JPS59167119A - 低損失高速トランジスタ - Google Patents
低損失高速トランジスタInfo
- Publication number
- JPS59167119A JPS59167119A JP58039208A JP3920883A JPS59167119A JP S59167119 A JPS59167119 A JP S59167119A JP 58039208 A JP58039208 A JP 58039208A JP 3920883 A JP3920883 A JP 3920883A JP S59167119 A JPS59167119 A JP S59167119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bipolar
- fet
- loss
- capacitor
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はパワースイッチング素子に係り、特に、インバ
ータ、チョッパー、パルスモータ、スイッチングレギュ
レータ用スイッチング素子として好適な、低損失、高速
トランジスタに関する。
ータ、チョッパー、パルスモータ、スイッチングレギュ
レータ用スイッチング素子として好適な、低損失、高速
トランジスタに関する。
従来のバイポーラトランジスタは電子やホールの移動度
が正の温度係数を持つ為、ある部分に、電流が集中する
とその部分の温度上外によってますます電流が流れ、さ
らに温度上昇させるというサイクルを繰り返えし、熱破
壊（２次降伏現象）する欠点≠２あった。またスイッチ
ング速度も低い為、ＯＮ’、ＯＦＦの過渡時に発生する
損失も大であった。
が正の温度係数を持つ為、ある部分に、電流が集中する
とその部分の温度上外によってますます電流が流れ、さ
らに温度上昇させるというサイクルを繰り返えし、熱破
壊（２次降伏現象）する欠点≠２あった。またスイッチ
ング速度も低い為、ＯＮ’、ＯＦＦの過渡時に発生する
損失も大であった。
一方ＦＥＴ（静電層点トランジスタ）は、前記のバイポ
ーラトランジスタの持つ欠点は無いが、定常状態のＯＮ
電圧が高く、損失が大で大電流を流す事ができなかった
。
ーラトランジスタの持つ欠点は無いが、定常状態のＯＮ
電圧が高く、損失が大で大電流を流す事ができなかった
。
本発明の目的は、スイッチング過渡時の損失を小さくし
、二次降伏現象を起こさずに大電流を流した場合も、大
きな損失を発生させない新素子を提供する事にある。
、二次降伏現象を起こさずに大電流を流した場合も、大
きな損失を発生させない新素子を提供する事にある。
本発明はバイポーラトランジスタには、定常的な大電流
を分担させ、電界効果トランジスタには、過渡的な電電
を分担させ、互の欠点をおぎないあう素子を若干の回路
追加で提供するものである。また、同一ウニバーｌこ、
この２種の素子を同居させ、前述の若干の回路もＩＣ化
した低損失高速トランジスタを提供するものである。
を分担させ、電界効果トランジスタには、過渡的な電電
を分担させ、互の欠点をおぎないあう素子を若干の回路
追加で提供するものである。また、同一ウニバーｌこ、
この２種の素子を同居させ、前述の若干の回路もＩＣ化
した低損失高速トランジスタを提供するものである。
以下、本発明の一実施例１筒１図〜第２図により説明す
る。ＦＥＴ４とバイポーラトランジスタ５を並列にしバ
イポーラトランジスタ５０ペースには、直列にツェナー
ダイオード６を入ｔ１．Ｆ ＫＴ４のしきい値電圧に合
致させる。一方、ＦＥＴ４のゲート、ソースＳ間にはコ
ンデンサ３を付け、直列に、Ｉ゛イオード１抵抗２の並
列回路を挿入り、ＯＦＦ側のみ動作を遅らせる。この抵
抗２とコンデンサ３は、バイポーラトランジスタ５のス
イッチング時間より長い時定数を取る様に決定する。
る。ＦＥＴ４とバイポーラトランジスタ５を並列にしバ
イポーラトランジスタ５０ペースには、直列にツェナー
ダイオード６を入ｔ１．Ｆ ＫＴ４のしきい値電圧に合
致させる。一方、ＦＥＴ４のゲート、ソースＳ間にはコ
ンデンサ３を付け、直列に、Ｉ゛イオード１抵抗２の並
列回路を挿入り、ＯＦＦ側のみ動作を遅らせる。この抵
抗２とコンデンサ３は、バイポーラトランジスタ５のス
イッチング時間より長い時定数を取る様に決定する。
本実施例によれば、定電時の損失はバイポーラトランジ
スタ５で発生しＦＥＴ４には電流は流れない。また、過
渡時の損失はＦＥＴ４が負担し、バイポーラトランジス
タ５は高電圧のＯＮ、ＯＦＦを行なわない為、全体から
みると二次降伏が無＜ＯＮ電圧の低いパイボーラトリン
ジスタトナッており、Ｌ負荷をスイッチングする素子と
しては、広い安全動作領域を持った、破壊しにぐい、極
めそ・ て有用性の高い新素子んある。
スタ５で発生しＦＥＴ４には電流は流れない。また、過
渡時の損失はＦＥＴ４が負担し、バイポーラトランジス
タ５は高電圧のＯＮ、ＯＦＦを行なわない為、全体から
みると二次降伏が無＜ＯＮ電圧の低いパイボーラトリン
ジスタトナッており、Ｌ負荷をスイッチングする素子と
しては、広い安全動作領域を持った、破壊しにぐい、極
めそ・ て有用性の高い新素子んある。
なお、本発明の半導体素子は、同一ウニバー上に搭載し
、見かけ上−個のトランジスタとして抜う半値；できる
。なお、ＦＩＢＴ４のゲート・ソース間のコンデンサ３
は、もともとＦＩＤＴ４の／ｒ’、−）。
、見かけ上−個のトランジスタとして抜う半値；できる
。なお、ＦＩＢＴ４のゲート・ソース間のコンデンサ３
は、もともとＦＩＤＴ４の／ｒ’、−）。
・ソース間に１００ＯＰＦ程度存在するものであるから
