JPH0597567A - 単結晶の製造装置 - Google Patents
単結晶の製造装置Info
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- JPH0597567A JPH0597567A JP25915491A JP25915491A JPH0597567A JP H0597567 A JPH0597567 A JP H0597567A JP 25915491 A JP25915491 A JP 25915491A JP 25915491 A JP25915491 A JP 25915491A JP H0597567 A JPH0597567 A JP H0597567A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＶＢ法若しくはＶＧＦ法で単結晶を製造する
装置の改良において、固液界面の形状制御が容易であ
り、融液に対して凸状態の下で結晶を成長させることの
できる単結晶の製造装置を提供しようとするものであ
る。 【構成】 原料融液を収容する縦型容器と、温度勾配炉
とを有し、下方より原料融液を冷却固化して単結晶を製
造する装置において、固液界面の上方に攪拌ジグを配置
し、該攪拌ジグの回転中心に１本の熱電対を設け、該攪
拌ジグとるつぼ内壁との間に１本以上の熱電対を配置し
たことを特徴とする単結晶の製造装置である。
装置の改良において、固液界面の形状制御が容易であ
り、融液に対して凸状態の下で結晶を成長させることの
できる単結晶の製造装置を提供しようとするものであ
る。 【構成】 原料融液を収容する縦型容器と、温度勾配炉
とを有し、下方より原料融液を冷却固化して単結晶を製
造する装置において、固液界面の上方に攪拌ジグを配置
し、該攪拌ジグの回転中心に１本の熱電対を設け、該攪
拌ジグとるつぼ内壁との間に１本以上の熱電対を配置し
たことを特徴とする単結晶の製造装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主にＧａＡｓ，Ｇａ
Ｐ，ＧａＳｂ．ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂなどのIII-
Ｖ族化合物半導体単結晶、ＣｄＴｅ，Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔ
ｅ，ＺｎＳｅなどのII-VI 族化合物半導体単結晶を垂直
ブリッジマン法（ＶＢ法）若しくは垂直徐冷法（ＶＧＦ
法）で製造する装置に関する。
Ｐ，ＧａＳｂ．ＩｎＡｓ，ＩｎＰ，ＩｎＳｂなどのIII-
Ｖ族化合物半導体単結晶、ＣｄＴｅ，Ｈｇ1-x Ｃｄx Ｔ
ｅ，ＺｎＳｅなどのII-VI 族化合物半導体単結晶を垂直
ブリッジマン法（ＶＢ法）若しくは垂直徐冷法（ＶＧＦ
法）で製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、ＶＧＦ法の従来装置の断面図で
ある。チャンバー２５の保護筒２６内に上下に１０個分
割されたヒータ１〜１０により温度勾配が形成される。
この温度勾配炉の中央には石英管２９が置かれ、その下
方に接続されたリザーバー１９には固体の高解離圧元素
２０が収容され、石英管２９内には原料融液を収容する
るつぼ１１が置かれ、るつぼ１１の下端には種結晶１２
が置かれ、石英管２９の上方開口は蓋３０で密閉され
る。ヒータ１〜１０に通電して原料を完全に溶融した
後、炉内に所定の温度勾配を形成し、るつぼは降下させ
ずに同じ高さで回転させ、ヒータの出力を制御して種結
晶側から温度を徐々に降下させることにより、種結晶１
２の上端から上方に向けて原料融液を冷却固化し、単結
晶２１を育成する。その間、石英管２９内には固体の高
解離圧元素２０が気化して、所定の蒸気圧が形成される
ため、原料融液２８からの高解離圧元素の抜けを防止す
ることができる。
ある。チャンバー２５の保護筒２６内に上下に１０個分
割されたヒータ１〜１０により温度勾配が形成される。
