JPH059198U - ブラシレスモータ制御回路 - Google Patents

ブラシレスモータ制御回路

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JPH059198U
JPH059198U JP6219891U JP6219891U JPH059198U JP H059198 U JPH059198 U JP H059198U JP 6219891 U JP6219891 U JP 6219891U JP 6219891 U JP6219891 U JP 6219891U JP H059198 U JPH059198 U JP H059198U
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伸一 大井
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電界効果トランジスタへ瞬間的な過電流が流れ
るのを抑制して、この電界効果トランジスタの寿命を長
くすることができるブラシレスモータの制御回路を提供
する。 【構成】論理回路10a〜10bおよび第2群の電界効
果トランジスタQ2a〜Q2cに対応して複数のゲート
電圧制御回路40を付加した。このゲート電圧制御回路
40は、対応する論理回路の出力状態がデューテイ比設
定回路20からの速度制御パルスに応答して変化した時
に、対応する第2群の電界効果トランジスタのゲートに
電圧制御パルスを供給し、この電界効果トランジスタを
オンにする。各ゲート電圧制御回路は抵抗R2を有し、
この抵抗と第2群の電界効果トランジスタの寄生コンデ
ンサCとにより、上記電圧制御パルスの立ち上がりを遅
らせる遅延回路を構成している。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、ブラシレスモータを制御する回路に関し、特にこの制御回路に用い る電界効果トランジスタを保護するための改良に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の三相ブラシレスモータの制御回路は、例えば図5に示すように、互いに 並列をなす第1群の3つの電界効果トランジスタ(FET…以下、単にトランジ スタと称す)Q1a,Q1b,Q1cと、互いに並列をなす第2群の3つのトラ ンジスタQ2a,Q2b,Q2cとを備えている。トランジスタQ1a,Q2a は直列をなして電源VBに接続されている。同様にトランジスタQ1b,Q2b 同士およびトランジスタQ1c,Q2c同士も、それぞれ直列をなして電源VB に接続されている。上記トランジスタQ1a,Q2aの接続点には、ステータの コイルLaの一端が接続されている。同様に、トランジスタQ1b,Q2bの接 続点およびトランジスタQ1c,Q2cの接続点にもコイルLb,Lcの一端が それぞれ接続されている。コイルLa,Lb,Lcの他端同士は接続されている 。
【0003】 上記構成において、デューテイ比設定回路(図示しない)からは、所望するモ ータ回転速度に対応するデューテイ比の速度制御パルス群が、上記第2群のトラ ンジスタQ2a,Q2b,Q2cにぞれぞれ接続された3つのアンド回路(論理 回路)に供給される。ロジック回路(図示しない)からは、ロータ(図示しない )の回転に同期して、第1選択パルスが第1群のトランジスタQ1a,Q1b, Q1cのゲートに順次入力され、これらトランジスタが順次オンする。また、ロ ジック回路からは第1選択パルスに同期して第2選択パルスが3つのアンド回路 のうち選択された1つに供給される。これにより、第1選択パルスを受ける第1 群のトランジスタと直列接続関係にない第2群のトランジスタのゲートに速度制 御パルス群が供給され、このトランジスタが短周期でオン,オフを繰り返す。そ の結果、デューテイ比制御された電流が、3つのコイルLa,Lb,Lcのうち の選択された2つのコイルに、選択された方向で流れ、このコイルに生じる磁力 によりロータに回転力が付与される。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上記トランジスタQ1a〜Q1c,Q2a〜Q2cは、ドレインとソース間に 寄生ダイオードDを内在させており、この寄生ダイオードDが、コイルLa〜L cに生じる逆起電圧に起因して不都合をもたらしていた。この不都合を説明する ために、次のような状況を想定する。すなわち、第1選択パルスが第1群のトラ ンジスタQ1aのゲートに送られ、これによりこのトランジスタQ1aがオンし ており、これと同時期に、第2群のトランジスタQ2bに接続されたアンド回路 に第2選択パルスが送られ、これにより、このトランジスタQ2bが速度制御パ ルス群に応答して短周期でオン,オフを繰り返している状況を想定する。
