JPH0590209A - 配線パターンの構造および配線パターンの形成方法 - Google Patents
配線パターンの構造および配線パターンの形成方法Info
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- JPH0590209A JPH0590209A JP24916491A JP24916491A JPH0590209A JP H0590209 A JPH0590209 A JP H0590209A JP 24916491 A JP24916491 A JP 24916491A JP 24916491 A JP24916491 A JP 24916491A JP H0590209 A JPH0590209 A JP H0590209A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂２上に配線パターンの形成を行ない、安価
で、微細なピッチの配線が可能な配線パターンを提供す
る。 【構成】樹脂２中に金属粒子３を含有させ、これを覆う
ように樹脂４を形成し、配線を行ないたいところのみ樹
脂４を除去する。これを無電解メッキ浴に浸漬し、金属
粒子３を核として成長した金属膜５により、配線パター
ンを形成する。 【効果】半導体素子等の電極と容易に接続が可能とな
る。また、樹脂層が形成できるものであれば、凹凸や曲
面を有する表面上にも配線パターンを形成でき、さらに
金属粒子が樹脂中にアンカー効果を発揮し、金属膜と樹
脂との密着力を増し、柔軟性を有し折り曲げて使用する
ような基板上にも密着性のよい配線パターンを形成する
ことが可能となる。
で、微細なピッチの配線が可能な配線パターンを提供す
る。 【構成】樹脂２中に金属粒子３を含有させ、これを覆う
ように樹脂４を形成し、配線を行ないたいところのみ樹
脂４を除去する。これを無電解メッキ浴に浸漬し、金属
粒子３を核として成長した金属膜５により、配線パター
ンを形成する。 【効果】半導体素子等の電極と容易に接続が可能とな
る。また、樹脂層が形成できるものであれば、凹凸や曲
面を有する表面上にも配線パターンを形成でき、さらに
金属粒子が樹脂中にアンカー効果を発揮し、金属膜と樹
脂との密着力を増し、柔軟性を有し折り曲げて使用する
ような基板上にも密着性のよい配線パターンを形成する
ことが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板あるいは半導体素子
上に形成した配線パターンの構造に係わり、更に詳しく
は安価であり、かつ微細なピッチの接続に好適な配線パ
ターンの構造およびその形成方法に関する。
上に形成した配線パターンの構造に係わり、更に詳しく
は安価であり、かつ微細なピッチの接続に好適な配線パ
ターンの構造およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、ガラス基板上に配線パターンを
形成した従来例を示す断面図であり、１０１はガラス基
板、１０２は基板１０１上に形成された透明導電膜、１
０３は透明導電膜１０２上に形成された金属膜である。
また図７はガラスエポキシ基板上に銅箔により配線パタ
ーンを形成した従来例を示す断面図であり、１０４はガ
ラスエポキシ基板、１０５は接着剤、１０６はＣｕ箔で
ある。
形成した従来例を示す断面図であり、１０１はガラス基
板、１０２は基板１０１上に形成された透明導電膜、１
０３は透明導電膜１０２上に形成された金属膜である。
また図７はガラスエポキシ基板上に銅箔により配線パタ
ーンを形成した従来例を示す断面図であり、１０４はガ
ラスエポキシ基板、１０５は接着剤、１０６はＣｕ箔で
ある。
【０００３】図６に示したガラス基板上への配線パター
ンの形成方法は以下の通りである。まず、酸化インジュ
ウム等で形成される透明導電膜１０２を真空スパッタ装
置等を用いてガラス基板１０１の一面全体に０．１μｍ
程度成長させる。この透明導電膜１０２上にレジスト等
を用いて配線パターンを描画し、基板１０１をエッチン
グ液に浸しレジストの覆っていない部分の透明導電膜１
０２を溶解除去する。レジストをレジスト除去のエッチ
ング液で除去し、さらに必要に応じて透明導電膜１０２
上にＮｉ、Ａｕ等の金属膜１０３を無電解メッキ等の方
法０．１〜０．５μｍ程度形成する。
ンの形成方法は以下の通りである。まず、酸化インジュ
