JPH0588359A - リソグラフイ−用ペリクル - Google Patents
リソグラフイ−用ペリクルInfo
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- JPH0588359A JPH0588359A JP27456491A JP27456491A JPH0588359A JP H0588359 A JPH0588359 A JP H0588359A JP 27456491 A JP27456491 A JP 27456491A JP 27456491 A JP27456491 A JP 27456491A JP H0588359 A JPH0588359 A JP H0588359A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置
あるいは液晶表示板を製造する際のゴミよけ用として使
用される、実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方
式におけるリソグラフィー用ペリクルの提供を目的とす
るものである。 【構成】 本発明のリソグラフィー用ペリクルは、ペリ
クル内面に式(CH3)3SiO1 /2とSiO2の単位モル比が1:0.4
〜1:1.5 であるシリコーンレジンと、式 【化７】 （Ｒ1 は水酸基、メチル基またはビニル基、Ｒ2 はメチ
ル基またはビニル基、ｘは正数、ｙは０または正数でｘ
＋ｙ＝１００〜１０，０００）で示されるシリコーンオ
イルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれらが
少なくとも部分的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするものである。
あるいは液晶表示板を製造する際のゴミよけ用として使
用される、実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方
式におけるリソグラフィー用ペリクルの提供を目的とす
るものである。 【構成】 本発明のリソグラフィー用ペリクルは、ペリ
クル内面に式(CH3)3SiO1 /2とSiO2の単位モル比が1:0.4
〜1:1.5 であるシリコーンレジンと、式 【化７】 （Ｒ1 は水酸基、メチル基またはビニル基、Ｒ2 はメチ
ル基またはビニル基、ｘは正数、ｙは０または正数でｘ
＋ｙ＝１００〜１０，０００）で示されるシリコーンオ
イルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれらが
少なくとも部分的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリソグラフィー用ペリク
ル、とくにはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるい
は液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用され
る、実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方式にお
けるリソグラフィー用ペリクルに関するものである。
ル、とくにはＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるい
は液晶表示板を製造する際のゴミよけとして使用され
る、実質的に５００ｎｍ以下の光を用いる露光方式にお
けるリソグラフィー用ペリクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置ある
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。
いは液晶表示板などの製造においては、半導体ウェハー
あるいは液晶用原版に光を照射してパターニングを作成
するのであるが、この場合に用いる露光原版にゴミが付
着していると、このゴミが光を吸収したり、光を曲げて
しまうため、転写したパターニングが変形したり、エッ
ジががさついたものとなるほか、白地が黒く汚れたりし
て、寸法、品質、外観などが損なわれるという問題があ
った。
【０００３】このため、これらの作業は通常クリーンル
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、これには露光
原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過さ
せるペリクルを貼着する方式が取られており、このペリ
クルとしてはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの
薄膜が使用されている。しかし、このペリクルについて
は外部からのゴミの侵入は防げるものの、ペリクル内部
に付着したゴミは露光原版に貼着した後は取り除くこと
ができず、これらのゴミはその後のプロセスを経ている
間に露光原版（フォトマスク）に落下して転写パターン
を変形するおそれがある。
ームで行われているが、このクリーンルーム内でも露光
原版を常に清浄に保つことが難しいので、これには露光
原版の表面にゴミよけのための露光用の光をよく通過さ
せるペリクルを貼着する方式が取られており、このペリ
クルとしてはニトロセルロース、酢酸セルロースなどの
薄膜が使用されている。しかし、このペリクルについて
は外部からのゴミの侵入は防げるものの、ペリクル内部
に付着したゴミは露光原版に貼着した後は取り除くこと
ができず、これらのゴミはその後のプロセスを経ている
間に露光原版（フォトマスク）に落下して転写パターン
を変形するおそれがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】これを解決するため、
このペリクルについてはペリクル膜の支持体であるフレ
ームの内側面に粘着物質であるエポキシ樹脂を塗布した
ペリクルホルダーを設けたフォトマスクを用いる方法
（特開昭６１−２４１７５６号公報参照）や、ペリクル
膜の内側面にアクリル系フッ素ポリマーからなる粘着性