【0005】 この状況において、トランジスタQ2bがオンしている時間では、図5の点線 で示すように電流が流れ、コイルLa,Lbに電流が流れる。次に、トランジス タQ2bがオフになった瞬間では、これらコイルLa,Lbに逆起電圧が生じる 。この逆起電圧は第1群のトランジスタQ1bの寄生ダイオードDにとっては順 方向の電圧となるので、寄生ダイオードDが導通状態となって寄生ダイオードD に図6の順方向電流が流れ、その結果、図5の一点鎖線で示す電流経路が形成さ れる。次に、この逆起電圧が消滅した時にトランジスタQ1bの寄生ダイオード Dには、この寄生ダイオードDにとって逆向きである電源VBの電圧が再び印加 される。この時、一般のダイオードと同様に、寄生ダイオードDには、図6に示 す過渡的な逆方向電流が流れ導通状態となる。
【0006】 上記のように寄生ダイオードDの過渡的な導通状態においてトランジスタQ2 bが再びオンすると、電源VBとグランドとの間には、トランジスタQ1bの導 通状態の寄生ダイオードDと、トランジスタQ2bのドレイン・ゲート間通路を 介してほぼ短絡状態の電流経路(図5において二点鎖線で示す)が形成される。 図6に示すように、トランジスタQ2bのゲート電圧が走行制御パルスの立ち上 がりに応答して急激に立ち上がり、トランジスタQ2bのドレイン・ソース間の 通路の抵抗が急激に減少するからである。その結果、瞬間的ではあるが、電源V B からトランジスタQ1b,Q2bに過大な電流が流れて発熱する。トランジス タはこの発熱により短寿命になるおそれがあった。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の要旨は、さらに次の構成を備えたことを 特徴とするブラシレスモータの制御回路にある。 上記論理回路および第2群の電界効果トランジスタに対応して設けられた複数 のゲート電圧制御回路。このゲート電圧制御回路は、対応する論理回路の出力状 態が各速度制御パルスに応答して変化した時に、対応する第2群の電界効果トラ ンジスタのゲートに電圧制御パルスを供給し、この電界効果トランジスタをオン にする。各ゲート電圧制御回路は抵抗を有し、この抵抗と第2群の電界効果トラ ンジスタの寄生コンデンサとにより、上記電圧制御パルスの立ち上がりを遅らせ る遅延回路が構成されている。
【0008】
【作用】
上記ゲート電圧制御回路の抵抗と第2群の電界効果トランジスタの寄生コンデ ンサとで形成された遅延回路により、走行制御パルス群に応答して第2群のトラ ンジスタのゲートに供給される電圧制御パルス群の各パルスの立ち上がりを遅ら せる。これにより、互いに直列接続された第1群の電界効果トランジスタの寄生 ダイオードと第2群の電界効果トランジスタのドレイン・ソース間通路を瞬間的 に流れる電流を抑えることができ、ひいてはこれら電界効果トランジスタの発熱 を抑えて長寿命にすることができる。
【0009】
【実施例】
以下、本考案を図面を参照して説明する。図1には、三相ブラシレスモータの 制御回路が示されている。この制御回路は、従来の制御回路と同様に、互いに並 列をなす第1群の3つの電界効果トランジスタQ1a,Q1b,Q1cと、互い に並列をなす第2群の3つの電界効果トランジスタQ2a,Q2b,Q2cとを 備えている。以下、これら電界効果トランジスタを単にトランジスタと称す。ト ランジスタQ1a,Q2a同士、トランジスタQ1b,Q2b同士およびトラン ジスタQ1c,Q2c同士は、それぞれ直列をなして電源VBに接続されている 。上記トランジスタQ1a,Q2aの接続点、トランジスタQ1b,Q2bの接 続点およびトランジスタQ1c,Q2cの接続点には、ブラシレスモータにおけ るステータのコイルLa,Lb,Lcの一端がそれぞれ接続されている。コイル La,Lb,Lcの他端同士は接続されている。
