JPH0586045A - ３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法 - Google Patents
３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法Info
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- JPH0586045A JPH0586045A JP3270510A JP27051091A JPH0586045A JP H0586045 A JPH0586045 A JP H0586045A JP 3270510 A JP3270510 A JP 3270510A JP 27051091 A JP27051091 A JP 27051091A JP H0586045 A JPH0586045 A JP H0586045A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】有用性が高いシス体を選択的にかつより高い収
率で製造することができる３，４−二置換−シス−γ−
ラクトンの製造方法を提供する。 【構成】1,4-シクロヘキサジエンモノエポキシド(II)
の２位にメチル基を導入してtrans-2-メチル-4- シクロ
ヘキセノール(III) を得、(III) の１位の水酸基にベン
ゾイル基を導入してtrans-2-メチル-4- シクロヘキセニ
ル−ベゾエート(IV)を得る。(IV) を酸化開裂して3-ベ
ンゾイルオキシ-4- メチルヘキサ二酸(V) を得、(V) か
らベンゾイル基を脱離させた後閉環させてcis-4-ヒドロ
キシ-3- メチルヘキサ二酸-1,4- ラクトン(VI) を得
る。(VI) のカルボキシル基を選択的に還元してcis-2-
ヒドロキシ-4- メチルヘキサン-4- オリド(VII) を得
る。次に(VII) の水酸基にトシル基を導入して(VII) と
した後、それををエチル化してシスウイスキーラクトン
(1) を得る。 〔式中、Ｒ１＝Ｃ２Ｈ５、Ｒ２＝ＣＨ３、Ｒ３＝ＣＯ−
Ｃ６Ｈ５、Ｒ４＝Ｒ４＝ＳＯ３−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−
（ｐ）〕
率で製造することができる３，４−二置換−シス−γ−
ラクトンの製造方法を提供する。 【構成】1,4-シクロヘキサジエンモノエポキシド(II)
の２位にメチル基を導入してtrans-2-メチル-4- シクロ
ヘキセノール(III) を得、(III) の１位の水酸基にベン
ゾイル基を導入してtrans-2-メチル-4- シクロヘキセニ
ル−ベゾエート(IV)を得る。(IV) を酸化開裂して3-ベ
ンゾイルオキシ-4- メチルヘキサ二酸(V) を得、(V) か
らベンゾイル基を脱離させた後閉環させてcis-4-ヒドロ
キシ-3- メチルヘキサ二酸-1,4- ラクトン(VI) を得
る。(VI) のカルボキシル基を選択的に還元してcis-2-
ヒドロキシ-4- メチルヘキサン-4- オリド(VII) を得
る。次に(VII) の水酸基にトシル基を導入して(VII) と
した後、それををエチル化してシスウイスキーラクトン
(1) を得る。 〔式中、Ｒ１＝Ｃ２Ｈ５、Ｒ２＝ＣＨ３、Ｒ３＝ＣＯ−
Ｃ６Ｈ５、Ｒ４＝Ｒ４＝ＳＯ３−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ３−
（ｐ）〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウイスキーラクトンに
代表される３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造
方法に関する。
代表される３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】ウイスキーやワインの香
気成分の一つに、ウイスキーラクトン（３−メチル−４
−オクタノリド）がある。天然のウイスキーラクトンに
は、３位のメチル基及び４位のブチル基の配位によりト
ランス体及びシス体の幾何学異性体が存在する。一般
に、化９に示すシスウイスキーラクトン（Ａ）は、化９
に示すトランスウイスキーラクトン（(3S,4R)-3-メチル
-4- オクタノリド） (Ｄ) と比較して、ウイスキーやワ
イン等中の含有量が少ない。しかしながら、匂いの性質
は、シスウイスキーラクトン（Ａ）の方が優れている。