物質層を形成してこれに異物を付着させ、異物のフォト
マスクへの落下を防止する方法（特開平１−１２０５５
５号公報参照）などが提案されているが、これらの方法
では前者のものはペリクルのフレームの内側面という限
られた面積にエポキシ樹脂が塗布されるためにゴミの捕
捉効果が低く、リソグラフィー時の光源による長時間の
露光でエポキシ樹脂が劣化し、むしろゴミの発生源にな
るという欠点があり、後者のものはここに使用されるア
クリル系フッ素ポリマーが粘着性能の劣るものであるこ
とから捕捉効果が低く、長時間の照射に耐えないという
欠点がある。
このペリクルについてはペリクル膜の支持体であるフレ
ームの内側面に粘着物質であるエポキシ樹脂を塗布した
ペリクルホルダーを設けたフォトマスクを用いる方法
（特開昭６１−２４１７５６号公報参照）や、ペリクル
膜の内側面にアクリル系フッ素ポリマーからなる粘着性
物質層を形成してこれに異物を付着させ、異物のフォト
マスクへの落下を防止する方法（特開平１−１２０５５
５号公報参照）などが提案されているが、これらの方法
では前者のものはペリクルのフレームの内側面という限
られた面積にエポキシ樹脂が塗布されるためにゴミの捕
捉効果が低く、リソグラフィー時の光源による長時間の
露光でエポキシ樹脂が劣化し、むしろゴミの発生源にな
るという欠点があり、後者のものはここに使用されるア
クリル系フッ素ポリマーが粘着性能の劣るものであるこ
とから捕捉効果が低く、長時間の照射に耐えないという
欠点がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決したリソグラフィー用ペリクルに関する
もので、これはペリクル内面に式(CH3)3SiO1/2と式SiO2
の単位モル比が1:0.4 〜1:1.5 であるシリコーンレジン
と、式
利、欠点を解決したリソグラフィー用ペリクルに関する
もので、これはペリクル内面に式(CH3)3SiO1/2と式SiO2
の単位モル比が1:0.4 〜1:1.5 であるシリコーンレジン
と、式
【化２】 （Ｒ1 は水酸基、メチル基またはビニル基、Ｒ2 はメチ
ル基またはビニル基、ｘは正数、ｙは０または正数でｘ
＋ｙ＝１００〜１０，０００）で示されるシリコーンオ
イルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれらが
少なくとも部分的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするものである。
ル基またはビニル基、ｘは正数、ｙは０または正数でｘ
＋ｙ＝１００〜１０，０００）で示されるシリコーンオ
イルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれらが
少なくとも部分的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは光透過率、耐候性
がよく、粘着性も高いことからゴミ捕捉効果のすぐれた
リソグラフィー用ペリクルを開発すべく種々検討した結
果、これについてはペリクル膜の内面に上記したシリコ
ーンレジンと上記した一般式（１）で示されるシリコー
ンオイルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれ
らの少なくとも部分縮合物からなるシリコーン粘着剤を
塗布すると、このものはシリコーン粘着剤層が光透過
率、耐候性がよく、粘着力も強いのでゴミ捕集効果のよ
いリソグラフィー用ペリクルの得られることを見出して
本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
がよく、粘着性も高いことからゴミ捕捉効果のすぐれた
リソグラフィー用ペリクルを開発すべく種々検討した結
果、これについてはペリクル膜の内面に上記したシリコ
ーンレジンと上記した一般式（１）で示されるシリコー
ンオイルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれ
らの少なくとも部分縮合物からなるシリコーン粘着剤を
塗布すると、このものはシリコーン粘着剤層が光透過
率、耐候性がよく、粘着力も強いのでゴミ捕集効果のよ
いリソグラフィー用ペリクルの得られることを見出して
本発明を完成させた。以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明はリソグラフィー用ペリクルに関するも
のであり、これはペリクルの内面に上記した(CH3)3SiO
1/2単位とSiO2とからなるシリコーンレジンと、上記し
た一般式（１）で示されるシリコーンオイルまたはシリ
コーンゴムとの混合物またはこれらの少なくとも部分縮
合物からなるシリコーン粘着剤を塗布してなるものであ
るが、このペリクルはこのシリコーン粘着剤が光線透過
率、耐候性のよいもので粘着力も強いことからゴミ捕捉
効果のよいものになるという有利性が与えられる。
のであり、これはペリクルの内面に上記した(CH3)3SiO
1/2単位とSiO2とからなるシリコーンレジンと、上記し
た一般式（１）で示されるシリコーンオイルまたはシリ
コーンゴムとの混合物またはこれらの少なくとも部分縮
合物からなるシリコーン粘着剤を塗布してなるものであ
るが、このペリクルはこのシリコーン粘着剤が光線透過
率、耐候性のよいもので粘着力も強いことからゴミ捕捉
効果のよいものになるという有利性が与えられる。
【０００８】本発明のリソグラフィー用ペリクルはペリ
クル膜内面に後記するシリコーン粘着剤を塗布したもの
である。ここに使用されるペリクル膜は公知のニトロセ
ルロースや酢酸セルロースなどで作ったものであっても
よいが、これらは２１０〜５００ｎｍのような短波長域
では大きな吸収端ができるほか、安定性に乏しく使用中
に黄変するため、デバイスの製造の際にエキシマレーザ
ーやｇ線、ｉ線の紫外線のように波長域が２１０〜５０
０ｎｍの露光を行う超ＬＳＩ用や高密度の微細結晶表示
板などのリソグラフィー用には使用できないという制約
がある。
クル膜内面に後記するシリコーン粘着剤を塗布したもの
