JPH06110969A - 集積回路のマスクパターン設計におけるエラー修正装置 - Google Patents

集積回路のマスクパターン設計におけるエラー修正装置

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JPH06110969A
JPH06110969A JP25919392A JP25919392A JPH06110969A JP H06110969 A JPH06110969 A JP H06110969A JP 25919392 A JP25919392 A JP 25919392A JP 25919392 A JP25919392 A JP 25919392A JP H06110969 A JPH06110969 A JP H06110969A
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JP
Japan
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mask pattern
error
correction
coordinates
pattern data
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JP25919392A
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Masao Aso
正雄 麻生
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】集積回路のマスクパターン設計時にマスクパタ
ーンデータのエラー修正を行う際、修正漏れを無くし、
幾何学的ルールチェックの回数を減少させること。 【構成】マスクパターンデータに対し、エラー修正の
際、チェック結果ファイルからエラー図形座標を抜きだ
し(ステップA)、それらの座標と修正の有無をコンピ
ュータの画面に表示し(ステップB)、座標を選択する
ことにより、マスクパターンエディタで容易に修正がで
きるような、マスクパターンエディタのコマンド手続き
を発生(ステップC)させ、修正を行うことで、エラー
座標に従った確実な修正を行うことが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路のマスクパタ
ーン設計におけるエラーの修正装置に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路におけるマスクパターン設計に
おいて設計が終了したマスクパターンデータは、幾何学
ルールチェック及び、集積回路の論理回路記述とマスク
パターンデータの照合チェックが、エラーがなくなるま
で繰り返される(図2)。
【0003】図2において、従来では、ステップ80で
マスクパターン設計(作成,修正)を行い、幾何学的ル
ールチェック(ステップ81)を行い、エラー個数が0
でない場合はステップ80へエラー個数が0の場合は次
のステップ83へ移行する(ステップ82)。ステップ
83で、照合チェックを行い、エラー個数が0でない場
合はステップ80へ、エラー個数が0の場合はステップ
85へ移行する(ステップ84)。ステップ85で、幾
何学的ルールチェック,照合チェックを行い、次のステ
ップ86でエラー個数が0でない場合はステップ80
へ、0の場合は次のステップ87でマスクパターンデー
タの完成となる。
【0004】ここで、幾何学的ルールチェックというの
は、マスクパターンデータの幾何学的間隔や重なり具合
が基準値通り設計されているかチェックするものであり
以下に例を用いて説明する。
【0005】図3は幾何学的エラーを含んだマスクパタ
ーンデータの例を示す平面図であり、図3の配線図形
1,2の間隔が基準値2.5以上離さなければならない
ところを、エラー箇所3では1,25という間隔で設計
していたため、これがエラーとなったものである。ま
た、エラー箇所4は、重なり具合のエラーの例であり、
図形5,6の重なり具合が1.5のところを1で設計し
ているためエラーとなり検出されたものである。チェッ
クされた結果は、チェック項目(基準値)、マスクパタ
ーンデータ上のエラー部分の座標、エラーの個数が基準
されたファイルと、図4に示すエラー部分を表すエラー
図形7,8のデータという形で参照できる。このエラー
図形データは、マスクパターンデータと対応しており、
図3のエラー箇所3のエラー部分が、図4のエラー図形
7の矩形にて、図3のエラー箇所4のエラー部分が図4
のエラー図形8の矩形にて表される。
【0006】また、照合チェックというのは、マスクパ
ターンデータが対応する論理回路通り設計されているか
をチェックするものである。図5はこの照合チェックの
例を示す平面図で、(A)が論理回路で(B)がエラー
接続を含んだマスクパターンデータである。論理回路上
では、NET1(配線素子9)は、インバータの制御用
のn型トランジスタのゲート部分10に入力されている
が、マスクパターンデータ上では、(B)の図形12の
n型拡散と(B)の図形13のポリシリコンによって構