気成分の一つに、ウイスキーラクトン（３−メチル−４
−オクタノリド）がある。天然のウイスキーラクトンに
は、３位のメチル基及び４位のブチル基の配位によりト
ランス体及びシス体の幾何学異性体が存在する。一般
に、化９に示すシスウイスキーラクトン（Ａ）は、化９
に示すトランスウイスキーラクトン（(3S,4R)-3-メチル
-4- オクタノリド） (Ｄ) と比較して、ウイスキーやワ
イン等中の含有量が少ない。しかしながら、匂いの性質
は、シスウイスキーラクトン（Ａ）の方が優れている。
【０００３】
【化９】 しかしながら、従来、このようなトランス体（Ｄ）より
も優れた特性を有する天然型シスウイスキーラクトン
（Ａ）を選択的に合成できる手段は知られていなかっ
た。このようなシス体の優位性は、ウイスキーラクトン
に限らず、３，４−二置換−γ−ラクトン系の香料にお
いて、シス体の方がトランス体よりも優れた芳香性を示
すことが知られている。
も優れた特性を有する天然型シスウイスキーラクトン
（Ａ）を選択的に合成できる手段は知られていなかっ
た。このようなシス体の優位性は、ウイスキーラクトン
に限らず、３，４−二置換−γ−ラクトン系の香料にお
いて、シス体の方がトランス体よりも優れた芳香性を示
すことが知られている。
【０００４】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、シス体を選択的かつ容易に合成することができ
る３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法を提
供するものである。
であり、シス体を選択的かつ容易に合成することができ
る３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法を提
供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明者らは、鋭意検討した結果、１，４−シクロ
ヘキサジエンのモノエポキシドを出発物質としたシス体
の選択性に優れた３，４−二置換−シス−γ−ラクトン
の製造方法を見出だした。すなわち、本発明は、化１０
に示す３，４−二置換−シス−γ−ラクトン（Ｉ）の製
造方法であって、
に、本発明者らは、鋭意検討した結果、１，４−シクロ
ヘキサジエンのモノエポキシドを出発物質としたシス体
の選択性に優れた３，４−二置換−シス−γ−ラクトン
の製造方法を見出だした。すなわち、本発明は、化１０
に示す３，４−二置換−シス−γ−ラクトン（Ｉ）の製
造方法であって、
【０００６】
【化１０】 （式中Ｒ1 及びＲ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、ア
ルケニル基またはアルキニル基を示す。） （ａ）化１１に示す１，４−シクロヘキサジエンモノエ
ポキシド(II)の２位に置換基Ｒ2 を導入することにより
化１２に示す化合物(III) を得る工程と、
ルケニル基またはアルキニル基を示す。） （ａ）化１１に示す１，４−シクロヘキサジエンモノエ
ポキシド(II)の２位に置換基Ｒ2 を導入することにより
化１２に示す化合物(III) を得る工程と、
【０００７】
【化１１】
【０００８】
【化１２】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｂ）工程（ａ）で得られた化合物(III) の１位の水酸
基に一般的な水酸基の保護基Ｒ3 を導入することにより
化１３に示す化合物（IV）を得る工程と、
基またはアルキニル基を示す。） （ｂ）工程（ａ）で得られた化合物(III) の１位の水酸
基に一般的な水酸基の保護基Ｒ3 を導入することにより
化１３に示す化合物（IV）を得る工程と、
【０００９】
【化１３】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｃ）工程（ｂ）で得られた化合物（IV）のオレフィン
部分を酸化的に開裂して化１４に示す化合物（Ｖ）を得
る工程と、
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｃ）工程（ｂ）で得られた化合物（IV）のオレフィン
部分を酸化的に開裂して化１４に示す化合物（Ｖ）を得
る工程と、
【００１０】
【化１４】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｄ）工程（ｃ）で得られた化合物（Ｖ）を脱保護反応
に供した後、ラクトンを形成させて化１５に示す化合物