ウム等で形成される透明導電膜１０２を真空スパッタ装
置等を用いてガラス基板１０１の一面全体に０．１μｍ
程度成長させる。この透明導電膜１０２上にレジスト等
を用いて配線パターンを描画し、基板１０１をエッチン
グ液に浸しレジストの覆っていない部分の透明導電膜１
０２を溶解除去する。レジストをレジスト除去のエッチ
ング液で除去し、さらに必要に応じて透明導電膜１０２
上にＮｉ、Ａｕ等の金属膜１０３を無電解メッキ等の方
法０．１〜０．５μｍ程度形成する。
【０００４】図７に示したガラスエポキシ基板上への配
線パターンの形成方法は以下の通りである。まず、ガラ
スエポキシ基板１０４の片面全面に３５μｍ程度の厚み
を持つＣｕ箔１０６を接着剤１０５を用いて接着する。
次にＣｕ箔１０６上にレジスト等を用いて配線パターン
を描画し、Ｃｕのエッチング液にガラスエポキシ基板１
０４を浸漬しレジストの覆っていない部分のＣｕ箔１０
６を溶解除去し、さらにレジストをエッチング除去する
ことで配線パターンを形成する。
線パターンの形成方法は以下の通りである。まず、ガラ
スエポキシ基板１０４の片面全面に３５μｍ程度の厚み
を持つＣｕ箔１０６を接着剤１０５を用いて接着する。
次にＣｕ箔１０６上にレジスト等を用いて配線パターン
を描画し、Ｃｕのエッチング液にガラスエポキシ基板１
０４を浸漬しレジストの覆っていない部分のＣｕ箔１０
６を溶解除去し、さらにレジストをエッチング除去する
ことで配線パターンを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、例
えばガラス基板上に配線パターンを形成する前述の方法
においては、真空スパッタリング方法等のコストの高い
工程を用いるため、配線パターンの製造単価が高くな
る。さらに、真空スパッタリング方法で形成される薄膜
は、膜厚を厚くする事が物理的にも経済的にも困難なた
め、形成された配線パターンの抵抗が大きくならざるを
得ない。抵抗を下げるために金属膜をメッキするとさら
にコストの増加を招く。また、前述のガラスエポキシ基
板上への配線パターンの形成方法においては、配線パタ
ーンがＣｕの厚膜で構成されているため抵抗は小さく抑
えることが出来るが、Ｃｕ箔のエッチング時にサイドエ
ッチ等の現象が生じるため、配線パターンのピッチを細
密にすることが出来なかった。本発明は、上記の課題を
解決すべくなされたもので、安価な工程により配線パタ
ーンを形成し、なおかつ微細ピッチの配線パターンを形
成することを目的としたものである。
えばガラス基板上に配線パターンを形成する前述の方法
においては、真空スパッタリング方法等のコストの高い
工程を用いるため、配線パターンの製造単価が高くな
る。さらに、真空スパッタリング方法で形成される薄膜
は、膜厚を厚くする事が物理的にも経済的にも困難なた
め、形成された配線パターンの抵抗が大きくならざるを
得ない。抵抗を下げるために金属膜をメッキするとさら
にコストの増加を招く。また、前述のガラスエポキシ基
板上への配線パターンの形成方法においては、配線パタ
ーンがＣｕの厚膜で構成されているため抵抗は小さく抑
えることが出来るが、Ｃｕ箔のエッチング時にサイドエ
ッチ等の現象が生じるため、配線パターンのピッチを細
密にすることが出来なかった。本発明は、上記の課題を
解決すべくなされたもので、安価な工程により配線パタ
ーンを形成し、なおかつ微細ピッチの配線パターンを形
成することを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による配線パター
ンの構造は、電気信号の伝達を目的とし、基板あるいは
半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、前記基
板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含む樹脂の
層と、前記金属粒子を含む樹脂上に金属粒子を含まない
樹脂の層とを形成し、すくなくとも前記金属粒子を含む
樹脂上の、前記金属粒子を含まない樹脂により被覆され
ていない部位に金属膜を形成したことを特徴とする。
ンの構造は、電気信号の伝達を目的とし、基板あるいは
半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、前記基
板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含む樹脂の
層と、前記金属粒子を含む樹脂上に金属粒子を含まない
樹脂の層とを形成し、すくなくとも前記金属粒子を含む
樹脂上の、前記金属粒子を含まない樹脂により被覆され
ていない部位に金属膜を形成したことを特徴とする。
【０００７】
【作用】基板あるいは半導体素子上に金属粒子を含有し
た樹脂の層を形成し、これを覆うように金属粒子を含ま
ない樹脂層を形成し、配線パターンの必要な場所のみ樹
脂層をエッチング除去する事で金属粒子を含む樹脂層を
露出させる。これを無電解メッキ浴に浸漬し、樹脂より
突出した金属粒子上にのみ金属が析出し、配線パターン
が形成できる。
た樹脂の層を形成し、これを覆うように金属粒子を含ま
ない樹脂層を形成し、配線パターンの必要な場所のみ樹
脂層をエッチング除去する事で金属粒子を含む樹脂層を
露出させる。これを無電解メッキ浴に浸漬し、樹脂より
突出した金属粒子上にのみ金属が析出し、配線パターン
が形成できる。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明の詳細を説明す
る。
る。
【０００９】図１は、本発明の一実施例を示す配線パタ
ーンの断面図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、図１
に示した配線パターンを形成する工程の概略を示した断
面図である。１は基板、２は樹脂、３は金属粒子、３ａ
は樹脂２より突出した金属粒子、４は絶縁性樹脂、５は
金属膜、６はフォトマスク、７は紫外線の照射方向を示
す矢印、Ａは樹脂４の硬化した領域である。
ーンの断面図であり、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、図１
に示した配線パターンを形成する工程の概略を示した断
面図である。１は基板、２は樹脂、３は金属粒子、３ａ
は樹脂２より突出した金属粒子、４は絶縁性樹脂、５は
金属膜、６はフォトマスク、７は紫外線の照射方向を示
す矢印、Ａは樹脂４の硬化した領域である。
【００１０】まず、無電解メッキの下地層として、金属
粒子３を含む樹脂２を図２（ａ）のように形成する。金
属粒子３としては、無電解メッキ浴中で還元作用を起こ
しメッキ金属を析出させる作用を持つ金属を含む粒子で
あれば良い。樹脂２としては、無電解メッキ浴中で侵さ
れない絶縁性の樹脂であれば良い。樹脂２を硬化した
後、絶縁性の樹脂４で樹脂２を覆う。樹脂４は、樹脂２
と同様に無電解メッキ浴中で侵されない樹脂であり、エ
ッチングを行なうため感光性の樹脂を用いると工数が少
なくて済む。樹脂４で覆った後、図２（ｂ）に示すよう
にフォトマスク６を位置合わせし、矢印７の方向に紫外
線を照射し、樹脂４を感光させる。フォトマスク６で遮
光された領域Ａはこの場合未硬化となる。樹脂４の未硬
化領域Ａを現像液で取り除き、図２（ｃ）の構造を得
る。樹脂２より突出し、樹脂４を取り除くことで暴露し
た金属粒子３ａは、その表面に薄く樹脂２あるいは樹脂
４の被膜が残っている可能性があるため、ドライあるい
はウェットエッチングで被膜を取り除いておくと良い。
これを無電解メッキ浴に浸漬し、金属粒子３ａの還元作
用によりメッキ金属が金属粒子３ａを核とし成長し、図
１に示した金属膜５による配線パターンが形成される。
粒子３を含む樹脂２を図２（ａ）のように形成する。金
属粒子３としては、無電解メッキ浴中で還元作用を起こ
しメッキ金属を析出させる作用を持つ金属を含む粒子で
あれば良い。樹脂２としては、無電解メッキ浴中で侵さ
れない絶縁性の樹脂であれば良い。樹脂２を硬化した
後、絶縁性の樹脂４で樹脂２を覆う。樹脂４は、樹脂２
と同様に無電解メッキ浴中で侵されない樹脂であり、エ
ッチングを行なうため感光性の樹脂を用いると工数が少
なくて済む。樹脂４で覆った後、図２（ｂ）に示すよう
にフォトマスク６を位置合わせし、矢印７の方向に紫外
線を照射し、樹脂４を感光させる。フォトマスク６で遮
光された領域Ａはこの場合未硬化となる。樹脂４の未硬
化領域Ａを現像液で取り除き、図２（ｃ）の構造を得
る。樹脂２より突出し、樹脂４を取り除くことで暴露し
た金属粒子３ａは、その表面に薄く樹脂２あるいは樹脂
４の被膜が残っている可能性があるため、ドライあるい
はウェットエッチングで被膜を取り除いておくと良い。
これを無電解メッキ浴に浸漬し、金属粒子３ａの還元作
用によりメッキ金属が金属粒子３ａを核とし成長し、図
１に示した金属膜５による配線パターンが形成される。
【００１１】図３は、本発明を用いた応用例の一部分を
示した斜視図であり、図４は図３中のＢ−Ｂ’線上での
断面図である。８はプリント基板、９は半導体素子、１
０はプリント基板８上のＣｕ配線、１１はランド、１２
はＡｌ線、１３は半導体素子９上のＡｌ電極、１４は半
導体素子９をプリント基板８に固定するための接着剤で
ある。図３に示したように、半導体素子９の外形寸法よ
り若干大きめの窪みをプリント基板８に作り、半導体素
子９の能動面とプリント基板の上面との高さをほぼ一致
させるように半導体素子９を埋設し、半導体素子９の固
定とプリント基板８と半導体素子９の間隙を埋めるため
に接着剤１４を半導体素子９とプリント基板８の間隙に
充填している。半導体素子９上のＡｌ電極１３とプリン
ト基板８上のＣｕ配線１０とを接続するため、図１およ
び図２を用いて説明した本発明による金属膜５を形成
し、電気的接続を行なっている。この際、金属膜５と半
導体素子９の能動面とは、Ａｌ電極１３上を除き絶縁性
樹脂２により隔てられているためエッジショート等を起
こすことがない。また、金属粒子３は絶縁性樹脂２中に
均一に分散されているため、樹脂２の絶縁性を損なうこ
とはない。
示した斜視図であり、図４は図３中のＢ−Ｂ’線上での
断面図である。８はプリント基板、９は半導体素子、１
０はプリント基板８上のＣｕ配線、１１はランド、１２
はＡｌ線、１３は半導体素子９上のＡｌ電極、１４は半
導体素子９をプリント基板８に固定するための接着剤で
ある。図３に示したように、半導体素子９の外形寸法よ
り若干大きめの窪みをプリント基板８に作り、半導体素
子９の能動面とプリント基板の上面との高さをほぼ一致
させるように半導体素子９を埋設し、半導体素子９の固
定とプリント基板８と半導体素子９の間隙を埋めるため
に接着剤１４を半導体素子９とプリント基板８の間隙に
充填している。半導体素子９上のＡｌ電極１３とプリン
ト基板８上のＣｕ配線１０とを接続するため、図１およ
び図２を用いて説明した本発明による金属膜５を形成
し、電気的接続を行なっている。この際、金属膜５と半
導体素子９の能動面とは、Ａｌ電極１３上を除き絶縁性
樹脂２により隔てられているためエッジショート等を起
こすことがない。また、金属粒子３は絶縁性樹脂２中に
均一に分散されているため、樹脂２の絶縁性を損なうこ
とはない。
【００１２】Ａｌ電極１３上への金属膜５の形成を図５
を用いて更に詳しく説明する。図５（ａ）〜図５（ｄ）
は、図３および図４に示した応用例のＡｌ電極１３付近
を拡大して示した斜視図であり、記号は先の図１〜図４
と同じである。
を用いて更に詳しく説明する。図５（ａ）〜図５（ｄ）
は、図３および図４に示した応用例のＡｌ電極１３付近
を拡大して示した斜視図であり、記号は先の図１〜図４
と同じである。
【００１３】図５（ａ）は、半導体素子９がプリント基
板８に埋設されている状態を示しており、接着剤１４に
よって半導体素子９はプリント基板８に埋設されてい
る。このとき、半導体素子９とプリント基板８との間隙
は、接着剤１４によって充填されているが、多少の凹凸
や段差が生じるのは否めない。
板８に埋設されている状態を示しており、接着剤１４に
よって半導体素子９はプリント基板８に埋設されてい
る。このとき、半導体素子９とプリント基板８との間隙
は、接着剤１４によって充填されているが、多少の凹凸
や段差が生じるのは否めない。
【００１４】この半導体素子９を含むプリント基板８上
に、樹脂２として液状の感光性ポリイミド樹脂をスピン
コーターで約５〜１０μｍの厚みとなるよう塗布した。
樹脂２中には予めＡｇ−Ｐｄの合金よりなる金属粒子３
を一様に分散させている。金属粒子３は、樹脂２と混合
することで、樹脂２の絶縁性を損なうことが無いように
粒径と混合比率を決めなければならない。本実施例で
は、樹脂２の塗布厚より、粒径を０．１〜１μｍとし、
混合比率を５〜２０％とした。Ａｇ−Ｐｄを金属粒子３
として用いたのは、Ｐｄの還元作用の強さを得るためと
量産性の良さからであり、還元作用を有する金属であれ
ば、例えばＮｉ，Ａｕ等であってもよい。また、樹脂２
として液状の感光性ポリイミド樹脂を用いたのは、作業
性の良さ、耐腐食性の良さからであり、膜状の樹脂や非
感光性の樹脂であっても良い。
