JPH05893A - 単結晶製造装置 - Google Patents

単結晶製造装置

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JPH05893A
JPH05893A JP3004676A JP467691A JPH05893A JP H05893 A JPH05893 A JP H05893A JP 3004676 A JP3004676 A JP 3004676A JP 467691 A JP467691 A JP 467691A JP H05893 A JPH05893 A JP H05893A
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信宏 林
Yoichi Katagiri
洋一 片桐
Yoichi Abiko
世一 安彦
Tomoyoshi Komura
朋美 小村
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 原料棒の溶融速度(滴下速度)を一定に保
ち、これにより組成を均一化させた質の良い単結晶フェ
ライトを製造する。 【構成】 原料棒9の重さを計り、その計量結果に応じ
て該原料棒9が減った分該原料棒9を所定量を降下させ
ることにより、該原料棒9の下端部である溶解位置を、
加熱手段9の所定の温度領域に常時配置し、これによ
り、該原料棒9の溶融速度(滴下速度)を一定に保ち、
単結晶フェライトの組成を均一化させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば磁気ヘッドな
どの磁性材料に利用されるフェライト単結晶を製造する
ための単結晶製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、フェライト単結晶を作成する
場合にはブリッジマン法と称される方法が採用されてい
る。
【0003】このブリッジマン法を利用したフェライト
単結晶の製造装置としては、特開昭55ー128801
号公報に示されるように、ルツボ内で溶融したフェライ
ト原料(出発原料)を、垂直方向に沿って適当な温度勾
配をもった電気炉内に配置し、該電気炉内において、前
記ルツボを徐々に下降させることによって、前記ルツボ
の下部から、溶融したフェライト原料を固化させて単結
晶化するものがある。そして、この公報に示されるフェ
ライト単結晶の製造装置では、前記ルツボに対して、更
にフェライト原料(出発原料)の液相部と平衡共存する
組成のフェライト原料(原料棒)を固体の状態で、垂直
方向の上方側から液相部に直接投入するようにしてお
り、これによって以下に示すような問題が発生してい
た。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、固体状の原
料棒が溶けてゆくと、その下端部の位置が変化し、これ
により該原料棒の位置が電気炉の所定の温度領域(例え
ば、最も温度が高い領域)からずれてしまい、これによ
り該原料棒が溶融する速度が変化して、単結晶フェライ
トの組成が不均一化するという不具合があった。また、
前記原料棒はその下端部がルツボ内のフェライト原料の
液相部に常時投入されており、これによって前記固体状
の原料棒が核となって雑晶が発生する恐れがあった。こ
の発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、
(1)ルツボに対してフェライト組成を有するフェライ
ト原料(原料棒)を確実に一滴ずつ滴下させることがで
きて、雑晶の発生を防止しかつ組成を均一化したフェラ
イト単結晶を製造することができる、(2)原料棒を電
気炉の所定の温度領域に確実に位置決めすることができ
て、該原料棒の溶融速度(滴下速度)を一定に保ち、こ
れにより組成を均一化させた質の良い単結晶フェライト
を製造することができるフェライト単結晶の製造装置の
提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明では、垂直方向に沿って区分された複数
の温度領域を有する加熱手段内に、該加熱手段と相対移
動するように設けられて、フェライト単結晶の種結晶と
なるフェライト原料が貯留されたルツボと、前記ルツボ
の上方位置であり、かつ前記加熱手段内に垂直方向に移
動自在に吊り下げられて、前記フェライト原料の液相部
と平衡共存する組成のフェライト原料により形成される
原料棒とを有し、前記原料棒が、前記加熱手段により溶
融させられて、前記ルツボ内に滴下される単結晶製造装
置であって、前記原料棒は昇降装置に吊り下げられ、更
に、前記昇降装置は、前記原料棒の重さを計る計量部
と、前記原料棒を昇降させる駆動部と、前記計量部の測
定データに基づいて、前記駆動部に前記原料棒を所定量
を降下させる制御信号を出力する制御部とから構成され
ていることを特徴とする。
【0006】第2の発明では、前記制御部に、原料棒の
重さの変化量と、該変化量に対応した該原料棒の降下量
との関係が記憶データとして予め記憶され、前記制御部
は、この記憶データに基づいて、前記原料棒の降下量を
検出することを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明による単結晶製造装置によれば、原料棒
の重さを計り、その計量結果に応じて該原料棒が減った
分該原料棒を所定量を降下させるようにしたので、該原
料棒の下端部である溶解位置を、加熱手段の所定の温度
