JPH06350218A

JPH06350218A - 配線基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06350218A
Application number: JP5164268A
Authority: JP
Inventors: Ryoichi Kondo; 良一近藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-06-08
Filing date: 1993-06-08
Publication date: 1994-12-22

Abstract

(57)【要約】【構成】本発明の配線基板は、酸化ビスマスを含むガ
ラスマトリックスを有し、平均粒径０．０１μｍ〜０．
４μｍのルテニウム化合物を含有する抵抗体層と、銀ま
たは銀化合物を含有する導体層と、基板とを同時一体焼
成してなるものである。【効果】本発明においては、抵抗体層中のガラスマト
リックス中に酸化ビスマスを存在させることにより、導
体ペースト中の銀およびこれに伴う抵抗体層中のルテニ
ウム化合物の上記ガラスマトリックス中への拡散が防止
され、抵抗体中に適切な導電ネットワークが得られ、従
って、目的の抵抗値を精度よく制御することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、配線基板およびその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】低温で焼成可能な基板材料が開発されて
おり、これにより基板材料、導体ペースト、抵抗体ペー
スト等を例えば１０００℃以下の低温で同時一体焼成し
て配線基板を得ることが可能である。

【０００３】抵抗体ペーストは、通常、導電粒子、ガラ
スフリットおよびビヒクル等からなるものであり、上記
導電粒子として、ルテニウム化合物粒子を用いるものが
知られている。このように、ルテニウム化合物を上記導
電粒子として用いる配線基板は、例えば本願出願人が先
に出願した特開平３−１８０８９号公報に開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のような配線基板
においては、上記抵抗体のノイズや電圧係数等の特性を
更に向上させる要求がある。このような要求を満足させ
るには、上記導電粒子の粒子径を例えば０．４μｍ以下
に微小化することが考えられる。

【０００５】ところが、上記のように抵抗体ペーストの
導電粒子として平均粒径０．４μｍ以下のルテニウム化
合物粒子を用いたものであって、導体ペースト中の導体
粒子として銀または銀化合物粒子を用いて、上記のよう
に配線基板を同時一体焼成により作製する場合、抵抗値
が高くなり、該抵抗値の制御が困難になるというおそれ
があった。実際、上記特開平３−１８０８９号公報に開
示された実施例においても、使用しているルテニウム化
合物の平均粒径が最低で０．６６μｍである。

【０００６】本発明者らが、この問題を解決すべく鋭意
研究したところ、図３の走査型電子顕微鏡写真、および
該写真に示されたミクロ構造の概念図（図４）から分か
るように、抵抗層と導電層の接続部において、ガラス粒
界での導電粒子であるルテニウム化合物粒子で形成され
る導電ネットワークが分断され、これにより該部分の抵
抗値が増大していることを判明した。これは、上記のよ
うに同時焼成を行なうと、活性な銀がルテニウム化合物
を伴ってガラス内に固溶拡散し、その部分においてルテ
ニウム化合物が存在しなくなり、上記ルテニウム化合物
粒子で形成される導電ネットワークが分断されることが
分かった。

【０００７】すなわち、抵抗体のノイズ、電圧係数等の
特性値を向上させるには、ルテニウム化合物の粒径が小
さい程有利になるが、逆に粒径が小さいため、Ａｇの拡
散ににより、ルテニウムの溶出が大きくなり、電極付近
の抵抗値が増大するというジレンマがある。