この温度勾配炉の中央には石英管２９が置かれ、その下
方に接続されたリザーバー１９には固体の高解離圧元素
２０が収容され、石英管２９内には原料融液を収容する
るつぼ１１が置かれ、るつぼ１１の下端には種結晶１２
が置かれ、石英管２９の上方開口は蓋３０で密閉され
る。ヒータ１〜１０に通電して原料を完全に溶融した
後、炉内に所定の温度勾配を形成し、るつぼは降下させ
ずに同じ高さで回転させ、ヒータの出力を制御して種結
晶側から温度を徐々に降下させることにより、種結晶１
２の上端から上方に向けて原料融液を冷却固化し、単結
晶２１を育成する。その間、石英管２９内には固体の高
解離圧元素２０が気化して、所定の蒸気圧が形成される
ため、原料融液２８からの高解離圧元素の抜けを防止す
ることができる。
【０００３】ＶＢ法は、上記ＶＧＦ法に対し、炉内に形
成された温度勾配を固定したまま、るつぼを徐々に降下
させることにより、るつぼの下端より冷却固化して単結
晶を得るものであり、ＶＧＦ装置に対し、るつぼの降下
手段を設けた点で相違するが、るつぼ、るつぼを封入す
る容器、ヒータ等炉の構造はほぼ同じである。
成された温度勾配を固定したまま、るつぼを徐々に降下
させることにより、るつぼの下端より冷却固化して単結
晶を得るものであり、ＶＧＦ装置に対し、るつぼの降下
手段を設けた点で相違するが、るつぼ、るつぼを封入す
る容器、ヒータ等炉の構造はほぼ同じである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これらの結晶成長方法
は、成長軸方向の温度勾配を小さくすることにより、低
転位密度の結晶を成長させることができるが、低温度勾
配の下における成長は、双晶やリネージなどの結晶欠陥
が発生し易くなる。これらの欠陥は、固液界面の形状が
融液に対して凸状態にすることによりその発生を抑制で
きるので、固液界面の形状制御が非常に重要になる。そ
れ故、原料融液の固液界面直上に多数の熱電対を挿入し
て、半径方向の温度分布を測定し、固液界面の形状が融
液に対して凸状態になるように、ヒータの出力を調整し
たり、融液内にヒータを配置することが先に提案され
た。
は、成長軸方向の温度勾配を小さくすることにより、低
転位密度の結晶を成長させることができるが、低温度勾
配の下における成長は、双晶やリネージなどの結晶欠陥
が発生し易くなる。これらの欠陥は、固液界面の形状が
融液に対して凸状態にすることによりその発生を抑制で
きるので、固液界面の形状制御が非常に重要になる。そ
れ故、原料融液の固液界面直上に多数の熱電対を挿入し
て、半径方向の温度分布を測定し、固液界面の形状が融
液に対して凸状態になるように、ヒータの出力を調整し
たり、融液内にヒータを配置することが先に提案され
た。
【０００５】しかし、従来の温度勾配炉のヒータは、成
長軸方向に分割して配置されているため、成長軸方向の
温度勾配を制御することは比較的容易であるが、半径方
向の温度勾配を制御するための適当な手段がないため、
双晶やリネージなどの結晶欠陥の発生を有効に防ぐこと
ができなかった。そこで、本発明は、ＶＢ法若しくはＶ
ＧＦ法で単結晶を製造する装置の改良において、上記の
欠点を解消し、固液界面の形状制御が容易であり、融液
に対して凸状態の下で結晶を成長させることができる単
結晶の製造装置を提供しようとするものである。
長軸方向に分割して配置されているため、成長軸方向の
温度勾配を制御することは比較的容易であるが、半径方
向の温度勾配を制御するための適当な手段がないため、
双晶やリネージなどの結晶欠陥の発生を有効に防ぐこと
ができなかった。そこで、本発明は、ＶＢ法若しくはＶ
ＧＦ法で単結晶を製造する装置の改良において、上記の
欠点を解消し、固液界面の形状制御が容易であり、融液
に対して凸状態の下で結晶を成長させることができる単
結晶の製造装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、原料融液を収
容する縦型容器と、温度勾配炉とを有し、下方より原料
