JPH0588373A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0588373A JPH0588373A JP3252018A JP25201891A JPH0588373A JP H0588373 A JPH0588373 A JP H0588373A JP 3252018 A JP3252018 A JP 3252018A JP 25201891 A JP25201891 A JP 25201891A JP H0588373 A JPH0588373 A JP H0588373A
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- coating film
- film
- coating
- pattern
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
Abstract
(57)【要約】
【目的】耐エッチング性に優れ、ボイド、ピンホールな
どの欠陥がなく、しかも硬化時に膜収縮がなく、その上
絶縁性にも優れたパターン状膜を形成しうるようなパタ
ーン形成方法を提供する。 【構成】基板上にポリシラザンを含む塗布液を塗布して
塗膜を形成し、該塗膜に酸化雰囲気下で紫外線をパター
ン状に照射後、紫外線未露光部分を除去してパターンを
形成する。
どの欠陥がなく、しかも硬化時に膜収縮がなく、その上
絶縁性にも優れたパターン状膜を形成しうるようなパタ
ーン形成方法を提供する。 【構成】基板上にポリシラザンを含む塗布液を塗布して
塗膜を形成し、該塗膜に酸化雰囲気下で紫外線をパター
ン状に照射後、紫外線未露光部分を除去してパターンを
形成する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、基板上へのパターン形成
方法に関し、さらに詳しくは、半導体デバイス、液晶デ
バイス、プリント配線基板、ホトマスク、装飾ガラスな
どを製造するために用いることができるパターン形成方
法に関する。
方法に関し、さらに詳しくは、半導体デバイス、液晶デ
バイス、プリント配線基板、ホトマスク、装飾ガラスな
どを製造するために用いることができるパターン形成方
法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】半導体デバイス、液晶表示デバイ
ス、プリント回路基板、ホトマスク、装飾ガラス、印刷
板などを作製する際には、基板上にホトレジストなどを
用いて所定のパターン状膜を形成する工程が含まれてい
る。
ス、プリント回路基板、ホトマスク、装飾ガラス、印刷
板などを作製する際には、基板上にホトレジストなどを
用いて所定のパターン状膜を形成する工程が含まれてい
る。
【０００３】たとえば半導体デバイスの作製工程につい
て説明すると、シリコンウエハ上に形成された酸化膜上
にホトレジスト液を塗布し、得られたホトレジスト膜上
にパターン状に露光し、露光後ホトレジスト膜を現像す
る。この現像によって、ネガ型ホトレジストの場合には
露光部分のホトレジストがシリコンウエハ上に残り、ポ
ジ型ホトレジストの場合には未露光部のホトレジストが
シリコンウエハ上に残る。
て説明すると、シリコンウエハ上に形成された酸化膜上
にホトレジスト液を塗布し、得られたホトレジスト膜上
にパターン状に露光し、露光後ホトレジスト膜を現像す
る。この現像によって、ネガ型ホトレジストの場合には
露光部分のホトレジストがシリコンウエハ上に残り、ポ
ジ型ホトレジストの場合には未露光部のホトレジストが
シリコンウエハ上に残る。
【０００４】このようにしてシリコンウエハ上の酸化膜
上に形成されたパターン状膜を保護膜として、酸化膜を
エッチングしている。その後、シリコンウエハには不純
物拡散工程が施されるが、この工程において、パターン
状膜は不純物拡散マスクとして働き、不純物は酸化膜が
エッチングによって除去されている部分だけに拡散す
る。
上に形成されたパターン状膜を保護膜として、酸化膜を
エッチングしている。その後、シリコンウエハには不純
物拡散工程が施されるが、この工程において、パターン
状膜は不純物拡散マスクとして働き、不純物は酸化膜が
エッチングによって除去されている部分だけに拡散す
る。
【０００５】このようなホトレジストとしては、従来た
とえばポリケイ皮酸ビニル、芳香族ビスアジドなどの感
光性有機化合物が主として用いられてきた。ところで近
年に至ってエッチングをプラズマあるいは加速イオンに
より行うドライエッチングが採用されるようになってい
る。このようなドライエッチングによれば、エッチング
加工の微細化が可能となる。ところが従来のポリケイ皮
酸ビニルなどの感光性有機化合物から得られるパターン
状膜では、耐ドライエッチングが十分ではなく、耐ドラ
イエッチング性に優れたパターン状膜の出現が望まれて
いる。またボイド、ピンホールなどの欠陥がなく絶縁性
に優れたパターン状膜の出現も望まれている。
とえばポリケイ皮酸ビニル、芳香族ビスアジドなどの感
光性有機化合物が主として用いられてきた。ところで近
年に至ってエッチングをプラズマあるいは加速イオンに
より行うドライエッチングが採用されるようになってい
る。このようなドライエッチングによれば、エッチング
加工の微細化が可能となる。ところが従来のポリケイ皮
酸ビニルなどの感光性有機化合物から得られるパターン
状膜では、耐ドライエッチングが十分ではなく、耐ドラ
イエッチング性に優れたパターン状膜の出現が望まれて
いる。またボイド、ピンホールなどの欠陥がなく絶縁性
に優れたパターン状膜の出現も望まれている。
【０００６】
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に鑑み
てなされたものであって、耐ドライエッチング性に優れ
るとともに、ボイド、ピンホールなどの欠陥がなく、し
かも硬化時に膜収縮がなく、その上絶縁性にも優れたパ
ターン状膜を形成しうるようなパターン形成方法を提供
することにある。
てなされたものであって、耐ドライエッチング性に優れ
るとともに、ボイド、ピンホールなどの欠陥がなく、し
かも硬化時に膜収縮がなく、その上絶縁性にも優れたパ
ターン状膜を形成しうるようなパターン形成方法を提供
することにある。
【０００７】
【発明の概要】本発明に係るパターン形成方法は、基板
上に、 下記一般式（ｉ）
上に、 下記一般式（ｉ）
【０００８】
【化２】
【０００９】（ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それ
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液を塗布して
塗膜を形成する工程と、次いで該塗膜に酸化雰囲気下で
紫外線をパターン状に照射し、塗膜の紫外線露光部分を
硬化させて被膜を形成する工程と、塗膜の紫外線未露光
部分を除去する工程とを含むことを特徴としている。
ぞれ独立して水素原子または炭素原子数１〜８のアルキ
ル基である。）で表わされる繰り返し単位を有するポリ
シラザンの１種または２種以上を含む塗布液を塗布して
塗膜を形成する工程と、次いで該塗膜に酸化雰囲気下で
紫外線をパターン状に照射し、塗膜の紫外線露光部分を
硬化させて被膜を形成する工程と、塗膜の紫外線未露光
部分を除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１０】
【発明の具体的説明】以下本発明に係るパターン形成方
法について具体的に説明する。まず本発明では、基板上
にパターンが形成されるが、このような基板としては、
具体的には、金属基板、ガラス基板、プラスチック基
板、シリコンウェハなどの半導体基板、透明導電性薄膜
が形成されている液晶基板、金属薄膜が形成されている
ＦＲＰなどからなるプリント回路形成用基板、金属薄膜
などの遮光性物質で覆われた透明基板などが用いられ
る。
法について具体的に説明する。まず本発明では、基板上
にパターンが形成されるが、このような基板としては、
具体的には、金属基板、ガラス基板、プラスチック基
板、シリコンウェハなどの半導体基板、透明導電性薄膜
が形成されている液晶基板、金属薄膜が形成されている
ＦＲＰなどからなるプリント回路形成用基板、金属薄膜
などの遮光性物質で覆われた透明基板などが用いられ
る。
【００１１】このような基板上に、下記一般式（ｉ）
【００１２】
【化３】
【００１３】で表わされる繰り返し単位を有するポリシ
ラザンの１種または２種以上を含む塗布液を塗布して塗
膜を形成する。前記式（ｉ）においてＲ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 は、それぞれ独立して水素原子または炭素原子数１
〜８のアルキル基であり、アルキル基の中ではメチル
基、エチル基およびプロピル基から選ばれる１種が好ま
しい。特にＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 がいずれも水素原子で
ある場合が好ましい。
ラザンの１種または２種以上を含む塗布液を塗布して塗
膜を形成する。前記式（ｉ）においてＲ1 、Ｒ2 および
Ｒ3 は、それぞれ独立して水素原子または炭素原子数１
〜８のアルキル基であり、アルキル基の中ではメチル
基、エチル基およびプロピル基から選ばれる１種が好ま
しい。特にＲ1 、Ｒ2 およびＲ3 がいずれも水素原子で
ある場合が好ましい。
【００１４】また、上記式（ｉ）で表わされる繰り返し
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンとの両者が含まれていてもよい。
単位を有するポリシラザンは、直鎖状であっても、環状
であってもよく、直鎖状のポリシラザンと環状のポリシ
ラザンとの両者が含まれていてもよい。
【００１５】さらに、このようなポリシラザンの重量平
均分子量は、５００〜１０，０００、好ましくは１，０
００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。重量平
均分子量が５００未満では、塗膜を紫外線照射により硬
化したシリカ系絶縁膜が多孔質になりやすく、また、分
子量が１０，０００を越えると、塗布液の流動性が低下
するという傾向がある。
均分子量は、５００〜１０，０００、好ましくは１，０
００〜４，０００の範囲にあることが望ましい。重量平
均分子量が５００未満では、塗膜を紫外線照射により硬
化したシリカ系絶縁膜が多孔質になりやすく、また、分
子量が１０，０００を越えると、塗布液の流動性が低下
するという傾向がある。
【００１６】本発明において用いられる塗布液は、通
常、有機溶媒中に上記のポリシラザンを溶解して形成さ
れる。このような有機溶媒としては、ポリシラザンを溶
解し、塗布液に流動性を付与するものであれば特に制限
はなく、具体的には、シクロヘキサン、トルエン、キシ
レン、ヘキセン等の炭化水素、塩化メチレン、塩化エチ
レン、トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチ
ルブチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。これ
らの有機溶媒は単独でもしくは２種以上を混合して用い
ることができる。
常、有機溶媒中に上記のポリシラザンを溶解して形成さ
れる。このような有機溶媒としては、ポリシラザンを溶
解し、塗布液に流動性を付与するものであれば特に制限
はなく、具体的には、シクロヘキサン、トルエン、キシ
レン、ヘキセン等の炭化水素、塩化メチレン、塩化エチ
レン、トリクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチ
ルブチルエーテル、ジブチルエーテル、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられる。これ
らの有機溶媒は単独でもしくは２種以上を混合して用い
ることができる。
【００１７】また、このような塗布液中のポリシラザン
の濃度は、３〜３５重量％であることが望ましい。さら
に上記の塗布液中には、着色顔料および着色染料から選
ばれる１種以上の着色剤、または光酸発生剤などを含ん
でもよい。
の濃度は、３〜３５重量％であることが望ましい。さら
に上記の塗布液中には、着色顔料および着色染料から選
ばれる１種以上の着色剤、または光酸発生剤などを含ん
でもよい。
【００１８】ポリシラザンを含む塗布液を基板上に塗布
するには、スプレー法、スピンコート法、ディップコー
ト法、ロールコート法、スクリーン印刷法、転写印刷
法、カーテンコート法などの方法が採用される。また、
このようにして得られた塗膜を乾燥させることにより、
基板上に塗膜が形成される。
するには、スプレー法、スピンコート法、ディップコー
ト法、ロールコート法、スクリーン印刷法、転写印刷
法、カーテンコート法などの方法が採用される。また、
このようにして得られた塗膜を乾燥させることにより、
基板上に塗膜が形成される。
【００１９】次いで、このようにして形成された塗膜上
に、酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射すること
により、この塗膜の紫外線露光部分を硬化させる。この
ような紫外線をパターン状に塗膜に照射するには、塗膜
が形成された基板と紫外線光源との間にホトマスクを介
して紫外線照射を行うなどの方法が挙げられる。
に、酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射すること
により、この塗膜の紫外線露光部分を硬化させる。この
ような紫外線をパターン状に塗膜に照射するには、塗膜
が形成された基板と紫外線光源との間にホトマスクを介
して紫外線照射を行うなどの方法が挙げられる。
【００２０】このようなホトマスクを介して、酸化雰囲
気下で、好ましくは紫外線が塗膜面に対して垂直に入射
するように塗膜上に紫外線をパターン状に照射すること
により、この塗膜の紫外線露光部分を硬化させる。
気下で、好ましくは紫外線が塗膜面に対して垂直に入射
するように塗膜上に紫外線をパターン状に照射すること
により、この塗膜の紫外線露光部分を硬化させる。
【００２１】上記のような酸化雰囲気としては、たとえ
ば、酸素含有ガス、水蒸気含有ガス、オゾン含有ガスな
どが挙げられる。また紫外線を照射する際の光源として
は、通常、高圧水銀灯、メタルハライドランプなどが用
いられ、塗膜を構成しているポリシラザンの種類および
塗膜の厚さなどに応じて紫外線の光量および光源と塗膜
との離間距離が適宜定められる。
ば、酸素含有ガス、水蒸気含有ガス、オゾン含有ガスな
どが挙げられる。また紫外線を照射する際の光源として
は、通常、高圧水銀灯、メタルハライドランプなどが用
いられ、塗膜を構成しているポリシラザンの種類および
塗膜の厚さなどに応じて紫外線の光量および光源と塗膜
との離間距離が適宜定められる。
【００２２】上記のようにして酸化雰囲気下でポリシラ
ザンからなる塗膜に紫外線を照射することによって、紫
外線で露光されたポリシラザン部分の−ＳｉＮ−骨格は
酸化されて−ＳｉＯ−骨格に変化する。この際塗膜が大
きく収縮することがなく、高解像度でレジストパターン
を形成することができる。
ザンからなる塗膜に紫外線を照射することによって、紫
外線で露光されたポリシラザン部分の−ＳｉＮ−骨格は
酸化されて−ＳｉＯ−骨格に変化する。この際塗膜が大
きく収縮することがなく、高解像度でレジストパターン
を形成することができる。
【００２３】このようにして得られたレジストパターン
は、−ＳｉＯ−骨格を有しているため、耐ドライエッチ
ング性に優れるとともに、絶縁性にも優れている。も
し、パターン状膜を形成するためシラノール系化合物を
用いると、パターン形成時に被膜が収縮し、このため基
板上に形成されるパターンの解像度が低下してしまうと
いう問題点があった。
は、−ＳｉＯ−骨格を有しているため、耐ドライエッチ
ング性に優れるとともに、絶縁性にも優れている。も
し、パターン状膜を形成するためシラノール系化合物を
用いると、パターン形成時に被膜が収縮し、このため基
板上に形成されるパターンの解像度が低下してしまうと
いう問題点があった。
【００２４】しかしポリシラザンを含む塗布液から形成
された塗膜を酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射
してパターン状膜を形成する方法では、Ｓｉ−Ｎ結合が
Ｓｉ−Ｏ結合に変化するだけで結合間距離がほとんど変
化せず、このため基板上に高解像度でパターン状膜を形
成することができる。
された塗膜を酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照射
してパターン状膜を形成する方法では、Ｓｉ−Ｎ結合が
Ｓｉ−Ｏ結合に変化するだけで結合間距離がほとんど変
化せず、このため基板上に高解像度でパターン状膜を形
成することができる。
【００２５】本発明に係るパターン形成方法では、上述
したように酸化雰囲気下で塗膜上に紫外線をパターン状
に照射した後に、紫外線が照射されていない未露光部の
ポリシラザンが除去され、これにより基板上にパターン
が形成される。
したように酸化雰囲気下で塗膜上に紫外線をパターン状
に照射した後に、紫外線が照射されていない未露光部の
ポリシラザンが除去され、これにより基板上にパターン
が形成される。
【００２６】このような紫外線未露光部分の塗膜を除去
する際には、たとえば、上述したような塗布液を形成す
る際に用いられる有機溶媒またはアルカリ水溶液でこの
部分の未反応のポリシラザンを溶解する方法などが採用
される。
する際には、たとえば、上述したような塗布液を形成す
る際に用いられる有機溶媒またはアルカリ水溶液でこの
部分の未反応のポリシラザンを溶解する方法などが採用
される。
【００２７】本発明に係るパターン形成方法によれば、
半導体デバイス、液晶表示用透明電極、プリント回路基
板、ホトマスク、凹凸状のパターンに従って模様が形成
された装飾板などを製造することができる。
半導体デバイス、液晶表示用透明電極、プリント回路基
板、ホトマスク、凹凸状のパターンに従って模様が形成
された装飾板などを製造することができる。
【００２８】また本発明で得られたパターン状レジスト
膜を有する基板は、たとえば、凹部（基板）と凸部（硬
化被膜）との間に水ないしは有機溶媒に対する濡れ性に
差が生じた場合には、この差を利用して印刷板に利用す
ることができる。
膜を有する基板は、たとえば、凹部（基板）と凸部（硬
化被膜）との間に水ないしは有機溶媒に対する濡れ性に
差が生じた場合には、この差を利用して印刷板に利用す
ることができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明では、基板上にポリシラザンの塗
膜を形成し、このポリシラザンの塗膜は紫外線照射など
の工程で被膜が形成される際にほとんど収縮することが
なく、またこの被膜形成時の収縮に伴うボイド、ピンホ
ール等の欠陥が生じることがないので、各種基板上に欠
陥がなく、しかも高解像度で絶縁性のパターンが形成で
きる。
膜を形成し、このポリシラザンの塗膜は紫外線照射など
の工程で被膜が形成される際にほとんど収縮することが
なく、またこの被膜形成時の収縮に伴うボイド、ピンホ
ール等の欠陥が生じることがないので、各種基板上に欠
陥がなく、しかも高解像度で絶縁性のパターンが形成で
きる。
【００３０】以下、本発明を実施例により説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３１】
【実施例１】１リットルの四ツ口フラスコ内に塩化メチ
レン３００ｍｌを入れ、−５℃に冷却した。次いでこの
フラスコ内にジクロロシラン３０．０ｇを加え、攪拌し
ながらさらにＮＨ3 ガスを２時間吹き込んで、ジクロロ
シランとＮＨ3 との反応生成物を含む溶液を得た。得ら
れた溶液から沈澱物を濾過して除去した後、ろ液を減圧
して溶媒を除去したところ、樹脂状のポリシラザンＡ
（重量平均分子量２，７００）が得られた。
レン３００ｍｌを入れ、−５℃に冷却した。次いでこの
フラスコ内にジクロロシラン３０．０ｇを加え、攪拌し
ながらさらにＮＨ3 ガスを２時間吹き込んで、ジクロロ
シランとＮＨ3 との反応生成物を含む溶液を得た。得ら
れた溶液から沈澱物を濾過して除去した後、ろ液を減圧
して溶媒を除去したところ、樹脂状のポリシラザンＡ
（重量平均分子量２，７００）が得られた。
【００３２】得られたポリシラザンＡをキシレンに溶解
して固形分２０重量％のポリシラザンＡが含まれる塗布
液（Ａ）を調整した。また、ジクロロシラン３０．０ｇ
に代えてメチルジクロロシラン３４．２ｇを用いた以外
は、上記のポリシラザンＡと同様の製造方法により、ポ
リシラザンＢ（重量平均分子量１，２００）を得、次い
でこのポリシラザンＢが含まれる塗布液（Ｂ）を調整し
た。
して固形分２０重量％のポリシラザンＡが含まれる塗布
液（Ａ）を調整した。また、ジクロロシラン３０．０ｇ
に代えてメチルジクロロシラン３４．２ｇを用いた以外
は、上記のポリシラザンＡと同様の製造方法により、ポ
リシラザンＢ（重量平均分子量１，２００）を得、次い
でこのポリシラザンＢが含まれる塗布液（Ｂ）を調整し
た。
【００３３】この塗布液を４インチＳｉウエハに４，０
００ｒｐｍ５秒間スピンコート法で塗布したのち、１２
０℃２分間乾燥を行った。次いで高圧水銀ランプとオゾ
ナイザーからなる紫外線照射装置にホトマスクを設け、
上記のポリシラザン被膜形成ウエハに紫外線を５分間照
射した。
００ｒｐｍ５秒間スピンコート法で塗布したのち、１２
０℃２分間乾燥を行った。次いで高圧水銀ランプとオゾ
ナイザーからなる紫外線照射装置にホトマスクを設け、
上記のポリシラザン被膜形成ウエハに紫外線を５分間照
射した。
【００３４】その後、１５０℃で１０分間加熱したの
ち、ウエハをキシレンで洗浄すると、所定の形状のシリ
カ系被膜が形成されたウエハが得られた。このウエハを
０．５重量％ＨＦ水溶液に浸漬し、そのエッチングレー
トを測定した。
ち、ウエハをキシレンで洗浄すると、所定の形状のシリ
カ系被膜が形成されたウエハが得られた。このウエハを
０．５重量％ＨＦ水溶液に浸漬し、そのエッチングレー
トを測定した。
【００３５】結果を表１に示す。この結果により、ボイ
ド、ピンホール等の欠陥のない緻密なパターンが形成さ
れていることがわかる。
ド、ピンホール等の欠陥のない緻密なパターンが形成さ
れていることがわかる。
【００３６】
【表１】
Claims (2)
- 【請求項１】基板上に、 下記一般式（ｉ） 【化１】 （ただし、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3 は、それぞれ独立して
水素原子または炭素原子数１〜８のアルキル基であ
る。）で表わされる繰り返し単位を有するポリシラザン
の１種または２種以上を含む塗布液を塗布して塗膜を形
成する工程と、 次いで該塗膜に酸化雰囲気下で紫外線をパターン状に照
射し、塗膜の紫外線露光部分を硬化させて被膜を形成す
る工程と、 塗膜の紫外線未露光部分を除去する工程とを含むことを
特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項２】塗膜が形成された基板と紫外線光源との間
にホトマスクを介して前記塗膜にパターン状の紫外線照
射を行うことを特徴とする請求項１に記載のパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252018A JP3034090B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252018A JP3034090B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588373A true JPH0588373A (ja) | 1993-04-09 |
| JP3034090B2 JP3034090B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=17231442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252018A Expired - Lifetime JP3034090B2 (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3034090B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19815978A1 (de) * | 1998-04-09 | 1999-10-14 | Karlsruhe Forschzent | Verfahren zur Herstellung von Klein- und Mikroteilen aus Keramik |
| JP2000100699A (ja) * | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
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