に、樹脂２として液状の感光性ポリイミド樹脂をスピン
コーターで約５〜１０μｍの厚みとなるよう塗布した。
樹脂２中には予めＡｇ−Ｐｄの合金よりなる金属粒子３
を一様に分散させている。金属粒子３は、樹脂２と混合
することで、樹脂２の絶縁性を損なうことが無いように
粒径と混合比率を決めなければならない。本実施例で
は、樹脂２の塗布厚より、粒径を０．１〜１μｍとし、
混合比率を５〜２０％とした。Ａｇ−Ｐｄを金属粒子３
として用いたのは、Ｐｄの還元作用の強さを得るためと
量産性の良さからであり、還元作用を有する金属であれ
ば、例えばＮｉ，Ａｕ等であってもよい。また、樹脂２
として液状の感光性ポリイミド樹脂を用いたのは、作業
性の良さ、耐腐食性の良さからであり、膜状の樹脂や非
感光性の樹脂であっても良い。
【００１５】Ａｇ−Ｐｄ金属粒子３を含むポリイミド樹
脂２を塗布した後、図５（ｂ）に示したようにＡｌ電極
１３を一部覆うようにポリイミド樹脂２の露光および現
像を行なう。同様に図３および図４に示したようにＡｌ
電極１３と対応するＣｕ配線１０上までポリイミド樹脂
２が覆うように形成する。
脂２を塗布した後、図５（ｂ）に示したようにＡｌ電極
１３を一部覆うようにポリイミド樹脂２の露光および現
像を行なう。同様に図３および図４に示したようにＡｌ
電極１３と対応するＣｕ配線１０上までポリイミド樹脂
２が覆うように形成する。
【００１６】次に絶縁性樹脂４を樹脂２と同様にスピン
コーターを用いて、プリント基板８上に塗布する。樹脂
４として、樹脂２と同様に感光性ポリイミド樹脂を用い
た。樹脂４の形成は、無電解メッキ液が樹脂２表面に触
れないようにする目的であるため、厚みは薄くても問題
はない。今回は、塗布膜厚を２〜４μｍとした。これを
図５（ｃ）に示したように、Ａｌ電極１３を露出させる
ために領域Ｄを、配線を形成するために領域Ｃを、露光
・現像処理で除去し、図示した形状を得る。Ａｌ電極１
３の大きさは５０μｍ角であるため、領域Ｃの幅は２０
μｍとした。この現像の工程で、樹脂４と樹脂２を同じ
感光性ポリイミドを用いているため樹脂４の現像液によ
り領域Ｃの樹脂２表面が僅かに溶解し、金属粒子３が樹
脂２より突出した形態を取ることになる。金属粒子３の
突出が十分でない場合には、ドライエッチング等で、樹
脂２表面を僅かにエッチング除去してやればよい。この
ように形成したプリント基板８を無電解メッキ浴に浸漬
すれば露出した樹脂２上に金属膜５が形成される。ただ
し、Ａｌ電極上には、メッキ金属が析出し難いため、通
常ＩＴＯ薄膜上へ行なわれるメッキと同様に、プリント
基板８を塩化スズ（ＩＩ）溶液および塩化パラジウム溶
液に浸し、Ａｌ電極上に極薄いパラジウム皮膜を作って
おく。この処理を行なったプリント基板８を７０度に加
温した無電解Ｎｉメッキ浴に約１０分間浸漬すると、図
５（ｄ）に示したようにＡｌ電極上および樹脂２上に金
属膜５を形成することができる。この際、Ｃｕ配線１０
上にもメッキが析出する可能性がある。Ｃｕ配線１０上
にメッキが析出することを拒む場合は、通常の無電解メ
ッキで使われるレジストを予めＣｕ配線１０上に塗布し
ておけば良い。このようにして、Ａｌ電極１３とＣｕ配
線１０の接続および配線パターンの形成が可能となる。
このときの金属膜５の厚みは、約２μｍであった。金属
膜５の厚みは、メッキ時間の増減により約０．０５μｍ
〜３０μｍ程度まで任意の設定が可能である。
コーターを用いて、プリント基板８上に塗布する。樹脂
４として、樹脂２と同様に感光性ポリイミド樹脂を用い
た。樹脂４の形成は、無電解メッキ液が樹脂２表面に触
れないようにする目的であるため、厚みは薄くても問題
はない。今回は、塗布膜厚を２〜４μｍとした。これを
図５（ｃ）に示したように、Ａｌ電極１３を露出させる
ために領域Ｄを、配線を形成するために領域Ｃを、露光
・現像処理で除去し、図示した形状を得る。Ａｌ電極１
３の大きさは５０μｍ角であるため、領域Ｃの幅は２０
μｍとした。この現像の工程で、樹脂４と樹脂２を同じ
感光性ポリイミドを用いているため樹脂４の現像液によ
り領域Ｃの樹脂２表面が僅かに溶解し、金属粒子３が樹
脂２より突出した形態を取ることになる。金属粒子３の
突出が十分でない場合には、ドライエッチング等で、樹
脂２表面を僅かにエッチング除去してやればよい。この
ように形成したプリント基板８を無電解メッキ浴に浸漬
すれば露出した樹脂２上に金属膜５が形成される。ただ
