JPS59100621A - 電子スイツチ - Google Patents
電子スイツチInfo
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- JPS59100621A JPS59100621A JP58205698A JP20569883A JPS59100621A JP S59100621 A JPS59100621 A JP S59100621A JP 58205698 A JP58205698 A JP 58205698A JP 20569883 A JP20569883 A JP 20569883A JP S59100621 A JPS59100621 A JP S59100621A
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- JP
- Japan
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- mosfet
- bipolar transistor
- electronic switch
- series
- control signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/107—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in composite switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08142—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Air Bags (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の関連する技術分野
本発明は、MO8FETCMO3電界効果トランジスタ
】とバイポーラトランジスタとを備え、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ・エミッタ区間とMOSFETのド
レイン・ソース区間とが直列に接続されている電子スイ
ッチに関する。
】とバイポーラトランジスタとを備え、バイポーラトラ
ンジスタのコレクタ・エミッタ区間とMOSFETのド
レイン・ソース区間とが直列に接続されている電子スイ
ッチに関する。
従来技術
MOSFET とバイポーラトランジスタとを備えた電
子スイッチは1例えば刊行物” Elektronik
”、2371981 、第93〜96頁に記載されて
いる。この回路は1例えば300v以上の高耐圧のMO
SFETが比較的高いオン抵抗R8nを有することを考
慮している。バイポーラトランジスタとMOSFET
との組合せは、僅かのオン抵抗を有する低耐圧のMO8
F’ET と、相応せる高耐圧のMOSFET よりも
低いオン抵抗を有する高耐圧バイポーラトランジスタと
を使用することを可能にする。上述の直列回路の欠点は
、バイポーラトランジスタの過制御を防止するために、
バイポーラトランジスタに対して特別な直流電圧源か、
または動的に変成器を介して充電されるコンデンサ(こ
のコンデンサの容量はスイッチのスイッチング周波数に
合わせて選定されなければならない)が必要であるとい
うところにある。
子スイッチは1例えば刊行物” Elektronik
”、2371981 、第93〜96頁に記載されて
いる。この回路は1例えば300v以上の高耐圧のMO
SFETが比較的高いオン抵抗R8nを有することを考
慮している。バイポーラトランジスタとMOSFET
との組合せは、僅かのオン抵抗を有する低耐圧のMO8
F’ET と、相応せる高耐圧のMOSFET よりも
低いオン抵抗を有する高耐圧バイポーラトランジスタと
を使用することを可能にする。上述の直列回路の欠点は
、バイポーラトランジスタの過制御を防止するために、
バイポーラトランジスタに対して特別な直流電圧源か、
または動的に変成器を介して充電されるコンデンサ(こ
のコンデンサの容量はスイッチのスイッチング周波数に
合わせて選定されなければならない)が必要であるとい
うところにある。
その動作がスイッチング周波数に依存せずかつバイポー
ラトランジスタのための特別な直流電圧源が必要でない
ように改善することにある。
ラトランジスタのための特別な直流電圧源が必要でない
ように改善することにある。
この目的は、本発明によれば、次のようにすることによ
って達成される。すなわち、 a)バイポーラトランジスタとMOSFET との直列
回路に別のMOSFET と閾値素子との直列回路が並
列接続され。
って達成される。すなわち、 a)バイポーラトランジスタとMOSFET との直列
回路に別のMOSFET と閾値素子との直列回路が並
列接続され。
b)その閾値素子はバイポーラトランジスタのベースと
このバイポーラトランジスタに接続されていないほうの
MO8FET端子との間にあり、 C)両MO8FETのゲートに制御信号が導かれる ようにする。
このバイポーラトランジスタに接続されていないほうの
MO8FET端子との間にあり、 C)両MO8FETのゲートに制御信号が導かれる ようにする。
発明の実施例
以下1図面を参照しながら、本発明を実施例に第1図に
よるスイッチは高耐圧のバイポーラトランジスタ1と比
較的耐圧の低いMOSFET2 との直列回路を有する
。この直列回路は負荷5を介して供給電圧■JBにつな
がっている。バイポーラトランジスタとMOSFET
とからなる上述の直列両路には、別のMO3F’FI:
Ta と閾値素子4とからなる直列回路が並列接続さ
れている。ツェナーダイオード、またはダイオード、ま
たは直列接続ダイオード群からなる閾値素子4は、バイ
ポーラトランジスタ1のベースとMOSFET2 の端
子のうちバイポーラトランジスタ1と接続されていない
ほうの端子(この場合にはソース端子)との間に接続さ
れている。別のλff03F’ET3 は供給電圧Un
に対して設計され、したがって高耐圧である。
よるスイッチは高耐圧のバイポーラトランジスタ1と比
較的耐圧の低いMOSFET2 との直列回路を有する
。この直列回路は負荷5を介して供給電圧■JBにつな
がっている。バイポーラトランジスタとMOSFET
とからなる上述の直列両路には、別のMO3F’FI:
Ta と閾値素子4とからなる直列回路が並列接続さ
れている。ツェナーダイオード、またはダイオード、ま
たは直列接続ダイオード群からなる閾値素子4は、バイ
ポーラトランジスタ1のベースとMOSFET2 の端
子のうちバイポーラトランジスタ1と接続されていない
ほうの端子(この場合にはソース端子)との間に接続さ
れている。別のλff03F’ET3 は供給電圧Un
に対して設計され、したがって高耐圧である。
両MO8FET2.3のゲートは制御電圧u1が印加さ
れる入力端子に接続されている。
れる入力端子に接続されている。
動作説明のために、制御電圧が入力されておらず、した
がって電子スイッチは阻止状態にあるものとする。その
際、バイポーラトランジスタ1とMOSFET2 と
の直列回路の出力端には供給電圧UBに相当する電圧u
3が生じている。制御電圧U、の印加時にはMO8F’
EET2および3が導通卸卿される。この制御はMOS
FET における誘電損失を除いて無電力である。この
際、MOSFET3を通して電流i、が流れるのに対し
て、MOSFET2は最初は無電流のままである。なぜ
ならばバイポーラトランジスタ】がまだ阻止状態にある
からである。しかし、トランジスタ1のエミッタ電位が
零に向かう。それにより、電流i、の少なくとも一部が
ベース電流としてバイポーラトランジスタ1へ流入し、
このトランジスタ1をオンする。閾値素子4の閾値電圧
がバイポーラトランジスタ1のベース・エミッタ間抵抗
とMO8F’ET2 のドレイン・ソース間抵抗との
相よりも高い場合には、閾値素子4を通る電流は全くな
い。負荷電流は今やほとんど完全に電流12としてバイ
ポーラトランジスタ1およびMO8F’ET2 を通し
て流れる。
がって電子スイッチは阻止状態にあるものとする。その
際、バイポーラトランジスタ1とMOSFET2 と
の直列回路の出力端には供給電圧UBに相当する電圧u
3が生じている。制御電圧U、の印加時にはMO8F’
EET2および3が導通卸卿される。この制御はMOS
FET における誘電損失を除いて無電力である。この
際、MOSFET3を通して電流i、が流れるのに対し
て、MOSFET2は最初は無電流のままである。なぜ
ならばバイポーラトランジスタ】がまだ阻止状態にある
からである。しかし、トランジスタ1のエミッタ電位が
零に向かう。それにより、電流i、の少なくとも一部が
ベース電流としてバイポーラトランジスタ1へ流入し、
このトランジスタ1をオンする。閾値素子4の閾値電圧
がバイポーラトランジスタ1のベース・エミッタ間抵抗
とMO8F’ET2 のドレイン・ソース間抵抗との
相よりも高い場合には、閾値素子4を通る電流は全くな
い。負荷電流は今やほとんど完全に電流12としてバイ
ポーラトランジスタ1およびMO8F’ET2 を通し
て流れる。
MOSFET 3 を通してはバイポーラトランジスタ
】のための制御電流のみが流れる。この電流は一般に僅
かであるため、比較的高抵抗のMOSFET3における
損失は無視できるほど僅かである。電子スイッチは入力
電圧U、が零になったとき阻止状態となる。
】のための制御電流のみが流れる。この電流は一般に僅
かであるため、比較的高抵抗のMOSFET3における
損失は無視できるほど僅かである。電子スイッチは入力
電圧U、が零になったとき阻止状態となる。
実施例2
第1図に示した電子スイッチは、例えばモータ制御用変
換器において現われるようなフリーホイーリング動作を
有する誘導性負荷にも僅かの変形によって適用すること
ができる。かかるスイッチが第2図に示されている。こ
こでは負荷はインダクタンス要素6とフリーホイーリン
グダイオード7とからなる。かかる装置は例えば数十k
)(z の制御周波数で運転される。この場合に平均
負荷電流■が休止期間においてフリーホイーリングダイ
オード7を介して導かれる。電子スイッチが投入される
と、電子スイッチはダイオード7のクーンオフまで短絡
状態で動作し、極めて厳しい責務をスイッチ自身が第1
図によるものと相違するところは、主としてMO8FE