である。ここに使用されるペリクル膜は公知のニトロセ
ルロースや酢酸セルロースなどで作ったものであっても
よいが、これらは２１０〜５００ｎｍのような短波長域
では大きな吸収端ができるほか、安定性に乏しく使用中
に黄変するため、デバイスの製造の際にエキシマレーザ
ーやｇ線、ｉ線の紫外線のように波長域が２１０〜５０
０ｎｍの露光を行う超ＬＳＩ用や高密度の微細結晶表示
板などのリソグラフィー用には使用できないという制約
がある。
【０００９】したがって、ここに使用するペリクル膜と
しては本発明者らがさきに提案しているポリトリメチル
ビニルシラン（特開平２−２３０２４５号公報参照）、
プルラン化合物（特願平２−５８６１号明細書参照）、
非晶性フッ素重合体（特願平２−２２２１６７号明細書
参照）、シリコーン変性ポリビニルアルコール（特願平
３−１４６９１号明細書参照）などとすることがよい
が、このペリクル膜については静電気によるゴミの吸着
を少なくするために、ペリクル表面に透明導電膜を設け
ること、また膜の表面に化学的または物理的に処理した
親水層を設けることもよく、さらにはこのペリクル膜表
面に反射防止膜を設けたものであってもよい。
しては本発明者らがさきに提案しているポリトリメチル
ビニルシラン（特開平２−２３０２４５号公報参照）、
プルラン化合物（特願平２−５８６１号明細書参照）、
非晶性フッ素重合体（特願平２−２２２１６７号明細書
参照）、シリコーン変性ポリビニルアルコール（特願平
３−１４６９１号明細書参照）などとすることがよい
が、このペリクル膜については静電気によるゴミの吸着
を少なくするために、ペリクル表面に透明導電膜を設け
ること、また膜の表面に化学的または物理的に処理した
親水層を設けることもよく、さらにはこのペリクル膜表
面に反射防止膜を設けたものであってもよい。
【００１０】なお、上記したポリトリメチルビニルシラ
ンは膜形成が可能な高分子有機けい素化合物で、一般式
ンは膜形成が可能な高分子有機けい素化合物で、一般式
【化３】 （Ｒ3 ，Ｒ4 ，Ｒ5 はメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、オクチル基などの同一または異種のアル
キル基、ｎは正の整数）で示されるポリトリメチルビニ
ルシラン、ポリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジ
メチルビニルシランなどとされるものである。
基、ブチル基、オクチル基などの同一または異種のアル
キル基、ｎは正の整数）で示されるポリトリメチルビニ
ルシラン、ポリトリエチルビニルシラン、ポリエチルジ
メチルビニルシランなどとされるものである。
【００１１】また、このプルラン化合物は天然多糖類の
１種であるが、これはメチル基、エチル基などのアルキ
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ジ
ヒドロキシプロピル基などのヒドロキシアルキル基、ア
セチル基、プロピオニル基などのアシル基などで置換さ
れた誘導体、さらにはその水酸基の一部または全部が化
学的に変性置換されたものであってもよく、これらは特
には２１０〜４００ｎｍのような短波長域での光透過率
が良好で、耐湿性と充分な膜温度をもつものを与えると
いうことからプルランをアクリロニトリルと反応させて
その水酸基の一部または全部をシアノエチル化したもの
とすることがよい。
１種であるが、これはメチル基、エチル基などのアルキ
ル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、ジ
ヒドロキシプロピル基などのヒドロキシアルキル基、ア
セチル基、プロピオニル基などのアシル基などで置換さ
れた誘導体、さらにはその水酸基の一部または全部が化
学的に変性置換されたものであってもよく、これらは特
には２１０〜４００ｎｍのような短波長域での光透過率
が良好で、耐湿性と充分な膜温度をもつものを与えると
いうことからプルランをアクリロニトリルと反応させて
その水酸基の一部または全部をシアノエチル化したもの
とすることがよい。
【００１２】つぎにこの非晶性フッ素重合体はテトラフ
ルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する
含フッ素モノマーとを共重合して得られるものとすれば
よいが、これは市販されているテフロンＡＦ（米国デュ
ポン社製商品名）、サイトップ［旭硝子（株）製商品
名］とすればよく、このシリコーン変性ポリビニルアル
コールはトリオルガノシリル基を側鎖に置換基としても
つものとされるが、このトリオルガノシリル基のポリビ
ニルアルコール中における含有量はそれが平均４０モル
％未満ではこのポリビニルアルコール中に残存する水酸
基の影響によってこのものが水分吸収するためにその安
定性および短波長域での透過性が劣るようになるので平
均４０モル％以上とすることが好ましい。
ルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基を有する
含フッ素モノマーとを共重合して得られるものとすれば
よいが、これは市販されているテフロンＡＦ（米国デュ
ポン社製商品名）、サイトップ［旭硝子（株）製商品
名］とすればよく、このシリコーン変性ポリビニルアル
コールはトリオルガノシリル基を側鎖に置換基としても
つものとされるが、このトリオルガノシリル基のポリビ
ニルアルコール中における含有量はそれが平均４０モル
％未満ではこのポリビニルアルコール中に残存する水酸
基の影響によってこのものが水分吸収するためにその安
定性および短波長域での透過性が劣るようになるので平
均４０モル％以上とすることが好ましい。
【００１３】本発明で使用されるペリクル膜はこれらの
膜材料を溶剤を用いて３〜１０％の濃度に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターを用い
る溶液キャスター法でシリコン基板やガラス基板の上に
成膜することによって得ることができるが、この膜の厚
さは機械的強度と透過率とのかね合いから０．５〜１０
μｍ、好ましくは０．８〜５μｍとすればよい。なお、