【0010】 制御回路はさらに、3つのアンド回路(論理回路)10a,10b,10cと デューテイ比設定回路20と三相全波ロジック回路30を備えている。アンド回 路10a,10b,10cは、2つの入力端子でともにハイレベルの信号を受け た時に、出力がハイインピーダンスになり、それ以外の時には出力がローレベル (グランド電圧)になるタイプのものである。
【0011】 上記デューテイ比設定回路20は、ポテンショメータからなる速度設定器21 からの設定速度を表す信号電圧に基づいてPWM制御を行う。すなわち、短周期 で出力される速度制御パルス群のパルス幅を設定し、ひいてはそのデューテイ比 を設定する。デューテイ比設定回路20の3つの出力ポートから上記3つのアン ド回路10a,10b,10cの一方の入力端子へは、上記デューテイ比の速度 制御パルス群が出力される。
【0012】 上記ロジック回路30は、上記第1群のトランジスタQ1a,Q1b,Q1c のゲートに接続された上側の3つの出力ポートと、上記アンド回路10a,10 b,10cの他方の入力端子に接続された下側の3つの出力ポートを備えている 。ロジック回路30は、ブラシレスモータのロータ1の周囲に配置された3つの ホール素子31からの信号に基づいて、ロータ1の回転角度を検出し、このロー タ1の回転と同期したハイレベルの第1選択パルスおよび第2選択パルスを、そ れぞれ上記出力ポートから出力する。
【0013】 アンド回路10a,10b,10cの出力端子は、それぞれ第2群のトランジ スタQ2a,Q2b,Q2cのゲートに抵抗R1を介して接続されている。これ らトランジスタQ2a,Q2b,Q2cのゲートと抵抗R1の接続点Pは、3つ の抵抗R2を介してそれぞれ電源VBに接続されている。ここでR1<R2である。 具体的には、R1は10〜15Ωであり、R2は500〜800Ωである。なお、 上記接続点Pと電源VBを結ぶ線は、後述する電圧制御パルスを出力するゲート 電圧制御回路40を実質的に構成している。
【0014】 図2に示すように、上記トランジスタQ1a,Q1b,Q1c,Q2a,Q2 b,Q2cは、その構成上、寄生ダイオードDと寄生コンデンサCを内在させて いる。すべてのトランジスタは、ドレインを電源VBに向けている。換言すれば 、すべてのトランジスタの寄生ダイオードDは、カソードを電源VBに向けてい る。寄生コンデンサCはゲート・ソース間に介在されているもののみ示す。
【0015】 上記構成において、ロジック回路30は、ロータ1の回転に同期して、第1選 択パルスを上側の3つの出力ポートから第1群のトランジスタQ1a,Q1b, Q1cのゲートに順次出力し、これらトランジスタを順次オンにする。また、ロ ジック回路30は、上記第1選択パルスに同期した第2選択パルスを、下側の3 つのポートのうち選択された1つからこれに対応するアンド回路(例えば10b )の他方の入力端子に供給する。選択されるべきアンド回路10bは、上記第1 選択パルスを受けている第1群のトランジスタ(例えばQ1a)とは直列関係に 無い第2群のトランジスタ(例えばQ2b)に対応する。
【0016】 その結果、選択された1つのアンド回路10bの出力は、上記走行制御パルス 群に応答して、ローレベルとハイインピーダンスを短周期で繰り返す。そして、 このアンド回路10bの出力状態の変化に応答して、電源VBの電圧が電圧制御 回路40を経て、第2群のトランジスタQ2bのゲートへ間欠的に供給される。 換言すれば、電圧制御回路40から短周期で電圧制御パルス群(このパルスのハ イレベルの時の電圧レベルは電源VBと等しく、ローレベルの時の電圧はほぼグ ランド電圧に等しい)がトランジスタQ2bのゲートに供給される。このように して、第1群の選択されたトランジスタQ1aがオンし、第2群の選択されたト ランジスタQ2bが短周期でオン,オフを繰り返すことにより、デューテイ制御 された電流が、2つの選択されたコイルLa,Lbに選択された方向に流れ、そ の時コイルLa,Lbに生じる磁力によりロータ1が回転される。
【0017】 上記のように、第1群のトランジスタQ1aがオンしており、第2群のトラン ジスタQ2bが非常に短い周期でオン,オフを繰り返している状況について詳述 する。まず、電圧制御パルスの供給を受けてトランジスタQ2bがオンした時に は、電源VBからの電流は、トランジスタQ1aのドレイン・ソース間の通路を 経て、コイルLa,Lbを流れ、トランジスタQ2bのドレイン・ソース間の通 路を流れる。