融液を冷却固化して単結晶を製造する装置において、固
液界面の上方に攪拌ジグを配置し、該攪拌ジグの回転中
心に１本の熱電対を設け、該攪拌ジグとるつぼ内壁との
間に１本以上の熱電対を配置したことを特徴とする単結
晶の製造装置である。
容する縦型容器と、温度勾配炉とを有し、下方より原料
融液を冷却固化して単結晶を製造する装置において、固
液界面の上方に攪拌ジグを配置し、該攪拌ジグの回転中
心に１本の熱電対を設け、該攪拌ジグとるつぼ内壁との
間に１本以上の熱電対を配置したことを特徴とする単結
晶の製造装置である。
【０００７】
【作用】図１は、本発明の１具体例である単結晶製造装
置の概念図であり、ＶＧＦ法を実施する装置である。チ
ャンバー２５の保護筒２６内に温度勾配を形成するため
のヒータ１〜１０を配置し、他方、気密容器１３の底部
のリザーバー１９に固形の高解離圧元素単体２０を置
き、中央にるつぼ１１を配置し、るつぼ１１の先端には
種結晶１２を、その上に原料融液２８を収容し、原料融
液２８内には攪拌ジグ１４を配置し、該攪拌ジグ１４の
支持軸の中心に保護管１５を通して先端に熱電対１７を
配置し、るつぼ１１の壁近くに熱電対１８の保護管１６
を配置し、かつ、気密容器１３の開口を蓋２２で密閉す
る。なお、蓋２２には、攪拌ジグ１４の支持軸及び熱電
対１８の保護管１６を貫通する孔があり、その周囲に液
体封止剤用の液溜を設けて貫通孔をシールする。また、
攪拌ジグ１４の支持軸の後端にも液溜を設けて液体封止
剤を収容し、軸と保護管１５の間をシールする。このよ
うにして、熱電対１７，１８は攪拌ジグから独立して上
下させることができ、所望の高さにおける原料融液の半
径方向の温度分布を測定することができる。また、上記
のようにシールされた気密容器１３は、ヒータ１の出力
を制御して、リザーバー１９内の固形高解離圧元素単体
２０を気化させ、高解離圧元素の蒸気圧を確保できるの
で、原料融液２８の解離が防止される。
置の概念図であり、ＶＧＦ法を実施する装置である。チ
ャンバー２５の保護筒２６内に温度勾配を形成するため
のヒータ１〜１０を配置し、他方、気密容器１３の底部
のリザーバー１９に固形の高解離圧元素単体２０を置
き、中央にるつぼ１１を配置し、るつぼ１１の先端には
種結晶１２を、その上に原料融液２８を収容し、原料融
液２８内には攪拌ジグ１４を配置し、該攪拌ジグ１４の
支持軸の中心に保護管１５を通して先端に熱電対１７を
配置し、るつぼ１１の壁近くに熱電対１８の保護管１６
を配置し、かつ、気密容器１３の開口を蓋２２で密閉す
る。なお、蓋２２には、攪拌ジグ１４の支持軸及び熱電
対１８の保護管１６を貫通する孔があり、その周囲に液
体封止剤用の液溜を設けて貫通孔をシールする。また、
攪拌ジグ１４の支持軸の後端にも液溜を設けて液体封止
剤を収容し、軸と保護管１５の間をシールする。このよ
うにして、熱電対１７，１８は攪拌ジグから独立して上
下させることができ、所望の高さにおける原料融液の半
径方向の温度分布を測定することができる。また、上記
のようにシールされた気密容器１３は、ヒータ１の出力
を制御して、リザーバー１９内の固形高解離圧元素単体
２０を気化させ、高解離圧元素の蒸気圧を確保できるの
で、原料融液２８の解離が防止される。
【０００８】図２は、本発明の別の具体例である単結晶
製造装置の概念図であり、ＶＧＦ法を実施する装置であ
る。この装置は、図１の装置に対し、気密容器を省略す
る代わりに原料融液２８の上に液体封止剤２４を収容し
て原料融液２８の解離を防止するものであり、その他の
装置構成は図１と同じである。なお、ＶＢ法の装置は図
面に示していないが、上記図１又は２の装置にるつぼ昇
降機構を設けたものであり、その他の構成はＶＧＦ装置
とほぼ同じである。
製造装置の概念図であり、ＶＧＦ法を実施する装置であ
る。この装置は、図１の装置に対し、気密容器を省略す
る代わりに原料融液２８の上に液体封止剤２４を収容し
て原料融液２８の解離を防止するものであり、その他の
装置構成は図１と同じである。なお、ＶＢ法の装置は図