（VI）を得る工程と、
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｄ）工程（ｃ）で得られた化合物（Ｖ）を脱保護反応
に供した後、ラクトンを形成させて化１５に示す化合物
（VI）を得る工程と、
【００１１】
【化１５】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｅ）工程（ｄ）で得られた化合物（VI）のカルボキシ
ル基を選択的に還元して化１６に示す化合物(VII) を得
る工程と、
基またはアルキニル基を示す。） （ｅ）工程（ｄ）で得られた化合物（VI）のカルボキシ
ル基を選択的に還元して化１６に示す化合物(VII) を得
る工程と、
【００１２】
【化１６】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｆ）工程（ｅ）で得られた化合物(VII) の水酸基に脱
離基Ｒ4を導入して、化１７に示す化合物（VIII) を得
る工程と、
基またはアルキニル基を示す。） （ｆ）工程（ｅ）で得られた化合物(VII) の水酸基に脱
離基Ｒ4を導入して、化１７に示す化合物（VIII) を得
る工程と、
【００１３】
【化１７】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ4 は、一般的な脱離基
を表す。） （ｇ）工程（ｆ）で得られた化合物（VIII）の脱離基Ｒ
4 を置換基Ｒ1 で置換することにより３，４−二置換−
シス−γ−ラクトン（Ｉ）を得る工程とを具備したこと
を特徴とする３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製
造方法を提供する。 ここで、置換基Ｒ1 及びＲ2は、
炭素数が１〜５の範囲内のアルキル基、アルケニル基ま
たはアルキニル基であることが好ましく、直鎖であって
も分鎖であっても良い。
基またはアルキニル基を示し、Ｒ4 は、一般的な脱離基
を表す。） （ｇ）工程（ｆ）で得られた化合物（VIII）の脱離基Ｒ
4 を置換基Ｒ1 で置換することにより３，４−二置換−
シス−γ−ラクトン（Ｉ）を得る工程とを具備したこと
を特徴とする３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製
造方法を提供する。 ここで、置換基Ｒ1 及びＲ2は、
炭素数が１〜５の範囲内のアルキル基、アルケニル基ま
たはアルキニル基であることが好ましく、直鎖であって
も分鎖であっても良い。
【００１４】以下、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１５】まず、本発明において出発物質として用い
られる１，４−シクロヘキサジエンモノエポキシド(II)
は、１，４−シクロヘキサジエンを、例えば、適当な溶
媒中、過酸化物の存在下でエポキシ化することにより製
造することができる。ここで用い得る過酸化物として
は、例えば、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、フタル酸
のモノ過酸化物、過酸化水素またはｔｅｒｔ−ブチルヒ
ドロパーオキシドであるがこれに限定されるものではな
い。また、ここで用い得る適当な溶媒としては、例え
ば、ジクロロメタン、クロロホルム、ベンゼン、酢酸エ
チルのような有機溶媒であるが特に限定されるものでは
ない。
られる１，４−シクロヘキサジエンモノエポキシド(II)
は、１，４−シクロヘキサジエンを、例えば、適当な溶
媒中、過酸化物の存在下でエポキシ化することにより製
造することができる。ここで用い得る過酸化物として
は、例えば、過酢酸、メタクロロ過安息香酸、フタル酸
のモノ過酸化物、過酸化水素またはｔｅｒｔ−ブチルヒ
ドロパーオキシドであるがこれに限定されるものではな
い。また、ここで用い得る適当な溶媒としては、例え
ば、ジクロロメタン、クロロホルム、ベンゼン、酢酸エ
チルのような有機溶媒であるが特に限定されるものでは
ない。
【００１６】工程（ａ）の１，４−シクロヘキサジエン
モノエポキシド(II)の２位へ導入される置換基Ｒ2 は、
例えば、メチル基、ペンチル基のようなアルキル基、例
えば、ビニル基のようなアルケニル基、または、例え
ば、エチニル基のようなアルキニル基である。これらの
アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数
は、１〜５の範囲内であることが好ましく、直鎖であっ
