JPH06104168A - レジスト組成物のドライ現像における工程制御方法 - Google Patents
レジスト組成物のドライ現像における工程制御方法Info
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- JPH06104168A JPH06104168A JP27682092A JP27682092A JPH06104168A JP H06104168 A JPH06104168 A JP H06104168A JP 27682092 A JP27682092 A JP 27682092A JP 27682092 A JP27682092 A JP 27682092A JP H06104168 A JPH06104168 A JP H06104168A
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Abstract
の変動を有効に抑制することができる工程制御方法を提
供する。 【構成】 レジスト組成物を露光後、1工程以上の高温
処理工程を行なうドライ現像工程において、各高温処理
工程の処理温度におけるレジスト組成物の溶融粘度ηと
その処理時間τとの比η/τの和Σ(η/τ)が、次の
関係式を満たすことを特徴とする工程制御方法。 1010≧Σ(η/τ)≧103 (ポイズ/秒)
Description
イ現像における工程制御方法に関する。
造工程では、その加工されるべき基板上にポリイソプレ
ンの環化物にビスアジドを混合したネガ型ホトレジスト
やノボラック樹脂にキノンジアジド化合物を混合したポ
ジ型ホトレジスト等の感放射線性樹脂組成物を塗布し、
水銀灯のg線(波長436nm)やi線(波長365n
m)を用いて露光し、現像液で現像することによりパタ
ーンを形成するホトリソグラフィ法が採用されている。
しかしながら、近年では、LSIがさらに微細化し、基
板上に形成されるべきパターンの最小寸法は0.5μm
以下の領域に入りつつあり、このように微細な寸法領域
では、現像液を用いて現像する従来のホトリソグラフィ
法を採用しても、特に段差構造を有する基板を使用する
場合、露光時の光反射の影響や露光系における焦点深度
の浅さ等の理由から、パターンが十分解像されないとい
う問題があった。このような問題を解決する方法とし
て、現像液を用いて現像する代わりに、異方性を有する
酸素プラズマ等のガスプラズマを用いてエッチングする
ことによりドライ現像して、レジストパターンを形成す
る高拡散シリル化レジストプロセス(Desireプロ
セス:Diffusion Enhanced Sil
ylation Resist Process、例え
ば特開昭61−107346号公報参照。)が提案され
ている。この方法は、光活性化合物と混合または結合さ
れたポリマーを含むレジスト層を基板に塗布し、該レジ
スト層の選択された部分だけを露光させるマスクを通し
て可視光線または紫外線で露光し、露光後のレジスト層
をシリル化剤を用いてシリル化処理し、次いで、レジス
ト層を酸素プラズマ等によりプラズマエッチングしてド
ライ現像することによって、その未露光部を選択的に除
去して、所望のネガパターンを形成することからなり、
前記シリル化処理工程において、レジストの露光部は、
珪素含有分子を選択的に拡散、吸収させ、次いで酸素プ
ラズマにより珪素導入部分に酸化珪素を生成させて、プ
ラズマエッチングされないマスク層として働かせ、珪素
が導入されない部分をプラズマによりエッチングして除
去する工程により、パターンを形成するものである。こ
のDesireプロセスにおいては、レジスト組成物の
塗布後、露光前およびシリル化前に高温での焼成処理、
並びに高温でのシルル化処理を行なうことにより、レジ
ストパターンの解像度、形状等が改善されることが明ら
かとなっている。また、前記シリル化剤の代わりにビス
(トリエチルゲルミル)アミン等の如きゲルミル化剤を
用いてゲルミル化処理することによっても、パターンが
形成されることも知られている。しかしながら、例えば
半導体回路製造に要求されるレジストパターンの設計基
準として、4M−DRAMの0.8μmから、16M−
DRAMの0.5〜0.6μm、さらには64M−DR
AMの0.35μmへと、線幅の微細化がますます要求
されており、前記Desireプロセスにおいては、
0.8μm以上のレベルでは問題がなかったが、0.6
μm以下では、線幅の設計寸法に応じて、形成されたレ
ジストパターンの線幅が、線の屈曲部分で太くなったり
細くなったして変動し、良好な形状を有するレジストパ
ターンが高精度に得られないという問題があった。その
原因については、珪素がレジスト中に導入されることに
起因して、レジストが膨潤することが線幅を太くしてい
るという指摘がなされているが、珪素の導入量を減らし
てレジストの膨潤を抑えようとすると、マスク層として
の能力が落ち、レジストパターンのコントラストが低下
するため、レジストとして使用できなくなる。したがっ
て、線幅の変動を抑えることが、Desireプロセス
における当面の最大の課題であり、その解決が強く望ま
れていた。
は、Desireプロセス等のドライ現像法におけるレ
ジストパターンの前記線幅の変動を有効に抑制すること
ができる工程制御方法を提供することにある。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、高温処理工程にお
けるレジスト組成物の溶融粘度とその処理時間とがレジ
ストパターンの線幅の挙動に密接に関連するという知見
に基づき、これらの処理条件を相互に適切に制御するす
ることにより、ドライ現像における前記線幅の変動を実
質上ゼロになしうるか、または著しく低減させることが
できることを見いだし、本発明を完成するに至った。即
ち、本発明は、レジスト組成物を露光後、1工程以上の
高温処理を行なうドライ現像工程において、前記各高温
処理工程の処理温度におけるレジスト組成物の溶融粘度
η(単位:ポイズ)とその処理時間τ(単位:秒)との
比η/τの和Σ(η/τ)が、次の関係式を満たすこと
を特徴とする工程制御方法に関わる。
り、本発明の目的、構成および効果が明確となるであろ
う。まず、本発明が適用されるドライ現像法とは、特開
昭61−107346号公報およびProc.SPI
E,1262,151(1990)に記載されているよ
うに、レジスト組成物の基板への塗布、露光、シリル
化前焼成、シリル化処理および酸素プラズマ等によるド
ライエッチングからなる処理工程を経る現像法、あるい
は、前記の処理工程に露光前の焼成(露光前焼成)
処理工程を付加した現像法、並びにシリル化剤を用い
るシリル化処理に代えてゲルミル化剤によりゲルミル化
処理する以外は前記あるいはと同様の工程を経る現