成されるn型トランジスタの拡散コンタクトの図形11
がグランド電位図形14に接しているためコンデンサと
みなされ、NET1に対応するマスクパターン上のLN
ET1(配線素子15)は、コンデンサに入力している
ことになり、論理回路記述と、マスクパターンデータと
で不一致が検出される。
【0007】以下に従来の幾何学的ルールチェックのエ
ラー修正の第1,第2の方法を図面を用いて説明する。
【0008】第1の方法:マスクパテーンエディタ上で
マスクパターンデータ16(図6)とチェック結果のエ
ラー図形データ17(図6)とを重ねて表示し、チェッ
ク結果ファイルよりエラー座標を読みとり、マスクパタ
ーンエディタでその座標付近を修正が可能な大きさまで
拡大することにより修正を行っていた。
【0009】第2の方法:マスクパターンエディタ上に
マスクパターンデータ18(図7)とエラー図形データ
19(図7)とを半分ずつ表示し、1つずつエラー図形
7,8を追いながら、エラー図形を拡大し、図8のよう
にマスクパターンデータ側も同じ部分を同じ比で拡大さ
せ、修正箇所を探し出し、エラー部分8′の修正を行っ
ていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の集積回
路のマスクパターン設計のエラー修正方法において、第
1の方法では、チェック結果ファイルより読みとった座
標をもとにマスクパターンエディタ上でエラー部分の検
出をする際、座標入力時にミスが発生するという欠点が
あり、修正履歴を残すことができないため、修正の有無
が不明となり、修正漏れが生じるという欠点があった。
【0011】第2の方法では、マスクパターンデータに
対し、エラー図形データのそれぞれの図形が極めて小さ
いため、マスクパターンエディタでのエラー図形選択に
は、相当な倍率での拡大が必要となり、次のエラー図形
に移動するには、一度元の倍率に戻さなければ選択する
ことができず、修正の有無がわからなくなり、修正漏れ
が生じるという欠点があった。
【0012】本発明の目的は、前記欠点を解決し、集積
回路のマスクパターン設計時にマスクパターンデータの
幾何学的ルールチェックのエラー修正を行う際に修正漏
れを無くし、エラーチェックの回数を減少させるように
した集積回路のマスクパターン設計におけるエラーの修
正装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の集積回路
のマスクパターン設計におけるエラー修正装置の構成
は、チェック結果ファイルを入力してエラー部分の座
標、チェック項目、修正の有無をコンピュータの画面上
に表示させる手段と、前記表示画面からエラー図形の座
標を選択し、マスクパターンエディタ上で、選択した座
標のエラー修正が容易にできるようなマスクパターンエ
ディタのコマンド手続きを生成する手段とを備えている
ことを特徴とする。
【0014】本発明の第2の集積回路のマスクパターン
設計におけるエラー修正装置の構成は、チェック結果フ
ァイルからエラーになった素子名と対応するマスクパタ
ーンデータ上のエラー座標を抜き出す手段と、前記エラ
ーとなった素子名を画面上に表示させる手段と、画面か
ら選択した素子名により対応するマスクパターンデータ
上の座標を用いてマスクパターンエディタ上でエラー部
付近を表示させるコマンド手続きを生成する手段とを備
えたことを特徴とする。
【0015】
【作用】エラー図形の座標の修正の有無をコンピュータ
の画面上に表示することにより図形の選択がマスクパタ
ーンエディタと同じコンピュータの画面上で行え、併せ
て、修正の有無の確認が容易に出来る。また、画面から
の選択により、選択した座標のエラー修正が容易に行え
るようなマスクパターンエディタのコマンド手続きを生
成することにより、エラー図形の移動が確実になり、エ
ラー図形座標の入力ミスを無くすことが出来る。
【0016】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示すフロー図である。図
1において、本発明の実施例のエラー修正方法は、チェ
ック結果ファイルからエラー図形座標を抜き出す処理ス
テップAと、抜きだした座標と修正の有無を明示する欄
をコンピュータの画面上に表示する処理ステップBと、
画面から座標を選択し、マスクパターンエディタのコマ
ンド手続きを生成する処理ステップCとを含み構成され
る。
【0017】さらに、スタート30により、マスクパタ
ーンを設計するステップ31,幾何学的ルールチェック
32,エラー図形が0か否かの判断のステップ33,コ
マンド手続き実行34,マスクパターンエディタで修正
するステップ35があり、最後にEND36がある。
【0018】まず、マスクパターン設計が終了したマス
クパターンデータ(図3)に対し、幾何学的ルールチェ
ックを実行する。図3のマスクパターンデータについて
チェックを実行すると、エラー箇所3が図形1,2の間
隔で、エラー箇所4が図形5,6の重なりで基準値を満
たしてないためエラーとなる。
【0019】チェックが終了するとチェック結果ファイ
ル(図9)とエラー部分を表すエラー図形データ(図
4)とが生成される。エラー図形は、基準値を満たして
ない部分を矩形で表したもので、図3のエラー箇所3が
図4のエラー図形7、図3のエラー箇所4が図4のエラ
ー図形8に対応している。チェック結果ファイルには、
チェック項目20(図9)、エラー数21(図9)、エ
ラー図形の座標22(図9)の項目が記述されている。
【0020】次に、チェック結果ファイルから座標を抜
きだしコンピュータの画面に表示する(図10)。画面
には、抜きだした座標の欄23(図10)と、修正の有
無の欄24(図10)が隣合って表示されている。表示
された座標からエラー修正を行いたいエラー座標25を
選択し、エラー図形データをマスクパターンデータに重
ねるためのコマンド26(図11)、選択された座標の
周りを拡大して表示させるためのコマンド27(図1
1)をコマンド手続き(図11)として生成し、マスク
パターンエディタで、生成したコマンド手続きを実行
し、エラー修正を行う。これをエラー図形全てについて
行う。この際修正の有無については、座標を選択したと
き、図10の欄24に「CHECH」という文字列を表
示させ、修正を行ったことを明示している。
【0021】以上の処理を行うことで、集積回路のマス
クパターン設計における幾何学的ルールチェックのエラ
ー修正において、エラー図形の移動が確実に行え、修正
漏れを無くすことができる。
【0022】図12は本発明の他の実施例を示すフロー
図である。図12において、本実施例では、集積回路の
論理回路記述とマスクパターンデータの照合チェックに
おけるマスクパターンデータ上のエラー修正への適用に
ついて述べる。
【0023】図12で示される方法は、チェック結果フ
ァイルからエラーとなった素子名と対応するマスクパタ
ーンデータ上のエラー座標を抜き出す処理ステップDと
エラーとなった素子名をコンピュータの画面上に表示さ
せる処理ステップEと画面から選択した、素子名により
対応するマスクパターンデータ上の座標を用いてマスク
パターンエディタ上でエラー部付近を表示させるコマン
ド手続きを生成する処理ステップFとを含み、構成され
る。
【0024】さらに、START70で始まる論理回路
記述とマスクパターンデータの照合(ステップ71)が
あり、エラー素子が0の場合はEND(ステップ7
5)、0でない場合は次のステップFへ移行するステッ
プ72がある。ステップFの次に、マスタパターンエデ
ィタでコマンド手続き実行(ステップ73)、マスクパ
ターンエディタで修正(ステップ74)がある。
【0025】まず、マスクパターン設計が終了したマス
クパターンデータと、対応する論理回路データに対し、
照合チェックを実行する。図5の場合では(A)で示さ
れる論理回路上のNET1(9)は、インバータの制御
用のn型トランジスタのゲート部分10に入力ている
が、マスクパターンデータ上では、n型トランジスタの
コンタクト(図5の図形11)がグランド電位図形14
に接しているためコンデンサとみなされ、NET1に対
応するマスクパターン上の LNET1(15)は、コ
ンデンサに入力していることになり、エラー接続とな
る。チェックが終了すると、チェック結果ファイル(図
13)と、エラー座標を含む矩形図形データ(図14)
が生成される。次にチェック結果ファイルから論理回路
側の素子名28(図13)と対応するマスクパターンデ
ータの座標29(図13)を抜きだし、コンピュータの
画面上に表示(図15)する。表示された素子名から修
正を行いたい素子名を選択し、エラー図形データとマス
クパターンデータを重ね、選択された素子名に対応する
マスクパターンデータ上の座標を、表示させるためのコ
マンド手続き(図15)を生成し、マスクパターンエデ
ィタでコマンド手続きを実行し、修正を行う。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、エラー
チェック結果をコンピュータ上の画面に表示し、画面か
らの選択によりエラー位置を表示するためのコマンド手
続きを生成するので、集積回路のマスクパターン設計に
おけるエラー修正で、修正漏れが無くなり、従来の方法
に較べエラーチェックの回数を1/2程度に減らすこと
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のフロー図である。
【図2】従来のマスクパターン設計のフロー図である。
【図3】幾何学的ルールチェックを含むマスクパターン
データを示す図である。
【図4】エラー図形データを示す図である。
【図5】(A),(B)は論理回路とマスクパターンデ
ータの照合におけるそれぞれ論理回路記述,エラー接続
を含むマスクパターンデータを示す図である。
【図6】従来の第1の方法でマスクパターンデータとエ
ラー図形データの重ねあわせを示す図である。
【図7】従来の第2の方法でマスクパターンデータとエ
ラー図形データを半分の画面の表示を示す図である。
【図8】エラー図形の拡大によるマスクパターン側の拡
大を示す図である。
【図9】幾何学的ルールチェック結果ファイルを示す図
である。
【図10】表示される座標選択画面(幾何学的ルールチ
ェック)を示す図である。
【図11】図10のコマント手続きを示す図である。
【図12】本発明の第2の実施例の照合チェックエラー
修正フロー図である。
【図13】照合チェック結果ファイルを示す図である。
【図14】表示される座標選択画面(照合チェック)を
示す図である。
【図15】図14のコマンド手続きを示す図である。
【符号の説明】
1,2 幾何学的ルールチェックを行う配線の図形 3 幾何学的ルールチェックエラー箇所(間隔エラ
ー) 4 幾何学的ルールチェックエラー箇所(重なりエラ
ー) 5,6 幾何学的ルールチェックを行う図形 7 間隔エラーを表すエラー図形 8 重なりエラーを表すエラー図形 9 論理回路上の配線素子(NET1) 10 インバータの制御用n型トランジスタゲート部 11 拡散コンタクトを表す図形 12 n型拡散を表す図形 13 ポリシリコンを表す図形 14 グランド電位図形 15 論理回路上の配線素子(NET1)に対応する
マスクパターン上の配線素子(LNET1) 16 画面半分に表示されたマスクパターンデータ 17 画面半分に表示されたエラー図形データ 18 重ね合わされたマスクパターンデータ 19 重ね合わされたエラー図形データ 20 チェック結果ファイル中の幾何学的ルールチェ
ック項目 21 チェック結果ファイル中のエラー数 22 チェック結果ファイル中のエラー図形座標 23 表示される画面でのエラー座標の欄 24 表示される画面での修正の有無の欄 25 選択されたエラー座標 26 エラー図形をマスクパターンデータに重ねるた
めのコマンド 27 選択された座標の周りを拡大して表示するため
のコマンド 28 論理回路側素子名 29 エラー部のマスクパターンデータ上の座標 30〜36,70〜75,80〜87 ステップ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チェック結果ファイルを入力して、エラ
    ー部分の座標を画面上に表示させる手段と、この表示さ
    れた座標を選択し、選択した部分の修正が容易に行える
    ようなマスクパターンエディタのコマンド手続きを発生
    させる手段とを備えたことを特徴とする集積回路のマス
    クパターン設計におけるエラー修正装置。
  2. 【請求項2】 チェック結果ファイルからエラーになっ
    た素子名と対応するマスクパターンデータ上のエラー座
    標を抜き出す手段と、前記エラーとなった素子名を画面
    上に表示させる手段と、画面から選択した素子名により
    対応するマスクパターンデータ上の座標を用いてマスク
    パターンエディタ上でエラー部付近を表示させるコマン
    ド手続きを生成する手段とを備えたことを特徴とする集
    積回路のマスクパターン設計におけるエラー修正装置。
JP25919392A 1992-09-29 1992-09-29 集積回路のマスクパターン設計におけるエラー修正装置 Withdrawn JPH06110969A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997048019A1 (fr) * 1996-06-11 1997-12-18 Hitachi, Ltd. Procede de fabrication d'un photomasque, procede de fabrication d'un masque a dephasage, et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur
KR100819000B1 (ko) * 2006-10-02 2008-04-02 삼성전자주식회사 패턴 검사, 확인 및 수정 공정을 분리하여 진행하는포토마스크 검사 방법과 그에 사용되는 시스템들 및 패턴확인 시스템

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1997048019A1 (fr) * 1996-06-11 1997-12-18 Hitachi, Ltd. Procede de fabrication d'un photomasque, procede de fabrication d'un masque a dephasage, et procede de fabrication d'un composant a semi-conducteur
KR100819000B1 (ko) * 2006-10-02 2008-04-02 삼성전자주식회사 패턴 검사, 확인 및 수정 공정을 분리하여 진행하는포토마스크 검사 방법과 그에 사용되는 시스템들 및 패턴확인 시스템
US7808629B2 (en) 2006-10-02 2010-10-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods, assemblies and systems for inspecting a photomask

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