JPH0590030A - 積層インダクタ - Google Patents
積層インダクタInfo
- Publication number
- JPH0590030A JPH0590030A JP3276978A JP27697891A JPH0590030A JP H0590030 A JPH0590030 A JP H0590030A JP 3276978 A JP3276978 A JP 3276978A JP 27697891 A JP27697891 A JP 27697891A JP H0590030 A JPH0590030 A JP H0590030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laminated inductor
- inductor
- insulator
- laminated
- borosilicate glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hard Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非磁性体を用いて自己共振周波数の高い積層
インダクタを得るとともに、高周波領域においてもＱの
高い積層インダクタを得る。 【構成】 ホウケイ酸ガラスにコーディエライトを混合
した絶縁材料を用い、その内部に周回する導体パターン
を形成する。コーディエライトの含有率は30〜40wt％の
範囲が適当である。
インダクタを得るとともに、高周波領域においてもＱの
高い積層インダクタを得る。 【構成】 ホウケイ酸ガラスにコーディエライトを混合
した絶縁材料を用い、その内部に周回する導体パターン
を形成する。コーディエライトの含有率は30〜40wt％の
範囲が適当である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層インダクタに係る
もので、特に高周波帯域での使用に適した積層インダク
タに関するものである。
もので、特に高周波帯域での使用に適した積層インダク
タに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層インダクタにも各種あるが、一般的
なものは、磁性体と導体を交互に積層し、磁性体層中を
層間から層間に接続されて延び、積層方向に重畳して周
回する導体パターンを形成している。
なものは、磁性体と導体を交互に積層し、磁性体層中を
層間から層間に接続されて延び、積層方向に重畳して周
回する導体パターンを形成している。
【０００３】この積層インダクタは、磁性体であるNi−
Znフェライトのシートまたは印刷ペーストと導体ペース
トを交互に重ねて形成するが、磁性体を用いると、周波
数が高くなると損失が大きくなり、また自己共振周波数
が低いので、あまり高い周波数まで使用することができ
ない。また、焼成温度も1300°Ｃ程度と高く、内部導体
材料が貴金属に限定されてしまう。このため、磁性体の
代わりにガラスを用いることも考えられているが、強度
の面で十分な特性が得られない。
Znフェライトのシートまたは印刷ペーストと導体ペース
トを交互に重ねて形成するが、磁性体を用いると、周波
数が高くなると損失が大きくなり、また自己共振周波数
が低いので、あまり高い周波数まで使用することができ
ない。また、焼成温度も1300°Ｃ程度と高く、内部導体
材料が貴金属に限定されてしまう。このため、磁性体の
代わりにガラスを用いることも考えられているが、強度
の面で十分な特性が得られない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近需要の高まってい
るインダクタは、移動通信等の数百MHz 帯域のものであ
り、本発明はこの周波数帯域で高いＱが得られる積層イ
ンダクタを提供するものである。
るインダクタは、移動通信等の数百MHz 帯域のものであ
り、本発明はこの周波数帯域で高いＱが得られる積層イ
ンダクタを提供するものである。
【０００５】また、低温焼成が可能な積層インダクタを
得ようとするものである。
得ようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層インダク
タの絶縁体材料として、ホウケイ酸ガラスとコーディエ
ライトの混合物を用いることによって、上記の課題を解
決するものである。
タの絶縁体材料として、ホウケイ酸ガラスとコーディエ
ライトの混合物を用いることによって、上記の課題を解
決するものである。
【０００７】すなわち、絶縁体内に積層方向に重畳して
周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
て、その絶縁体がホウケイ酸ガラスとコーディエライト
の混合物であることに特徴を有するものである。
周回する導体パターンを具えた積層インダクタにおい
て、その絶縁体がホウケイ酸ガラスとコーディエライト
の混合物であることに特徴を有するものである。
【０００８】
【作用】ホウケイ酸ガラスとコーディエライトの混合物
を絶縁体材料に用いることにより、誘電率を下げて積層
インダクタの自己共振周波数を高い周波数にシフトさ
せ、それによって100MHz〜1GHzの範囲におけるｆ−Ｑ特
性の優れた積層インダクタが得られる。
を絶縁体材料に用いることにより、誘電率を下げて積層
インダクタの自己共振周波数を高い周波数にシフトさ
せ、それによって100MHz〜1GHzの範囲におけるｆ−Ｑ特
性の優れた積層インダクタが得られる。
【０００９】また、 900°Ｃ程度で低温焼成が可能とな
り、導体材料の選択も可能になるので歩留りも向上で
き、信頼性の面でも優れた積層インダクタが得られる。
り、導体材料の選択も可能になるので歩留りも向上で
