JPH0611101B2 - パルス発生回路 - Google Patents

パルス発生回路

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JPH0611101B2
JPH0611101B2 JP59009779A JP977984A JPH0611101B2 JP H0611101 B2 JPH0611101 B2 JP H0611101B2 JP 59009779 A JP59009779 A JP 59009779A JP 977984 A JP977984 A JP 977984A JP H0611101 B2 JPH0611101 B2 JP H0611101B2
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JP
Japan
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transistor
circuit
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pulse
output
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JP59009779A
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JPS60153217A (ja
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憲司 大谷
達也 筧
京吾 藤井
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Rohm Co Ltd
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Rohm Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback
    • H03K3/0231Astable circuits

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  • Pulse Circuits (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Control Of Electric Motors In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はパルス発生回路に係り、例えば、サーボ制御
回路等のパルス幅制御に好適なパルス発生回路に関す
る。
従来、ラジオコントロール装置のサーボ制御回路は半導
体集積回路で構成され、誤差パルスに対応して制御出力
を発生させている。このサーボ制御回路では、デッドバ
ンド設定、パルスストレッチ、最小出力パルス幅の設定
をするため、3組のワンショット回路を個別に設置し、
これらは独自の時定数を設定するために個別に抵抗及び
コンデンサを外部に接続している。このため、回路構成
の複雑さに加えて半導体集積回路の外部端子(ピン)が
多くなり、製造コストが高くなるとともに、外部接続用
の部品点数が多くなる欠点があった。
そこで、この発明は、入力パルスに対応した任意の幅の
出力パルスを得ることができるとともに、外部端子並び
に時定数設定用の部品の削減を図る等、構成の簡略化を
図ったパルス発生回路を提供することを目的とする。
即ち、この発明のパルス発生回路は、基準電圧源に第1
の抵抗(抵抗8)を介して接続され、前記第1の抵抗を
介して与えられる充電電流により一定の時定数を以て充
電されるコンデンサ(12)と、エミッタが共通に接続
された第1及び第2のトランジスタ(トランジスタ1
8、20)からなる差動対を備え、前記第1及び第2の
トランジスタのエミッタ側に第3のトランジスタ(トラ
ンジスタ24)を接続して前記差動対に動作電流を流
し、前記第1のトランジスタのベースに設定される上限
基準電圧又は下限基準電圧と前記第2のトランジスタの
ベースに加えられる前記コンデンサの充電電圧とを比較
し、両者の大小関係に応じた出力を発生する比較器
(4)と、前記基準電圧源と基準電位点との間に第2及
び第3の抵抗(抵抗48、50)からなる分圧回路を接
続するとともに、前記第3の抵抗に第4のトランジスタ
(トランジスタ54)を介して第4の抵抗(抵抗52)
を並列に接続し、前記第1のトランジスタの導通時、第
1の電流反転回路(トランジスタ28、30)を通して
取り出される前記第1のトランジスタ側の出力により前
記第4のトランジスタを遮断状態にして前記分圧回路の
分圧点に前記上限基準電圧を発生させ、また、前記第2
のトランジスタの導通時、第2の電流反転回路(トラン
ジスタ36、38)を通して取り出される前記第2のト
ランジスタ側の出力により前記第4のトランジスタを導
通状態にして前記分圧回路の分圧点に前記下限基準電圧
