JPH0588891B2 - - Google Patents

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JPH0588891B2
JPH0588891B2 JP63307578A JP30757888A JPH0588891B2 JP H0588891 B2 JPH0588891 B2 JP H0588891B2 JP 63307578 A JP63307578 A JP 63307578A JP 30757888 A JP30757888 A JP 30757888A JP H0588891 B2 JPH0588891 B2 JP H0588891B2
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silicon
germanium
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    • G03G5/07Polymeric photoconductive materials
    • G03G5/078Polymeric photoconductive materials comprising silicon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
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    • GPHYSICS
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    • G03F7/075Silicon-containing compounds
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Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は、ポリ有機ケイ素化合物やポリ有機ゲ
ルマニウム化合物などの主鎖がケイ素、ゲルマニ
ウム、またはケイ素とゲルマニウム、あるいはそ
のいずれかと炭素の連鎖で構成され、側鎖が有機
置換基からなる有機金属高分子化合物の改良した
製造方法に関する。 〔従来の技術〕 主鎖がケイ素、ゲルマニウム、またはケイ素と
ゲルマニウム、あるいはそのいずれかと炭素の連
鎖で構成され、側鎖が有機置換基からなる有機金
属高分子化合物を合成する方法としては、下記
()式で示されるような、相当する有機金属ジ
ハロゲン化物をアルカリ金属で脱ハロゲン化縮合
して得る方法が一般的に知られている(例えば、
P.トレフオナス(P.Trefonas)他、ジヤーナル
オブ ポリマー サイエンス:ポリマー ケミ
ストリー エジシヨン(J.Polym.Sci.:Polym.
Chem.Ed.)第23巻、第2099−2107ページ
(1985))。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、この方法で得られる有機金属高分子化
合物の収率は一般に低く、特に成膜性等の成形加
工性に富んだ分子量100000を越える成分の収率は
10%以下であつた。 本発明の目的は、従来法では低収率であつた分
子量100000以上の有機金属高分子化合物を短時間
に高収率で得ることのできる有機金属高分子化合
物の製造方法を提供することにある。 〔課題を解決するための手段〕 一般式()の反応はウルツ反応であるため、
反応速度は、反応中に生じる有機金属アニオン−
アルカリ金属カチオン錯体の有機金属ジハロゲン
化物への求核性により支配される。一方、アルカ
リ金属イオン錯体において、アルカリ金属イオン
を捕捉することにより対アニオンを活性化する作
用がクラウンエーテルにおいて見いだされてい
る。そこで、一般式()の反応において、クラ
ウンエーテルを助触媒として使用することにより
有機金属アニオンが活性化され、有機金属ジハロ
ゲン化物への求核性の増加により反応速度が増加
し、高分子量の有機金属高分子化合物が短時間に
高収率で得られるものと考え、クラウンエーテル
を有機金属ジハロゲン化物の重合反応に適用し
た。 本発明は有機金属高分子化合物の製造方法に関
する発明であつて、主鎖が、ケイ素及び/または
ゲルマニウム、あるいはケイ素若しくはゲルマニ
ウムと炭素との連鎖で構成され、側鎖が有機置換
基からなる有機金属高分子化合物を、相当する有
機金属ハロゲン化物とアルカリ金属との反応によ
り製造する方法において、炭素数が28個以下で酸
素数が10個以下のクラウンエーテルの存在下で反
応を行うことを特徴とする。 以下、本発明を詳しく説明する。 本発明は、一般式()で有機金属高分子化合
物を合成する際に、クラウンエーテルを助触媒と
して使用することを最も主要な特徴とし、該有機
金属高分子化合物は、相当する有機金属ハロゲン
化物を、クラウンエーテルを含む有機溶媒中で溶
融アルカリ金属を触媒として縮合することによつ
て得られる。 本発明において使用される有機金属ジハロゲン
化物の金属はケイ素(Si)またはゲルマニウム
(Ge)であり、ハロゲン元素は塩素(Cl)または
臭素(Br)が好ましく用いられる。このような
有機金属ハロゲン化物としては、例えばジメチル
