JPH06112007A - 抵抗体 - Google Patents

抵抗体

Info

Publication number
JPH06112007A
JPH06112007A JP4259837A JP25983792A JPH06112007A JP H06112007 A JPH06112007 A JP H06112007A JP 4259837 A JP4259837 A JP 4259837A JP 25983792 A JP25983792 A JP 25983792A JP H06112007 A JPH06112007 A JP H06112007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
sintered body
resistor
resistance
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4259837A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3149564B2 (ja
Inventor
Kazuyoshi Nakamura
和敬 中村
Hiroyuki Kubota
浩幸 久保田
Yasunobu Yoneda
康信 米田
Akiyoshi Nakayama
晃慶 中山
Tomoaki Ushiro
外茂昭 後
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP25983792A priority Critical patent/JP3149564B2/ja
Priority to US08/127,747 priority patent/US5430429A/en
Publication of JPH06112007A publication Critical patent/JPH06112007A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3149564B2 publication Critical patent/JP3149564B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 抵抗特性のばらつきを防止でき、かつ湿度等
に対する耐環境性を向上できるとともに、電力容量,及
び機械的強度を向上できる抵抗体を提供する。 【構成】 セラミクス焼結体3の内部に少なくとも1つ
の抵抗膜4を埋設するとともに、上記焼結体3にガラス
を拡散させてガラス層6を形成し、これにより抵抗体1
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗特性のばらつきを
防止でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向上できると
ともに、電力容量,及び機械的強度を向上できるように
した抵抗体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から、Ru酸化物,又はRu化合物
を主体としたサーメット抵抗体は精度の優れた抵抗素子
として広く用いられている。このような抵抗体は、例え
ばアルミナ基板の表面に、上記Ru酸化物等からなる抵
抗ペーストを印刷して厚膜の抵抗膜を形成し、これを80
0 〜900 ℃で焼き付ける。そして上記アルミナ基板の抵
抗膜の表面にガラスペーストを塗布した後、焼き付けて
ガラス膜を形成し、これにより湿度等に対する耐環境性
を向上するようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の抵抗体では、抵抗膜にガラス膜を直接コーティング
することから抵抗値が変化し易く、特性にばらつきが生
じ易いという問題がある。また上記ガラス膜にピンホー
ルが生じる場合があり、この結果湿度の高い雰囲気中で
はピンホールから水分等が侵入して抵抗特性を悪化させ
るという問題もある。さらに上記従来の抵抗体では、ア
ルミナ基板,抵抗膜,及びガラス膜の熱膨張率がそれぞ
れ異なることから、抵抗膜の基板への密着性が低く、そ
の結果大きな電力容量が得られず、100mW 程度が限度で
あった。
【0004】本発明は、上記従来の状況に鑑みてなされ
たもので、抵抗特性のばらつきを回避でき、かつ湿度に
対する耐環境性を向上できるとともに、大きな電力容量
が得られる抵抗体を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、セラミ
クス焼結体の内部に少なくとも1つの抵抗膜を埋設する
とともに、焼結体にガラスを拡散させたことを特徴とす
る抵抗体である。
【0006】ここで、上記ガラス材料としては、セラミ
クスと抵抗膜とを一体焼結する際の焼成温度以下の軟化
点を有し、かつ絶縁性を有するものであればよく、特に
限定するものではないが、耐酸性や耐溶剤性に優れたも
のを用いるのが望ましい。また、上記ガラスを拡散させ
る手段としては、ガラス,又はガラス質の材料にワニス
等を加えてペースト状とし、これを焼結体の表面に付着
させる方法、または上記ガラス材料を溶融,蒸発させた
雰囲気下で焼結体を熱処理して拡散浸透させる方法等が
採用でき、特に限定するものではない。
【0007】また、上記ガラスの拡散量を変化させるこ
とにより抵抗値を任意にコントロールすることが可能で
あり、この拡散量はガラス量や熱処理時の雰囲気濃度,
温度,あるいは時間等を適宜設定することとなる。ちな