面に示していないが、上記図１又は２の装置にるつぼ昇
降機構を設けたものであり、その他の構成はＶＧＦ装置
とほぼ同じである。
【０００９】図３は攪拌ジグの正面図であり、図４は図
３の攪拌ジグの平面図である。この攪拌ジグは、支持軸
の下端に６枚のプロペラ状の攪拌翼を有している。図５
は別の攪拌ジグの正面図であり、図６は図５の攪拌ジグ
の平面図である。この攪拌ジグは、支持軸の下端に攪拌
用の円盤を有している。
３の攪拌ジグの平面図である。この攪拌ジグは、支持軸
の下端に６枚のプロペラ状の攪拌翼を有している。図５
は別の攪拌ジグの正面図であり、図６は図５の攪拌ジグ
の平面図である。この攪拌ジグは、支持軸の下端に攪拌
用の円盤を有している。
【００１０】本発明のるつぼは、ＰＢＮ（パイロリティ
ックボロンナイトライド）製のものを使用するが、石英
製のものも使用することができる。また、気密容器は、
ＰＢＮ、ＰＧ（パイロリティックグラファイト）、ガラ
ス化カーボン、ＰＢＮコーティングカーボン、ＰＧコー
ティングカーボン、ガラス化カーボンコーティングカー
ボン、ステンレス、モリブデンなどの部材で作ることが
できる。さらに、攪拌ジグは、石英、ＰＢＮ、ＰＧ、ガ
ラス化カーボン、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ及
びそれらをカーボンにコーティングしたもの、また、ス
テンレス、モリブデンなどの金属で作ることができる。
ックボロンナイトライド）製のものを使用するが、石英
製のものも使用することができる。また、気密容器は、
ＰＢＮ、ＰＧ（パイロリティックグラファイト）、ガラ
ス化カーボン、ＰＢＮコーティングカーボン、ＰＧコー
ティングカーボン、ガラス化カーボンコーティングカー
ボン、ステンレス、モリブデンなどの部材で作ることが
できる。さらに、攪拌ジグは、石英、ＰＢＮ、ＰＧ、ガ
ラス化カーボン、ＢＮ、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＡｌＮ及
びそれらをカーボンにコーティングしたもの、また、ス
テンレス、モリブデンなどの金属で作ることができる。
【００１１】
（実施例１）図１の装置を使用してＶＧＦ法により直径
３インチのノンドープＧａＡｓ単結晶を製造した。るつ
ぼは上部内径が８５ｍｍ、下部内径が８０ｍｍのＰＢＮ
製のものを使用し、下部を逆円錐形とし、下端に種結晶
を取り付けた。そして、るつぼにはＧａＡｓ多結晶原料
７ｋｇを投入した。ＰＢＮをコーティングしたカーボン
製の気密容器のリザーバーには固体のひ素５０ｇを投入
し、その上方に上記るつぼをセットした。そして、図
３，４に示したプロペラ状のＰＢＮ製攪拌ジグ、該ジグ
の軸心に設けた熱電対及びるつぼの内壁近くに配置する
熱電対を気密容器に挿入してから蓋をした。蓋の上部の
液溜にはＢ2 Ｏ3 を蓄え、チャンバーを密閉して準備を
完了した。
３インチのノンドープＧａＡｓ単結晶を製造した。るつ
ぼは上部内径が８５ｍｍ、下部内径が８０ｍｍのＰＢＮ
製のものを使用し、下部を逆円錐形とし、下端に種結晶
を取り付けた。そして、るつぼにはＧａＡｓ多結晶原料
７ｋｇを投入した。ＰＢＮをコーティングしたカーボン
製の気密容器のリザーバーには固体のひ素５０ｇを投入
し、その上方に上記るつぼをセットした。そして、図
３，４に示したプロペラ状のＰＢＮ製攪拌ジグ、該ジグ
の軸心に設けた熱電対及びるつぼの内壁近くに配置する
熱電対を気密容器に挿入してから蓋をした。蓋の上部の
液溜にはＢ2 Ｏ3 を蓄え、チャンバーを密閉して準備を
完了した。
【００１２】結晶成長は、まず、チャンバー内を真空に
引き、気密容器の蓋の周囲のヒータを加熱して蓋の液溜
に収容した液体封止剤Ｂ2 Ｏ3 を軟化溶融して気密容器
を完全に密閉した後、リザーバーの周囲のヒータを加熱
してＡｓを気化し、Ａｓ分圧を約１ａｔｍに調整した。
そして、その他のヒータも加熱してるつぼ内の原料を融
解し、チャンバー内にはＡｒガスを満たして気密容器内