を発生させ、これら前記上限基準電圧又は前記下限基準
電圧を前記第1のトランジスタのベース側に設定する基
準電圧設定回路(14)と、外部から供給される入力パ
ルスによってスイッチングし、前記入力パルスのパルス
幅の期間だけ前記コンデンサを強制的に放電させて前記
充電電圧を低下させるスイッチング放電回路(51)
と、前記比較器の前記第2のトランジスタ側から第2の
電流反転回路(トランジスタ36、40)を通して取り
出された比較出力を受けてスイッチングし、前記比較器
の出力に応じた出力パルスを発生する出力回路(トラン
ジスタ42)とを備えたパルス発生回路であって、前記
コンデンサの前記充電電圧が前記下限基準電圧に移行さ
せる前記スイッチング放電回路による放電時間と入力パ
ルスのパルス幅との大小関係に応じて前記出力パルスの
発生が制御され、かつ、発生する出力パルスの幅が前記
入力パルスのパルス幅に応じて制御されることを特徴と
する。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照して詳細に
説明する。
第1図はこの発明のパルス発生回路の実施例を示してい
る。
図において、このパルス発生回路は半導体集積回路で構
成され、基準電圧源から一定の基準電圧Vregが加えら
れる端子2と比較器4の入力端子6との間には第1の抵
抗8が接続され、共通ラインに形成された基準電位点端
子10と、入力端子6との間にコンデンサ12が接続さ
れている。抵抗8及びコンデンサ12は、外部接続さ
れ、このパルス発生回路に時定数を設定する。
比較器4は、コンデンサ12の端子電圧と、基準電圧設
定回路14で設定される基準電圧とを比較してパルス出
力を発生する。即ち、比較器4はトランジスタ16、1
8、20、22、24の差動増幅器によって構成され」
を「エミッタを共通にした第1及び第2のトランジスタ
18、20とともにトランジスタ16、22及び第3の
トランジスタ24からなる差動増幅器で構成され、トラ
ンジスタ24に形成された端子26には定電流が付与さ
れ、比較器4の動作電流が設定されている。この実施例
では、トランジスタ16とトランジスタ18、トランジ
スタ20とトランジスタ22をダーリントン接続してい
るが、トランジスタ16、22を省略しても良い。
比較器4の反転出力はトランジスタ18、20から個別
に取出され、トランジスタ18のコレクタから取出され
る出力はトランジスタ28、30で構成される第1の電
流反転回路を介してトランジスタ32のベースに加えら
れる。トランジスタ32は基準電圧設定回路14の基準
電圧を切換えるスイッチング回路を構成し、トランジス
タ32のベースに接続されている抵抗34は、トランジ
スタ30からの電流によってトランジスタ32に所定のス
レシュホールドレベルを設定している。
また、トランジスタ36のコレクタから取出される比較
器4の他方の反転出力は、トランジスタ36とベースを
共通にしているトランジスタ38からトランジスタ54
のベース及びトランジスタ32のコレクタに加えられて
いるとともに、トランジスタ40からトランジスタ42
のベースに加えられている。即ち、即ち、トランジスタ
36、38、40は比較器4の反転出力を取り出すため
の第2の電流反転回路を構成している。そして、トラン
ジスタ42及び抵抗44は出力回路を構成し、出力端子
46からパルス出力を取出すことができる。また、電源
端子47には駆動電圧Vccが印加される。
基準電圧設定回路14は、上限基準電圧V及び下限基
準電圧Vを設定するが、比較器4の比較出力に応動し
てその設定値を変更して比較器4にヒステリシス特性を
付与する。即ち、基準電圧設定回路14は、第2及び第
3の抵抗48、50からなる分圧回路を設置するととも
に、抵抗50に第4のトランジスタ54及び第4の抵抗
52からなる直列回路を並列に接続したものである。ス
イッチング素子としてのトランジスタ54が不導通状態に
ある場合、抵抗48、50によって上限基準電圧V
設定され、トランジスタ54が導通した場合、抵抗52の
付加によって下限基準電圧Vが設定される。
また、コンデンサ12にはスイッチング放電回路51が
付加されており、このスイッチング放電回路51は、入
力端子68に加えられる入力パルスに応動してコンデン
サ12の充電電圧を一定の放電時定数をもって除々に放
電させ、その端子電圧の変化によって比較器4の動作を
反転させる。即ち、このスイッチング放電回路51は、
トランジスタ56、58、60、62、64で構成さ
れ、トランジスタ56のベースに形成された入力端子6
6には定電流が与えられる。また、トランジスタ64の
ベースに形成された入力端子68には、スイッチング放
電回路51の放電時間を設定するパルスが加えられる。
トランジスタ64はスイッチング回路を構成し、端子6
8が高電位となる区間、導通状態となり、トランジスタ
56からの定電流を吸収する。トランジスタ58、6
0、62は電流反転回路を構成し、トランジスタ56か
らの定電流に対応してトランジスタ62の電流吸収能力