このペリクル膜については実用的な面から光の透過率が
９５％以上、より好ましくは９８％以上のものとするこ
とがよいが、この透過率は膜の厚みと透過光の波長に依
存するので目安としては厚さが５μｍ以上のものについ
ては波長が２１０〜５００ｎｍの光の透過率が９０％以
上のものとすることが必要とされる。
膜材料を溶剤を用いて３〜１０％の濃度に溶解したの
ち、この溶液をスピンコーターやナイフコーターを用い
る溶液キャスター法でシリコン基板やガラス基板の上に
成膜することによって得ることができるが、この膜の厚
さは機械的強度と透過率とのかね合いから０．５〜１０
μｍ、好ましくは０．８〜５μｍとすればよい。なお、
このペリクル膜については実用的な面から光の透過率が
９５％以上、より好ましくは９８％以上のものとするこ
とがよいが、この透過率は膜の厚みと透過光の波長に依
存するので目安としては厚さが５μｍ以上のものについ
ては波長が２１０〜５００ｎｍの光の透過率が９０％以
上のものとすることが必要とされる。
【００１４】本発明のリソグラフィー用ペリクル膜はこ
のペリクル膜の内面にシリコーン粘着剤を塗布したもの
であるが、このシリコーン粘着剤は前記した式(CH3)3Si
O1/2単位とSiO2単位とよりなるシリコーンレジンと、式
のペリクル膜の内面にシリコーン粘着剤を塗布したもの
であるが、このシリコーン粘着剤は前記した式(CH3)3Si
O1/2単位とSiO2単位とよりなるシリコーンレジンと、式
【化４】 で示されるシリコーンオイルまたはシリコーンゴムとの
混合物、またはこれらが少なくとも部分的に縮合したも
のとされる。
混合物、またはこれらが少なくとも部分的に縮合したも
のとされる。
【００１５】ここに使用されるシリコーンレジンは上記
した式(CH3)3SiO1/2で示されるトリメチルシロキシ基と
ＳｉＯ基とからなるものであり、このモル比が1:0.4 〜
1:1.5 、好ましくは1:0.7 〜1:1 であるものとされる
が、この値が1:0.4未満または1:1.5 より大きくなると
得られる粘着剤の粘着力が低下するので、これは1:0.4
〜1:1.5 のものとすることがよい。
した式(CH3)3SiO1/2で示されるトリメチルシロキシ基と
ＳｉＯ基とからなるものであり、このモル比が1:0.4 〜
1:1.5 、好ましくは1:0.7 〜1:1 であるものとされる
が、この値が1:0.4未満または1:1.5 より大きくなると
得られる粘着剤の粘着力が低下するので、これは1:0.4
〜1:1.5 のものとすることがよい。
【００１６】また、ここに使用されるシリコーンオイ
ル、シリコーンゴムは上記した一般式（１）で示される
ものとされ、このＲ1 ，Ｒ2はフェニル基、アクリル基
などを含んだものとすると得られる塗膜の透過率が低下
するのでＲ1 は水酸基、メチル基、ビニル基、Ｒ2 はメ
チル基、ビニル基からなるものとされるし、このｘ，ｙ
値についてはｘ＋ｙが１００未満または１０，０００よ
り大きくなるとこの粘着剤の粘着力が低下するので、こ
のｘは 100〜10,000、ｙは 0〜9,900 の範囲とし、ｘ＋
ｙは１００〜１０，０００の範囲のものとすることがよ
い。
ル、シリコーンゴムは上記した一般式（１）で示される
ものとされ、このＲ1 ，Ｒ2はフェニル基、アクリル基
などを含んだものとすると得られる塗膜の透過率が低下
するのでＲ1 は水酸基、メチル基、ビニル基、Ｒ2 はメ
チル基、ビニル基からなるものとされるし、このｘ，ｙ
値についてはｘ＋ｙが１００未満または１０，０００よ
り大きくなるとこの粘着剤の粘着力が低下するので、こ
のｘは 100〜10,000、ｙは 0〜9,900 の範囲とし、ｘ＋
ｙは１００〜１０，０００の範囲のものとすることがよ
い。
【００１７】なお、本発明で使用されるシリコーン粘着
剤はこのシリコーンレジンとシリコーンオイルまたはシ
リコーンゴムとの混合物、またはこれらが部分的に縮合
したものとされるが、これはシリコーンレジン１００重
量部に対してシリコーンオイルまたはシリコーンゴムを
50〜20重量部添加して室温〜200 ℃でまたは溶剤の存在
下で使用する場合は室温〜溶剤の沸点下で、30分〜30時
間加熱撹拌して部分的に縮合したものとすることがよ
く、これによれば粘着性のすぐれたシリコーン粘着剤を
容易に得ることができるが、これに必要に応じ架橋剤、
硬化触媒、その他の添加物を加えることは任意とされ
る。
剤はこのシリコーンレジンとシリコーンオイルまたはシ
リコーンゴムとの混合物、またはこれらが部分的に縮合
したものとされるが、これはシリコーンレジン１００重
量部に対してシリコーンオイルまたはシリコーンゴムを
50〜20重量部添加して室温〜200 ℃でまたは溶剤の存在
下で使用する場合は室温〜溶剤の沸点下で、30分〜30時
間加熱撹拌して部分的に縮合したものとすることがよ
く、これによれば粘着性のすぐれたシリコーン粘着剤を
容易に得ることができるが、これに必要に応じ架橋剤、
硬化触媒、その他の添加物を加えることは任意とされ
る。
【００１８】本発明のリソグラフィー用ペリクルは前記
したペリクル膜にこのシリコーン粘着剤を塗布すること
によって得ることができるが、これはこのペリクルの内
面、すなわちペリクル膜の内面とフレームの内壁など
に、上記したシリコーン粘着剤を必要に応じ溶剤で希釈
し、これを０．１〜１．０μｍの厚さに塗布してから、
このペリクル膜をペリクル作成時に使用した基板ごと乾
燥し、これをアルミニウムなどの枠体に接着固定したの
ち、水中に浸漬してこのペリクル膜を基板から剥離して
乾燥するという方法で製造すればよく、これによれば片
側内面にシリコーン粘着剤が塗布されたペリクル膜を得
ることができる。なお、このようにして得られたペリク
ル膜はこのシリコーン粘着剤膜が光透過率、耐候性の極
めてよいもので粘着力も著しく高いものであることか
ら、ゴミ捕捉効率の大きい高性能なものになるという有
利性が与えられる。
したペリクル膜にこのシリコーン粘着剤を塗布すること
によって得ることができるが、これはこのペリクルの内
面、すなわちペリクル膜の内面とフレームの内壁など
に、上記したシリコーン粘着剤を必要に応じ溶剤で希釈