ジクロロシラン、メチルプロピルジクロロシラ
ン、メチルn−ヘキシルジクロロシラン、メチル
−n−ドデシルジクロロシラン、メチルフエニル
ジクロロシラン、メチルβ−フエネチルジクロロ
シラン、メチルp−トリルジクロロシラン、〔2
−〔3−〔(トリメチルシリル)オキシ〕フエニル〕
プロピル〕メチルジクロロシラン、1,1,1−
ジクロロメチル−2,2,2−ジメチルフエニル
シラン、ジn−ヘキシルジクロロシラン、ビス
(p−n−ヘキシルフエニル)ジクロロシラン、
メチル−2−(4−シクロヘキセニル)エチルジ
クロロシラン、ジクロロシラン、ジブチルジクロ
ロシラン、ジブチルジクロロゲルマン、1,4−
ビス(クロロエチルメチルシリル)ベンゼン、
1,1,2,2−テトラクロロジイソプロピルジ
シラン、プロピルトリクロロシラン、n−ヘキシ
ルトリクロロシラン、ジクロロデカメチルシクロ
ヘキサシランなどがある。 また、本発明においてアルカリ金属とともに使
用される炭素数が28個以下で酸素数が10個以下の
クラウンエーテルとしては、例えば18−クラウン
−6、15−クラウン−5、12−クラウン−4、
1,3,5−トリオキサン、1,4−ジオキサ
ン、ジシクロヘキシル18−クラウン−6、シクロ
ヘキシル18−クラウン−6、ジベンゾ30−クラウ
ン−10、ジベンゾ24−クラウン−8、ジベンゾ18
−クラウン−6などがある。 本発明の脱ハロゲン化による縮合重合反応系に
おいて用いられる有機溶媒には、トルエン、石油
系溶剤などがあり、アルカリ金属としてはリチウ
ム、ナトリウム、カリウムなどがあるが、得られ
る有機金属高分子化合物の高分子量化および高収
率化の点から、トルエン、ナトリウムが最も好ま
しい。 また、縮合反応の際、複数種の有機金属ジハロ
ゲン化物を用いると、これらの共重合体が得られ
る。 本発明の製造方法によつて合成される有機金属
高分子化合物には、例えば以下のようなものが挙
げられる。 (1) パーメチルポリシラン (2) メチルプロピルポリシラン (3) メチルn−ヘキシルポリシラン (4) メチルドデシルポリシラン (5) メチル(β−フエネチル)ポリシラン (6) メチルフエニルポリシラン (7) メチルp−トリルポリシラン (8) ポリ〔2−〔3−〔(トリメチルシリル)オキ
シ〕フエニル〕プロピル〕メチルシリレン (9) メチル(ジメチルフエニルシリル)ポリシラ
ン (10) ジn−ヘキシルポリシラン (11) ビス(p−ヘキシルフエニル)ポリシラン (12) ジメチルシリレン−メチルフエニルシリレ
ン共重合体 (13) メチルプロピルシリレン−エチルフエニル
シリレン共重合体 (14) メチル{2−(4−シクロヘキセニル)エ
チル}シリレン−メチルフエニルシリレン共重
合体 (15) ジブチルポリゲルマン (16) ジブチルゲルミレン−メチルn−ヘキシル
シリレン共重合体 (17) ポリ〔p−(1,2−ジエチルジメチルジ
シラニレン)フエニレン〕 (18) パーイソプロピルラダーポリシラン (19) ポリn−プロピルシリン (20) ポリn−ヘキシルシリン (21) ポリ(パーメチルシクロヘキサシラン) 〔実施例〕 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、以下の実施例で用いた各種クラウンエーテ
ルの構造式は第1図のとおりである。 第1図中のクラウンエーテルにおいて、ジシク
ロヘキシル18−クラウン−6については、そのシ
クロヘキシル基の位置は図示のものに限定される
ことなく、またジベンゾ30−クラウン−10、ジベ
ンゾ24−クラウン−8、ジベンゾ18−クラウン−
6についてはそのフエニレン基の位置は図示のも
のに限定されることはない。 また、以下の実施例の反応はすべてアルゴン気
流下で行つた。 (実施例1) パーメチルポリシラン(1)の合成 200c.c.4つ口フラスコに、攪拌機、還流冷却管
をセツトし、脱水精製したトルエン(50c.c.)、18
−クラウン−6(1.0g)、および新しく切り出し
た金属ナトリウム(2.1g)を仕込んだ。加熱攪
拌し、ナトリウムが溶融分散したところへ、ジメ
チルジクロロシラン(5g)をシリンジにて注入
した。30分加熱攪拌後、室温まで冷却し、イソプ
ロピルアルコール浴で冷却しつつ、エタノール
(20c.c.)を徐々に加え、1時間攪拌した。反応液
をエタノール(70c.c.)中にゆつくりそそぎ込み、
沈澱物をろ取した。水洗、メタノール洗を3回繰
り返した後、真空乾燥した。収率80%でパーメチ
ルポリシランを得た。 (実施例2) メチルプロピルポリシラン(2)の合
成 実施例1と同様の装置を用いて、脱水精製した
トルエン(50c.c.)、18−クラウン−6(8.9g)、お
よび新しく切り出した金属ナトリウム(1.7g)
を仕込んだ。加熱攪拌し、ナトリウムが溶融分散
したところへ、メチルプロピルジクロロシラン
(5g)をシリンジにて注入した。30分加熱攪拌
後、室温まで冷却し、イソプロピルアルコール浴
で冷却しつつ、エタノール(20c.c.)を徐々に加
え、1時間攪拌した。反応液をエタノール(700
c.c.)中にゆつくりそそぎ込み、沈澱物をろ取し、
水洗、メタノール洗を各2回繰り返した。真空乾
燥後、トルエン(30c.c.)に溶かし、トルエン不溶
物をろ過により取り除き、メタノール(700c.c.)
にて再沈澱した。沈澱物をガラスフイルターでろ
取し、メタノールで洗浄後、真空乾燥した。収率
は57%であり、従来法の約4倍であつた。 クラウンエーテルの添加量変化に伴う収率の変
化を第2図に示す。対モノマーモル比で0.1量の
クラウンエーテルの添加で充分な効果のあること
がわかる。得られたメチルプロピルポリシランの
分子量分布の一例を第3図に示す。分子量100000
程度の成分に富み、従来法で得られたものにくら
べ、成形加工性に劣る分子量100000程度の成分が
少ない。異なつたクラウンエーテルを用いた場合
の収率変化の結果を表1に示す。 (実施例3) ジn−ヘキシルポリシラン(10)の合
成 実施例1と同様の装置を用いて、脱水精製した
トルエン(50c.c.)、18−クラウン−6(0.49g)、
および新しく切り出した金属ナトリウム(1.03
g)を仕込んだ。加熱攪拌し、ナトリウムが溶融
分散したところへ、ジn−ヘキシルジクロロシラ
ン(5g)をシリンジにて注入した。実施例2と
同様の操作により、収率17%(従来法の300倍)
でジn−ヘキシルポリシランを得た。収率のクラ
ウンエーテル添加量依存性を第4図に、重合時間
依存性を第5図に示す。分子量分布のクラウンエ
ーテル添加量依存性を第6図に示す。異なつたク
ラウンエーテルを用いた場合の収率変化を表2
に、分子量分布の一例を第7図に示す。 (実施例4) メチルプロピルシリレン−メチル
フエニルシリレン共重合体(13)の合成 実施例1と同様の装置を用いて、脱水精製した
トルエン(50c.c.)、18−クラウン−6(0.15g)、
および新しく切り出した金属ナトリウム(3.2g)
を仕込んだ。加熱攪拌し、ナトリウムが溶融分散
したところへ、メチルプロピルジクロロシラン
(5g)とメチルフエニルジクロロシラン(5g)
の混合液をシリンジにて注入した。30分加熱攪拌
後、室温まで冷却し、イソプロピルアルコール浴
で冷却しつつ、エタノール(30c.c.)を徐々に加
え、1時間攪拌した。反応液をエタノール(700
c.c.)中にゆつくりそそぎ込み、沈澱物をろ取し
た。真空乾燥後、トルエン(100c.c.)に溶かし、
トルエン不溶物をろ過により取り除き、メタノー
ル(1.5)にて再沈澱した。収率52%で共重合
体を得た。 (実施例5) パーイソプロピルラダーポリシラ
ン(18)の合成 実施例1と同様の装置を用いて、脱水精製した
トルエン(50c.c.)、18−クラウン−6(0.46g)、
および新しく切り出した金属ナトリウム(1.9g)
を仕込んだ。加熱攪拌し、ナトリウムが溶融分散
したところへ、トルエン(20c.c.)で希釈した1,
1,2,2−テトラクロロジイソプロピルジシラ
ン(5g)を滴下した。滴下終了後、30分加熱攪
拌した。実施例2と同様の操作により、収率50%
で黄色のパーイソプロピルラダーポリシランを得
た。 (実施例6) ポリn−ヘキシルシリン(20)の
合成 実施例1と同様の装置を用いて、脱水精製した
トルエン(50c.c.)、12−クラウン−4(0.5g)、お
よび新しく切り出した金属ナトリウム(2.3g)
を仕込んだ。加熱攪拌し、ナトリウムが溶融分散
したところへ、トルエン(20c.c.)で希釈したn−
ヘキシルトリクロロシラン(6.2g)を滴下した。
1時間加熱攪拌後、室温まで冷却し、ブチルリチ
ウム(25c.c.、10%ヘキサン溶液)を加えて1時間
攪拌した。エタノール(30c.c.)を徐々に加え、
2.5時間攪拌後、エタノール(600c.c.)中にゆつく
りそそぎ込んだ。沈澱物をろ取し、水洗、メタノ
ール洗を各2回繰り返した。真空乾燥後、トルエ
ン(30c.c.)とテトラヒドロフラン(20c.c.)の混合
溶媒に溶かし、トルエン不溶物をろ過により取り
除き、メタノール(700c.c.)にて再沈澱した。沈
澱物をガラスフイルターでろ取し、メタノールで
洗浄後、真空乾燥した。収率100%で黄色のポリ
n−ヘキシルシリンを得た。第8図に分子量分布
を示す。第9図に固体フイルムのUV吸収スペク
トルを、第10図にIRスペクトルを示す。これ
らのスペクトルは文献(P.A.Bianconi et al.,J.
Am.Chem.Soc.,110,2342(1988)に記載された
ものとほぼ一致することにより、シリコンの2次
元骨格が形成されていることがわかる。ただし、
1000〜1100cm-1にブロードな吸収が観測されるこ
とにより、わずかにSi−O−Si構造が含まれる。 また、18−クラウン−6を用いて、他の有機金
属高分子化合物を合成した場合の結果を表3に示
す。 なお、表3に示した各種有機金属高分子化合物
の構成単位の構造は第11図のとおりである。な
お、Meはメチル基、Etはエチル基を意味する。 これらの結果から明らかなように、本発明方法
で合成した場合には、分子量100000程度の有機金
属高分子化合物が従来法にくらべて短時間に高収
率で得られた。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は、シリコンカー
バイドの前駆体やフオトレジスト、電子写真感光
体としての利用が検討されている有機金属高分子
化合物の製造において、成形加工性に富んだ分子
量100000程度の高分子化合物を従来にくらべ短時
間、高収率で得ることができるため、有機金属高
分子化合物の製造効率を向上できる。また、これ
まで収率がきわめて低く、事実上合成できなかつ
た有機金属高分子化合物を合成できるため、従来
よりも特性の優れた有機金属高分子化合物の合成
が可能となり、新しい有機金属高分子材料の領域
拡大が期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例で用いたクラウンエー
テルの構造式を示し、第2図はメチルプロピルポ
リシランの重合収率に与える18−クラウン−6添
加量の依存性を示すグラフ、第3図はメチルプロ
ピルポリシランの分子量分布に与える18−クラウ
ン−6添加量の依存性を示すグラフ、第4図はジ
n−ヘキシルポリシランの重合収率における18−
クラウン−6添加量の依存性を示すグラフ、第5
図はジn−ヘキシルポリシランの重合収率の重合
時間依存性を示すグラフ、第6図はジn−ヘキシ
ルポリシランの分子量分布に与える18−クラウン
−6添加量の依存性を示すグラフ、第7図はジn
−ヘキシルポリシランの分子量分布と用いたクラ
ウンエーテルの種類との関係を示すグラフ、第8
図は実施例6で得られたポリn−ヘキシルシリン
の分子量分子を示すグラフ、第9図は同じくポリ
n−ヘキシルシリンの紫外吸収スペクトル、第1
0図は同じくポリn−ヘキシルシリンの赤外吸収
スペクトル、第11図は、本発明の実施例におい
て合成された有機金属高分子化合物の骨格の構造
式を示すものである。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 主鎖がケイ素及び/またはゲルマニウム、あ
    るいはケイ素若しくはゲルマニウムと炭素との連
    鎖で構成され、側鎖が有機置換基からなる有機金
    属高分子化合物を、相当する有機金属ハロゲン化
    物とアルカリ金属との反応により製造する方法に
    おいて、炭素数が28個以下で酸素数が10個以下の
    クラウンエーテルの存在下で重合反応を行うこと
    を特徴とする有機金属高分子化合物の製造方法。
JP63307578A 1987-12-11 1988-12-05 有機金属高分子化合物の製造方法 Granted JPH01252637A (ja)

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DE3841598A DE3841598C2 (de) 1987-12-11 1988-12-09 Verfahren zur Herstellung von organometallischen Hochpolymeren
US07/488,424 US4997899A (en) 1987-12-11 1990-02-27 Process for preparing organometallic high polymer

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2657614A1 (fr) * 1990-02-01 1991-08-02 Rhone Poulenc Chimie Procede de preparation de polycarbosilanes en presence de sodium metallique fondu et d'agents sequestrants.
DE4102315A1 (de) * 1991-01-26 1992-07-30 Solvay Deutschland Heteroelement enthaltende polycarbosilane
KR100604751B1 (ko) * 2001-08-24 2006-07-26 주식회사 하이닉스반도체 산 확산 방지용 포토레지스트 공중합체 및 이를 함유하는포토레지스트 조성물
EP1943669A4 (en) * 2005-10-05 2012-06-13 Kovio Inc LINEAR AND NETWORKED HIGHLY MOLECULAR POLYSILANES, POLYGERMANES AND COPOLYMERS THEREOF, COMPOSITIONS CONTAINING THEM AND METHOD FOR THE PREPARATION AND USE OF SUCH COMPOUNDS AND COMPOSITIONS
JP6704577B2 (ja) * 2015-02-23 2020-06-03 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 カーボンナノチューブ−ドーパント組成物複合体の製造方法およびカーボンナノチューブ−ドーパント組成物複合体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1426747A (en) * 1972-10-03 1976-03-03 Poudres & Explosifs Ste Nale Anionic polymerization
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