像法を意味する。したがって、以下では、これらのシリ
ル化剤による処理およびゲルミル化剤による処理の両者
を含めて「シリル化処理」といい、また、シリル化剤に
よる処理前の焼成およびゲルミル化剤による処理前の焼
成の両者を含めて「シリル化前焼成」という。
前焼成は通常80〜130°Cの温度で行なわれ、また
シリル化前焼成は通常100〜250°Cの温度、シリ
ル化処理も通常100〜250°Cの温度で行なわれる
ものであって、これらの処理工程はいずれも高温処理工
程といいうるものであるが、本発明は、前記高温処理工
程のうち、シリル化前焼成およびシリル化処理のよう
に、レジストの露光後に行なわれる高温処理工程の制御
に関連する。
におけるレジスト組成物の溶融粘度とその処理時間との
関係を適切に制御することにより、所期の目的を達成せ
んとするものであるが、このような技術思想に基づく本
発明は、高温処理工程が前記250°Cを越える処理温
度を必要とする場合にも適用することができるものであ
る。一方、本発明の対象となる高温処理工程における処
理温度の下限は、その温度におけるレジスト組成物の溶
融粘度がレジストパターンの線幅等の特性に対して実質
的に寄与しうる最低の温度となり、通常80°C程度で
ある。したがって、本発明における高温処理工程とは、
一般に、「基板に塗布したレジストの露光後に行なわれ
る80°C以上の温度における処理工程」と定義され
る。
リル化前焼成およびシリル化処理の各工程で行なわれる
場合、シリル化前焼成の温度におけるレジスト組成物の
溶融粘度ηとその処理時間τとの比を (η/τ)psbと
し、且つシリル化処理の温度におけるレジスト組成物の
溶融粘度ηとその処理時間τとの比を (η/τ)sb とす
ると、「各高温処理工程の処理温度におけるレジスト組
成物の溶融粘度ηとその処理時間τとの比η/τの和Σ
(η/τ)」とは、 (η/τ)psb + (η/τ)sb を意味する。
成物に固有の値であり、レジスト組成物を構成する樹脂
の種類と分子量、添加剤の種類と量等に依存する。該レ
ジスト組成物は、その使用に際して、後述するように、
通常溶液として調製されるが、本発明における溶融粘度
とは、その溶剤を除いた固体の成分に関するものであ
る。したがって、レジスト組成物が後述する各種添加剤
を含有する場合は、前記溶融粘度は、これらの添加剤を
含めた固体組成物のついて測定されたものを意味する。
する樹脂は、露光およびシリル化処理を行なったのち、
酸素プラズマ等のガスプラズマを用いてエッチングする
ことによりドライ現像することのできる樹脂であり、そ
の例としては、フェノール性水酸基含有樹脂、該フェノ
ール性水酸基含有樹脂中のフェノール性水酸基の一部を
光活性基で置換した樹脂等を挙げることがきる。
は、(1)フェノール樹脂、(2)フェノール性水酸基
を含有するスチレン系樹脂(以下、「フェノール性スチ
レン系樹脂」という。)、(3)前記(1)と(2)と
の混合物、(4)前記(1)〜(3)の少なくとも1つ
の樹脂とポリスチレン、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)等の他の芳香族重合体との混合物等を挙げることが
できる。
ち、(1)フェノール樹脂としては、フェノール性化合
物と脂肪族または芳香族のアルデヒドとを酸性触媒の存
在下で重縮合することによって製造されるノボラック樹
脂を挙げることができる。
ル基、アルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、ニト
ロ基、シアノ基等で置換されていてもよいフェノール、
ナフトール等のフェノール性化合物を挙げることができ
る。
フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−ク
レゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノー
ル、p−エチルフェノール、o−プロピルフェノール、
m−プロピルフェノール、p−プロピルフェノール、o
−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチ
ルフェノール、o−アミルフェノール、m−アミルフェ
ノール、p−アミルフェノール、o−ヘキシルフェノー
ル、m−ヘキシルフェノール、p−ヘキシルフェノー
ル、o−シクロヘキシルフェノール、m−シクロヘキシ
ルフェノール、p−シクロヘキシルフェノール、o−オ
クチルフェノール、m−オクチルフェノール、p−オク
チルフェノール、o−ノニルフェノール、m−ノニルフ
ェノール、p−ノニルフェノール、o−フェニルフェノ
ール、m−フェニルフェノール、p−フェニルフェノー
ル、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、
2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4
−キシレノール、3,5−キシレノール、3,6−キシ
レノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,
4,5−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシ
ノール、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチルエ
ーテル、ピロガロール、フロログルシノール、ヒドロキ
シジフェニル、ビスフェノールA、ビスフェノールC、
ビスフェノールE、ビスフェノールS、没食子酸、没食
子酸エステル、o−クロロフェノール、m−クロロフェ
ノール、p−クロロフェノール、o−ブロモフェノー
ル、m−ブロモフェノール、p−ブロモフェノール、o
−ヨードフェノール、m−ヨードフェノール、p−ヨー
ドフェノール等のフェノール類;
ール、2−エチル−1−ナフトール、2−プロピル−1
−ナフトール、2−ブチル−1−ナフトール、4−メト
キシ−1−ナフトール、4−エトキシ−1−ナフトー
ル、4−プロポキシ−1−ナフトール、4−ブトキシ−
1−ナフトール、5−メチル−1−ナフトール、2−ナ
フトール等のヒドロキシナフタリン類等を挙げることが
できる。これらのフェノール性化合物は、単独でまたは
2種以上を混合して使用することができる。
ルコキシ基、アリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、シ
アノ基等で置換されていてもよく、その具体例として
は、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセト
アルデヒド、プロピルアルデヒド、ブチルアルデヒド、
ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フ
ェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアル
デヒド、o−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベンズア
ルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、o−ニトロベ
ンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、p−ニ
トロベンズアルデヒド、o−メチルベンズアルデヒド、
m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベンズアルデ
ヒド、o−エチルベンズアルデヒド、m−エチルベンズ
アルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド、p−プロピ
ルベンズアルデヒド、p−ブチルベンズアルデヒド等が
挙げられる。これらのアルデヒドのうち、ホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒドおよびベンズアルデヒドが好ま
しい。これらのアルデヒドは、単独でまたは2種以上を
混合して使用される。
物1モル当たり、好ましくは0.7〜3モル、さらに好
ましくは0.7〜2モルである。
等の無機酸、蟻酸、蓚酸、酢酸等の有機酸が使用され
る。酸性触媒の使用量は、フェノール性化合物1モル当
たり、好ましくは1×10-4〜5×10-1モルである。
反応に際しては、通常反応媒質として水が用いられる
が、使用するフェノール性化合物がアルデヒドに溶解せ
ず、反応初期から不均一系となる場合は、親水性溶媒を
反応媒質として使用することもできる。この親水性溶媒
としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノー
ル、ブタノール等のアルコール類、ジエチレングリコー
ルジメチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、1,
2−ジエトキシエタン等のエーテル類、およびテトラヒ
ドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類を挙げるこ
とができる。これらの反応媒質の使用量は、反応原料1
00重量部当たり、好ましくは20〜1,000重量部
である。
反応の温度は、反応原料の反応性に応じて適宜調整する
ことができるが、通常10〜200°C、好ましくは7
0〜150°Cである。
反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するため、反応
液の温度を通常100〜230°Cに上昇させ、減圧下
で揮発分を留去して、生成ノボラック樹脂を回収する。
好ましい樹脂は、フェノールノボラック樹脂、クレゾー
ルノボラック樹脂、アルキルフェノール類(例えばp−
t−ブチルフェノール、p−n−プロピルフェノール、
p−エチルフェノール、オクチルフェノール等)とホル
ムアルデヒドとの重縮合生成物およびクレゾールまたは
ナフトールとベンズアルデヒドとの重縮合生成物であ
る。
スチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」とい
う。)は、好ましくは1,000〜200,000であ
り、さらに好ましくは2,000〜50,000、特に
好ましくは2,000〜30,000である。
としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アリー
ル基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基等で置換され
ていてもよいヒドロキシスチレン類の単独重合体または
共重合体を挙げることができる。前記ヒドロキシスチレ
ン類の具体例としては、3−ヒドロキシスチレン、4−
ヒドロキシスチレン、3−ヒドロキシ−4−メチルスチ
レン、3−ヒドロキシ−5−メチルスチレン、4−ヒド
ロキシ−3−メチルスチレン、3−ヒドロキシ−4−エ
チルスチレン、3−ヒドロキシ−5−エチルスチレン、
4−ヒドロキシ−3−エチルスチレン、3−ヒドロキシ
−4−プロピルスチレン、3−ヒドロキシ−5−プロピ
ルスチレン、4−ヒドロキシ−3−プロピルスチレン、
3−ヒドロキシ−4−ブチルスチレン、4−ヒドロキシ
−3−ブチルスチレン、α−メチル−3−ヒドロキシス
チレン、α−メチル−4−ヒドロキシスチレン、α−エ
チル−3−ヒドロキシスチレン、α−エチル−4−ヒド
ロキシスチレン、α−プロピル−3−ヒドロキシスチレ
ン、α−n−プロピル−4−ヒドロキシスチレン、α−
ブチル−3−ヒドロキシスチレン、α−ブチル−4−ヒ
ドロキシスチレン、β−メチル−3−ヒドロキシスチレ
ン、β−メチル−4−ヒドロキシスチレン、β−エチル
−3−ヒドロキシスチレン、β−エチル−4−ヒドロキ
シスチレン、β−プロピル−3−ヒドロキシスチレン、
β−プロピル−4−ヒドロキシスチレン、β−ブチル−
3−ヒドロキシスチレン、β−ブチル−4−ヒドロキシ
スチレン等を挙げることができる。
とができる単量体としては、例えばスチレン、2−メチ
ルスチレン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレ
ン、2−エチルスチレン、3−エチルスチレン、4−エ
チルスチレン、2−プロピルスチレン、3−プロピルス
チレン、4−プロピルスチレン、2−ブチルスチレン、
3−ブチルスチレン、4−ブチルスチレン、2−n−ヘ
キシルスチレン、3−n−ヘキシルスチレン、4−n−
ヘキシルスチレン、α−メチルスチレン、α−エチルス
チレン、α−プロピルスチレン、α−ブチルスチレン、
β−メチルスチレン、β−エチルスチレン、β−プロピ
ルスチレン、β−ブチルスチレン、3−クロロスチレ
ン、4−クロロスチレン等のスチレンまたはその誘導
体;ビニルエーテル、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル
酸エステル、無水マレイン酸、各種有機酸のビニルエス
テル等の他のエチレン性不飽和単量体等を挙げることが
できる。
えば塩素、臭素、ヨウ素等により、ハロゲン化して使用
することもできる。
脂のうち好ましい樹脂は、4−ヒドロキシスチレン、α
−メチル−3−ヒドロキシスチレンまたはα−メチル−
4−ヒドロキシスチレンの単独重合体、4−ヒドロキシ
スチレン、α−メチル−3−ヒドロキシスチレンおよび
/またはα−メチル−4−ヒドロキシスチレンと4−ク