【0018】 次に、トランジスタQ2bがオフになった時には、コイルLa,Lbに逆起電 圧が生じ、この逆起電圧は、トランジスタQ2bと直列接続関係にあるトランジ スタQ1bの寄生ダイオードDに順方向に働くので、この寄生ダイオードDが導 通状態となり図3に示す順方向電流が流れる。その結果、コイルLa,Lbから の電流はトランジスタQ1bの寄生ダイオードDを流れ、さらにトランジスタQ 1aのドレイン・ソース間の通路を経てコイルLa,Lbへ戻る。
【0019】 そして、上記逆起電圧が消滅した時、トランジスタQ1bの寄生ダイオードD には、電源VBの電圧、すなわち逆方向の電圧が付与され、これにより寄生ダイ オードDは過渡的に導通状態となり図3に示すように逆方向電流が流れる。
【0020】 上記のように寄生ダイオードDが導通状態にあり逆方向電流が流れている時ま たはその直前に、再び電圧制御パルスが電圧制御回路40からトランジスタQ2 bのゲートに付与される。この際、抵抗R2とトランジスタQ2bの寄生コンデ ンサCにより遅延回路が構成されているから、電圧制御パルスすなわちゲート電 圧は、図3に示すように急激に立ち上がらず徐々に上昇する。その結果、トラン ジスタQ2bのドレイン・ソース間の抵抗は、急激に減少せず、ゲート電圧の立 ち上がり開始時点からある期間は比較的大きいまま維持される。したがって、上 記トランジスタQ1b,Q2bの直列回路はショート回路とならず、電源VBか ら過電流が流れるのを抑制でき、過電流が流れたとしてもその時間を短くするこ とができる。これにより、トランジスタQ1b,Q2bの発熱を低く抑えること ができる。上記ゲート電圧の立ち上がりの傾斜は、dV/dt≦1V/nsecとす るのが好ましい。
【0021】 なお、トランジスタQ2bがオフになる時の動作についても詳述する。アンド 回路10bの出力がローになると、トランジスタQ2bの寄生コンデンサCに蓄 えられた電荷が抵抗R1を経てアンド回路10bの出力端子へ逃げる。抵抗R1の 抵抗は小さいので、遅れは小さく、トランジスタQ2bのゲート電圧の立ち下げ を迅速に行うことができる。なお、この抵抗R1は、寄生コンデンサCの電荷が 一気にアンド回路10bの出力端子に流れ込むのを防止している。
【0022】 図4は本発明の他の実施例の要部を示す。図4において、図1,図2に対応す る構成部には同一番号を付してその説明を省略する。なお、この図4では、第1 群の3つのトランジスタのうち1つのトランジスタQ1b,第2群の3つのトラ ンジスタのうち1つのトランジスタQ2b,3つのアンド回路のうち1つのアン ド回路10bのみ示す。各アンド回路10bの出力端子と、これに対応するトラ ンジスタQ2bのゲートとの間には、抵抗R1,R2の並列回路51が介在されて いる。この並列回路51には、抵抗R1と直列をなし抵抗R2と並列をなすダイオ ード52も組み込まれている。このダイオード52はカソードをアンド回路10 bに向けている。この並列回路50と電源VBとの間には、バイポーラ型のトラ ンジスタ53が介在されている。このトランジスタ53のベースには、アンド回 路10bの出力端子が接続されている。さらに、トランジスタ53のコレクタ・ ベース間には抵抗54が介在され、エミッタベース間にはカソードがアンド回路 10bを向くダイオード55が介在されている。
【0023】 図4の構成において、アンド回路10bの出力がハイインピーダンスになった 時には、電源VBの電圧がトランジスタ53のベースに印加されて、このトラン ジスタ53がオンし、電源VBの電圧がトランジスタQ2bのゲートに印加され る。この際、抵抗R2と寄生コンデンサCによりゲート電圧の立ち上がりを遅ら せることができる。アンド回路10bの出力がローレベルとなった時には、トラ ンジスタ53がオフとなり、トランジスタQ2bのゲート電圧もローレベルとな る。この際、トランジスタQ2bの寄生コンデンサCの電荷は、抵抗値の小さい 抵抗R1を介してアンド回路10bの出力端子へ逃げるので、ゲート電圧は急激 に立ち下がる。この作用説明から明らかなように、上記並列回路51,トランジ スタ53等により、アンド回路10bの出力状態の変化に応答して電圧制御パル スを出力する電圧制御回路50が構成されている。