【０００８】そこで、本発明は、上記のような同時焼成
におけるルテニウム化合物のガラスへの拡散を防止し、
適正な抵抗特性を得ることができる配線基板およびその
製造方法を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
の（１）〜（５）の本発明によって達成される。（１）酸化ビスマスを含むガラスマトリックスを有し、
平均粒径０．０１μｍ〜０．４μｍのルテニウム化合物
を含有する抵抗体層と、銀または銀化合物を含有する導
体層と、基板とを同時一体焼成してなる配線基板。（２）前記抵抗体層において、ルテニウム化合物を５wt
％〜５５wt％、酸化ビスマスを３〜３０wt％、および酸
化ビスマス以外のガラス成分を４０wt％〜９２wt％含有
する上記（１）の配線基板。（３）ガラスフリットと、平均粒径０．０１μｍ〜０．
４μｍ以下のルテニウム化合物粒子と、酸化ビスマス
と、ビヒクルとを含有する抵抗体ペースト、および銀系
の導体粒子とビヒクルとを含有する導体用ペーストを、
基板用グリーンシート上に所定のパターンで印刷し、こ
れを１０００℃以下で同時一体焼成することを特徴とす
る配線基板の製造方法。（４）抵抗体ペーストにおける酸化ビスマスが、結晶相
の形で添加されている上記（３）の配線基板の製造方
法。（５）抵抗体ペーストにおける酸化ビスマスが、ガラス
フリットの内部に固溶された形で添加されている上記
（３）の配線基板の製造方法。

【００１０】

【作用】本発明においては、抵抗体層中のガラスマトリ
ックス中に酸化ビスマスを存在させることにより、導体
ペースト中の銀およびこれに伴う抵抗体層中のルテニウ
ム化合物の上記ガラスマトリックス中への拡散が防止さ
れ、抵抗体中に適切な導電ネットワークが得られ、従っ
て、目的の抵抗値を精度よく制御することができる。

【００１１】

【発明の具体的構成】以下、本発明の具体的構成を詳細
に説明する。

【００１２】本発明の配線基板は、抵抗体層と導体層が
基板上に配置されたものであり、全体が同時一体成形さ
れたものである。

【００１３】上記抵抗体層は、酸化ビスマスを含むガラ
スマトリックスを有し、ルテニウム化合物粒子により所
定の導電路が形成されたものである。

【００１４】上記ガラスマトリックスはガラスフリット
を焼成することにより形成される。本発明ではガラスフ
リットとして、軟化点が１０００℃以下のガラスを用い
る。上記温度をこえると１０００℃以下で焼成すること
が困難である。

【００１５】ただし、軟化点があまり低すぎると基板と
同時焼成する際に、反りや発泡等が生じてしまう。

【００１６】このため、軟化点が７００〜１０００℃の
ガラスが好ましい。

【００１７】本発明に用いるガラスとしては、例えばホ
ウケイ酸ガラス、鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリ
ウムガラス、ホウケイ酸カルシウムガラス、ホウケイ酸
ストロンチウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等の一般
にガラスフリットとして用いられているものが挙げら
れ、特に鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ストロンチウ
ムガラス等が好適である。

【００１８】そして、ガラス組成としては下記のものが
好ましい。ＳｉＯ₂:５０〜６５重量％、特に５０〜５５重量％Ａｌ₂ Ｏ₃:５〜１５重量％、特に８〜１２重量％Ｂ₂ Ｏ₃:８重量％以下、特に３〜５重量％ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯの１〜４種：１５
〜４０重量％、特に２５〜３５重量％ＰｂＯ：３０重量％以下、特に１０〜２０重量％

【００１９】また、ガラスフリットの平均粒径は、０．
５〜５μｍ程度であることが好ましい。

【００２０】本発明の導電粒子には、ルテニウム酸鉛、
ルテニウム酸ビスマス、酸化ルテニウム等のうち一種以
上を用いる。

【００２１】ルテニウム酸鉛としては、Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ
_6.5 およびこれから多少偏倚した組成の金属酸化物が好
ましい。

【００２２】酸化ルテニウムとしては、ＲｕＯ₂ および
これから多少偏倚した組成の金属酸化物が好ましい。

【００２３】ルテニウム酸ビスマスとしては、Ｂｉ₂ Ｒ
ｕ₂ Ｏ₇ およびこれから多少偏倚した組成の金属酸化物
が好ましい。

【００２４】さらには、必要に応じ、焼成によってこれ
らの金属酸化物となりうる化合物を添加して用いてもよ
い。

【００２５】このような導電粒子の平均粒径は、０．０
１〜０．４μｍ程度であることが好ましい。この範囲よ
り大きいと、ノイズ、電圧係数が増大し、小さい場合に
は抵抗体ペーストが凝集しやすくなり、印刷に支障をき
たす。