T2 に制御信号U、が遅延素子8を介して導かれる
ようになっている点である。この遅延素子8はMOSF
ET2 を導通状態に制御する極性の電圧に対して有効
である。これは遅延素子8を橋絡するダイオード9によ
って示されている。’VrO8FET 2の遮断時には
そのゲート・ソース間静電容量を速やかに放電させ、ト
ランジスタを速やかに阻止することができる。遅延素子
8は例えば抵抗からなる。
換器において現われるようなフリーホイーリング動作を
有する誘導性負荷にも僅かの変形によって適用すること
ができる。かかるスイッチが第2図に示されている。こ
こでは負荷はインダクタンス要素6とフリーホイーリン
グダイオード7とからなる。かかる装置は例えば数十k
)(z の制御周波数で運転される。この場合に平均
負荷電流■が休止期間においてフリーホイーリングダイ
オード7を介して導かれる。電子スイッチが投入される
と、電子スイッチはダイオード7のクーンオフまで短絡
状態で動作し、極めて厳しい責務をスイッチ自身が第1
図によるものと相違するところは、主としてMO8FE
T2 に制御信号U、が遅延素子8を介して導かれる
ようになっている点である。この遅延素子8はMOSF
ET2 を導通状態に制御する極性の電圧に対して有効
である。これは遅延素子8を橋絡するダイオード9によ
って示されている。’VrO8FET 2の遮断時には
そのゲート・ソース間静電容量を速やかに放電させ、ト
ランジスタを速やかに阻止することができる。遅延素子
8は例えば抵抗からなる。
制御電圧u1 の印加時には遅延素子8のためにまずM
OSFET3 が投入される。その際、電流はまず閾
値素子4を介してのみ流れる。この閾値素子は既に述べ
たようにツェナーダイオード、またはダイオード、また
は直列接続ダイオード群I4からなる。ダイオードの微
分抵抗によりMOSFET3に負帰濃作用がもたらされ
、これによって上述の短絡状態において発生する尖頭電
流が効果的に入され、バイポーラトランジスタ1のエミ
ッタ電位が低下する。それにより電流11が制御電流と
してトランジスタ1へ移り、このトランジスタ】を導通
させる。これにより負荷電流は大部分電流12としてト
ランジスタ1.2を通して流れる。
OSFET3 が投入される。その際、電流はまず閾
値素子4を介してのみ流れる。この閾値素子は既に述べ
たようにツェナーダイオード、またはダイオード、また
は直列接続ダイオード群I4からなる。ダイオードの微
分抵抗によりMOSFET3に負帰濃作用がもたらされ
、これによって上述の短絡状態において発生する尖頭電
流が効果的に入され、バイポーラトランジスタ1のエミ
ッタ電位が低下する。それにより電流11が制御電流と
してトランジスタ1へ移り、このトランジスタ】を導通
させる。これにより負荷電流は大部分電流12としてト
ランジスタ1.2を通して流れる。
バイポーラトランジスタ1が過負荷にならないことを保
証するためには遅延時間Tはダイオード7のターンオフ
時間よりも大きく選定することが望ましい。これにより
、トランジスタ1を通る言うに足る電流は電圧u3が既
に低下したときにはじめて流れ始める。この関係は第3
図に示されている。閾値素子として使用されるツェナー
ダイオードのツェナー電圧がトランジスタ1のベース・
エミッタ閾電圧とMOSFET2のソース・ドレイン間
電圧との和よりも大きくなると、電流iIの全部が制御
電流としてトランジスタ1へ流れる。1つ又は複数のダ
イオードを使用する場合には、これらのダイオードの閾
電圧は上述の電圧の和よりも大きくなければならない。
証するためには遅延時間Tはダイオード7のターンオフ
時間よりも大きく選定することが望ましい。これにより
、トランジスタ1を通る言うに足る電流は電圧u3が既
に低下したときにはじめて流れ始める。この関係は第3
図に示されている。閾値素子として使用されるツェナー
ダイオードのツェナー電圧がトランジスタ1のベース・
エミッタ閾電圧とMOSFET2のソース・ドレイン間
電圧との和よりも大きくなると、電流iIの全部が制御
電流としてトランジスタ1へ流れる。1つ又は複数のダ
イオードを使用する場合には、これらのダイオードの閾
電圧は上述の電圧の和よりも大きくなければならない。
0]1
ジ回路の場合に容易にフリーホイーリングダイ第2およ
び3が同時に阻止される。バイポーラトランジスタ1の
エミッタは無電流となり、電流12は蓄積電荷により今
やコレクタ・ベース区間を通って流れる。それにより出
力電圧U、の立−ヒがりの開始が遅らされる。しかし、
その立上がり自身は、ベース・コレフタルn接合の静電
容置が放電させられるだけですむことから速やかに経過
する。
び3が同時に阻止される。バイポーラトランジスタ1の
エミッタは無電流となり、電流12は蓄積電荷により今
やコレクタ・ベース区間を通って流れる。それにより出
力電圧U、の立−ヒがりの開始が遅らされる。しかし、
その立上がり自身は、ベース・コレフタルn接合の静電
容置が放電させられるだけですむことから速やかに経過
する。
1つのダイオードでは熱的過負荷に関係する上述の第2
のブレークオーバの場合が生じ得ないので。
のブレークオーバの場合が生じ得ないので。
