１０Ｖ３．３μＦのポリピロー
ルによる固体電解コンデンサを製作し、静電容量（μ
Ｆ，１２０ｋＨｚ時）、損失角の正接（ｔａｎδ，１２
０ｋＨｚ時）、等価直列抵抗（ＥＳＲ；ｍΩ，１００ｋ
Ｈｚ時）および漏れ電流（ＬＣ；μＡ）を測定した。
ルによる固体電解コンデンサを製作し、静電容量（μ
Ｆ，１２０ｋＨｚ時）、損失角の正接（ｔａｎδ，１２
０ｋＨｚ時）、等価直列抵抗（ＥＳＲ；ｍΩ，１００ｋ
Ｈｚ時）および漏れ電流（ＬＣ；μＡ）を測定した。
【００３０】〈比較例２〉３ｍｍ×３ｍｍ角のアルミニ
ウムエッチド箔（厚さ９０〜１００μｍ）を３３Ｖにて
陽極酸化し、その表面に誘電体酸化皮膜を形成した。そ
して、このアルミニウム箔を６モル／ｌのピロールモノ
マー水溶液に浸漬した後、０．３モル／ｌの過硫酸アン
モンおよび０．１モル／ｌのトルエンスルホン酸アンモ
ニウム塩を含む酸化剤水溶液中に浸漬し、引き上げて洗
浄し乾燥させ、これを３回繰り返し化学酸化重合膜を形
成した。
ウムエッチド箔（厚さ９０〜１００μｍ）を３３Ｖにて
陽極酸化し、その表面に誘電体酸化皮膜を形成した。そ
して、このアルミニウム箔を６モル／ｌのピロールモノ
マー水溶液に浸漬した後、０．３モル／ｌの過硫酸アン
モンおよび０．１モル／ｌのトルエンスルホン酸アンモ
ニウム塩を含む酸化剤水溶液中に浸漬し、引き上げて洗
浄し乾燥させ、これを３回繰り返し化学酸化重合膜を形
成した。
【００３１】アジピン酸アンモニウムを３ｗｔ％含む化
成液中に浸漬し、化成電圧２６Ｖにて再化成を行なった
後、導電性高分子単量体としてピロールモノマーを０．
３モル／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスル
ホン酸を０．１モル／ｌを含む電解重合液中に浸漬し、
５．６ｍＡ／平方ｃｍの電流密度で２０分間電解重合を
行ない、化学酸化重合膜上に電解重合膜を形成した。
成液中に浸漬し、化成電圧２６Ｖにて再化成を行なった
後、導電性高分子単量体としてピロールモノマーを０．
３モル／ｌ、支持電解質としてアルキルナフタレンスル
ホン酸を０．１モル／ｌを含む電解重合液中に浸漬し、
５．６ｍＡ／平方ｃｍの電流密度で２０分間電解重合を
行ない、化学酸化重合膜上に電解重合膜を形成した。
【００３２】次に、電解重合膜上に陰極引き出し層とし
てのカーボン層および銀層をそれぞれ焼き付け、リード
フレームに取り付けた後、各コンデンサ素子の周囲に樹
脂モールド法にて樹脂外装体を形成し、このようにして
定格１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製
作した。これらについて、静電容量（μＦ）、損失角の
正接（ｔａｎδ）、等価直列抵抗（ＥＳＲ；ｍΩ）およ
び漏れ電流（ＬＣ；μＡ）を測定したところ、いずれも
平均値で静電容量は２．８３μＦ、損失角の正接は０．
００８、ＥＳＲは８１ｍΩおよびＬＣは０．００９μＡ
であった。
てのカーボン層および銀層をそれぞれ焼き付け、リード
フレームに取り付けた後、各コンデンサ素子の周囲に樹
脂モールド法にて樹脂外装体を形成し、このようにして
定格１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製
作した。これらについて、静電容量（μＦ）、損失角の
正接（ｔａｎδ）、等価直列抵抗（ＥＳＲ；ｍΩ）およ
び漏れ電流（ＬＣ；μＡ）を測定したところ、いずれも
平均値で静電容量は２．８３μＦ、損失角の正接は０．
００８、ＥＳＲは８１ｍΩおよびＬＣは０．００９μＡ
であった。
【００３３】《実施例５》この実施例５では、電解重合
を行なうにあたって、導電性高分子単量体としてピロー
ルモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質としてアルキ
ルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む電解重
合液に、第２の基をｏ−ＯＨとしたシアノ基を有する２
置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加した。その
他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１０Ｖ３．
３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作した。これら
について、各特性を測定したところ、いずれも平均値で
静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は０．００８、
ＥＳＲは５４ｍΩおよびＬＣは０．０１０μＡであっ
た。
を行なうにあたって、導電性高分子単量体としてピロー
ルモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質としてアルキ
ルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む電解重
合液に、第２の基をｏ−ＯＨとしたシアノ基を有する２
置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加した。その
他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１０Ｖ３．
３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作した。これら
について、各特性を測定したところ、いずれも平均値で
静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は０．００８、
ＥＳＲは５４ｍΩおよびＬＣは０．０１０μＡであっ
た。
【００３４】《実施例６》この実施例６においては、電
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｍ−ＯＨとしたシアノ基を有
する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加し
た。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１
０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は
０．００８、ＥＳＲは５５ｍΩおよびＬＣは０．０１２
μＡであった。
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｍ−ＯＨとしたシアノ基を有
する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加し
た。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１
０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は