【００２６】また、導電粒子としては前記のルテニウム
酸鉛、酸化ルテニウムおよびルテニウム酸ビスマス以外
にもパイロクロール化合物と称されるＣｄＢｉＲｕ₂Ｏ
₇ 、ＮｄＢｉＲｕ₂Ｏ₇ 、ＢｉＩｎＲｕ₂Ｏ₇ 、Ｂｉ₂
ＩｒＲｕＯ₇ 、ＧｄＢｉＲｕ₂Ｏ₇ 、ＢａＲｕＯ₃ 、Ｂ
ａ₂ ＲｕＯ₄ 、ＳｒＲｕＯ₃ 、ＣａＲｕＯ₃ 、Ｃｏ₂ Ｒ
ｕＯ₄ 、ＬａＲｕＯ₃ 、ＬｉＲｕＯ₃ 等のルテニウム化
合物、ＳｎＯ₂、ＬａＢ₆ 系等を導電粒子全体の２０wt
％程度以下含有していてもよい。

【００２７】本発明では、前記抵抗体層において、ルテ
ニウム化合物を５wt％〜５５wt％、酸化ビスマスを３〜
３０wt％、および酸化ビスマス以外のガラス成分を４０
wt％〜９２wt％、および含有する。上記ルテニウム化合
物の好ましい量は、７wt％〜５０wt％である。

【００２８】酸化ビスマスとしては、ＢｉＯ、Ｂｉ₂Ｏ
₃、Ｂｉ₂Ｏ₄、Ｂｉ₂Ｏ₅、Ｂｉ₄Ｏ₇等のいずれを
用いてもよい。

【００２９】酸化ビスマスの添加は、同時焼成したとき
のガラスマトリックスへの銀およびそれに同伴してのル
テニウム化合物の拡散を防止するためであり、上記の含
有量の範囲未満では上記の拡散防止の機能が十分でな
く、上記範囲を越えるとガラスの軟化点が低下してしま
うからである。

【００３０】上記酸化ビスマスは、結晶相として粒子の
形で単独に添加される場合と、ガラスフリット内に予め
固溶した形で添加される場合と、両者を混合する場合と
がある。

【００３１】酸化ビスマスが粒子の形で添加される場合
には、その粒子径は１〜３μｍ程度のものを用いる。

【００３２】抵抗体ペーストは、導電粒子であるルテニ
ウム化合物粒子と、ガラスフリットと、酸化ビスマス粒
子（ガラスフリット内に固溶している場合には、省略す
る）とを混合し、ビヒルクル等を加え、これらを混練し
てスラリー化することにより得られる。

【００３３】導電粒子とガラス成分（酸化ビスマスはガ
ラスマトリックス内に入るので、該ガラス成分内に含ま
れる）との重量比は、必要とされる抵抗値Ｘ等に応じて
適宜決定されるが、重量比ガラス成分／導電粒子は、９
０／１０〜６０／４０であることが好ましい。

【００３４】なお、重量比が前記範囲未満では導電粒子
過多のため抵抗値の制御ができなくなる。

【００３５】前記範囲をこえるとガラスが多すぎるた
め、導電粒子が導電ネットワークを形成できず、絶縁化
してしまう。

【００３６】ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のアクリル系樹脂等のバインダー、テルピネ
オール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセ
テート、アセテート、トルエン、アルコール、キシレン
等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等が挙げ
られ、これらのうち任意のものが目的に応じて適宜添加
される。

【００３７】この場合、ビヒクルの添加量は、導電粒子
とガラスフリットと酸化ビスマスの合計量１００重量部
に対し、２０〜６０重量部程度であることが好ましい。

【００３８】本発明の抵抗体ペーストは、基板用のグリ
ーンシート上に、導体ペーストとともに所定パターン
で、印刷法、転写法、グリーンシート法等により成膜さ
れ、その後全体が同時一体焼成される。

【００３９】焼結温度は１０００℃以下、特に８００〜
１０００℃、さらには８５０〜９００℃とされる。

【００４０】また、焼結時間は１〜３時間程度とし、最
高温度にて１０〜１５分間程度保持する。焼結雰囲気は
空気中で行うことができる。

【００４１】次に、本発明の配線基板と、その製造方法
について、多層配線基板を例にとり説明する。

【００４２】例えば、グリーンシート法を用いる場合
は、まず、基板材料となるグリーンシートを作製する。

【００４３】即ち、下記基板の構成材料を混合し、これ
にバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練
してスラリーとし、このスラリーを例えばドクターブレ
ード法、押し出し法により、好ましくは０．１〜１．０
mm程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。

【００４４】基板の構成材料としては、導体ペースト、
抵抗体ペースト等とともに同時焼成可能なものであり、
例えば、アルミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホ
ウケイ酸ガラス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラ
ス、アルミナ−ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ
−ホウケイ酸ストロンチウムガラス等の酸化物骨材とガ
ラスとを含む低温焼結材料が好ましい。

【００４５】この場合、ガラスの粒径は、０．１〜５μ
ｍ程度、アルミナの粒径は、１〜８μｍ程度であること
が好ましい。

【００４６】このような基板材料において、ガラスの含
有率は、通常５５〜７５wt％程度であることが好まし
い。

【００４７】ビヒクルとしては、前記と同様に、任意の
ものが目的に応じて適宜添加される。

【００４８】なお、基板材料の好適例としては、本願出
願人により開示された特願昭６２−２１５２４２号公報
に記載のものが挙げられる。

【００４９】次に、前記グリーンシートにパンチングマ
シーンや金型プレスを用いてスルーホールを形成する。

【００５０】その後、導体ペーストを各グリーンシート
上に例えばスクリーン印刷法により１０〜３０μｍ程度
の厚さに印刷し、所定パターンの内部および外部導体層
を形成するとともにスルーホール内に充填する。

【００５１】そして、前述した抵抗体ペーストを例えば
スクリーン印刷法等により１０〜３０μｍ程度の厚さに
印刷し、抵抗体ペースト層を形成する。

【００５２】また、必要に応じ、導体ペースト層および
抵抗体ペースト層上に、導体ペースト層の外部導体との
接合部を残してこれらを被覆するオーバーコート層を設
けてもよい。

【００５３】導体ペースト層および抵抗体ペースト層の
印刷、形成は、寸法が一定した未焼成のグリーンシート
に対して行なわれるため、それらの印刷版は１つのチッ
プサイズに対し１種類でよく、後焼成を行う場合のよう
に、焼成収縮のバラツキに対応して、多種類のもののう
ちから適切な寸法のものを選択して使用する必要がな
い。

【００５４】なお、導体ペースト層と抵抗体ペースト層
の形成順序は、いずれが先でもよい。

【００５５】このような導体ペーストは、導体層の基本
組成となる金属粒子と、ガラスフリットとを混合し、こ
れに前記と同様のバインダー、溶剤等のビヒクルを加
え、これらを混練してスラリー化することにより得られ
る。金属粒子としては、例えば、ＡｇまたはＡｇ系合金
を挙げることができ、これらのうち一種または二種以上
を添加することができる。

【００５６】Ａｇ系合金の例としては、Ａｇと所望の金
属との２元系またはそれ以上の合金として、好ましくは
３０重量％以下のＰｄを含むＡｇ−Ｐｄ合金、好ましく
は２０重量％以下のＰｄと１０重量％以下のＰｔとを含
むＡｇ−Ｐｄ−Ｐｔ合金、好ましくは１５重量％以下の
Ｐｔを含むＡｇ−Ｐｔ合金等を挙げることができる。こ
れらの場合、本発明の実効が高いのは９０〜１００重量
％のものである。

【００５７】Ａｇ−Ｐｄ系合金を主体とする導体層は、
耐マイグレーション性、耐湿性に優れるという特性を有
するため、外部導体層として好ましい。

【００５８】なお、上記金属粒の含有率は、８０〜９５
重量％程度が好ましい。

【００５９】また、金属粒子の平均粒径は、０．０１〜
５μｍ程度であることが好ましい。

【００６０】導体ペーストに含有されるガラスフリット
には、前記のガラスフリットを用いることができ、抵抗
体ペーストに用いるガラスフリットと同様のものが好適
である。

【００６１】なお、オーバーコート層としては、前記ガ
ラスおよびそれらの混合物等のガラスを挙げることがで
きる。

【００６２】次に、各グリーンシートを重ね合わせ、約
４０〜１２０℃、５０〜１０００kgf/cm² 程度で熱プレ
スを用い、グリーンシートの積層体とする。

【００６３】この場合、必要に応じ脱バインダー処理、
切断用溝の形成等を行う。

【００６４】その後、グリーンシートの積層体を下記の
条件で同時焼成する。

【００６５】焼結温度は、１０００℃以下、好ましくは
８００〜１０００℃程度、さらに好ましくは８５０〜９
００℃程度とする。

【００６６】焼結時間は、１〜３時間程度、最高温度で
の保持時間は、１０〜１５分間程度が好適である。

【００６７】焼結雰囲気としては、空気、Ｏ₂ 、Ｎ₂ 等
の不活性ガス等を挙げることができるが、特に、簡易
で、低コストであるという点で空気が好ましい。

【００６８】このようにして、内、外部導体層や厚膜抵
抗体層が形成された多層配線基板を得る。

【００６９】なお、配線基板の構造については、公知の
種々のものであってよい。

【００７０】また、誘電体層等も同時焼結により、ある
いは、後から焼結して形成し、コンデンサ内蔵型の配線
基板としてもよい。

【００７１】また、基板は、前記グリーンシート法の他
印刷法や転写法等を用いて作製してもよい。

【００７２】そして、必要に応じて厚膜抵抗体層に対
し、抵抗値を調整するためのトリミングを行う。

【００７３】このトリミングは、レーザー加工等、通常
の方法で行えばよい。

【００７４】このトリミング後、所定の加工を施して配
線基板が完成する。

【００７５】以上では、本発明の多層配線基板の１例に
ついて説明したが、本発明は、これに限定されず、単層
の配線基板であってもよい。

【００７６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００７７】実施例１まず、下記のようにして抵抗体ペーストを作製した。

【００７８】平均粒径０．３３μｍのＰｂ₂ Ｒｕ₂ Ｏ
_6.5 の導電粒子、平均粒径１．８μｍのガラスフリット
および平均粒径２．０μｍのＢｉ₂Ｏ₃を用意した。

【００７９】そして、Ｂｉ₂Ｏ₃を全体量に対して表１
に示した重量比で添加し、導電粒子の量と、ガラスフリ
ット量との比、すなわち重量比導電粒子／ガラスフリッ
トがそれぞれ表１になるように混合した。

【００８０】用いたガラスフリットの組成は下記のとお
りである。ＳｉＯ₂ ：４８．５wt％Ａｌ₂Ｏ₃：８．３wt％ＣａＯ：１１．９wt％ＰｂＯ：３１．３wt％

【００８１】これら１００重量部に対しビヒクルを４０
重量部添加して、３本ロールで混練し、抵抗体ペースト
を製造した。

【００８２】なお、ビヒクルには、バインダーとしてア
クリル系樹脂、溶剤としてα−テルピネオールを用い
た。

【００８３】また、下記のようにして導体ペーストを作
製した。平均粒径１．０μｍのＡｇ：７４．０wt％平均粒径１．０μｍのＰｄ：０．８wt％ガラスフリット（平均粒径１．８μｍ）：５．２wt％バインダー：２０．０wt％を３本ロールで混練して、導体ペーストを作製した。