、ここの直列抵抗を制御すれば、わざわざコンデンサ３
を接続しなくとも、必要な時定数を充分得ることができ
るものである。
、ここの直列抵抗を制御すれば、わざわざコンデンサ３
を接続しなくとも、必要な時定数を充分得ることができ
るものである。
本発明によれば、バイポーラトランジスタでありな≠２
ら、広い安全動作領域を持ち、動作速度が速い為、イン
バータ、チョッパー、パルスモータ。
ら、広い安全動作領域を持ち、動作速度が速い為、イン
バータ、チョッパー、パルスモータ。
スイッチングレギュレータ等のＬ負荷ｔ−スイッチング
する際に、低損失で動作させる事ができ、装置全体の効
率を上昇させ、全体の大きさを小さくする事≠２できる
効果がある。
する際に、低損失で動作させる事ができ、装置全体の効
率を上昇させ、全体の大きさを小さくする事≠２できる
効果がある。
第１図は、本発明の新素子の等価回路、第２図は、本発
明の新素子でスイッチングさせたｋきの各部の波形であ
る。 １・・・ダイオード、 ２・・・抵抗、 ３・・・コンデンサ、 ４・・・電界効果トランジスタ、 ５・・・バイポーラトランジスタ、 ６・・・ツェナーダイオード。 第１図 第２図
明の新素子でスイッチングさせたｋきの各部の波形であ
る。 １・・・ダイオード、 ２・・・抵抗、 ３・・・コンデンサ、 ４・・・電界効果トランジスタ、 ５・・・バイポーラトランジスタ、 ６・・・ツェナーダイオード。 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ゲート、ソース間に接続されたコンデンサと、抵抗とダ
イオードを並列に接続したものをゲートと直列に持つ電
界効果トランジスタと、ペースと直列に挿入されたレベ
ルシフト用ツエナーダイオードヲ持つバイポーラトラン
ジスタよりなり、前記ｔＷ効果トランジスタのドレイン
、ソーｘ’に前記バイポーラトランジスタのコレクタ、
エミッタに各々接続し、前記ツェナーダイオードと、抵
抗。 〃゛イオード並列接続部を接続し、入力信号受端子とし
た事ｆ特徴とする低損失−高速トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039208A JPS59167119A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 低損失高速トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039208A JPS59167119A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 低損失高速トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167119A true JPS59167119A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12546713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039208A Pending JPS59167119A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 低損失高速トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0190931A2 (en) * | 1985-02-05 | 1986-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Monolithic bipolar MOS switching device |
| EP0314221A2 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor switch with parallel LDMOS and LIGT |
| US9419605B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Composite semiconductor switching device |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58039208A patent/JPS59167119A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0190931A2 (en) * | 1985-02-05 | 1986-08-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Monolithic bipolar MOS switching device |
| US4941030A (en) * | 1985-02-05 | 1990-07-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| EP0314221A2 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor switch with parallel LDMOS and LIGT |
| US9419605B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Composite semiconductor switching device |
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