みに、拡散量を増やすほど抵抗値は大きくなる。
【0008】さらに、上記抵抗体を製造するには、複数
のセラミクスシートをこれの間に上記抵抗膜を介在させ
て積層し、該積層体を抵抗膜とともに一体焼結して焼結
体を形成し、しかる後、この焼結体にガラスを外部から
拡散させることとなる。
【0009】
【作用】本発明に係る抵抗体によれば、焼結体の内部に
抵抗膜を埋設するとともに、該焼結体にガラスを拡散さ
せたので、上記抵抗膜の周囲はセラミクスで覆われてお
り、しかも焼結体の表面はガラス膜で覆われていること
から、従来の抵抗膜に直接ガラスコーティングする場合
のような抵抗値の変化による特性のばらつきを回避でき
る。また、上記抵抗膜の周囲は同一材料の焼結体で囲ま
れることから、放熱性を向上でき、かつ熱膨張の差によ
る歪も小さくでき、それだけ大きな電力容量を得ること
ができる。さらに、上記焼結体にガラスを拡散させたこ
とにより、焼結体に含まれる微細な空孔を埋めることが
できることから、従来のピンホールによる問題を解消で
き、湿度等に対する耐環境性を改善でき、寿命を向上で
きる。さらには、上記ガラスの拡散により抵抗体素子の
機械的強度を向上できる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明す
る。図1及び図2は本発明の一実施例による抵抗体を説
明するための図である。図において、1は本実施例のサ
ーメット抵抗体である。この抵抗体1は略直方体状のセ
ラミクス焼結体3の内部にRu酸化物,又はその化合物
からなる抵抗膜4を埋設して構成されている。この抵抗
膜4の左, 右端面4a,4bは上記焼結体3の左, 右側
面3a,3bに露出しており、残り他の端面は焼結体3
内に封入されている。また、上記焼結体3の左, 右側面
3a,3bにはAg−Pdからなる外部電極5が被覆形
成されており、該外部電極5は上記抵抗膜4の各端面4
a,4bに電気的に接続されている。
【0011】また、上記焼結体3は、ZnOを主成分と
し、これに副添加物を混合してなる複数のセラミクスシ
ート2を積層して積層体を形成し、この積層体を一体焼
結して形成されたものである。そしてこの場合に、厚さ
方向中央に位置する1枚のセラミクスシート2の上面に
上記抵抗膜4をパターン形成し、この抵抗膜4が形成さ
れたセラミクスシート2に残りのセラミクスシート2を
サンドイッチ状に重ね合わせている。
【0012】そして、上記焼結体3の表面部分にはガラ
ス層6が形成されている。このガラス層6は、上記焼結
体3とガラス粉末とを磁性容器内に収容し、この磁性容
器を回転させながら上記ガラス粉末の軟化点以上の温度
で熱処理し、これによりガラスを上記焼結体3内に拡散
浸透させて形成したものである。
【0013】次に本実施例の作用効果について説明す
る。本実施例の抵抗体1によれば、焼結体3に抵抗膜4
を埋設するとともにガラス層6を形成したので、この抵
抗膜4の周囲はセラミクスで覆われていることから、従
来のガラスコーティングを不要にでき、それだけ抵抗値
の変化による特性のばらつきを回避できる。また、焼結
体3の外表面部分にガラスを拡散させたので、これによ
り焼結体3内の空孔を埋めることができ、ピンホールの
問題も解消できることから、湿度等に対する耐環境性を
向上でき、寿命特性を向上できる。
【0014】また、上記抵抗膜4の周囲はセラミクス材
料で囲まれていることから、放熱性を向上でき、かつ熱
膨張率の差による歪も少なくでき、それだけ電力容量を
向上できる。ちなみに、従来の抵抗素子では100mW 程度
であったのに対して、本実施例の抵抗体1では、従来素
子の体積に比較して小型化を図りながら2〜10倍以上の
電力容量が得られる。
【0015】さらに、本実施例では、焼結体3にガラス
層6を形成したことにより、抵抗体1の抗折強度を向上
できるとともに、ガラスの拡散量を変化させることによ
り抵抗値をコントロールすることが可能であるから、用
途を拡大できる。さらにまた複数の抵抗膜4を積層化で
きることから、同一パターン,同一工程で抵抗値の異な
る各種の抵抗体を自由に設計でき、この点からも用途を
拡大できる。
【0016】なお、上記実施例では、焼結体3の外表面
部分にガラス層6を形成した場合を例にとって説明した
が、本発明は焼結体3の内部全域わたってに拡散させて
もよく、あるいは焼結体の表面にガラスを付着させても
よい。
【0017】次に本実施例の抵抗体1の一製造方法につ
いて説明する。まず、ZnOを主成分とし、これにB
i,Sb,Co,MnをBi2 3 ,Sb2 3 ,Co
O,MnO酸化物に換算してそれぞれ1.0 mol %,0.5mo
l %,0.5mol %,0.5mol %となるよう配合してセラミク
ス粉末を形成する。この粉末に純水を加えてボールミル
で粉砕混合してスラリーを形成する。
【0018】次に、上記スラリーを蒸発乾燥させて、75
0 ℃で2時間仮焼成する。この仮焼成物を粗粉砕し、こ
れに純水を加えてボールミルで微粉砕してセラミクス原
料を形成する。次いで、この原料に、エチルアルコール
及びトルエンを6:4の割合で混合した溶媒を加えてボ
ールミルで混合してスラリーを形成する。
【0019】上記スラリーをドクタブレード法により、
厚さ70μm のグリーンシートを形成し、このグリーシー
トを乾燥させた後、所定の大きさにカットして矩形状の
セラミクスシート2を多数枚形成する。
【0020】次に、RuO2 :Ru2 Pb2 7 :Ru
2 Bi2 7 =6:2:2mol 比で配合してなる組成物