バイポーラトランジスタ1は最大許容ベース・コレクタ
間阻止電圧に相当する阻止電圧を要求される。これは最
大許容エミッタ・コレクタ間阻止電圧よりも高い。
間阻止電圧に相当する阻止電圧を要求される。これは最
大許容エミッタ・コレクタ間阻止電圧よりも高い。
上述の回路はバイポーラトランジスタの制御のために付
加的な電圧源をなんら必要としないという利点を有する
。さらに、スイッチは閾値素子として1つまたは複数の
ダイオードを使用するときには逆電流を通さない。これ
により例えばブリツ02+ に接続されている。別のMOSFET3 と閾値素子
−ドを並列接続することができる。MOSFETは全く
逆電流を導かないために、公知の転流時におけるdv/
dtの問題がなくなる。
加的な電圧源をなんら必要としないという利点を有する
。さらに、スイッチは閾値素子として1つまたは複数の
ダイオードを使用するときには逆電流を通さない。これ
により例えばブリツ02+ に接続されている。別のMOSFET3 と閾値素子
−ドを並列接続することができる。MOSFETは全く
逆電流を導かないために、公知の転流時におけるdv/
dtの問題がなくなる。
第2図に関してはMOSFET2に制御電圧が遅延素子
8を介して導かれているが、適当に時間的なずれをもっ
た特別の発信源によっても制御することもできる。
8を介して導かれているが、適当に時間的なずれをもっ
た特別の発信源によっても制御することもできる。
実施例3
第1図および第2図の回路は、MOSFET2に直列に
接続されている単一のバイポーラトランジスタ1の代り
に、MOSFET2に2つ又は3つのバイポーラトラン
ジスタからなるダーリントン増幅器を直列に接続するこ
とによって変形することができる。2つのバイポーラト
ランジスタ1および10からなるダーリントントランジ
スタ増幅器を備えた回路が第4図に示されている。ここ
ではメインバイポーラトランジスタ1のエミッタ・コレ
クタ4とからなる直列回路がバイポーラトランジスタ1
とMO8F’ET 2 との直列回路に並列接続されて
いる。閾値素子4はダーリントン増幅器の前段トランジ
スタ1oのベースとMOSFET2のソースとの間にあ
る。
接続されている単一のバイポーラトランジスタ1の代り
に、MOSFET2に2つ又は3つのバイポーラトラン
ジスタからなるダーリントン増幅器を直列に接続するこ
とによって変形することができる。2つのバイポーラト
ランジスタ1および10からなるダーリントントランジ
スタ増幅器を備えた回路が第4図に示されている。ここ
ではメインバイポーラトランジスタ1のエミッタ・コレ
クタ4とからなる直列回路がバイポーラトランジスタ1
とMO8F’ET 2 との直列回路に並列接続されて
いる。閾値素子4はダーリントン増幅器の前段トランジ
スタ1oのベースとMOSFET2のソースとの間にあ
る。
第4図による装置においても、第2図による装置の場合
と同様に、MOSFET2を導通制御する極性の制御信
号のときに有効に働く遅延素子8を挿入することができ
る。
と同様に、MOSFET2を導通制御する極性の制御信
号のときに有効に働く遅延素子8を挿入することができ
る。
第1図は本発明の第1実施例を示す回路図。
第2図は本発明の第2実施例を示す回路図、第3図は第
2図についての回路動作説明図、第4図は本発明の$3
実施例を示す回路図である。 】・・・バイポーラトランジスタ、 2・・・第1の
MO8F’ET、 3 ・・・第2のMOSFET
、 4・・・閾値素子、 8・・・遅延素子、
14・・・直FIG 3 −121− IG4
2図についての回路動作説明図、第4図は本発明の$3
実施例を示す回路図である。 】・・・バイポーラトランジスタ、 2・・・第1の
MO8F’ET、 3 ・・・第2のMOSFET
、 4・・・閾値素子、 8・・・遅延素子、
14・・・直FIG 3 −121− IG4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ]) MO3F’ET (第1 C0MO8FET
)とバイポーラトランジスタとを備え、そのバイポ
ーラトランジスタのコレクタ・エミッタ区間と前記MO
8FETのドレイン・ソース区間とが直列に接続されて
いる電子スイッチにおいて。 a) 前記バイポーラトランジスタと第1のMOSFE
T との直列回路に、第2 (D MO3F’ETと閾
値素子との直列回路が並列接続されていること、 b) 前記閾値素子は前記バイポーラトランジスタのベ
ースと前記第1のMO3F’gT (D前記バイポーラ
トランジスタに接続されていないほうの端子との間に接
続されていること、 C) 両MO8FETのゲートに制御信号が導かを特徴
とする電子スイッチ。 2)閾値素子は1つのダイオード又は直列接続された複
数のダイオードからなることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電子スイッチ。 3)閾値素子はツェナーダイオーデあることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の電子スイッチ。 4】 第1のMOSFET には第2のMOS、F’E