の圧力とバランスさせた。原料を融解した後、攪拌ジグ
と熱電対を成長界面まで降下させ、成長界面における軸
方向の温度勾配を２〜３℃／ｃｍに維持しながら徐々に
温度を降下させ、長さ約２５０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を
成長させた。結晶成長の間、熱電対の位置を成長界面上
約１ｃｍの位置になるように成長界面の移動に併せて上
昇させた。また、攪拌ジグの軸に設けた熱電対の温度が
その周囲に設けた熱電対の温度より約０．５℃低くなる
ように、攪拌ジグの回転数を図８のように調節した。具
体的には、結晶の長さが５０ｍｍまで成長した後、攪拌
ジグの回転を開始し、その回転数を徐々に上げ、結晶の
長さが２５０ｍｍにまで成長した時点で回転数を２０ｒ
ｐｍに調節することにより、成長界面の温度分布を上記
のように調整することができた。この調整により結晶の
全長にわたって成長界面の形状を緩やかな凸に制御する
ことができた。その結果、フロントからバックまで転位
密度が２×１０3 ｃｍ-2以下の低転位密度のＧａＡｓ単
結晶を安定して得ることができた。成長界面における半
径方向の温度分布の制御性が向上した結果、双晶、リネ
ージなどの欠陥が著しく減少した。
引き、気密容器の蓋の周囲のヒータを加熱して蓋の液溜
に収容した液体封止剤Ｂ2 Ｏ3 を軟化溶融して気密容器
を完全に密閉した後、リザーバーの周囲のヒータを加熱
してＡｓを気化し、Ａｓ分圧を約１ａｔｍに調整した。
そして、その他のヒータも加熱してるつぼ内の原料を融
解し、チャンバー内にはＡｒガスを満たして気密容器内
の圧力とバランスさせた。原料を融解した後、攪拌ジグ
と熱電対を成長界面まで降下させ、成長界面における軸
方向の温度勾配を２〜３℃／ｃｍに維持しながら徐々に
温度を降下させ、長さ約２５０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を
成長させた。結晶成長の間、熱電対の位置を成長界面上
約１ｃｍの位置になるように成長界面の移動に併せて上
昇させた。また、攪拌ジグの軸に設けた熱電対の温度が
その周囲に設けた熱電対の温度より約０．５℃低くなる
ように、攪拌ジグの回転数を図８のように調節した。具
体的には、結晶の長さが５０ｍｍまで成長した後、攪拌
ジグの回転を開始し、その回転数を徐々に上げ、結晶の
長さが２５０ｍｍにまで成長した時点で回転数を２０ｒ
ｐｍに調節することにより、成長界面の温度分布を上記
のように調整することができた。この調整により結晶の
全長にわたって成長界面の形状を緩やかな凸に制御する
ことができた。その結果、フロントからバックまで転位
密度が２×１０3 ｃｍ-2以下の低転位密度のＧａＡｓ単
結晶を安定して得ることができた。成長界面における半
径方向の温度分布の制御性が向上した結果、双晶、リネ
ージなどの欠陥が著しく減少した。
【００１３】（実施例２）図２の装置で液体封止剤を使
用し、ＶＧＦ法により直径３インチのノンドープＧａＡ
ｓ単結晶を製造した。るつぼは上部内径が８５ｍｍ、下
部内径が８０ｍｍのＰＢＮ製のものを使用し、下部を逆
円錐形とし、下端に種結晶を取り付けた。そして、るつ
ぼにはＧａＡｓ多結晶原料７ｋｇと液体封止剤Ｂ2 Ｏ3
３００ｇを投入した。図５，６に示した円盤状のＰＢＮ
製攪拌ジグ、該ジグの軸心に設けた熱電対及びるつぼの
内壁近くに配置する熱電対をるつぼの上部に用意し、チ
ャンバーを密閉して準備を完了した。
用し、ＶＧＦ法により直径３インチのノンドープＧａＡ
ｓ単結晶を製造した。るつぼは上部内径が８５ｍｍ、下
部内径が８０ｍｍのＰＢＮ製のものを使用し、下部を逆
円錐形とし、下端に種結晶を取り付けた。そして、るつ
ぼにはＧａＡｓ多結晶原料７ｋｇと液体封止剤Ｂ2 Ｏ3
３００ｇを投入した。図５，６に示した円盤状のＰＢＮ
製攪拌ジグ、該ジグの軸心に設けた熱電対及びるつぼの
内壁近くに配置する熱電対をるつぼの上部に用意し、チ
ャンバーを密閉して準備を完了した。
【００１４】結晶成長は、まず、チャンバー内を真空に