が設定されている。この実施例では、トランジスタ62
のエミッタ面積を大きく設定し、コンデンサ12の放電
電流値を設定している。
以上の構成に基づき、その動作を第2図の動作波形を参
照して説明する。
第2図において、Aはコンデンサ12の充放電波形、B
及びCは出力パルス、Dは入力端子68に加えられる入
力パルスを示している。
入力パルスが与えられない場合、入力端子68は高電位
に維持されてトランジスタ64は導通状態にあるため、
スイッチング放電回路51の動作は停止状態にある。ま
た、初期状態では、基準電圧設定回路14はトランジス
タ54の導通により、下限基準電圧Vが設定されてい
る。
そこで、入力パルスが与えられ、トランジスタ64が不
導通状態に移行すると、トランジスタ58が動作状態とな
り、コンデンサ12はトランジスタ62を介して放電さ
れる。Aにおいて、Aはコンデンサ12の放電による
端子電圧の推移を示し、この放電区間は入力パルス幅で
設定される。コンデンサ12の端子電圧が下限基準電圧
を超えて低下すると、比較器4のトランジスタ20
は不導通状態となり、この出力はトランジスタ36、4
0、42を介して出力端子46を高レベルに移行させ
る。このとき、トランジスタ18に電流が流れるため、
トランジスタ32は導通状態となり、トランジスタ54
は不導通状態となるため、トランジスタ16のベースに
は、下限基準電圧Vから矢印aに示すように上限基準
電圧Vが設定される。
そして、入力パルスに応動してスイッチング放電回路5
1の動作が停止されると、コンデンサ12は充電状態に移
行する。コンデンサ12の端子電圧が上限基準電圧V
を超えて上昇すると、比較器4のトランジスタ20に電
流が流れ、トランジスタ18には電流が流れなくなるた
め、比較器4の出力が反転し、出力端子46は低電位に
移行する。この結果、第2図Bに示す出力パルスが発生
する。これは、サーボ制御回路において、誤差パルスに
対するパルスストレッチ出力となる。このとき、トラン
ジスタ18の出力電流に基づき、トランジスタ32の導
通によって、トランジスタ54が不導通状態に移行する結
果、基準電圧設定回路14の基準電圧は、下限基準電圧
から矢印bに示すように上限基準電圧Vに切換え
られる。
このようにして比較器4には、その出力に応動して基準
電圧が変更されてヒステリシス特性が付与されるととも
に、下限基準電圧Vの設定で、デッドバンドが設定さ
れる。即ち、入力パルスがDのようにパルス幅T
与えられる場合には、コンデンサ12の端子電圧は、破
線Aで示す充電特性を持ち、下限基準電圧Vに到達
しないため、比較器4は出力パルスを生じない。しか
し、入力パルスがDのようにパルス幅Tになると、
下限基準電圧Vに交差するため、コンデンサ12の端子
電圧は、破線Aで示す充電特性となり、比較器4の出
力が反転し、出力端子46は第2図Cに示す最小パルス
を発生する。これは、デッドバンドを超える最小パルス
幅Pとなる。
即ち、このパルス発生回路では、コンデンサ12の充電
電圧が下限基準電圧Vに移行させるスイッチング放電
回路による放電時間Tと入力パルス幅Tとの大小関係
に応じて出力パルスの発生が制御され、しかも、出力パ
ルスが発生する場合には、そのパルス幅は入力パルスの
パルス幅Tに応じて制御されるのである。このパルス発
生回路の入出力関係は次の通りである。
(a) T>Tのとき 出力パルスは発生しない。即ち、出力パルスの発生条件
が入力パルスの幅によって決定されており、コンデンサ
12の容量、放電電流又は下限基準電圧Vを任意に選
定することにより、入力パルスに対する出力パルスの発
生条件を変更することができる。
(b) T=Tのとき 上限基準電圧Vと下限基準電圧Vとの差電圧ΔVで
定まるパルス幅を持つ出力パルスが得られる。したがっ
て、上限基準電圧V、下限基準電圧V、コンデンサ
12の容量又は放電電流を任意に選定することにより、
出力パルスの最低幅を設定することができる。
(c) T<Tのとき 入力パルスに応じた出力パルスが得られる。即ち、T
−Tのパルス幅と直線的な比例関係を持つパルス幅の出
力パルスが得られる。
以上のように、このパルス発生回路は、デッドバンド、
最小パルス幅、パルスストレッチの機能を併せ持ち、従
来の3組のワンショット回路の設置に比較し、構成の簡
略化とともに、時定数回路を単一化できるため、外部接
続用端子の削減により、製造コストの低減とともに、I
Cパッケージの小型化が可能になる。
なお、実施例では抵抗52をトランジスタ54のスイッ
チングで付加、解除を行うことにより極めて容易且つ簡
単な構成でヒステリシス特性を実現しているが、このよ
うな構成以外の回路手段でヒステリシス特性を実現して
も同等の効果が期待できる。
また、実施例ではサーボ制御回路のパルス幅制御を例に
とって説明したが、この発明は各種のパルス制御回路、
基準パルス発生回路として利用することができる。
以上説明したように、この発明によれば、抵抗を介して
一定の時定数を以て充電されるコンデンサの充電電圧