し、Ａｌ電極上には、メッキ金属が析出し難いため、通
常ＩＴＯ薄膜上へ行なわれるメッキと同様に、プリント
基板８を塩化スズ（ＩＩ）溶液および塩化パラジウム溶
液に浸し、Ａｌ電極上に極薄いパラジウム皮膜を作って
おく。この処理を行なったプリント基板８を７０度に加
温した無電解Ｎｉメッキ浴に約１０分間浸漬すると、図
５（ｄ）に示したようにＡｌ電極上および樹脂２上に金
属膜５を形成することができる。この際、Ｃｕ配線１０
上にもメッキが析出する可能性がある。Ｃｕ配線１０上
にメッキが析出することを拒む場合は、通常の無電解メ
ッキで使われるレジストを予めＣｕ配線１０上に塗布し
ておけば良い。このようにして、Ａｌ電極１３とＣｕ配
線１０の接続および配線パターンの形成が可能となる。
このときの金属膜５の厚みは、約２μｍであった。金属
膜５の厚みは、メッキ時間の増減により約０．０５μｍ
〜３０μｍ程度まで任意の設定が可能である。
【００１７】このようにして形成された配線パターン
は、真空スパッタ装置の如き高価で巨大な製造設備を必
要とせず、また紫外線感光樹脂をパターンの形成に用い
ていることから微細なピッチの配線が容易である。また
配線パターンの高さおよび面積を任意の大きさにする事
が可能であり、例えば図３に示したように樹脂２および
樹脂４の形状により配線パターン同士を短絡させたり、
あるいは広い面積に金属膜５を形成し、プリント基板８
上のランド１１とＡｌ線１２を使って立体的に接続する
事も可能である。さらに金属膜５を形成した後、樹脂２
および樹脂４を積み重ね、多層の配線パターンを形成す
ることも容易に行えることは、自明のことである。
は、真空スパッタ装置の如き高価で巨大な製造設備を必
要とせず、また紫外線感光樹脂をパターンの形成に用い
ていることから微細なピッチの配線が容易である。また
配線パターンの高さおよび面積を任意の大きさにする事
が可能であり、例えば図３に示したように樹脂２および
樹脂４の形状により配線パターン同士を短絡させたり、
あるいは広い面積に金属膜５を形成し、プリント基板８
上のランド１１とＡｌ線１２を使って立体的に接続する
事も可能である。さらに金属膜５を形成した後、樹脂２
および樹脂４を積み重ね、多層の配線パターンを形成す
ることも容易に行えることは、自明のことである。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は基板あるいは半導体素子上に金属粒子を含有する樹脂
の層と、これを覆うように形成した樹脂の層とからな
り、暴露した金属粒子上にメッキ金属を析出させること
で低コストで、微細なパターンを多層に形成することが
出来、さらに、半導体素子等の電極と容易に接続が可能
となる。また、樹脂層が形成できるものであれば、凹凸
や曲面を有する表面上にも配線パターンを形成でき、さ
らに金属粒子が樹脂中にアンカー効果を発揮し、金属膜
と樹脂との密着力を増し、柔軟性を有し折り曲げて使用
するような基板上にも密着性のよい配線パターンを形成
することが可能となる。
は基板あるいは半導体素子上に金属粒子を含有する樹脂
の層と、これを覆うように形成した樹脂の層とからな
り、暴露した金属粒子上にメッキ金属を析出させること
で低コストで、微細なパターンを多層に形成することが
出来、さらに、半導体素子等の電極と容易に接続が可能
となる。また、樹脂層が形成できるものであれば、凹凸
や曲面を有する表面上にも配線パターンを形成でき、さ
らに金属粒子が樹脂中にアンカー効果を発揮し、金属膜
と樹脂との密着力を増し、柔軟性を有し折り曲げて使用
するような基板上にも密着性のよい配線パターンを形成
することが可能となる。
【図１】本発明による配線パターンの一実施例を示した
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明による配線パターンの製造工程を示した
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明による配線パターンの一応用例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明による配線パターンの一応用例を示した
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明による配線パターンの製造工程を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図６】従来例を示した断面図である。