T に導かれる制御信号が遅延素子を介して導かれ。 その遅延素子は第1のMOSFETを導通制御する極性
の制御信号の場合に動作することを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の電子スイ
ッチ。 5)遅延素子はダイオードを並列接続された抵抗である
ことを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の電子スイ
ッチ。 6)第1のMOSFETのゲートには別の制御信る特許
請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の電子
スイッチ。 ?)MOSFET (第1のMOSFET )と少
なくとも1つのバイポーラトランジスタとを備え。 そのバイポーラトランジスタのコレクタ・エミッタ区間
とMO8FIIET のドレイン・ソース区間とが直列
に接続されている電子スイッチにおいて、 a)li(1のMOSFETのトンイン・ソース区間に
ダーリントン増幅器の終段のバイポーラトランジスタの
コレクタ・エミッタ区間が直列に接続されていること、 b) その終段のバイポーラトランジスタと第1のMO
SFETとの直列回路に、第2のMOSFET と閾値
素子との直列回路が並列接続されていること、 C) その閾値素子はダーリントン増幅器の最前段のバ
イポーラトランジスタのベースと第1のMOSFETの
前記終段のバイポーラトランジスタと接続されていない
ほうの端子との間に接続されていること、 d) 両MO8FETのゲートに制御信号が導かれるよ
うになっていること を特徴とする電子スイッチ。 8)第1のMOSFETには第2のMO8FE’rに導
かれる制御信号が遅延素子を介して導かれ。 その遅延素子は第1のMOSFETを導通制御する極性
の制御信号の場合に動作することを特徴とする特許請求
の範囲第7項記載の電子スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19823240778 DE3240778A1 (de) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | Elektronischer schalter |
DE3240778.5 | 1982-11-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59100621A true JPS59100621A (ja) | 1984-06-09 |
JPH0325056B2 JPH0325056B2 (ja) | 1991-04-04 |
Family
ID=6177302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58205698A Granted JPS59100621A (ja) | 1982-11-04 | 1983-11-01 | 電子スイツチ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4760293A (ja) |
EP (1) | EP0108283B1 (ja) |
JP (1) | JPS59100621A (ja) |
AT (1) | ATE40620T1 (ja) |
DE (2) | DE3240778A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61200025A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-04 | Toyota Motor Corp | 自動車のチルト・スライド式サンル−フ |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5994861A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
US4586004A (en) * | 1983-06-27 | 1986-04-29 | Saber Technology Corp. | Logic and amplifier cells |
US4651035A (en) * | 1984-11-13 | 1987-03-17 | Fuji Electric Co., Ltd. | Compound diverse transistor switching circuit |
JPS61288617A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JPS61288616A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
EP0220791B1 (en) * | 1985-06-18 | 1989-06-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Switching device |
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