と、比較器の出力によって切り換えられる上限基準電圧
又は下限基準電圧との比較を出力パルスの発生条件とし
て、コンデンサは入力パルスによって放電時間が規制さ
れるスイッチング放電回路によって強制的に放電するよ
うにしたので、コンデンサの充電電圧が下限基準電圧に
移行させるスイッチング放電回路による放電時間と入力
パルスのパルス幅との大小関係に応じて出力パルスの発
生を制御でき、かつ、その出力パルスが発生するとき、
その出力パルスの幅は入力パルスのパルス幅に応じて制
御でき、一定幅以上の出力パルスを発生させることがで
きるとともに、そのパルス幅の制御を高精度に行うこと
ができ、しかも、時定数設定用の部品をコンデンサに削
減でき、外部端子を削減して回路構成の簡略化でき、容
易にIC化できる等の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】第1図はこの発明のパルス発生回
路の実施例を示す回路図、第2図はその動作波形を示す
説明図である。 4……比較器 8……第1の抵抗 12……コンデンサ 14……基準電圧設定回路 18……第1のトランジスタ 20……第2のトランジスタ 24……第3のトランジスタ 28、30……トランジスタ(第1の電流反転回路) 36、38、40……トランジスタ(第2の電流反転回
路) 42……トランジスタ(出力回路) 48……第2の抵抗 50……第3の抵抗 51……スイッチング放電回路 52……第4の抵抗 54……第4のトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 京吾 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−164309(JP,A) 実開 昭55−144437(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基準電圧源に第1の抵抗を介して接続さ
    れ、前記第1の抵抗を介して与えられる充電電流により
    一定の時定数を以て充電されるコンデンサと、 エミッタが共通に接続された第1及び第2のトランジス
    タからなる差動対を備え、前記第1及び第2のトランジ
    スタのエミッタ側に第3のトランジスタを接続して前記
    差動対に動作電流を流し、前記第1のトランジスタのベ
    ースに設定される上限基準電圧又は下限基準電圧と前記
    第2のトランジスタのベースに加えられる前記コンデン
    サの充電電圧とを比較し、両者の大小関係に応じた出力
    を発生する比較器と、 前記基準電圧源と基準電位点との間に第2及び第3の抵
    抗からなる分圧回路を接続するとともに、前記第3の抵
    抗に第4のトランジスタを介して第4の抵抗を並列に接
    続し、前記第1のトランジスタの導通時、第1の電流反
    転回路を通して取り出される前記第1のトランジスタ側
    の出力により前記第4のトランジスタを遮断状態にして
    前記分圧回路の分圧点に前記上限基準電圧を発生させ、
    また、前記第2のトランジスタの導通時、第2の電流反
    転回路を通して取り出される前記第2のトランジスタ側
    の出力により前記第4のトランジスタの導通状態にして
    前記分圧回路の分圧点に前記下限基準電圧を発生させ、
    これら前記上限基準電圧又は前記下限基準電圧を前記第
    1のトランジスタのベース側に設定する基準電圧設定回
    路と、 外部から供給される入力パルスによってスイッチング
    し、前記入力パルスのパルス幅の期間だけ前記コンデン
    サを強制的に放電させて前記充電電圧を低下させるスイ
    ッチング放電回路と、 前記比較器の前記第2のトランジスタ側から前記第2の
    電流反転回路を通して取り出された比較出力を受けてス
    イッチングし、前記比較器の出力に応じた出力パルスを
    発生する出力回路と、 を備えたパルス発生回路であって、前記コンデンサの前
    記充電電圧が前記下限基準電圧に移行させる前記スイッ
    チング放電回路による放電時間と入力パルスのパルス幅
    との大小関係に応じて前記出力パルスの発生が制御さ
    れ、かつ、発生する出力パルスの幅が前記入力パルスの
    パルス幅に応じて制御されることを特徴とするパルス発
    生回路。
JP59009779A 1984-01-22 1984-01-22 パルス発生回路 Expired - Lifetime JPH0611101B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS55144437U (ja) * 1979-04-05 1980-10-16
JPS58164309A (ja) * 1982-03-25 1983-09-29 Mitsubishi Electric Corp パルス発生器

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