【0024】 本考案は上記実施例に制約されず、種々の態様が可能である。例えば、図4に おいて、トランジスタ53,抵抗54,ダイオード55を省き、並列回路51が 電源VBとは接続されず、アンド回路10bにのみ接続されるようにしてもよい 。ただし、この場合には、アンド回路10bは走行制御パルスに応答してハイレ ベルの電圧を出力する。また、第1選択パルスと第2選択パルスはロジック回路 の共通の出力ポートから出力される場合もある。
【0025】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案では、上記ゲート電圧制御回路の抵抗と第2群の 電界効果トランジスタの寄生コンデンサとで、第2群のトランジスタのゲート電 圧の立ち上がりを遅らせることにより、直列接続された第1群の電界効果トラン ジスタの寄生ダイオードと第2群の電界効果トランジスタのドレイン・ソース間 通路を瞬間的に流れる電流を抑えることができ、ひいてはこれら電界効果トラン ジスタの発熱を抑えて長寿命にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係わるブラシレスモータの制御回路を
示す回路図である。
【図2】同制御回路の要部を示す回路図である。
【図3】第1群の電界効果トランジスタのダイオードを
流れる電流と第2群の電界効果トランジスタのゲート電
圧を示す図である。
【図4】本考案の他の実施例を示す要部の回路図であ
る。
【図5】従来の制御回路を示す回路図である。
【図6】従来の制御回路における第3図相当図である。
【符号の説明】
1 ロータ 10a〜10c 論理回路(アンド回路) 20 デューテイ比設定回路 30 ロジック回路 40,50 ゲート電圧制御回路 VB 電源 Q1a〜Q1c 第1群の電界効果トランジスタ Q2a〜Q2c 第2群の電界効果トランジスタ La〜Lc コイル R2 抵抗 C 寄生コンデンサ

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 (a)互いに並列をなす第1群の複数の電界効果トラン
    ジスタ。 (b)互いに並列をなす第2群の複数の電界効果トラン
    ジスタ。この第2群の各電界効果トランジスタは第1群
    の対応する電界効果トランジスタと直列をなして電源に
    接続されている。これら直列接続された電界効果トラン
    ジスタの接続点間にブラシレスモータのコイルが介在さ
    れている。 (c)2つの入力端子を備え上記第2群の電界効果トラ
    ンジスタにそれぞれ対応して設けられた複数の論理回
    路。 (d)デューテイ比設定回路。このデューテイ比設定回
    路は、所望するモータ回転速度に対応するデューテイ比
    の速度制御パルス群を上記複数の論理回路に供給する。 (e)ロジック回路。このロジック回路は、ブラシレス
    モータのロータの回転に同期して、上記第1群の電界効
    果トランジスタを順次オンにするための第1選択パルス
    を出力する。またロジック回路は、第1選択パルスと同
    期した第2選択パルスを、複数の論理回路のうち選択さ
    れた論理回路に供給する。これにより、選択された論理
    回路の出力状態が上記速度制御パルス群に応答して変化
    する。選択されるべき論理回路は、上記第1選択パルス
    によりオンされる第1群の電界効果トランジスタと直列
    接続関係にない第2群の電界効果トランジスタに対応し
    ている。上記構成を備えたブラシレスモータ制御回路に
    おいて、さらに次の構成を備えたことを特徴とするブラ
    シレスモータ制御回路。 (f)上記論理回路および第2群の電界効果トランジス
    タに対応して設けられた複数のゲート電圧制御回路。こ
    のゲート電圧制御回路は、対応する論理回路の出力状態
    が各速度制御パルスに応答して変化した時に、対応する
    第2群の電界効果トランジスタのゲートに電圧制御パル
    スを供給し、この電界効果トランジスタをオンにする。
    各ゲート電圧制御回路は抵抗を有し、この抵抗と第2群
    の電界効果トランジスタの寄生コンデンサとにより、上
    記電圧制御パルスの立ち上がりを遅らせる遅延回路が構
    成されている。
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