【００８４】また、下記の基板の構成材料を混合し、こ
れに前記ビヒクルを加えスラリーとした。ガラス（平均粒径１．９μm ）６０wt％ＳｉＯ₂ ：５２．２wt％Ａｌ₂ Ｏ₃ ：１１．４wt％Ｂ₂ Ｏ₃ ：３．９wt％ＳｒＯ：２７．６wt％ＣａＯ：３．１wt％ＭｇＯ：１．８wt％Ａｌ₂ Ｏ₃ （平均粒径３．５μm ）：４０wt％

【００８５】このスラリーをドクターブレード法にて厚
さ０．２mmのグリーンシートとした。

【００８６】次に、グリーンシート上に抵抗体ペースト
層を厚さ２０μｍに、また導体ペースト層を厚さ２０μ
ｍに形成した。

【００８７】これらを９００℃で、１０分間保持し、同
時一体焼結した。

【００８８】そして、焼成厚みが１６μｍの厚膜抵抗体
層を有する配線基板のサンプルNo.１〜７および９〜２
４を得た。

【００８９】また、Ｂｉ₂Ｏ₃をガラスフリット中に予
め固溶させておいたこと以外は他と同様にしてサンプル
No. ８を得た。

【００９０】以上のサンプルについて、シート抵抗、界
面抵抗比、ノイズ、電圧係数を測定した。

【００９１】シート抵抗および界面抵抗比は以下のよう
に求めた。

【００９２】抵抗体幅Ｗを０．７〜５．０ｍｍの範囲、
抵抗体長Ｌを０．７〜５．０ｍｍの範囲で各種形状の抵
抗体を作成し、それぞれの抵抗値の測定値Ｒｎより、シ
ート抵抗Ｒ₀および界面抵抗Ｒｉを次式の回帰分析によ
り求めた。

【００９３】Ｒｎ＝（Ｒｉ／Ｗ）＋Ｒ₀（Ｌ／Ｗ）

【００９４】なお、界面抵抗比はＲｉ／Ｒ₀で定義され
る。

【００９５】ノイズは、抵抗体形状が１ｍｍ×１ｍｍの
ものを用い、カンテック社製３１５Ｂ抵抗ノイズメータ
によって測定した。

【００９６】電圧係数は、抵抗への印加電圧の１Ｖ増す
毎の抵抗変化率で定義されるものであり、ＪＩＳ−Ｃ５
２０５に基づいて測定した。

【００９７】測定結果を表１に示す。

【００９８】

【表１】

【００９９】界面抵抗比は、０．３のオーダーであると
実用でき、０．２以下であると望ましいが、表１から分
かるように、酸化ビスマスの添加により改善されてい
る。なお、サンプルNo. ７は、界面抵抗比自体は、０．
３２と０．３のオーダーであったが抵抗体層にクラック
が生じてしまったので、比較例とした。

【０１００】ノイズに関しては、酸化ビスマスの添加が
３０wt％以下であるなら、その劣化がほとんど認められ
ない。ノイズは、一般に導電機構が同一の系では、抵抗
値が１０倍毎に１０ｄＢ増大する傾向にある。すなわ
ち、１ｋΩ／□での雑音値をＮ₀とすれば、Ｎ＝Ｎ₀＋１０^*ｌｏｇＲ（ｋΩ／□）で示されが、表１もそれに近い結果を示している。