ロロスチレンとの共重合体等である。
脂は、通常のアニオン重合、カチオン重合、ラジカル重
合等により製造することができる。また、(2)フェノ
ール性スチレン系樹脂は、そのフェノール性水酸基を適
当な保護基で保護したヒドロキシスチレン類を重合した
のち、前記保護基をフェノール性水酸基に変換すること
により製造することもできる。この場合の保護基として
は、フェノール性水酸基の水素原子をアルキル基、カル
ボニル基、シリル基、アシル基、スルホニル基等、より
具体的にはt−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、
トリメチルシリル基、ジメチルシリル基、エチルジメチ
ルシリル基、アセチル基、p−トルエンスルホニル基
等、で置換した基を挙げることができ、また、「Pro
tective Groups in Organic
Synthesis」(JohnWiley and
Sons,Inc.)(1981)に記載されている
保護基を使用することもできる。
は、好ましくは3,000〜100,000、さらに好
ましくは4,000〜70,000、特に好ましくは
5,000〜50,000である。
ェノール水酸基含有樹脂に代えて、あるいは該樹脂とと
もに、そのフェノール性水酸基の一部を光活性基で置換
した樹脂を少なくとも1種以上使用することができる。
この光活性基としては、従来の湿式現像に用いられてい
るるポジ型レジストに使用されているようなキノンジア
ジド基を有する基が好ましい(英国特許第711,62
6号明細書参照)。
アジド基を有する基で置換した樹脂(以下、「キノンジ
アジド化樹脂」という。)は、フェノール性水酸基含有
樹脂を、例えば1,2−キノンジアジドスルホニルハラ
イドにより、適当な反応溶媒中、塩基性縮合触媒を使用
してエステル化することによって製造することができ
る。前記1,2−キノンジアジドスルホニルハライドと
しては、例えば1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド
−6−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホニルブロミド、1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−スルホニルブロミド、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−6−スルホニルブロミド等の1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホニルハライド;および1,2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニルクロリド、
1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スルホニルクロリ
ド、1,2−ベンゾキノンジアジド−6−スルホニルク
ロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニ
ルブロミド、1,2−ベンゾキノンジアジド−5−スル
ホニルブロミド、1,2−ベンゾキノンジアジド−6−
スルホニルブロミド等の1,2−ベンゾキノンジアジド
スルホニルブロミドを挙げることができる。これらのう
ち、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルク
ロリドおよび1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホニルクロリドが好ましい。これらの1,2−キノンジ
アジドスルホニルハライドは、単独でまたは2種以上を
混合して使用することができる。
ノンジアジドスルホニルハライドによるエステル化率
は、通常、エステル化前のフェノール性水酸基含有樹脂
中のフェノール性水酸基の70モル%以下であり、好ま
しくは50モル%以下である。前記エステル化率が70
モル%を超えると、キノンジアジド化樹脂の溶剤への溶
解性が低下して、レジスト溶液を調製することが困難と
なる場合がある。
例えばアセトン、ジオキサン、乳酸エチル、酢酸エチ
ル、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコー
ルモノメチルエーテルアセテート、メチルセロソルブア
セテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロ
ソルブアセテート、アセトニトリル、メチルエチルケト
ン、ジイソブチルケトン、メチルイソブチルケトン等を
挙げることができる。これらの反応溶媒は、フェノール
性水酸基含有樹脂と1,2−キノンジアジドスルホニル
ハライドとの合計100重量部当たり、通常100〜1
0,000重量部、好ましくは200〜3,000重量
部使用される。前記エステル化反応に際しては、副生す
る化合物を溶解させるために、必要に応じて水を添加す
ることもできる。水の添加量は、反応溶媒100重量部
当たり、1〜10重量部程度である。
炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム
等のアルカリ金属塩、トリエチルアミン、トリエタノー
ルアミン、トリブチルアミン、モノエタノールアミン、
ピリジン等のアミン、水酸化アンモニウム、トリメチル
アンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩基、アン
モニア等を挙げることができる。これらの縮合触媒の使
用量は、1,2−キノンジアジドスルホニルハライド1
モル当たり、0.1〜10モルが好ましく、0.5〜
2.0モルがさらに好ましい。
0°C、さらに好ましくは10〜40°Cの温度で、好
ましくは15分〜10時間、さらに好ましくは30分〜
5時間程度行なわれる。
成分としては、キノンジアジド化樹脂が特に好ましいも
のである。
ェノール性水酸基含有樹脂のみを使用する場合、即ちキ
ノンジアジド化樹脂を使用しない場合は、後述するキノ
ンジアジド基を有する化合物(以下、「キノンジアジド
化合物」という。)を含有する。但し、キノンジアジド
化樹脂を使用する場合は、キノンジアジド化合物を含有
しても含有しなくてもよい。
ジド化樹脂を使用しない場合は必須成分であるキノンジ
アジド化合物としては、例えば湿式現像に用いられるポ
ジ型レジストに使用されている化合物を挙げることがで
きる。
ると、レゾルシノール−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、2,4−ジヒドロキシフェ