に、ビヒクル及びガラスを加えて抵抗ペーストを形成す
る。この抵抗ペーストを上記1枚のセラミクスシート2
の上面に印刷して抵抗膜4を形成する。この場合、上記
抵抗膜4の左, 右端面4a,4bがセラミクスシート2
の左, 右外縁に位置し、残り他の端面はシート2の内側
に位置するよう形成する。
【0021】次いで、上記抵抗膜4が形成されたセラミ
クスシート2の上面,及び下面に複数枚のセラミクスシ
ート2を重ね合わせて積層し、これに2t/cm2 の圧力を
加えて圧着し、これにより積層体を形成する。次に、こ
の積層体を所定の大きさにカットし、これを400 ℃に加
熱してバインダーを飛散させた後、930 ℃に昇温加熱し
て3時間焼成し、これにより焼結体3を得る。これによ
り得られた焼結体3をバレル研磨する。
【0022】そして、上記焼結体3を磁性容器内に収容
するとともに、この容器内に所定量のホウケイ酸ガラス
粉末を入れる。この状態で上記磁性容器を回転させなが
ら上記ガラス粉末の軟化点以上の800 ℃に加熱し、2時
間熱処理する。この熱処理によって、上記ガラス粉末が
焼結体3の表面部分に拡散浸透して付着し、これにより
ガラス層6が形成されることとなる。
【0023】最後に、上記焼結体3の左, 右側面3a,
3bにAg:Pd=7:3wt比からなる電極ペーストを
塗布し、これを850 ℃で10分間焼き付けて外部電極5を
形成し、該外部電極5と抵抗膜4の左, 右端面4a,4
bとを電気的に接続する。これにより本実施例の抵抗体
1が製造される。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】次に本実施例の抵抗体1の効果を確認する
ために行った試験について説明する。この試験は、表1
及び表2に示すように、ホウケイ酸ガラス粉末の添加量
を0.3 〜1.5 wt%の範囲とし、これによりガラスの拡
散,付着量を変化させて上記製造方法により多数の実施
例試料No. 3〜No. 7を作成した。そして上記各実施例
試料No. 3〜No. 7の抵抗値(Ω),3CV(3σ/平
均×100 %) ,電力容量(mW) ,及び抵抗値の直線性
(α)を測定した。この直線性はα=1/log( R1m A /
0.1mA )により求めた。また、上記各実施例試料の抗
折強度Kg, 及び1Wの電力を負荷したプレッシャークッ
カー(2気圧, 湿度100 %RH) により96時間後の抵抗値の
変化率%を測定した。なお、比較するために、ガラスの
拡散,及び熱処理をしない比較試料NO. 1と、ガラスの
拡散をしないで熱処理のみ施した比較試料NO. 2を作成
し、これについても同様の測定を行った。
【0027】表2からも明らかなように、ガラスを拡散
しない両比較試料NO. 1,NO. 2の場合、電力容量,直
線性,抗折強度等のいずれの特性も使用可能なレベルと
なっているが、抗折強度では2.6,2.3Kg 、抵抗変化率で
は5.2,5.6 %と満足できる値が得られていない。これに
対してガラスを拡散させた各実施例試料NO. 3〜NO.7
の場合は、抵抗値のばらつきが9.0 〜13%, 電力容量が
1360〜1530mW, 直線性が1.00〜1.01と満足できる値が得
られている。しかも抗折強度では3.2,〜4.3Kg、抵抗変
化率では2.2 〜1.1 %と上記比較試料に比べて大幅に向
上しており、寿命特性が向上していることがわかる。ま
た、上記実施例試料NO. 3〜NO. 7では、ガラスの拡散
量を増やすほど抵抗値が大きくなっており、このことか
ら拡散量をコントロールすることにより抵抗値を任意に
設定できることがわかる。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明に係る抵抗体によれ
ば、焼結体の内部に抵抗膜を埋設するとともに、焼結体
にガラスを拡散させたので、抵抗値の変化による特性の
ばらつきを回避でき、かつ湿度等に対する耐環境性を向
上できる効果があるとともに、電力容量,及び寿命特性
を向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による抵抗体を説明するため
の断面図である。
【図2】上記実施例の抵抗体の製造方法を示す分解斜視
図である。
【符号の説明】
1 抵抗体 3 焼結体 4 抵抗膜 6 ガラス層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 晃慶 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 後 外茂昭 京都府長岡京市天神2丁目26番10号 株式 会社村田製作所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミクス焼結体の内部に少なくとも1
    つの抵抗膜を埋設するとともに、上記焼結体にガラスを
    拡散させたことを特徴とする抵抗体。
JP25983792A 1992-09-29 1992-09-29 抵抗体 Expired - Fee Related JP3149564B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25983792A JP3149564B2 (ja) 1992-09-29 1992-09-29 抵抗体
US08/127,747 US5430429A (en) 1992-09-29 1993-09-27 Ceramic resistor wherein a resistance film is embedded