き、信頼性の面でも優れた積層インダクタが得られる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１１】コーディエライト、ホウケイ酸ガラスをそ
れぞれ、40、60wt％となるように材料を秤量し、ボール
ミルで混合した後、バインダー等を加えて成型し、約 9
00°Ｃで焼成した。
れぞれ、40、60wt％となるように材料を秤量し、ボール
ミルで混合した後、バインダー等を加えて成型し、約 9
00°Ｃで焼成した。
【００１２】また、材料として焼結の状態によって、実
際に使用できるかが決定される。本発明の実用的な組成
範囲は、表１で得られた理論密度比、焼成密度から決め
られる。
際に使用できるかが決定される。本発明の実用的な組成
範囲は、表１で得られた理論密度比、焼成密度から決め
られる。
【００１４】
【表１】
【００１５】コーディエライトが30〜40wt％の範囲では
特性上問題がなかったが、ガラスが75wt％になると変形
するものが現れ、80wt％になると焼成時に融着、変形が
生じて、実用に適さない焼結状態のものが現れていた。
また、コーディエライトが50wt％になると焼成収縮が十
分でなく、安定した特性が得られなくなる。
特性上問題がなかったが、ガラスが75wt％になると変形
するものが現れ、80wt％になると焼成時に融着、変形が
生じて、実用に適さない焼結状態のものが現れていた。
また、コーディエライトが50wt％になると焼成収縮が十
分でなく、安定した特性が得られなくなる。
【００１６】インダクタ用材料としての特性の測定方法
として一般的な短絡同軸法を用いるために、焼成前寸法
が内径18mm、外径25mm、厚さ5mmに成型してトロイダル
状の試料を作製した。この測定結果を示したのが、図１
である。横軸に周波数、縦軸にＱの値をとってある。破
線12は上記の組成の材料を用いたものであり、実線11は
ホウケイ酸ガラスとフォルステライト（60：40）を材料
に用いたものであり、実線13はフェライトとガラスを混
合（55：45）したものを材料に用いたものの場合を示し
ている。この結果、ホウケイ酸ガラスにフォルステライ
トを添加したものは、900MHz以上の範囲で高いＱが得ら
れることが確認された。本発明により、ホウケイ酸ガラ
スとコーディエライトを混合した材料を用いると、 100
〜900MHzの範囲でフォルステライトとホウケイ酸ガラス
の混合材料よりも高いＱが得られた。フェライトにガラ
スを添加したものは200MHzを越えるとＱが大幅に低下し
てしまうが、本発明によれば周波数が高くなるにつれて
Ｑが高くなり、高周波帯域に適したインダクタが得られ
る。
として一般的な短絡同軸法を用いるために、焼成前寸法
が内径18mm、外径25mm、厚さ5mmに成型してトロイダル
状の試料を作製した。この測定結果を示したのが、図１
である。横軸に周波数、縦軸にＱの値をとってある。破
線12は上記の組成の材料を用いたものであり、実線11は
ホウケイ酸ガラスとフォルステライト（60：40）を材料
に用いたものであり、実線13はフェライトとガラスを混
合（55：45）したものを材料に用いたものの場合を示し
ている。この結果、ホウケイ酸ガラスにフォルステライ
トを添加したものは、900MHz以上の範囲で高いＱが得ら
れることが確認された。本発明により、ホウケイ酸ガラ
スとコーディエライトを混合した材料を用いると、 100
〜900MHzの範囲でフォルステライトとホウケイ酸ガラス
の混合材料よりも高いＱが得られた。フェライトにガラ
スを添加したものは200MHzを越えるとＱが大幅に低下し
てしまうが、本発明によれば周波数が高くなるにつれて
Ｑが高くなり、高周波帯域に適したインダクタが得られ
る。
【００１７】本発明による積層インダクタの製造におい
ては、上記の組成の絶縁体をバインダ等を加えてペース
ト化する。ペースト化した絶縁体を導体ペーストと交互
に印刷して積層する。銀の導体ペーストを半ターンずつ
形成し、その端部を残して絶縁体ペーストを印刷して覆
う。次の半ターンの導体パターンを絶縁体層上に印刷し
て形成し、同様の工程を繰り返す。これによって、積層
方向に重畳して周回する導体パターンが得られる。導体
パターンの両端は積層体の側面に引き出される。乾燥、
焼成の後、外部端子電極が焼付けられる。
ては、上記の組成の絶縁体をバインダ等を加えてペース
ト化する。ペースト化した絶縁体を導体ペーストと交互
に印刷して積層する。銀の導体ペーストを半ターンずつ
形成し、その端部を残して絶縁体ペーストを印刷して覆
う。次の半ターンの導体パターンを絶縁体層上に印刷し
て形成し、同様の工程を繰り返す。これによって、積層
方向に重畳して周回する導体パターンが得られる。導体
パターンの両端は積層体の側面に引き出される。乾燥、
焼成の後、外部端子電極が焼付けられる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、高周波領域においてｆ
−Ｑ特性の良好な積層インダクタが得られる。特に、1G
Hz程度までの周波数帯域において利用でき、しかも高い
Ｑの得られる積層インダクタが実現できる。
−Ｑ特性の良好な積層インダクタが得られる。特に、1G
Hz程度までの周波数帯域において利用でき、しかも高い
Ｑの得られる積層インダクタが実現できる。
【００１８】また、 900°Ｃ程度と低温焼成も可能で、
信頼性、強度の面でも優れた積層インダクタが得られ
る。
信頼性、強度の面でも優れた積層インダクタが得られ
る。
【図１】本発明に用いる材料の特性の説明図。
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁体内に積層方向に重畳して周回する
導体パターンを具えた積層インダクタにおいて、その絶
縁体がホウケイ酸ガラスとコーディエライトの混合物で
あることを特徴とする積層インダクタ。 - 【請求項２】 その絶縁体のホウケイ酸ガラスとコーデ
ィエライトの混合物において、コーディエライトを30〜
40wt％含有する請求項１記載の積層インダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276978A JPH0590030A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 積層インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3276978A JPH0590030A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 積層インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590030A true JPH0590030A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17577065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3276978A Pending JPH0590030A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 積層インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590030A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383850A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 低温焼結性低誘電率無機組成物 |
| JPH03136307A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型チップインダクタ |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3276978A patent/JPH0590030A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383850A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Nec Corp | 低温焼結性低誘電率無機組成物 |
| JPH03136307A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型チップインダクタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101543752B1 (ko) | 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품 | |
| KR20160118975A (ko) | 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품 | |
| JP2008300548A (ja) | 積層インダクタ部品 | |
| JP2691715B2 (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 | |
| JPS6349890B2 (ja) | ||
| JPH0416927B2 (ja) | ||
| JPH0891919A (ja) | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 | |
| JPH0963826A (ja) | 磁性セラミクスおよび積層型電子部品 | |
| JPH05225826A (ja) | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス | |
| JP3150141B2 (ja) | 高周波用チップインダクタ | |
| JPH01198003A (ja) | フェライト焼結体およびチップ部品 | |
| US6558566B2 (en) | Oxide magnetic materials, chip components using the same, and method for producing oxide magnetic materials and chip components | |
| JPH0590030A (ja) | 積層インダクタ | |
| JP3320096B2 (ja) | 積層型インダクタおよびその製造方法 | |
| JP2013053040A (ja) | フェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2597341B2 (ja) | 積層インダクタ | |
| JP3606127B2 (ja) | フェライト焼結体の製造方法 | |
| JPH05121240A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
| JP4556668B2 (ja) | フェライト材料及びインダクタ素子 | |
| JPH05326241A (ja) | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 | |
| JPH02109202A (ja) | セラミックインダクタ部品およびセラミックｌｃ部品 | |
| JPH02288307A (ja) | 積層インダクタ用磁性材料 | |
| JPH08148338A (ja) | 積層チップインダクタとその製造方法 | |
| JPH0351929Y2 (ja) | ||
| JPS6022443B2 (ja) | 絶縁材料 |