【図７】従来例を示した断面図である。
１ 基板 ２ 樹脂 ３ 金属粒子 ３ａ 樹脂２より突出した金属粒子 ４ 樹脂 ５ 金属膜 ６ フォトマスク ７ 紫外線の照射方向を示す矢印 ８ プリント基板 ９ 半導体素子 １０ Ｃｕ配線 １１ ランド １２ Ａｌ線 １３ Ａｌ電極 Ａ 樹脂４の未硬化領域を表わす記号 Ｂ−Ｂ’ 図４の断面位置を表わす記号 Ｃ 樹脂４を除去した領域を表わす記号 Ｄ 樹脂４を除去した領域を表わす記号 １０１ ガラス基板 １０２ 透明導電膜 １０３ 金属膜 １０４ ガラスエポキシ基板 １０５ 接着剤 １０６ Ｃｕ箔
Claims (4)
- 【請求項１】 電気信号の伝達を目的とし、基板あるい
は半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、前記
基板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含む樹脂
の層と、前記金属粒子を含む樹脂上に金属粒子を含まな
い樹脂の層とを形成し、すくなくとも前記金属粒子を含
む樹脂上の、前記金属粒子を含まない樹脂により被覆さ
れていない部位に金属膜を形成したことを特徴とする配
線パターンの構造。 - 【請求項２】 電気信号の伝達を目的とし、基板あるい
は半導体素子上に形成する配線パターンにおいて、 前記基板あるいは前記半導体素子上に、金属粒子を含む
樹脂の層を形成する工程と、 前記金属粒子を含む樹脂層上を覆うように樹脂の層を形
成する工程と、 前記金属粒子を含まない樹脂層を配線パターンの形状に
エッチング除去する工程と、 前記金属粒子を含まない樹脂をエッチング除去すること
により露出した前記金属粒子を含む樹脂層上に無電解メ
ッキ法により金属膜を形成する工程、 よりなることを特徴とする配線パターンの形成方法。 - 【請求項３】 上記樹脂として、可視光、紫外線、赤外
線、電子線、等の空間における直進性を有するエネルギ
ー伝送体により選択的に硬化し、かつまた未硬化領域を
選択的に溶解、あるいは分解、あるいは溶融除去するこ
とが可能な樹脂を用いた請求項１記載の配線パターンの
構造。 - 【請求項４】 上記金属粒子として、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｇ、等の無電解メッキ
可能な金属を含む粒子を用いた請求項１記載の配線パタ
ーンの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24916491A JPH0590209A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 配線パターンの構造および配線パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24916491A JPH0590209A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 配線パターンの構造および配線パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590209A true JPH0590209A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17188861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24916491A Pending JPH0590209A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 配線パターンの構造および配線パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0590209A (ja) |
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- 1991-09-27 JP JP24916491A patent/JPH0590209A/ja active Pending
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