引いた後、チャンバー内にＡｒガスを導入し、ヒータを
加熱してるつぼ内の原料及び液体封止剤を融解した。結
晶成長時のチャンバー内のＡｒガス分圧を５ａｔｍに調
整した。原料を融解した後、攪拌ジグと熱電対を成長界
面まで降下させ、成長界面における軸方向の温度勾配を
２〜３℃／ｃｍに維持しながら徐々に温度を降下させ、
長さ約２５０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長させた。結晶
成長の間、熱電対の位置を成長界面上約１ｃｍの位置に
なるように成長界面の移動に併せて上昇させた。また、
攪拌ジグの軸に設けた熱電対の温度がその周囲に設けた
熱電対の温度より約０．５℃低くなるように、攪拌ジグ
の回転数を調節した。この調整により結晶の全長にわた
って成長界面の形状を緩やかな凸に制御することができ
た。その結果、フロントからバックまで転位密度が２×
１０3 ｃｍ-2以下の低転位密度のＧａＡｓ単結晶を安定
して得ることができた。成長界面における半径方向の温
度分布の制御性が向上した結果、双晶、リネージなどの
欠陥が著しく減少した。
引いた後、チャンバー内にＡｒガスを導入し、ヒータを
加熱してるつぼ内の原料及び液体封止剤を融解した。結
晶成長時のチャンバー内のＡｒガス分圧を５ａｔｍに調
整した。原料を融解した後、攪拌ジグと熱電対を成長界
面まで降下させ、成長界面における軸方向の温度勾配を
２〜３℃／ｃｍに維持しながら徐々に温度を降下させ、
長さ約２５０ｍｍのＧａＡｓ単結晶を成長させた。結晶
成長の間、熱電対の位置を成長界面上約１ｃｍの位置に
なるように成長界面の移動に併せて上昇させた。また、
攪拌ジグの軸に設けた熱電対の温度がその周囲に設けた
熱電対の温度より約０．５℃低くなるように、攪拌ジグ
の回転数を調節した。この調整により結晶の全長にわた
って成長界面の形状を緩やかな凸に制御することができ
た。その結果、フロントからバックまで転位密度が２×
１０3 ｃｍ-2以下の低転位密度のＧａＡｓ単結晶を安定
して得ることができた。成長界面における半径方向の温
度分布の制御性が向上した結果、双晶、リネージなどの
欠陥が著しく減少した。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、上記の構成を採用することに
より、原料融液の成長界面上に挿入した熱電対の温度を
目的の温度となるように攪拌ジグの回転数を調整して融
液対流を制御することが容易になり、成長界面の温度分
布の制御が正確になった結果、結晶の全長にわたって成
長界面の形状を緩やかに下に凸に維持することが可能に
なり、双晶、リネージの発生を大幅に抑制することがで
きるようになった。その結果、生産性と歩留りが著しく
向上し、結晶全体にわたって低転位密度の結晶を安定し
て得ることができ、品質の向上にも著しい効果があっ
た。
より、原料融液の成長界面上に挿入した熱電対の温度を
目的の温度となるように攪拌ジグの回転数を調整して融
液対流を制御することが容易になり、成長界面の温度分
布の制御が正確になった結果、結晶の全長にわたって成
長界面の形状を緩やかに下に凸に維持することが可能に
なり、双晶、リネージの発生を大幅に抑制することがで
きるようになった。その結果、生産性と歩留りが著しく
向上し、結晶全体にわたって低転位密度の結晶を安定し
て得ることができ、品質の向上にも著しい効果があっ
た。
【図１】本発明の１実施例である単結晶製造装置の概念
図である。
図である。
【図２】本発明の他の実施例である単結晶製造装置の概
念図である。
念図である。
【図３】本発明の装置に使用する攪拌ジグの正面断面図
である。
である。
【図４】図３の平面図である。
【図５】本発明の装置に使用する他の攪拌ジグの正面断
面図である。
面図である。
【図６】図５の平面図である。
【図７】従来の単結晶製造装置の概念図である。
【図８】攪拌ジグの回転数の制御の１例を示したグラフ
である。
である。
Claims (2)