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25983792A JP3149564B2 (ja) 1992-09-29 1992-09-29 抵抗体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06112007A true JPH06112007A (ja) 1994-04-22
JP3149564B2 JP3149564B2 (ja) 2001-03-26

Family

ID=17339681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25983792A Expired - Fee Related JP3149564B2 (ja) 1992-09-29 1992-09-29 抵抗体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3149564B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP3149564B2 (ja) 2001-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3438736B2 (ja) 積層型半導体磁器の製造方法
JPH11340090A (ja) 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法
JP3149564B2 (ja) 抵抗体
JP2983096B2 (ja) 積層形電圧非直線抵抗器の製造方法
JP2560891B2 (ja) バリスタの製造方法
JP4802353B2 (ja) 積層型圧電セラミック電子部品及びその製造方法
US5430429A (en) Ceramic resistor wherein a resistance film is embedded
JP3189419B2 (ja) 抵抗体
JP2976250B2 (ja) 積層型バリスタの製造方法
JP3245933B2 (ja) 抵抗体
JP3245946B2 (ja) 抵抗体
JPH0536503A (ja) 積層型バリスタ
JP3316552B2 (ja) 抵抗体の製造方法
JP4539671B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP3604043B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
JPH0142612B2 (ja)
JP2682259B2 (ja) 積層型バリスタの製造方法
JPS63219115A (ja) 積層型半導体磁器電子部品の製造方法
JP2504226B2 (ja) 積層型バリスタ
JPH04306803A (ja) 積層型バリスタ
JPH06350218A (ja) 配線基板およびその製造方法
JP2000091106A (ja) 積層型半導体セラミック電子部品及びその製造方法
JPH02276203A (ja) 積層型サーミスタの製造方法
JPH08222468A (ja) セラミック素子とその製造方法
JPS6312373B2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20001219

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090119

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100119

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110119

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees