JPH05225826A - 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス - Google Patents
誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイスInfo
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- JPH05225826A JPH05225826A JP4027775A JP2777592A JPH05225826A JP H05225826 A JPH05225826 A JP H05225826A JP 4027775 A JP4027775 A JP 4027775A JP 2777592 A JP2777592 A JP 2777592A JP H05225826 A JPH05225826 A JP H05225826A
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波領域で誘電率が高くQ値が高く、
共振周波数の温度係数が小さく、かつ低温で焼結する誘
電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 誘電体磁器組成物は、酸化ビスマス、酸化カ
ルシウム、および酸化ニオブよりなる組成物を、xBi
O3/2−yCaO−zNbO5/2(ただし、x+y+z=
1.0)と表したときの三成分組成図において、x、y、
およびzが下記のA、B、C、D、Eを頂点とする五角
形の領域内になるように配合、焼結させる。 A:(x,y,z)=(0.55, 0.16 , 0.
29 ) B:(x,y,z)=(0.5 , 0.21 , 0.
29 ) C:(x,y,z)=(0.44, 0.24 , 0.
32 ) D:(x,y,z)=(0.44, 0.2 , 0.
36 ) E:(x,y,z)=(0.5 , 0.175, 0.
325)
共振周波数の温度係数が小さく、かつ低温で焼結する誘
電体磁器組成物を提供すること。 【構成】 誘電体磁器組成物は、酸化ビスマス、酸化カ
ルシウム、および酸化ニオブよりなる組成物を、xBi
O3/2−yCaO−zNbO5/2(ただし、x+y+z=
1.0)と表したときの三成分組成図において、x、y、
およびzが下記のA、B、C、D、Eを頂点とする五角
形の領域内になるように配合、焼結させる。 A:(x,y,z)=(0.55, 0.16 , 0.
29 ) B:(x,y,z)=(0.5 , 0.21 , 0.
29 ) C:(x,y,z)=(0.44, 0.24 , 0.
32 ) D:(x,y,z)=(0.44, 0.2 , 0.
36 ) E:(x,y,z)=(0.5 , 0.175, 0.
325)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波領域で使用
される誘電体磁器組成物および積層型マイクロ波デバイ
スに関するものである。
される誘電体磁器組成物および積層型マイクロ波デバイ
スに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、自動車電話や可搬型電話、あるい
は衛星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通
信の進展にともない、機器の小型化が要求されている。
このためには、機器を構成する個々の部品が小型化され
る必要がある。誘電体はこれらの機器において、各種フ
ィルタ素子や発振器の周波数安定化素子等に組み込まれ
ている。これらの誘電体共振デバイスの大きさは同じ共
振モードを利用する場合、使用する誘電体材料の持つ誘
電率の平方根に逆比例するため、小型の共振デバイスを
作製するには、高い誘電率を有する材料が必要である。
は衛星放送など、マイクロ波領域の電磁波を利用する通
信の進展にともない、機器の小型化が要求されている。
このためには、機器を構成する個々の部品が小型化され
る必要がある。誘電体はこれらの機器において、各種フ
ィルタ素子や発振器の周波数安定化素子等に組み込まれ
ている。これらの誘電体共振デバイスの大きさは同じ共
振モードを利用する場合、使用する誘電体材料の持つ誘
電率の平方根に逆比例するため、小型の共振デバイスを
作製するには、高い誘電率を有する材料が必要である。
【0003】また、誘電体に求められる他の特性は、マ
イクロ波領域で低損失であること、すなわち無負荷Q値
が高いこと、さらに共振周波数の温度変化が小さいこ
と、すなわち誘電率の温度変化が小さいことである。誘
電率の大きい材料として、BaO−TiO2−Sm2O3系が
特開昭57−15309号公報に開示されている。この
系は80程度の比誘電率と、2〜4GHzで3000程
度の高い無負荷Q値、および小さい共振周波数の温度係
数を有している。
イクロ波領域で低損失であること、すなわち無負荷Q値
が高いこと、さらに共振周波数の温度変化が小さいこ
と、すなわち誘電率の温度変化が小さいことである。誘
電率の大きい材料として、BaO−TiO2−Sm2O3系が
特開昭57−15309号公報に開示されている。この
系は80程度の比誘電率と、2〜4GHzで3000程
度の高い無負荷Q値、および小さい共振周波数の温度係
数を有している。
【0004】一方、導体と誘電体磁器を積層構造にし、
共振デバイスを小型、高機能化しようとする試みが行な
われている。導体は、マイクロ波のような高周波領域で
使用する場合、導電率が高い必要があるため、Cu、A
u、Ag、あるいはそれらの合金を使用する必要があ
る。また、誘電体磁器は、積層構造にする場合、導体の
金属と同時に焼成する必要があるため、導体金属が溶解
せず、かつ酸化しない焼成条件で緻密に焼結しなければ
ならない。すなわち、1050℃以下の低温で、かつC
uを電極に用いる場合は低い酸素分圧での焼成が必要と
なる。
共振デバイスを小型、高機能化しようとする試みが行な
われている。導体は、マイクロ波のような高周波領域で
使用する場合、導電率が高い必要があるため、Cu、A
u、Ag、あるいはそれらの合金を使用する必要があ
る。また、誘電体磁器は、積層構造にする場合、導体の
金属と同時に焼成する必要があるため、導体金属が溶解
せず、かつ酸化しない焼成条件で緻密に焼結しなければ
ならない。すなわち、1050℃以下の低温で、かつC
uを電極に用いる場合は低い酸素分圧での焼成が必要と
なる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のマイク
ロ用の高誘電率材料(BaO−TiO2−Sm2O3系
等)は焼成温度が1300℃程度と高いため、高導電率
の電極と同時に焼成できず、積層構造のデバイスにする
ことができなかった。
ロ用の高誘電率材料(BaO−TiO2−Sm2O3系
等)は焼成温度が1300℃程度と高いため、高導電率
の電極と同時に焼成できず、積層構造のデバイスにする
ことができなかった。
【0006】本発明は、このような従来の誘電体の課題
を考慮し、Cu、Au、Ag、あるいはそれらの合金と
同時に焼成可能で、かつマイクロ波領域で優れた特性を
持つ誘電体磁器組成物と、それを用いた積層型のマイク
ロ波デバイスを提供することを目的とするものである。
を考慮し、Cu、Au、Ag、あるいはそれらの合金と
同時に焼成可能で、かつマイクロ波領域で優れた特性を
持つ誘電体磁器組成物と、それを用いた積層型のマイク
ロ波デバイスを提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、酸化ビスマス、酸化カルシウム、および酸化ニオ
ブよりなる組成物を、xBiO3/2−yCaO−zNb
O5/2(ただし、x+y+z=1.0)と表したときの三成
分組成図において、x、y、およびzが下記のA、B、
C、D、Eを頂点とする五角形の領域内(図1)になる
ように配合、焼結させたものである。
物は、酸化ビスマス、酸化カルシウム、および酸化ニオ
ブよりなる組成物を、xBiO3/2−yCaO−zNb
O5/2(ただし、x+y+z=1.0)と表したときの三成
分組成図において、x、y、およびzが下記のA、B、
C、D、Eを頂点とする五角形の領域内(図1)になる
ように配合、焼結させたものである。
【0008】 A:(x,y,z)=(0.55,0.16,0.29) B:(x,y,z)=(0.5 ,0.21,0.29) C:(x,y,z)=(0.44,0.24,0.32) D:(x,y,z)=(0.44,0.2 ,0.36) E:(x,y,z)=(0.5 ,0.175,0.325) また、本発明の積層型マイクロ波デバイスは、上記の磁
器組成物を誘電体層に用い、Cu、Au、Ag、あるい
はそれらの合金を導体に用いた構成である。
器組成物を誘電体層に用い、Cu、Au、Ag、あるい
はそれらの合金を導体に用いた構成である。
【0009】
【作用】上記の誘電体磁器組成物は、限定した組成領域
内で、1050℃以下の空気中、およびN2中等の低い
酸素分圧下での焼成においてもで緻密に焼結し、誘電率
は50以上、無負荷Q値は300以上、共振周波数の温
度係数の絶対値は50ppm/℃以下と優れたマイクロ波誘
電特性を示す。
内で、1050℃以下の空気中、およびN2中等の低い
酸素分圧下での焼成においてもで緻密に焼結し、誘電率
は50以上、無負荷Q値は300以上、共振周波数の温
度係数の絶対値は50ppm/℃以下と優れたマイクロ波誘
電特性を示す。
【0010】さらに、上記の誘電体磁器を使用すること
で、導体としてCu、Au、Ag、あるいはそれらの合
金等の高導電率の金属を用いることができ、小型、高性
能なマイクロ波デバイスを得ることができる。
で、導体としてCu、Au、Ag、あるいはそれらの合
金等の高導電率の金属を用いることができ、小型、高性
能なマイクロ波デバイスを得ることができる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0012】(実施例1)本実施例は請求項1記載の本
発明に対応するものである。なお、図1は、請求項1及
び請求項3の本発明の範囲を示すグラフである。
発明に対応するものである。なお、図1は、請求項1及
び請求項3の本発明の範囲を示すグラフである。
【0013】出発原料には化学的に高純度であるBi2
O3、CaCO3、およびNb2O5を用いた。原料の純度
補正を行なったのち、組成をxBiO3/2−yCaO−
zNbO5/2(ただし、x+y+z=1.0)と表したとき
のx、y、およびzが(表1)の組成の欄に示した種々
の値になるように秤量した。図1の番号は、この表の番
号である。
O3、CaCO3、およびNb2O5を用いた。原料の純度
補正を行なったのち、組成をxBiO3/2−yCaO−
zNbO5/2(ただし、x+y+z=1.0)と表したとき
のx、y、およびzが(表1)の組成の欄に示した種々
の値になるように秤量した。図1の番号は、この表の番
号である。
【0014】
【表1】
【0015】これらの粉体を、ポリエチレン製のボール
ミルに入れ、安定化ジルコニアの玉石と純水を加え、1
7時間混合した。混合後、スラリーを乾燥し、アルミナ
製の坩堝にいれ、800℃で2時間仮焼した。仮焼体
を、ライカイ機で解砕した後、前述したボールミルで1
7時間粉砕し、乾燥させ、原料粉体とした。この粉体に
バインダとしてポリビニルアルコールの5%水溶液を6
重量%加えて混合後、32メッシュのふるいを通して造
粒し、100MPaで直径13mm、厚み約5mmの円
柱状にプレス成形した。成形体を650℃で2時間加熱
してバインダを焼却後、マグネシアの容器に入れ蓋を
し、空気中850〜1100℃で2時間保持して焼成し
た。密度が最高になる温度で焼成した焼結体についてマ
イクロ波での誘電特性を測定した。共振周波数と無負荷
Q値は誘電体共振器法により求めた。焼結体の寸法と共
振周波数より誘電率を算出した。共振周波数は、3〜5
GHzであった。また、−25℃、20℃及び85℃に
おける共振周波数を測定し、最小二乗法により、その温
度係数(τf)を算出した。それら結果を上記(表1)
に示す。
ミルに入れ、安定化ジルコニアの玉石と純水を加え、1
7時間混合した。混合後、スラリーを乾燥し、アルミナ
製の坩堝にいれ、800℃で2時間仮焼した。仮焼体
を、ライカイ機で解砕した後、前述したボールミルで1
7時間粉砕し、乾燥させ、原料粉体とした。この粉体に
バインダとしてポリビニルアルコールの5%水溶液を6
重量%加えて混合後、32メッシュのふるいを通して造
粒し、100MPaで直径13mm、厚み約5mmの円
柱状にプレス成形した。成形体を650℃で2時間加熱
してバインダを焼却後、マグネシアの容器に入れ蓋を
し、空気中850〜1100℃で2時間保持して焼成し
た。密度が最高になる温度で焼成した焼結体についてマ
イクロ波での誘電特性を測定した。共振周波数と無負荷
Q値は誘電体共振器法により求めた。焼結体の寸法と共
振周波数より誘電率を算出した。共振周波数は、3〜5
GHzであった。また、−25℃、20℃及び85℃に
おける共振周波数を測定し、最小二乗法により、その温
度係数(τf)を算出した。それら結果を上記(表1)
に示す。
【0016】(表1)に示したように、請求の範囲に含
まれる組成では、1050℃以下の低温で緻密に焼結
し、誘電率が50以上、無負荷Q値が300以上、かつ
共振周波数の温度係数の絶対値が50ppm/℃以下の
小さい値を示した。また、N2中焼成においても、焼成
温度および特性にほとんど変化は見られなかった。請求
の範囲外の組成では上記の特性のうち、無負荷Q値が3
00以下となり、実用的ではないと判断した。
まれる組成では、1050℃以下の低温で緻密に焼結
し、誘電率が50以上、無負荷Q値が300以上、かつ
共振周波数の温度係数の絶対値が50ppm/℃以下の
小さい値を示した。また、N2中焼成においても、焼成
温度および特性にほとんど変化は見られなかった。請求
の範囲外の組成では上記の特性のうち、無負荷Q値が3
00以下となり、実用的ではないと判断した。
【0017】(実施例2)本実施例は請求項2記載の本
発明に対応するものである。
発明に対応するものである。
【0018】主成分の組成として、(表2)に示した二
種類のものを選び、Cu成分としてCuOを種々の量加
えた。なお、この銅成分はCu/(Bi+Ca+Nb)
≦0.04を満足する範囲が望ましい。焼結体の作製、
および特性の評価は実施例1と同様の方法により行なっ
た。結果を(表2)に示す。
種類のものを選び、Cu成分としてCuOを種々の量加
えた。なお、この銅成分はCu/(Bi+Ca+Nb)
≦0.04を満足する範囲が望ましい。焼結体の作製、
および特性の評価は実施例1と同様の方法により行なっ
た。結果を(表2)に示す。
【0019】
【表2】
【0020】(表2)に示したように、請求の範囲内の
Cu成分の添加は、マイクロ波特性を悪化させることな
く、焼成温度を低下させることができる。請求の範囲を
越えてのCu成分の添加は、マイクロ波特性のうち無負
荷Q値を低下させた。
Cu成分の添加は、マイクロ波特性を悪化させることな
く、焼成温度を低下させることができる。請求の範囲を
越えてのCu成分の添加は、マイクロ波特性のうち無負
荷Q値を低下させた。
【0021】(実施例3)本実施例は請求項3、および
請求項4記載の本発明に対応するものである。
請求項4記載の本発明に対応するものである。
【0022】積層型のマイクロ波デバイスとして、スト
リップライン導体を誘電体層で挟み、シールド導体と結
合用のキャパシタを内蔵した構造を持つ誘電体共振器を
作製した。その縦断面図を図2、横断面図を図3、斜視
図を図4に示す。ここで、1は誘電体層、2、3、4は
内層導体、5は外部電極である。以下に、その作製法に
ついて述べる。
リップライン導体を誘電体層で挟み、シールド導体と結
合用のキャパシタを内蔵した構造を持つ誘電体共振器を
作製した。その縦断面図を図2、横断面図を図3、斜視
図を図4に示す。ここで、1は誘電体層、2、3、4は
内層導体、5は外部電極である。以下に、その作製法に
ついて述べる。
【0023】まず、(表1)のNo.12の組成物に、C
uOを0.1重量%加えた誘電体の仮焼粉を作製した。
仮焼粉に有機バインダ、溶剤、および可塑剤を加え混合
して得たスラリーをドクターブレード法によりシート化
した。導体金属として、(表3)に示した種々の金属を
選び、ビヒクルと混練しペースト化した。
uOを0.1重量%加えた誘電体の仮焼粉を作製した。
仮焼粉に有機バインダ、溶剤、および可塑剤を加え混合
して得たスラリーをドクターブレード法によりシート化
した。導体金属として、(表3)に示した種々の金属を
選び、ビヒクルと混練しペースト化した。
【0024】
【表3】
【0025】導体がCuの場合はCuOペーストを用い
た。図5に素子一個の導体の印刷パターンを示す。図5
のストリップライン3の長さは、13mmにした。シー
トを複数枚積層したのち、図5の導体パターン2をスク
リーン印刷し、その上に、シートを複数枚積層し、導体
パターン3を印刷し、さらに、シートを複数枚積層し、
導体パターン4を印刷し、そしてシートを複数枚積層し
た後、熱プレスで圧着した。個々の素子に切断後、空気
中で熱処理してバインダを飛散させた。CuOペースト
を用いた場合は、H2中で熱処理し導体をCuに還元し
たのち、N2中で焼成した。その他の導体の場合、空気
中で焼成した。焼成温度は900℃とした。
た。図5に素子一個の導体の印刷パターンを示す。図5
のストリップライン3の長さは、13mmにした。シー
トを複数枚積層したのち、図5の導体パターン2をスク
リーン印刷し、その上に、シートを複数枚積層し、導体
パターン3を印刷し、さらに、シートを複数枚積層し、
導体パターン4を印刷し、そしてシートを複数枚積層し
た後、熱プレスで圧着した。個々の素子に切断後、空気
中で熱処理してバインダを飛散させた。CuOペースト
を用いた場合は、H2中で熱処理し導体をCuに還元し
たのち、N2中で焼成した。その他の導体の場合、空気
中で焼成した。焼成温度は900℃とした。
【0026】そして、外部電極5として、市販のCuペ
ーストをN2中で焼き付け、積層型の誘電体共振器を得
た。
ーストをN2中で焼き付け、積層型の誘電体共振器を得
た。
【0027】焼成後のストリップラインの長さは11.
4から11.5mmであった。各々の導体に対し素子を
10個作製し、特性はその平均を用いた。上記(表3)
に、得られた共振器の共振周波数とQ値を示す。
4から11.5mmであった。各々の導体に対し素子を
10個作製し、特性はその平均を用いた。上記(表3)
に、得られた共振器の共振周波数とQ値を示す。
【0028】(表3)に示したように、共振周波数はい
ずれも850MHz前後、Q値は、Cu、Au、Ag、
およびそれらの合金等実施したいずれの導体を用いても
100以上と高く、優れたものであった。従来の、低温
焼成基板材料の誘電率は8程度であるため、本実施例の
共振器と同一の構造で、同一の共振周波数を得るには、
31.5mmのストリップライン長が必要となる。しか
し、本発明の誘電体の誘電率は60と高いため、ストリ
ップラインの長さは11.5mmと短く、850MHz
の共振器としては非常に小型のものが得られた。
ずれも850MHz前後、Q値は、Cu、Au、Ag、
およびそれらの合金等実施したいずれの導体を用いても
100以上と高く、優れたものであった。従来の、低温
焼成基板材料の誘電率は8程度であるため、本実施例の
共振器と同一の構造で、同一の共振周波数を得るには、
31.5mmのストリップライン長が必要となる。しか
し、本発明の誘電体の誘電率は60と高いため、ストリ
ップラインの長さは11.5mmと短く、850MHz
の共振器としては非常に小型のものが得られた。
【0029】なお、ストリップラインを曲線状や、積層
状にすることで、より小型の共振デバイスを得ることも
可能である。また、これらを複数個とキャパシタ等を組
み合わせることにより、バンドパスフィルタ等を得るこ
とも可能である。
状にすることで、より小型の共振デバイスを得ることも
可能である。また、これらを複数個とキャパシタ等を組
み合わせることにより、バンドパスフィルタ等を得るこ
とも可能である。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体磁器組成
物は、酸化ビスマス、酸化カルシウム、および酸化ニオ
ブより構成され、低温で焼結し、マイクロ波領域で優れ
た誘電特性を有する。
物は、酸化ビスマス、酸化カルシウム、および酸化ニオ
ブより構成され、低温で焼結し、マイクロ波領域で優れ
た誘電特性を有する。
【0031】また、この誘電体磁器を用いると、Cuや
Ag等の高導電率の導体を用いた積層型のマイクロ波デ
バイスを作製することができる。特に、小型の共振器系
を形成することができるので、自動車電話や可搬型電話
などのマイクロ波用機器の小型化に寄与するところが大
である。
Ag等の高導電率の導体を用いた積層型のマイクロ波デ
バイスを作製することができる。特に、小型の共振器系
を形成することができるので、自動車電話や可搬型電話
などのマイクロ波用機器の小型化に寄与するところが大
である。
【0032】また、本発明の誘電体磁器は、マイクロ波
用の回路基板などにも利用でき、工業的価値が大きいも
のである。
用の回路基板などにも利用でき、工業的価値が大きいも
のである。
【0033】なお、本発明の誘電体磁器に対する、請求
の範囲以外の元素の化合物の含有も誘電特性に悪い影響
を与えない範囲であればかまわない。
の範囲以外の元素の化合物の含有も誘電特性に悪い影響
を与えない範囲であればかまわない。
【図1】請求項1、および請求項3記載の誘電体磁器の
組成範囲を三成分組成図で表した図であって、斜線で示
した領域(境界線も含む)が請求範囲、番号を付した点
が実施例を表すものである。
組成範囲を三成分組成図で表した図であって、斜線で示
した領域(境界線も含む)が請求範囲、番号を付した点
が実施例を表すものである。
【図2】実施例3記載の容量内蔵積層型誘電体共振器の
縦断面図である。
縦断面図である。
【図3】同共振器の横断面図である。
【図4】同共振器の斜視図である。
【図5】同共振器の内層導体の印刷パターン図である。
1 誘電体層 2、3、4 内層導体 5 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01P 7/10 11/00 G (72)発明者 亀山 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】酸化ビスマス、酸化カルシウム、および酸
化ニオブよりなる組成物を、xBiO3/2−yCaO−
zNbO5/2(ただし、x+y+z=1.0)と表したとき
の三成分組成図において、x、y、およびzが、下記の
A、B、C、D、Eを頂点とする五角形、 A:(x,y,z)=(0.55, 0.16 , 0.29 ) B:(x,y,z)=(0.5 , 0.21 , 0.29 ) C:(x,y,z)=(0.44, 0.24 , 0.32 ) D:(x,y,z)=(0.44, 0.2 , 0.36 ) E:(x,y,z)=(0.5 , 0.175, 0.325) の領域内にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項2】誘電体磁器組成物が、少なくとも、 Cu/(Bi+Ca+Nb)≦0.04 の範囲にある銅成分を含むことを特徴とする請求項1記
載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】少なくとも、導体と誘電体層からなり、導
体のすべて、あるいは一部が、Cu、Cu合金、Au、
Au合金、Ag、あるいはAg合金より構成され、誘電
体層のすべて、あるいは一部が、酸化ビスマス、酸化カ
ルシウム、および酸化ニオブよりなる組成物を、xBi
O3/2−yCaO−zNbO5/2(ただし、x+y+z=
1.0)と表したときの三成分組成図において、x、y、
およびzが下記のA、B、C、D、Eを頂点とする五角
形、 A:(x,y,z)=(0.55, 0.16 , 0.29 ) B:(x,y,z)=(0.5 , 0.21 , 0.29 ) C:(x,y,z)=(0.44, 0.24 , 0.32 ) D:(x,y,z)=(0.44, 0.2 , 0.36 ) E:(x,y,z)=(0.5 , 0.175, 0.325) の領域内にある誘電体磁器組成物より構成されているこ
とを特徴とする積層型マイクロ波デバイス。 - 【請求項4】誘電体磁器組成物が、少なくとも、 Cu/(Bi+Ca+Nb)≦0.04 の範囲にある銅成分を含むことを特徴とする請求項3記
載の積層型マイクロ波デバイス。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4027775A JP2798105B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス |
EP93101915A EP0558955B1 (en) | 1992-02-14 | 1993-02-08 | Dielectric ceramic composition and multilayer microwave device employing the same |
US08/014,505 US5273944A (en) | 1992-02-14 | 1993-02-08 | Dielectric ceramic composition and multilayer mircowave device employing the same |
DE69319357T DE69319357T2 (de) | 1992-02-14 | 1993-02-08 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und diese verwendende Mehrschichten-Mikrowellenvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4027775A JP2798105B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05225826A true JPH05225826A (ja) | 1993-09-03 |
JP2798105B2 JP2798105B2 (ja) | 1998-09-17 |
Family
ID=12230353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4027775A Expired - Fee Related JP2798105B2 (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 誘電体磁器組成物及び積層型マイクロ波デバイス |
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Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0558955B1 (ja) |
JP (1) | JP2798105B2 (ja) |
DE (1) | DE69319357T2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6938672B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-06 | Chun Pyo Hong | Rheoforming apparatus |
US6942009B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-13 | Chun Pyo Hong | Apparatus for manufacturing billet for thixocasting |
EP1909390A2 (en) | 1996-09-26 | 2008-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diplexer, duplexer, and two-channel mobile communications equipment |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5629252A (en) * | 1995-06-15 | 1997-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a dielectric ceramic composition dielectric ceramic and multilayer high frequency device |
JPH09100156A (ja) * | 1995-10-04 | 1997-04-15 | Nikon Corp | 誘電体磁器組成物 |
JP3087657B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2000-09-11 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
JP4179029B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 圧電セラミックの製造方法 |
JP3846464B2 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体セラミック組成物およびこれを用いたセラミック電子部品 |
EP1864957A4 (en) * | 2005-03-31 | 2008-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | DIELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION AND HIGH FREQUENCY DEVICE USING THE SAME |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3847829A (en) * | 1973-08-10 | 1974-11-12 | Du Pont | Crystalline bismuth-containing oxides |
JPS5548407B2 (ja) * | 1973-08-15 | 1980-12-05 | ||
JPS51101900A (ja) * | 1975-03-05 | 1976-09-08 | Tdk Electronics Co Ltd | |
JPS5937526B2 (ja) * | 1980-07-01 | 1984-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁組成物 |
US4638401A (en) * | 1984-10-29 | 1987-01-20 | At&T Technologies, Inc. | Ceramic compositions and devices |
US4978646A (en) * | 1989-03-03 | 1990-12-18 | Corning Incorporated | Capacitors and high dielectric constant ceramics therefor |
US5004713A (en) * | 1989-07-05 | 1991-04-02 | Corning Incorporated | Frequency stable NPO ceramics |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP4027775A patent/JP2798105B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-02-08 DE DE69319357T patent/DE69319357T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-02-08 US US08/014,505 patent/US5273944A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-02-08 EP EP93101915A patent/EP0558955B1/en not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1909390A2 (en) | 1996-09-26 | 2008-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Diplexer, duplexer, and two-channel mobile communications equipment |
US6938672B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-06 | Chun Pyo Hong | Rheoforming apparatus |
US6942009B2 (en) | 2003-04-24 | 2005-09-13 | Chun Pyo Hong | Apparatus for manufacturing billet for thixocasting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69319357D1 (de) | 1998-08-06 |
EP0558955A1 (en) | 1993-09-08 |
DE69319357T2 (de) | 1999-01-07 |
JP2798105B2 (ja) | 1998-09-17 |
EP0558955B1 (en) | 1998-07-01 |
US5273944A (en) | 1993-12-28 |
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