- 【請求項１】 原料融液を収容する縦型容器と、温度勾
配炉とを有し、下方より原料融液を冷却固化して単結晶
を製造する装置において、固液界面の上方に攪拌ジグを
配置し、該攪拌ジグの回転中心に１本の熱電対を設け、
該攪拌ジグとるつぼ内壁との間に１本以上の熱電対を配
置したことを特徴とする単結晶の製造装置。 - 【請求項２】 上記縦型容器を気密容器に内蔵させ、該
気密容器の底に高解離圧成分元素単体を配置し、該気密
容器の蓋に液溜を設け、上記攪拌ジグの駆動軸及び熱電
対の保護管が上記気密容器の蓋を貫通する穴の周囲に液
溜を設け、該液溜に収容した液体封止剤により気密を保
持するようにしたことを特徴とする請求項１記載の単結
晶の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25915491A JP2690420B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 単結晶の製造装置 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25915491A JP2690420B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 単結晶の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597567A true JPH0597567A (ja) | 1993-04-20 |
| JP2690420B2 JP2690420B2 (ja) | 1997-12-10 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25915491A Expired - Fee Related JP2690420B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 単結晶の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2690420B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19580737C2 (de) * | 1994-06-02 | 2002-02-21 | Kobe Steel Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verbindungs-Einkristallen |
| CN107059132A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-18 | 磐石创新（北京）电子装备有限公司 | 一种碲锌镉单晶的新型单晶炉及生长工艺 |
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1991
- 1991-10-07 JP JP25915491A patent/JP2690420B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19580737C2 (de) * | 1994-06-02 | 2002-02-21 | Kobe Steel Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Verbindungs-Einkristallen |
| CN107059132A (zh) * | 2017-03-29 | 2017-08-18 | 磐石创新（北京）电子装备有限公司 | 一种碲锌镉单晶的新型单晶炉及生长工艺 |
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|---|---|
| JP2690420B2 (ja) | 1997-12-10 |
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