領域に常時配置することができ、該原料棒の溶融速度
(滴下速度)を一定に保ち、これにより単結晶フェライ
トの組成を均一化させることができる。また、フェライ
ト原料の液相部と平衡共存する組成の原料棒を加熱手段
内に吊り下げ、更に、この原料棒をルツボに対して一滴
ずつ溶融して滴下させるようにしたので、例えば従来の
ように、固体状の投入原料が核となって雑晶が発生する
ことが防止される。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図1〜図3を参照して説明
する。まず、図3を参照して本発明の基本構成について
説明する。この図において符号1で示すものは垂直方向
(矢印(イ)ー(ロ)方向)に沿って長尺なルツボであ
る。
【0009】このルツボ1は、炉内管2によって下方か
ら支持されたものであり、その内部には出発原料である
フェライト原料3が予め投入されている。また、符号4
で示すものは炉体であって、垂直方向(矢印(イ)ー
(ロ)方向)に沿って移動可能に設けられるとともに、
前記炉内管2上に固定されたルツボ1に対して相対的に
移動するようになっている。
【0010】また、この炉体4には、その移動方向であ
る矢印(イ)ー(ロ)方向に沿って複数のヒータ群が設
けられており、これらヒータ群は、それぞれが4つの温
度領域である、アニール部5、溶解部6、育成部7、保
持部8に区分されている(詳細は後述する)。また、前
記炉体4の上方位置であり、かつ前記ルツボ1の内部に
は、前記ルツボ1内に投入するための投入原料である原
料棒9が配置されている。この原料棒9は、図1に示さ
れる昇降装置10により垂直方向(矢印(イ)ー(ロ)
方向)に移動させられるワイヤ11に吊り下げられるも
のであって、その下端部は前記ルツボ1の内部空間の上
部位置に配置されている。なお、前記昇降装置10の詳
細は後に述べる。
【0011】次に、前記アニール部5、溶解部6、育成
部7、保持部8に区分されたヒータ群について説明す
る。上記のように区分されたヒータ群の温度領域におい
ては、上部に位置するアニール部5が600〜1100
℃の温度範囲に設定され、また、中間部に位置する溶解
部6が、前記フェライトの融点(mp.1570〜15
90)より50℃から100℃ほど高い温度範囲に設定
され、また、中間部下側に位置する育成部7が、前記融
点(mp.1570〜1590℃)より10℃から20
℃ほど高い温度範囲に設定され、また、下部に位置する
保持部8が300〜1300℃の温度範囲に設定されて
いる。
【0012】なお、これらの温度領域の内、前記アニー
ル部5は、原料棒9を一定の温度に維持することによ
り、該原料棒9の内部歪みを除去し、かつ該原料棒9が
その温度差により生じる歪みから割れることを防止する
ものである。また、前記溶解部6は原料棒9を溶解して
一滴ずつルツボ1内に滴下するものであり、また、前記
育成部7はルツボ1内のフェライト原料3と原料棒9を
溶解したものとから、フェライト単結晶を生成、育成さ
せるものであり、また、前記保持部8は生成したフェラ
イト単結晶を一定の温度に維持することにより、該フェ
ライト単結晶がその温度差により生じる歪みから割れる
ことを防止するものである。
【0013】以下に、前記昇降装置10を動作させるた
めの構成とその制御内容について図1及び図2の(A)
及び(B)を参照して説明する。
【0014】まず、前記昇降装置10の構成を説明す
る。前記昇降装置10は、連結部材10A・10Aを上
下方向に一体に昇降させることによって、該連結部材1
0A・10Aに連結されたワイヤ11を昇降し、該ワイ
ヤ11に吊り下げられた原料棒9を昇降させるものであ
って、前記連結部材10A・10Aの昇降はその上部に
搭載されたモータ16によって行われるようになってい
る。
【0015】具体的には、モータ16はコンピュータ1
7から出力された制御信号に基づき動作され、また、こ
のコンピュータ17は、ワイヤ11の途中に設けられた
計量機18の測定データに基づき、前記モータ16を動
作させるための制御信号を出力するようになっている。
つまり、前記コンピュータ17は、計量機18において
測定された原料棒9の計量値(測定データとして出力さ
れる)に基づき、該原料棒9が単位時間当たりにどれ程
減少したかを計算した後、この計算値により、原料棒9
を降下させるべき距離を検出し、更にこの検出した降下
距離から、該原料を降下させる速度(言い換えれば原料
棒9が溶けて減って行った速度)を検出し、この速度に
一致するように、前記原料棒9を降下させる制御信号
を、モータ16に対して出力するようになっている。
【0016】前記コンピュータ17には、図2の(A)に
示すような溶解量と該溶解量に対応した降下距離との関
係が予め入力され、この関係により該コンピュータ17
は、計量機18において計量された測定データ(溶解量)
に基づき前記原料棒9を降下させるべき降下距離を検出
する(言い換えれば、原料棒9が溶けてその下端部が上
昇した上昇距離が前記降下距離となっている)。
【0017】ここで、図2の(A)を参照して判るよう
に、前記原料棒9はその溶け始めと、終わりの近辺にお
いて、前記原料棒9の溶解量に対してその降下させるべ
き距離がその前後に比較して少ないことが判る。これに
よって、前記降下距離に対する原料棒9の降下速度は、
図2の(B)に示すように、原料棒9の溶け始めと、終わ
りの近辺においてその前後よりも低く押えるようにして
いる。つまり、前述したコンピュータ17は、図2の
(A)及び図2の(B)に示す関係に基づき、計量機18の
測定データ(溶解量)により検出された原料棒9の降下距
離から、降下速度を検出し、この降下速度となるよう
に、前記原料棒9を降下させる制御信号をモータ16に
対して出力するものである。
【0018】なお、このようなフィードバック制御は予
め定めておいた一定時間毎に行う外、距離センサなどに
より原料棒9の減った量を直接検出して(例えば、原料
棒9の下端部の位置を検出して)、前記原料棒9の降下
速度を制御するようにしても良い。
【0019】そして、以上のような制御を行うことによ
って、前記原料棒9の下端部である溶解位置を、炉体4
の溶解部6に常時配置することができ、これによって前
記原料棒9からルツボ1に確実に一滴ずつフェライト原
料を滴下することができ、これによって結晶を均一に育
成させ、上質のフェライト単結晶を生成することができ
るという効果が得られる。また、フェライト原料の液相
部と平衡共存する組成の原料棒9を炉体4の溶解部6の
付近に吊り下げ、更に、この原料棒9をルツボ1に対し
て一滴ずつ溶融して滴下させるようにしたので、例えば
従来のように、固体状の投入原料が核となって雑晶が発
生することが防止され、フェライト単結晶の組成を均一
化させることができる効果が得られる。
【0020】なお、前記ルツボ1内に予め投入されるフ
ェライト原料2としては、例えばMnーZnフェライト
単結晶を作成する場合には、Fe23が54mol%、
MnOが28mol%、ZnOが18mol%の組成も
のが使用され、このような組成のフェライト原料2を炉
体4内で溶融し、更にこの溶融したフェライト原料2を
炉体4の温度変化により、その下側から徐々に固化させ
ることによって、フェライト単結晶を順次成長させて行
くものである。また、前記昇降装置10に吊り下げられ
る原料棒9は、溶融したフェライト原料が固化する際に
Znが選択的に固化することにより、成長が進むにつれ
て相対的にMnの組成が増加することを防止するもので
あって、具体的にはFe23が53.5mol%、Zn
Oが20mol%の割合で含有されている。
【0021】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
る単結晶製造装置によれば、原料棒の重さを計り、その
計量結果に応じて該原料棒が減った分該原料棒を所定量
を降下させるようにしたので、該原料棒の下端部である
溶解位置を、加熱手段の所定の温度領域に常時配置する
ことができ、該原料棒の溶融速度(滴下速度)を一定に
保ち、これにより組成を均一化して質の良い単結晶フェ
ライトを製造することができる効果が得られる。また、
フェライト原料の液相部と平衡共存する組成の原料棒を
加熱手段内に吊り下げ、更に、この原料棒をルツボに対
して一滴ずつ溶融して滴下させるようにしたので、例え
ば従来のように、固体状の投入原料が核となって雑晶が
発生することが防止され、この点においてもフェライト
単結晶の組成を均一化させることができる効果が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】原料棒をフィードバック制御させつつ昇降させ
るための装置を示す正面図。
【図2】(A)と(B)は図1に示す装置を制御するた
めの制御内容を示すグラフ。
【図3】単結晶製造装置の全体概略構成を示す正面図で
ある。
【符号の説明】
1 ルツボ 4 炉体(加熱手段) 16 モータ(駆動部) 17 コンピュータ(制御部) 18 計量機(計量部)
フロントページの続き (72)発明者 小村 朋美 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 垂直方向に沿って区分された複数の温度
    領域を有する加熱手段内に、該加熱手段と相対移動する
    ように設けられて、フェライト単結晶の種結晶となるフ
    ェライト原料が貯留されたルツボと、前記ルツボの上方
    位置であり、かつ前記加熱手段内に垂直方向に移動自在
    に吊り下げられて、前記フェライト原料の液相部と平衡
    共存する組成のフェライト原料により形成される原料棒
    とを有し、前記原料棒が、前記加熱手段により溶融させ
    られて、前記ルツボ内に滴下される単結晶製造装置であ
    って、前記原料棒は昇降装置に吊り下げられてなり、前
    記昇降装置は、前記原料棒の重さを計る計量部と、前記
    原料棒を昇降させる駆動部と、前記計量部の測定データ
    に基づいて、前記駆動部に前記原料棒を所定量を降下さ
    せる制御信号を出力する制御部とから構成されているこ
    とを特徴とする単結晶製造装置。
  2. 【請求項2】 前記制御部には、原料棒の重さの変化量
    と、該変化量に対応した該原料棒の降下量との関係が記
    憶データとして予め記憶され、前記制御部は、この記憶
    データに基づいて、前記原料棒の降下量を検出すること
    を特徴とする請求項1記載の単結晶製造装置。
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WO2011010724A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 住友電気工業株式会社 半導体結晶の製造方法、半導体結晶の製造装置および半導体結晶

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