ニル−n−ヘキシルケトン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒド
ロキシフェニル−n−ヘキシルケトン−1,2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,4,6−ト
リヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス(p−ヒド
ロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(p−ヒド
ロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、3,5−ジヒドロキシ
安息香酸ラウリル−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、ビス(2,5−ジヒドロキシベ
ンゾイル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、p−ビス(2,5−ジヒドロキ
シベンゾイル)ベンゼン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル等を挙げることができる。
これらのキノンジアジド化合物は、単独でまたは2種以
上を混合して使用することができる。
は、通常、(イ)フェノール性水酸基含有樹脂中の全フ
ェノール性水酸基1モル当たり、キノンジアジド基が2
〜30モル%となるようにされる。好ましいキノンジア
ジド基の含有率は、全フェノール性水酸基1モル当た
り、4〜20モル%である。
種増感剤を配合することにより、感度をより一層改善す
ることができる。このような増感剤としては、例えばシ
リル化促進剤、光酸発生剤等を挙げることができる。
N−メチロールサッカリン、N−(4′−ニトロベンゼ
ンスルホニル)−4−ニトロアニリン、N−(3′−ニ
トロベンゼンスルホニル)−4−シアノアニリン、1−
(1′,2′−ナフトジノンジアジド−5′−スルホニ
ル)−1,2,4−トリアゾール、1−(1′,2′−
ナフトジノンジアジド−5′−スルホニル)ピラゾー
ル、N−(4′−ニトロベンゼンスルホニル)イミダゾ
ール、N−(4′−メチルベンゼンスルホニル)イミダ
ゾール、N−(ナフタレン−2−スルホニル)イミダゾ
ール等が挙げられる。これらのシリル化促進剤は、単独
でまたは2種以上を混合して使用することができる。
水酸基含有樹脂および/またはキノンジアジド化樹脂1
00重量部当たり、通常0.001〜50重量部であ
り、好ましくは0.01〜30重量部、さらに好ましく
は0.1〜20重量部である。
線、遠紫外線、X線、電子線等の放射線の照射により、
例えば、リン酸、ヨウ素酸、硝酸、ジアゾ酸、ハロゲン
化水素酸等の無機酸、またはスルホン酸、ニトロベンジ
ルスルホン酸、シアノベンジルスルホン酸、ニトロベン
ジルカルボン酸、シアノベンジルカルボン酸、ニトロベ
ンジルリン酸、シアノベンジルリン酸、ニトロベンジル
硝酸、シアノベンジル硝酸等の有機酸を発生する化合物
である。
ルホニウム塩、ホスホニウム塩、ヨドニウム塩、ジアゾ
ニウム塩等のオニウム塩;ニトロベンジルハライド;ハ
ロゲン化炭化水素;ニトロベンジルスルホン酸フェニ
ル、ニトロベンジルスルホン酸ナフトル等のニトロベン
ジルスルホン酸エステル;シアノベンジルスルホン酸フ
ェニル、シアノベンジルスルホン酸ナフトル等のシアノ
ベンジルスルホン酸エステル;ニトロベンジルカルボン
酸フェニル、ニトロベンジルカルボン酸ナフトル等のニ
トロベンジルカルボン酸エステル;シアノベンジルカル
ボン酸フェニル、シアノベンジルカルボン酸ナフトル等
のシアノベンジルカルボン酸エステル;ニトロベンジル
リン酸フェニル、ニトロベンジルリン酸ナフトル等のニ
トロベンジルリン酸エステル;シアノベンジルリン酸フ
ェニル、シアノベンジルリン酸ナフトル等のシアノベン
ジルリン酸エステル;ニトロベンジル硝酸フェニル、ニ
トロベンジル硝酸ナフトル等のニトロベンジル硝酸エス
テル;シアノベンジル硝酸フェニル、シアノベンジル硝
酸ナフトル等のシアノベンジル硝酸エステル等を挙げる
ことができる。これらの光酸発生剤は、単独でまたは2
種以上を混合して使用することができる。
基含有樹脂および/またはキノンジアジド化樹脂100
重量部当たり、通常0.001〜50重量部であり、好
ましくは0.01〜30重量部、さらに好ましくは0.
1〜20重量部である。
物には、必要に応じて、他の各種添加剤を配合すること
ができる。このような添加剤としては、例えば界面活性
剤を挙げることができる。界面活性剤は、組成物の塗布
性、ストリエーション、乾燥塗膜形成後の露光部の現像
性等を改良する作用を示す。このような界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフ
ェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエ
チレングリコールジステアレート、KP341(信越化
学工業製)等のオルガノシロキサンポリマー、ポリフロ
ーNo.75,No.95(共栄社油脂化学工業製)等
の(メタ)アクリル酸系(共)重合体、エフトップEF
301,EF303,EF352(以上、新秋田化成
製)、メガファックF171,F172,F173(以
上、大日本インキ製)、フロラードFC430,FC4
31(以上、住友スリーエム製)、アサヒガードAG7
10,サーフロンSー382,SCー101、SCー1
02,SCー103,SCー104,SCー105,S
Cー106(以上、旭硝子製)等のフッ素系界面活性剤
を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量
は、フェノール性水酸基含有樹脂および/またはキノン
ジアジ化樹脂100重量部当たり、好ましくは2重量部
以下、さらに好ましくは0.005〜1重量部である。
潜像を可視化させたり、露光時のハレーションの影響を
少なくする作用を示す染顔料、紫外線吸収剤等が挙げら
れる。好ましい染顔料は、例えばネオペンゲルブ075
(バスフ製)、ネオザボンゲルブ073(同)、ソルベ
ントイエロー162、SOTイエロー3(保土谷化学工
業製)、マクロレックスイエロー(バイエル製)、ハイ
ドロキシアゾベンゼン、カヤライトB(日本化薬製)、
ヒドロキシメチルカルコン、オキサロイロキシカルコン
等である。
(2′−ヒドロキシ−5′−メチルフェニル)−ベンゾ
トリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−5′−t−ブ
チルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒ
ドロキシ−3′,5′−ジ−t−ブチルフェニル)−5
−クロロベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ
−3′−t−ブチル−5′−メチルフェニル)−5−ク
ロロベンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−
3′,5′−ジ−t−アミルフェニル)−5−ベンゾト
リアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−3′,5′−ジ
−t−ブチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−
(2′−ヒドロキシ−5′−t−ブチルフェニル)−ベ
ンゾトリアゾール、2−(2′−ヒドロキシ−5′−t
−オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾール等である。
物には、場合により、接着助剤、保存安定剤、消泡剤等
を配合することもできる。
ーンを形成するに際しては、レジスト組成物を固形分濃
度が通常5〜50重量%となるように溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターで濾過する
ことによって、溶液として調製される。
は、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコー
ルジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピル
エーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プ
ロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ート、ブチルセロソルブアセテート、トルエン、キシレ
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、アセトニルアセト
ン、アセトフェノン、イソホロン、ベンジルエチルエー
テル、1,2−ジブトキシエタン、ジヘキシルエーテ
ル、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、1−デカノール、ベンジルアルコール、酢
酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、2−エチルヘ
キシルアセテート、酢酸ベンジル、安息香酸ベンジル、
シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、マロン酸ジエチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチ
ル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプ
ロピオン酸エチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジ
エチル、マレイン酸ジブチル、フタル酸ジメチル、フタ
ル酸ジブチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、γ−ブ
チロラクトン、ジメチルイミダゾリジノン等を挙げるこ
とができる。これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を
混合して使用される。
は、前記のようにして調製された溶液を、回転塗布、流
延塗布、ロール塗布等の手段によって、例えばシリコン
ウエハー、アルミニウムが被覆されたウエハー等の基板
上に塗布する。次いで、溶剤を除去するため、例えば7
0〜130°Cの温度に予備加熱する。その後、パター
ンを形成するため、基板上のレジスト層にマスクを介し
て選択された部分のみに放射線で露光する。使用される
放射線には特に制限はなく、例えば可視光線、紫外線、
KrFエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放
射線等のX線、電子線等の荷電粒子線などを使用するこ
とができる。また、放射線量等の照射条件は、レジスト
組成物の配合組成、各添加剤の種類等に応じて、適宜選
定される。
は、シリル化前焼成され、次いで、シリル化剤および/
またはゲルミル化剤によりシリル化処理される。このシ
リル化処理によって、露光部は選択的にシリル化剤およ
び/またはゲルミル化剤を吸収して反応するが、未露光
部は、その形成された架橋構造のため、シリル化剤およ
び/またはゲルミル化剤をほとんど吸収することができ
ず、反応が強く抑制されるため、ドライエッチングに対
するネガ型潜像が形成されることになる。
処理温度は、レジスト組成物の組成(例えば樹脂の種類
と分子量、添加剤の種類と使用量等)、シリル化剤およ
び/またはゲルミル化剤の種類、レジストパターンの所
要の特性等を考慮し、かつシリル化前焼成およびシリル
化処理の処理時間に対応して、これらの処理温度におけ
る樹脂の溶融粘度ηと処理時間τとの関係が、前記特定
の要件を満たすように適切に選定される。シリル化前焼
成の処理温度は、通常80°C以上であり、好ましくは
100〜250°C、さらに好ましくは120〜200
°Cであり、またシリル化の処理温度は、通常80°C
以上、好ましくは100〜250°C、さらに好ましく
は120〜200°Cである。
処理の処理時間も、レジスト組成物の成分と組成、シリ
ル化剤あるいはゲルミル化剤の種類、レジストパターン
の所要の特性等によって変わるが、実用的には、通常数
秒〜60分程度であり、シリル化前焼成およびシリル化
処理の好ましい処理時間は、それぞれ10秒〜10分程
度である。
シリル化処理の処理温度におけるレジスト組成物の溶融
粘度ηと処理時間τとの比η/τの合計Σ(η/τ)
は、
トパターンの屈曲部分における線幅の設計寸法との差が
大きくなり、また1010より大きいと、レジスト組成物
の基板への塗布性が低下し、均一膜厚に塗布することが
困難となる。
であり、一般に溶融温度とともに小さくなる。図1に、
下記の代表的なレジスト組成物a〜eの溶融粘度ηと温
度との関係を示す。理解を容易にするために、1回の高
温処理工程のみを行なう場合を考えると、例えば、
(イ)レジスト組成物bを使用する際には、高温処理温
度を120°Cとすると、ηが約6×105 ポイズであ
るから、高温処理時間τ(秒)は、 6×10-5<τ<6×102 の関係を満足するように制御されなけらばならず、また
(ロ)レジスト組成物dを使用する際には、高温処理温
度を180°Cとすると、ηが約106 ポイズであるか