【０１０１】電圧係数も同様に、酸化ビスマスの添加が
３０wt％以下であるなら、その劣化がほとんど認められ
ない。

【０１０２】実施例２ついで、Ｐｂ₂ Ｒｕ₂ Ｏ_6.5 の代わりにＢｉ₂ Ｒｕ₂ Ｏ
₇ を用いた他は、上記実施例１と同様にしてサンプルN
o. ３１〜４１を作製し、上記と同様にシート抵抗、界
面抵抗比、ノイズ、電圧係数を測定した。その結果を表
２に示した。

【０１０３】

【表２】

【０１０４】上記表２から分かるように、酸化ビスマス
の３０wt％以下の添加により、界面抵抗比が改善されて
おり、ノイズ、電圧係数には劣化がほとんどなかった。
なお、ルテニウム酸鉛を用いた場合より、少量の酸化ビ
スマスの添加で効果が認められたのは、ルテニウム酸ビ
スマスのビスマスが一部ガラス中に溶出し、同様の効果
をもたらしたためと考えられる。なお、サンプルNo. ３
９においては、抵抗体層にクラックが生じてしまった。

【０１０５】また、Ｂｉ₂Ｏ₃が添加されていないサン
プルNo. ３１と、界面抵抗比が良好なサンプルNo. ３５
につき、抵抗層の導電層に隣接する部分の走査型電子顕
微鏡写真を撮影したところ、サンプルNo. １について
は、上記図３および図４に示されたのと同じくルテニウ
ム化合物による導電ネットワークが分断されていたが、
サンプルNo. ３５については、写真である図１およびそ
の概念図である図２に示されているように、ルテニウム
化合物による良好な導電ネットワークが形成されている
ことが分かる。

【０１０６】次に、上記実施例１のサンプルNo. ４およ
び実施例２のサンプルNo. ３５と同条件にして、ルテニ
ウム化合物の粒子の平均粒径を表３に示すようにして、
サンプルNo. ５１〜５７を作製し、これらのサンプルに
ついてノイズおよび電圧係数を測定した。なお、粒径が
変わると、抵抗値も変化するため、ノイズは１ｋΩ／□
に換算した。

【０１０７】

【表３】

【０１０８】この表から分かるように、粒径が小さい方
がノイズ、電圧係数ともに良好な結果が得られる。

【０１０９】

【効果】以上から明瞭なように、本発明によれば、基
板、抵抗および導体を同時一体焼成でき、しかも抵抗値
の制御が正確かつ容易な配線基板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】結晶組織を表す図面代用写真であって、本発明
の配線基板における抵抗体層の研磨断面の顕微鏡写真で
ある。

【図２】図１に示された結晶組織を概念的に示した概念
図である。

【図３】結晶組織を表す図面代用写真であって、従来例
の配線基板における抵抗体層の研磨断面の顕微鏡写真で
ある。

【図４】図３に示された結晶組織を概念的に示した概念
図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】酸化ビスマスを含むガラスマトリックス
を有し、平均粒径０．０１μｍ〜０．４μｍのルテニウ
ム化合物を含有する抵抗体層と、銀または銀化合物を含
有する導体層と、基板とを同時一体焼成してなる配線基
板。
【請求項２】前記抵抗体層において、ルテニウム化合
物を５wt％〜５５wt％、酸化ビスマスを３〜３０wt％、
および酸化ビスマス以外のガラス成分を４０wt％〜９２
wt％含有する請求項１の配線基板。
【請求項３】ガラスフリットと、平均粒径０．０１μ
ｍ〜０．４μｍ以下のルテニウム化合物粒子と、酸化ビ
スマスと、ビヒクルとを含有する抵抗体ペースト、およ
び銀系の導体粒子とビヒクルとを含有する導体用ペース
トを、基板用グリーンシート上に所定のパターンで印刷
し、これを１０００℃以下で同時一体焼成することを特
徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】抵抗体ペーストにおける酸化ビスマス
が、結晶相の形で添加されている請求項３の配線基板の
製造方法。
【請求項５】抵抗体ペーストにおける酸化ビスマス
が、ガラスフリットの内部に固溶された形で添加されて
いる請求項３の配線基板の製造方法。