０．００８、ＥＳＲは５５ｍΩおよびＬＣは０．０１２
μＡであった。
【００３５】《実施例７》この実施例７においては、電
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｐ−ＯＨとしたシアノ基を有
する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加し
た。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１
０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９７μＦ、損失角の正接は
０．００９、ＥＳＲは５８ｍΩおよびＬＣは０．０１１
μＡであった。
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｐ−ＯＨとしたシアノ基を有
する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加し
た。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格１
０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９７μＦ、損失角の正接は
０．００９、ＥＳＲは５８ｍΩおよびＬＣは０．０１１
μＡであった。
【００３６】《実施例８》この実施例８においては、電
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｏ−ＣＯＯＨとしたシアノ基
を有する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加
した。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格
１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は
０．００８、ＥＳＲは５４ｍΩおよびＬＣは０．００８
μＡであった。参考までに上記比較例２および実施例５
〜８についての比較結果を表２に示す。
解重合を行なうにあたって、導電性高分子単量体として
ピロールモノマーを０．３モル／ｌ、支持電解質として
アルキルナフタレンスルホン酸を０．１モル／ｌを含む
電解重合液に、第２の基をｏ−ＣＯＯＨとしたシアノ基
を有する２置換ベンゼン化合物を０．１５モル／ｌ添加
した。その他の条件は上記比較例２と同じとして、定格
１０Ｖ３．３μＦの固体電解コンデンサを２０個製作し
た。これらについて、各特性を測定したところ、いずれ
も平均値で静電容量は２．９８μＦ、損失角の正接は
０．００８、ＥＳＲは５４ｍΩおよびＬＣは０．００８
μＡであった。参考までに上記比較例２および実施例５
〜８についての比較結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電解重合に用いられる電解重合液中にシアノ基を有する
２置換ベンゼン化合物を添加することにより、電解重合
膜の導電率が向上するとともに、その膜厚の均一化が図
られる。またこれに伴って、コンデンサのＥＳＲを低下
することができ、さらには耐熱性が向上するという効果
が奏される。
電解重合に用いられる電解重合液中にシアノ基を有する
２置換ベンゼン化合物を添加することにより、電解重合
膜の導電率が向上するとともに、その膜厚の均一化が図
られる。またこれに伴って、コンデンサのＥＳＲを低下
することができ、さらには耐熱性が向上するという効果
が奏される。
【図１】耐熱試験による比抵抗の変化状態を示したグラ
フ。
フ。
Claims (7)
- 【請求項１】 弁作用金属箔に誘電体酸化被膜を形成し
た後、化学重合により化学酸化重合膜を形成し、次いで
電解重合液中に浸漬して電解重合により同化学酸化重合
膜上に導電性高分子物質よりなる電解重合膜を形成する
固体電解コンデンサの製造方法において、上記電解重合
に用いられる電解重合液中に少なくとも１つ以上のシア
ノ基を有する２置換ベンゼン化合物を添加することを特
徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 上記電解重合液に対する上記２置換ベン
ゼン化合物の添加量は０．０５〜０．２５モル／ｌであ
ることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデン
サの製造方法。 - 【請求項３】 上記２置換ベンゼン化合物は第２の基と
して（−ＯＨ）基を備えていることを特徴とする請求項
１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 上記２置換ベンゼン化合物は第２の基と
して（−ＣＯＯＨ）基を備えていることを特徴とする請
求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 上記２置換ベンゼン化合物は第２の基と
して（−ＣＨＯ）基を備えていることを特徴とする請求
項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 上記２置換ベンゼン化合物は第２の基と
して（−ＮＨ２）基を備えていることを特徴とする請求
項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 上記２置換ベンゼン化合物は第２の基と
して（−ＣＮ）基を備えていることを特徴とする請求項
１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28061292A JPH06112096A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28061292A JPH06112096A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112096A true JPH06112096A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17627470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28061292A Withdrawn JPH06112096A (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112096A (ja) |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP28061292A patent/JPH06112096A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991130 |