ら、処理時間τ(秒)は、 10-4<τ<103 の関係を満足するように制御されなければならない。レジスト組成物 a: m−クレゾールおよびp−クレゾールとホルムア
ルデヒドとの重縮合生成物(Mw=3,000)を1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリドで
エステル化したエステル化ノボラック樹脂に、シリル化
促進剤として1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸を配合したレジスト組成物。 b: 6−ジアゾ−5,6−ジヒドロ−5−オキソ−1
−ナフタレンスルホニルクロリドおよびp−t−ブチル
フェノールとホルムアルデヒドとの重縮合生成物(Mw
=14,000)を1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホニルクロリドでエステル化したエステル化ノボ
ラック樹脂に、シリル化促進剤としてN−メチロールサ
ッカリンを配合したレジスト組成物。 c: 3−ヒドロキシ−4−メチルスチレンと4−n−
ヘキシルスチレンとの共重合体(Mw=8,000)を
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリ
ドでエステル化したエステル化共重合体に、シリル化促
進剤としてN−イミダゾールを配合したレジスト組成
物。 d: ポリ(3−ヒドロキシスチレン)(Mw=14,
000)を1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニルクロリドでエステル化したエステル化重合体に、シ
リル化促進剤としてN−メチロールサッカリンを配合し
たレジスト組成物。 e: ポリ(3−ヒドロキシスチレン)(Mw=30,
000)を1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ニルクロリドでエステル化したエステル化樹脂に、シリ
ル化促進剤としてN−メチロールサッカリンを配合した
レジスト組成物。
は、シリル化前焼成およびシリル化処理の2工程で行な
われるから、シリル化前焼成におけるηとτとを相互に
関連づけ、またシリル化処理におけるηとτとを相互に
関連づけるとともに、シリル化前焼成における (η/
τ)psb とシリル化処理における (η/τ)sb とを相互
に適切に調節して、(η/τ)psb と (η/τ)sb との
和が前記特定の要件を満たすよう、適切に制御されなけ
ればならない。
ては、例えばテトラクロロシラン、トリメチリクロロシ
ラン、ジメチルジクロロシラン、メチルトリクロロシラ
ン、トリメチルブロモシラン、トリメチルヨードシラ
ン、トリフェニルクロロシラン、ヘキサメチルジシラザ
ン、1,1,3,3−テトラメチルジシラザン、ヘプタ
メチルジシラザン、ヘキサフェニルジシラザン、1,3
−ビス(クロロメチル)−1,1,3,3−テトラメチ
ルジシラザン、N−トリメチルシリルイミダゾール、N
−トリメチルシリルアセトアミド、N−トリメチルシリ
ルジメチルアミン、N−トリメチルシリルジエチルアミ
ン、ヘキサメチルシランジアミン、N,O−ビス(トリ
エチルシリル)アセトイミド、N,N′−ビス(トリメ
チルシリル)尿素、N,N′−ジフェニル−N−(トリ
メチルシリル)尿素等を挙げることができる。
(トリメチルゲルミル)アミン、ビス(ジメチルゲルミ
ル)アミン、ビス(トリエチルゲルミル)アミン、ビス
(ジエチルゲルミル)アミン、トリメチルクロロゲルマ
ン、トリエチルクロロゲルマン、ジメチルジクロロゲル
マン、メチルトリクロロゲルマン、テトラクロロゲルマ
ン、N−(ジメチルフェニルゲルミル)ジメチルアミ
ン、N−(トリメチルゲルミル)ジメチルアミン、N−
(トリメチルゲルミル)ジエチルアミン、N−(ジエチ
ルフェニルゲルミル)ジメチルアミン、N−(トリメチ
ルゲルミル)イミダゾール、N−(トリメチルゲルミ
ル)アセトアミド、トリメチルシアノゲルマン、ジメチ
ルシアノゲルマン、トリエチルシアノゲルマン、ジエチ
ルシアノゲルマン等を挙げることができる。
ト層は、例えば異方性酸素プラズマ等を用いてエッチン
グすることによりドライ現像して、所望のネガ型パター
ンを形成させる。
さらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例
に限定されるものではない。ここで、各レジストパター
ンの線幅および各樹脂のMwは、次のようにして測定し
た。
DS−130Fを用いて測定した。
PC)法により測定した。測定条件は、次の通りであ
る。 装置 :東ソー(株)製高速GPC装置HLC−8
02A、 検出器 :RI、 カラム :東ソー(株)製TSK−GEL,G400
0H8,G3000H8,G2000H8×2本、 溶出溶媒 :テトラヒドロフラン(THF)、 流速 :1.2ミリリットル/分、 カラム温度:40℃ 試料濃度 :0.02g/10ミリリットル(THF
中)。
式フローテスターCFT−500を用い、下記式により
測定した。 η=πD4 P/128LQ〔ポイズ〕 (ただし、P:試験圧力、D:ダイ穴直径、L:ダイ長
さ、Q:フローレート) なお、フローレートQは、次式で与えられる。 Q=A(S2 −S1 )/10Δt〔cm3 /秒〕 (ただし、A:ピストンの断面積、S1:ピストンの計測
開始位置(mm)、S2:ピストンの計測終了位置(m
m)、Δt:ピストンがS1 からS2 まで通過する時間
(秒))
クレゾール303g、p−クレゾール130g、37重
量%ホルムアルデヒド水溶液276gおよび蓚酸2水和
物0.756gを仕込んだ。次いで、攪拌下でフラスコ
を油浴中に浸して、液温を100℃に保持しつつ2時間
反応させた。反応後、水500gを加え、攪拌して2分
間放置し、上層(水、未反応クレゾール、ホルムアルデ
ヒドおよび蓚酸)を除去する処理を3回繰返した。その
後、油浴温度を180℃に上げて2時間攪拌したのち、
フラスコ内を減圧して、残留する水、未反応クレゾー
ル、ホルムアルデヒドおよび蓚酸を除去した。次いで、
溶融しているノボラック樹脂を室温まで下げ、固化した
樹脂を回収した。このノボラック樹脂のMwは1,60
0であった。
ノンジアジド−4−スルホニルクロリド36.4gおよ
び水77.6gをプロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート(以下、「PGMA」という。)140
0gに溶解したのち、トリエチルアミンの8重量%PG
MA溶液188.6gを加え、攪拌しつつ90分間反応
させた。その後、1規定塩酸14.92ミリリットルを
加えて20分間攪拌した。次いで、PGMA飽和水溶液
1リットルを加え、攪拌後放置して、水層と有機層とに
分離し、水層を破棄する水洗処理を行ったのち、さらに