し、これを０．１〜１．０μｍの厚さに塗布してから、
このペリクル膜をペリクル作成時に使用した基板ごと乾
燥し、これをアルミニウムなどの枠体に接着固定したの
ち、水中に浸漬してこのペリクル膜を基板から剥離して
乾燥するという方法で製造すればよく、これによれば片
側内面にシリコーン粘着剤が塗布されたペリクル膜を得
ることができる。なお、このようにして得られたペリク
ル膜はこのシリコーン粘着剤膜が光透過率、耐候性の極
めてよいもので粘着力も著しく高いものであることか
ら、ゴミ捕捉効率の大きい高性能なものになるという有
利性が与えられる。
【００１９】
【実施例】つぎに本発明で使用されるシリコーン粘着剤
の合成例、実施例および比較例をあげる。 合成例１ 撹拌棒、温度計、エステルアダプター付冷却管および窒
素ガス導入口を取りつけた１，０００ｍｌのフラスコ
に、式(CH3)3SiO1/2とSiO2のモル比が1:1.2 であるシリ
コーンレジン４０ｇ、式
の合成例、実施例および比較例をあげる。 合成例１ 撹拌棒、温度計、エステルアダプター付冷却管および窒
素ガス導入口を取りつけた１，０００ｍｌのフラスコ
に、式(CH3)3SiO1/2とSiO2のモル比が1:1.2 であるシリ
コーンレジン４０ｇ、式
【化５】 で示されるシリコーンオイルおよびキシレン４００ｇを
計り込み、窒素ガスを通気しながら１４０℃で３時間加
熱撹拌したのち、溜出する水をエステルアダプターで除
去して放冷したところ、粘度が6,000 ｃｓであるシリコ
ーン粘着剤が得られた。
計り込み、窒素ガスを通気しながら１４０℃で３時間加
熱撹拌したのち、溜出する水をエステルアダプターで除
去して放冷したところ、粘度が6,000 ｃｓであるシリコ
ーン粘着剤が得られた。
【００２０】合成例２ 合成例１で使用したものと同じ１，０００ｍｌのフラス
コに、式(CH3)3SiO1/2とSiO2のモル比が1:1.0 であるシ
リコーンレジン５０ｇ、式
コに、式(CH3)3SiO1/2とSiO2のモル比が1:1.0 であるシ
リコーンレジン５０ｇ、式
【化６】 で示されるシリコーンゴム２５ｇおよびキシレン５００
ｇを計り込み、窒素ガスを通気しながら１４０℃で３時
間加熱撹拌したのち、溜出する水をエステルアダプター
で除去し放冷したところ、固形分濃度30％のキシレン溶
解液としたときの粘度が1,200 ｃｓであるシリコーン粘
着剤が得られた。
ｇを計り込み、窒素ガスを通気しながら１４０℃で３時
間加熱撹拌したのち、溜出する水をエステルアダプター
で除去し放冷したところ、固形分濃度30％のキシレン溶
解液としたときの粘度が1,200 ｃｓであるシリコーン粘
着剤が得られた。
【００２１】実施例１ ２０℃のトルエン溶液における固有粘度が０．９５ｄｌ
／ｇであるポリトリメチルビニルシランをトルエンに溶
かして３％溶液としたものをスピンコーターを用いて平
滑なガラス板上に乾燥膜として１．０μｍになるように
塗布してペリクル膜を作り、これに合成例１で得たシリ
コーン粘着剤をスピンコーターを用いて０．３μｍの厚
さに塗布し、８０℃で２時間、１００℃で１時間乾燥し
た。
／ｇであるポリトリメチルビニルシランをトルエンに溶
かして３％溶液としたものをスピンコーターを用いて平
滑なガラス板上に乾燥膜として１．０μｍになるように
塗布してペリクル膜を作り、これに合成例１で得たシリ
コーン粘着剤をスピンコーターを用いて０．３μｍの厚
さに塗布し、８０℃で２時間、１００℃で１時間乾燥し
た。
【００２２】ついで内径１３０ｍｍのアルミニウムフレ
ームの端面にエポキシ系接着剤・アラルダイトラビッド
（昭和高分子（株）製商品名）を塗布したものに上記で
得た薄膜を接着して１時間硬化させたのち、ガラス板ご
と水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然に剥離したも
のを取り出し、風乾後、アルミニウムフレームの外側に
はみ出している部分のフィルムを切りとったところ、均
一な張りのある厚さ１．３μｍのリソグラフィー用ペリ
クルが得られた。
ームの端面にエポキシ系接着剤・アラルダイトラビッド
（昭和高分子（株）製商品名）を塗布したものに上記で
得た薄膜を接着して１時間硬化させたのち、ガラス板ご
と水中に浸漬し、５分後ガラス板から自然に剥離したも
のを取り出し、風乾後、アルミニウムフレームの外側に
はみ出している部分のフィルムを切りとったところ、均
一な張りのある厚さ１．３μｍのリソグラフィー用ペリ
クルが得られた。
【００２３】つぎにこの薄膜の光線透過率をしらべたと
ころ、このものは２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％
以上の透過率を示し、膜面両面に反射防止処理をしたも
のの透過率は４３６ｎｍのｇ線で９８．４％、３６５ｎ
ｍのｉ線で９８．２％、２４９ｎｍのエキシマレーザー
で９８．１％を、また２１０ｎｍでは９０％を示した
し、このものはまたエキシマレーザーを１，５００時間
照射しても黄変せず、耐候性も良好なものであった。
ころ、このものは２４０〜５００ｎｍの波長域で９０％
以上の透過率を示し、膜面両面に反射防止処理をしたも
のの透過率は４３６ｎｍのｇ線で９８．４％、３６５ｎ
ｍのｉ線で９８．２％、２４９ｎｍのエキシマレーザー
で９８．１％を、また２１０ｎｍでは９０％を示した
し、このものはまたエキシマレーザーを１，５００時間
照射しても黄変せず、耐候性も良好なものであった。
【００２４】なお、このペリクルについてはこれをクラ
ス１００のクリーンルームに置いた露光原版に図１，図
２に示したように装着し、垂直に立ててバイブレーター
で５０回振動を与えたのち、２枚のペリクルを取り外し
て粘着剤層に捕捉されているゴミの付着数を目視で数え
たところ、これは２枚の平均で０．２ケ／ｃｍ2 であっ
た。
ス１００のクリーンルームに置いた露光原版に図１，図
２に示したように装着し、垂直に立ててバイブレーター
で５０回振動を与えたのち、２枚のペリクルを取り外し
て粘着剤層に捕捉されているゴミの付着数を目視で数え
たところ、これは２枚の平均で０．２ケ／ｃｍ2 であっ
た。