同様の水洗処理を2回行って、反応溶液中に残存するト
リエチルアミンとその塩酸塩および塩酸を除去した。次
いで、減圧下でPGMAおよび水を反応溶液から除去し
て、部分的に1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル化した樹脂(以下、「キノンジアジド化
ノボラック樹脂」という。)128gを得た。
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。得られたレジスト溶液を、回転数4000rpm
のスピンコートで膜厚1.5μmとなるように濃度を調
節したのち、シリコンウエハーにスピンコートした。次
いで、90℃で1分間露光前焼成を行ったのち、図2に
示す設計寸法0.5μmのテストパターンを含むマスク
を用いて露光した。次いで、UCB−JSRエレクトロ
ニクス社製PLASMASTER−Si装置を用い、表
1に示す条件下でシリル化前焼成およびシリル化処理を
行った。その後、MRC社製Aries−C装置を用
い、酸素流量50SCCM、RFパワー1.7Kwおよ
び圧力0.4Paの条件下で、酸素プラズマによるドラ
イ現像を行った。
2のa、bおよびc)を、走査型電子顕微鏡を用いて評
価した。ここで、線幅の評価は、10枚のシリコンウエ
ハーの平均として行った。評価結果を表2に示す。
成およびシリル化処理の条件を表1に示すように変更し
た以外は実施例1と同様にして、スピンコート、露光前
焼成、露光、シリル化前焼成、シリル化処理、ドライ現
像およびテストパターンの線幅の評価を行った。評価結
果を表2に示す。
ロニトリル19gおよび1,4−ジオキサン100gを
フラスコに仕込み、窒素ガスで十分にバブリングして溶
存酸素を除去したのち、60℃で6時間、攪拌下で反応
させた。その後、ビーカーに入れたメタノール400g
中に前記反応液を攪拌下で滴下した。滴下終了後、放置
して、ポリ(4−t−ブトキシスチレン)を沈澱させ
た。次いで、上澄み液を廃棄して、ポリ(4−t−ブト
キシスチレン)を回収し、乾燥した。このポリ(4−t
−ブトキシスチレン)60gをジオキサン120gに溶
解したのち、攪拌下しつつ110℃に加温し、2規定塩
酸60gを滴下して、3時間加水分解を行った。次い
で、反応液を水5リットル中に攪拌下で滴下し、滴下終
了後、放置して、ポリ(4−ヒドロキシスチレン)を沈
澱させた。沈澱したポリ(4−ヒドロキシスチレン)を
濾別回収したのち、水洗し、次いで、100℃で24時
間乾燥して、ポリ(4−ヒドロキシスチレン)(Mw=
13,000)30gを得た。
チレン)の製造 前記で得たポリ(4−ヒドロキシスチレン)20g、
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリ
ド9.9gおよび水22gをPGMA1400gに溶解
したのち、トリエチルアミンの8重量%PGMA溶液5
1.4gを加え、攪拌下で90分間反応させた。その
後、1規定塩酸4ミリリットルを加えて10分間攪拌し
た。次いで、水300gを加えて攪拌後、放置して、水
層と有機層とに分離し、水層を破棄する水洗処理を行っ
たのち、さらに同様の水洗処理を2回行って、反応溶液
中に残存するトリエチルアミンとその塩酸塩および塩酸
を除去した。次いで、減圧下でPGMAおよび水を反応
溶液から除去して、部分的に1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホン酸エステル化したポリ(4−ヒドロ
キシスチレン)(以下、「キノンジアジド化ポリ(4−
ヒドロキシスチレン)」という。)28gを得た。
メンブレンフィルターで濾過して、レジスト溶液を調製
した。得られたレジスト溶液を用いて、シリル化前焼成
およびシリル化処理の条件を表1に示すように変更した
以外は実施例1と同様にして、スピンコート、露光前焼
成、露光、シリル化前焼成、シリル化処理およびドライ
現像を行って、テストパターンを形成させた。
実施例1と同様にして、評価した。評価結果を表2に示
す。 比較例2〜3 実施例2で調製したレジスト溶液を用い、シリル化前焼
成およびシリル化処理の条件を表1に示すように変更し
た以外は実施例2と同様にして、スピンコート、露光前
焼成、露光、シリル化前焼成、シリル化処理、ドライ現
像およびテストパターンの線幅の評価を行った。評価結
果を表2に示す。
は、レジストパターンの線幅の設計寸法からの変動が著
しく抑制される。これに対して、Σ(η/τ)<103
である場合は、特にレジストパターンの屈曲部分におけ
る線幅(図2のb)および形状(図2のc)が設計寸法
および設計形状から大きく変動する。しかも、レジスト
組成物のドライ現像においては、Σ(η/τ)≧103
であることは、レジストパターンの線幅の制御の観点か
ら、極めて臨界的な意義をもつものである。また、Σ
(η/τ)>1010の場合は、レジスト組成物の塗布性
が低下し、均一膜厚のレジスト膜を形成することが困難
となる。
像におけるレジストパターンの線幅の変動を著しく抑制
することができので、高解像度のレジストパターンを得
ることができ、かつ工程が簡便なドライ現像法の利点を
最大限に活用することが可能となる。したがって、本発
明は、今後さらに高集積化が進行するとみられる高集積
回路製造プロセスにおける工程管理システムとして、生
産性向上、品質保証等の面で多大の寄与をなすことがで
きる。
す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 レジスト組成物を露光後、1工程以上の
高温処理を行なうドライ現像工程において、前記各高温
処理工程の処理温度におけるレジスト組成物の溶融粘度
η(単位:ポイズ)とその処理時間τ(単位:秒)との
比η/τの和Σ(η/τ)が、次の関係式を満たすこと
を特徴とする工程制御方法。 【数1】
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27682092A JP3127415B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | レジスト組成物のドライ現像における工程制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27682092A JP3127415B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | レジスト組成物のドライ現像における工程制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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