【００２５】実施例２ テトラフルオロエチレンと環状パーフルオロエーテル基
を有する含フッ素モノマーとの共重合体、テフロンＡＦ
１６００（米国デュポン社製商品名）を、主成分がパー
フルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）であるフッ
素系溶剤、フロリナートＦＣ−７５（米国スリーエム社
製商品名）に溶解させて濃度８．０％の溶液を調製し
た。ついで、この溶液を直径２００ｍｍ、厚さ３ｍｍの
表面研磨した石英基板面に流し、スピンコーターを用い
て膜の厚みが１．２１μｍの透明膜を形成させ、この片
面に合成例２で得たシリコーン粘着剤にその固形分１０
０重量部当り０．５重量部のベンゾイルパーオキサイド
を添加したものを０．２μｍの厚さで塗布し、これを基
板ごと１２０℃で２時間乾燥して膜体を作った。
を有する含フッ素モノマーとの共重合体、テフロンＡＦ
１６００（米国デュポン社製商品名）を、主成分がパー
フルオロ（２−ブチルテトラヒドロフラン）であるフッ
素系溶剤、フロリナートＦＣ−７５（米国スリーエム社
製商品名）に溶解させて濃度８．０％の溶液を調製し
た。ついで、この溶液を直径２００ｍｍ、厚さ３ｍｍの
表面研磨した石英基板面に流し、スピンコーターを用い
て膜の厚みが１．２１μｍの透明膜を形成させ、この片
面に合成例２で得たシリコーン粘着剤にその固形分１０
０重量部当り０．５重量部のベンゾイルパーオキサイド
を添加したものを０．２μｍの厚さで塗布し、これを基
板ごと１２０℃で２時間乾燥して膜体を作った。
【００２６】ついでこれを１辺が１００ｍｍの四角形ア
ルミニウムフレームにエポキシ系接着剤・アラルダイト
ラビット［昭和高分子（株）社製商品名］を用いて、し
わのないように接着固定してからこれを基板ごと水中に
浸漬してペリクル膜を基板から剥離し、１６０℃で１時
間乾燥し、フレームからはみ出している余分の膜部分を
切り離してペリクル膜を作った。
ルミニウムフレームにエポキシ系接着剤・アラルダイト
ラビット［昭和高分子（株）社製商品名］を用いて、し
わのないように接着固定してからこれを基板ごと水中に
浸漬してペリクル膜を基板から剥離し、１６０℃で１時
間乾燥し、フレームからはみ出している余分の膜部分を
切り離してペリクル膜を作った。
【００２７】つぎに、このペリクル膜をエキシマレーザ
ーで処理し、このものの光線透過率を測定したところ、
表１に示したとおりの結果が得られ、またこのペリクル
に９０Ｗ／ｃｍ2 の照射エネルギーをもつｉ線を４，５
００時間連続照射したのちの光線透過率の変化を測定し
たところ、表２に示したとおりの結果が得られたが、こ
のものはエキシマレーザーを２，０００時間照射後も黄
変したり、亀裂を発生することがなかったし、これにつ
いてそのゴミ捕捉効率を実施例１と同じ方法でしらべた
ところ、これは０．３ケ／ｃｍ2 であった。
ーで処理し、このものの光線透過率を測定したところ、
表１に示したとおりの結果が得られ、またこのペリクル
に９０Ｗ／ｃｍ2 の照射エネルギーをもつｉ線を４，５
００時間連続照射したのちの光線透過率の変化を測定し
たところ、表２に示したとおりの結果が得られたが、こ
のものはエキシマレーザーを２，０００時間照射後も黄
変したり、亀裂を発生することがなかったし、これにつ
いてそのゴミ捕捉効率を実施例１と同じ方法でしらべた
ところ、これは０．３ケ／ｃｍ2 であった。
【００２８】
【表１】
【表２】
【００２９】比較例 比較のためにペリクル膜をニトロセルロースとしたほか
は実施例１と同様に処理したもの（比較例１）、ペリク
ル膜をニトロセルロースとし粘着剤としてアクリル変性
フッ素ポリマーを用いたもの（比較例２）およびペリク
ル膜を実施例１と同じポリトリメチルビニルシランとし
たが粘着剤をアクリル変性シリコーン樹脂としたものに
ついて、そのエキシマレーザー透過率およびその照射後
の状態ならびにゴミ捕捉効率をしらべたところ、表３に
示したとおりの結果が得られた。
は実施例１と同様に処理したもの（比較例１）、ペリク
ル膜をニトロセルロースとし粘着剤としてアクリル変性
フッ素ポリマーを用いたもの（比較例２）およびペリク
ル膜を実施例１と同じポリトリメチルビニルシランとし
たが粘着剤をアクリル変性シリコーン樹脂としたものに
ついて、そのエキシマレーザー透過率およびその照射後
の状態ならびにゴミ捕捉効率をしらべたところ、表３に
示したとおりの結果が得られた。
【００３０】
【表３】
【００３１】
【発明の効果】本発明はリソグラフィー用ペリクルに関
するものであり、これは前記したようにペリクル内面に
(CH3)3SiO1/2単位とSiO2単位とよりなるシリコーンレジ
ンと一般式（１）で示されるシリコーンオイルまたはシ
リコーンゴムとの混合物またはこれらが少なくとも部分
的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布してなることを特
徴とするものであるが、このようにして作られたリソグ
ラフィー用ペリクルにはリソグラフィー用光源に対する
透過率が高いし、この粘着剤におけるゴミ捕捉効率もよ
いので、ゴミの落下により露光原版の転写パターンが変
形することがないという有利性が与えられる。
するものであり、これは前記したようにペリクル内面に
(CH3)3SiO1/2単位とSiO2単位とよりなるシリコーンレジ
ンと一般式（１）で示されるシリコーンオイルまたはシ
リコーンゴムとの混合物またはこれらが少なくとも部分
的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布してなることを特
徴とするものであるが、このようにして作られたリソグ
ラフィー用ペリクルにはリソグラフィー用光源に対する
透過率が高いし、この粘着剤におけるゴミ捕捉効率もよ
いので、ゴミの落下により露光原版の転写パターンが変
形することがないという有利性が与えられる。
【図１】本発明のリソグラフィー用ペリクルを露光原版
（フォトマスク）に装置した一実施態様の縦断面図を示
したものである。
（フォトマスク）に装置した一実施態様の縦断面図を示
したものである。
【図２】図１のペリクルの部分拡大図を示したものであ
る。
る。
１，１１ ペリクル膜 ２ ペリクル枠 ３ 露光原版（フォトマスク） １２ 接着剤層 １３ フレーム １４，１６ 粘着剤層 １５ セパレーター １７ ゴミ
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 (72)発明者 野口 仁 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 浜田 裕一 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社精密機能材料研究所内 (72)発明者 熊谷 公孝 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコ−ン電子材料 技術研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 ペリクル内面に式(CH3)3SiO1/2と式SiO2
の単位モル比が1:0.4 〜1:1.5 であるシリコーンレジン
と、式 【化１】 （Ｒ1 は水酸基、メチル基またはビニル基、Ｒ2 はメチ
ル基またはビニル基、ｘは正数、ｙは０または正数でｘ
＋ｙ＝１００〜１０，０００）で示されるシリコーンオ
イルまたはシリコーンゴムとの混合物、またはこれらが
少なくとも部分的に縮合したシリコーン粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするリソグラフィー用ペリクル。 - 【請求項２】 ペリクル膜がポリトリメチルビニルシラ
ン、プルラン化合物、非晶性フッ素重合体、シリコーン
変性ポリビニルアルコールから選ばれた少なくとも１種
の高分子物質よりなるものである請求項１に記載したリ
ソグラフィー用ペリクル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456491A JP2938636B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | リソグラフィ−用ペリクル |
| US07/949,389 US5691088A (en) | 1991-09-26 | 1992-09-22 | Pellicle for protection of photolithographic mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27456491A JP2938636B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | リソグラフィ−用ペリクル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588359A true JPH0588359A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2938636B2 JP2938636B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=17543492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27456491A Expired - Lifetime JP2938636B2 (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | リソグラフィ−用ペリクル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691088A (ja) |
| JP (1) | JP2938636B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998036324A1 (fr) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Membrane pelliculaire pour rayons ultraviolets et pellicule |
| JP2007010786A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 大型ペリクルの製造方法 |
| JP2011107230A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
| JP2012158701A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びシリコーンゴム成型物品 |
| CN102736400A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 信越化学工业株式会社 | 防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1055154A1 (en) * | 1998-12-14 | 2000-11-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Photomask provided with an esd-precluding envelope |
| JP2001117213A (ja) * | 1999-08-10 | 2001-04-27 | Nikon Corp | フォトマスク、該フォトマスクの製造方法、該フォトマスクを扱う投影露光装置、及び投影露光方法 |
| US6300019B1 (en) * | 1999-10-13 | 2001-10-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Pellicle |
| US6847434B2 (en) * | 2000-02-10 | 2005-01-25 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for a pellicle frame with porous filtering inserts |
| DE60119026T2 (de) * | 2000-06-01 | 2006-11-30 | Asahi Glass Co., Ltd. | Membranabdeckung und Verfahren zu deren Verwendung |
| TW464792B (en) * | 2000-09-29 | 2001-11-21 | United Microelectronics Corp | A structure of optical mask |
| CN1237395C (zh) * | 2000-12-27 | 2006-01-18 | 三井化学株式会社 | 薄膜和薄膜的制造方法以及薄膜用粘合剂 |
| US6524754B2 (en) | 2001-01-22 | 2003-02-25 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| US7351503B2 (en) * | 2001-01-22 | 2008-04-01 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle in intimate contact with the surface of a photomask |
| US6885436B1 (en) * | 2002-09-13 | 2005-04-26 | Lsi Logic Corporation | Optical error minimization in a semiconductor manufacturing apparatus |
| US7473301B2 (en) * | 2002-09-17 | 2009-01-06 | Euv Llc | Adhesive particle shielding |
| US7138640B1 (en) | 2002-10-17 | 2006-11-21 | Kla-Tencor Technologies, Corporation | Method and apparatus for protecting surfaces of optical components |
| US6822731B1 (en) * | 2003-06-18 | 2004-11-23 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for a pellicle frame with heightened bonding surfaces |
| JP2011095586A (ja) * | 2009-10-30 | 2011-05-12 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
| TW202326286A (zh) * | 2018-09-12 | 2023-07-01 | 美商福昌公司 | 用於平板顯示器光罩之護膜 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2535971B2 (ja) * | 1987-11-05 | 1996-09-18 | 三井石油化学工業株式会社 | ペリクル |
| JPH0672207B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1994-09-14 | 信越化学工業株式会社 | 剥離紙用シリコーン組成物 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP27456491A patent/JP2938636B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-22 US US07/949,389 patent/US5691088A/en not_active Expired - Fee Related
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| WO1998036324A1 (fr) * | 1997-02-13 | 1998-08-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Membrane pelliculaire pour rayons ultraviolets et pellicule |
| JP2007010786A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 大型ペリクルの製造方法 |
| JP2011107230A (ja) * | 2009-11-13 | 2011-06-02 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ペリクルおよびその製造方法 |
| JP2012158701A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びシリコーンゴム成型物品 |
| CN102736400A (zh) * | 2011-03-31 | 2012-10-17 | 信越化学工业株式会社 | 防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件 |
| JP2012212043A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ペリクル膜、その製造方法及び該膜を張ったペリクル |
| CN102736400B (zh) * | 2011-03-31 | 2014-02-05 | 信越化学工业株式会社 | 防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5691088A (en) | 1997-11-25 |
| JP2938636B2 (ja) | 1999-08-23 |
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