ても、分鎖であっても良い。
モノエポキシド(II)の２位へ導入される置換基Ｒ2 は、
例えば、メチル基、ペンチル基のようなアルキル基、例
えば、ビニル基のようなアルケニル基、または、例え
ば、エチニル基のようなアルキニル基である。これらの
アルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素数
は、１〜５の範囲内であることが好ましく、直鎖であっ
ても、分鎖であっても良い。
【００１７】置換基Ｒ2 の導入は、例えば、適当な溶媒
中、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅のような銅試薬の存在下
で、アルキルリチウム、アルキルマグネシウム、アルケ
ニルリチウム、アルケニルマグネシウム、アルキニルリ
チウム、アルキニルマグネシウム等のような置換基Ｒ2
に対応した有機金属化合物と反応させることにより行う
ことができる。ここで適当な溶媒としては、例えば、エ
ーテル、テトラヒドロフラン等の有機溶媒であるが特に
限定されるものではない。
中、ヨウ化銅、臭化銅、塩化銅のような銅試薬の存在下
で、アルキルリチウム、アルキルマグネシウム、アルケ
ニルリチウム、アルケニルマグネシウム、アルキニルリ
チウム、アルキニルマグネシウム等のような置換基Ｒ2
に対応した有機金属化合物と反応させることにより行う
ことができる。ここで適当な溶媒としては、例えば、エ
ーテル、テトラヒドロフラン等の有機溶媒であるが特に
限定されるものではない。
【００１８】工程（ｂ）において化合物(III) の１位の
水酸基へ導入される保護基Ｒ3 は、一般的に水酸基の保
護基として用いることができるものであれば特に限定さ
れず、例えば、アセチル基、ベンゾイル基のようなアシ
ル系の保護基や、トリオガノシリル基のようなシリル系
の保護基を用いることができる。
水酸基へ導入される保護基Ｒ3 は、一般的に水酸基の保
護基として用いることができるものであれば特に限定さ
れず、例えば、アセチル基、ベンゾイル基のようなアシ
ル系の保護基や、トリオガノシリル基のようなシリル系
の保護基を用いることができる。
【００１９】保護基Ｒ3 として、アシル系の保護基を導
入する場合には、例えば、ピリジン、トリエチルアミン
等の塩基性化合物の存在下で、例えば、酸無水物、アシ
ルクロリド等とを反応させることにより行うことができ
る。
入する場合には、例えば、ピリジン、トリエチルアミン
等の塩基性化合物の存在下で、例えば、酸無水物、アシ
ルクロリド等とを反応させることにより行うことができ
る。
【００２０】また、シリル系の保護基を導入する場合に
は、例えば、適当な溶媒中、イミダゾールやピリジン系
化合物の存在下で、例えば、トリオルガノシリルクロリ
ド又はトリオルガノシリルトリフラートと反応させるこ
とにより行うことができる。ここで、適当な溶媒として
は、例えば、ジメチルホルムアミド、塩化メチレンのよ
うな有機溶媒であるが、特に限定されるものではない。
は、例えば、適当な溶媒中、イミダゾールやピリジン系
化合物の存在下で、例えば、トリオルガノシリルクロリ
ド又はトリオルガノシリルトリフラートと反応させるこ
とにより行うことができる。ここで、適当な溶媒として
は、例えば、ジメチルホルムアミド、塩化メチレンのよ
うな有機溶媒であるが、特に限定されるものではない。
【００２１】工程（ｃ）における化合物（IV）のオレフ
ィン部分の酸化開裂反応は、例えば、ルテニウムオキシ
ドによる酸化反応や、オゾンによる酸化反応によって行
うことができる。
ィン部分の酸化開裂反応は、例えば、ルテニウムオキシ
ドによる酸化反応や、オゾンによる酸化反応によって行
うことができる。
【００２２】ルテニウムオキシドによる酸化反応は、例
えば、適当な溶媒中で、共酸化剤である過ヨウ素酸ナト
リウム、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、
臭素酸ナトリウム等と共に、四酸化ルテニウム、二酸化
ルテニウムまたは三塩化ルテニウムを触媒として用いて
行われる。ここで適当な溶媒とは、例えば、四塩化炭
素、アセトニトリルおよび水であるが、特に限定される
ものではない。一方、オゾンによる酸化反応は、化合物
（IV）を、適当な溶媒中、例えばジクロロメタン等の溶
媒中で反応させ、例えばクロム酸等を用いた酸化的処理
を行うことにより達成される。
えば、適当な溶媒中で、共酸化剤である過ヨウ素酸ナト
リウム、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸ナトリウム、
臭素酸ナトリウム等と共に、四酸化ルテニウム、二酸化
ルテニウムまたは三塩化ルテニウムを触媒として用いて
行われる。ここで適当な溶媒とは、例えば、四塩化炭
素、アセトニトリルおよび水であるが、特に限定される
ものではない。一方、オゾンによる酸化反応は、化合物
（IV）を、適当な溶媒中、例えばジクロロメタン等の溶
媒中で反応させ、例えばクロム酸等を用いた酸化的処理
を行うことにより達成される。
【００２３】工程（ｄ）における化合物（Ｖ）の脱保護
反応は、適当な溶媒中、塩基性条件下で加水分解するこ
とにより行うことができる。塩基性条件とは、ｐＨが８
以上、好ましくは１０以上の条件をいう。この脱保護反
応に用いることができる塩基性化合物としては、例え
ば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウ
ム等の金属水酸化物や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム
等の炭酸塩、ナトリウムイソプロポキシド、カリウムブ
トキシド等の金属アルコキシドを用いることができる。
また、ここで用いられる適当な溶媒は、水、メタノール
やエタノールようなアルコール類、テトラヒドロフラン
およびそれらの混合溶液を用いることができるが、特に
限定されるものではない。
反応は、適当な溶媒中、塩基性条件下で加水分解するこ
とにより行うことができる。塩基性条件とは、ｐＨが８
以上、好ましくは１０以上の条件をいう。この脱保護反
応に用いることができる塩基性化合物としては、例え
ば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウ
ム等の金属水酸化物や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム
等の炭酸塩、ナトリウムイソプロポキシド、カリウムブ
トキシド等の金属アルコキシドを用いることができる。
また、ここで用いられる適当な溶媒は、水、メタノール
やエタノールようなアルコール類、テトラヒドロフラン
およびそれらの混合溶液を用いることができるが、特に
限定されるものではない。
【００２４】次いで行われるラクトン環の形成反応は、
例えば、上述の脱保護反応を終えた反応液を酸性にして
分子内エステル化反応により閉環させて行うことができ
る。反応液は、好ましくは、ｐＨ３以下に調整し、さら
に好ましくは、ｐＨ１以下に調整する。ここで反応液を
酸性にするために用られる酸性物質としては、例えば、
塩酸、硫酸のような鉱酸類、パラトルエンスルホン酸、
トリフルオロ酢酸のような有機酸等を挙げることができ
る。
例えば、上述の脱保護反応を終えた反応液を酸性にして
分子内エステル化反応により閉環させて行うことができ
る。反応液は、好ましくは、ｐＨ３以下に調整し、さら
に好ましくは、ｐＨ１以下に調整する。ここで反応液を
酸性にするために用られる酸性物質としては、例えば、
塩酸、硫酸のような鉱酸類、パラトルエンスルホン酸、
トリフルオロ酢酸のような有機酸等を挙げることができ
る。
【００２５】工程（ｅ）における化合物（VI）のカルボ
キシル基の選択的な還元反応は、例えば、適当な溶媒
中、ジボラン、水素化ホウ素ナトリウムのようなラクト
ン環に影響を与えずカルボキシル基を選択的に還元する
還元剤を用いて行うことができる。ここで用い得る適当
な溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチ
ルエーテルのような有機溶媒であるが、特に限定される
ものではない。
キシル基の選択的な還元反応は、例えば、適当な溶媒
中、ジボラン、水素化ホウ素ナトリウムのようなラクト
ン環に影響を与えずカルボキシル基を選択的に還元する
還元剤を用いて行うことができる。ここで用い得る適当
な溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジエチ
ルエーテルのような有機溶媒であるが、特に限定される
ものではない。
【００２６】工程（ｆ）において化合物(VII) の水酸基
に導入される脱離基Ｒ4 は、後述する工程（ｇ）におい
て置換基Ｒ1 を導入する際に脱離されるものであれば特
に限定されるものではないが、好ましくはパラトルエン
スフォニル基、メタンスルフォニル基およびトリフルオ
ロメタンスルフォニル基を用いることができる。
に導入される脱離基Ｒ4 は、後述する工程（ｇ）におい
て置換基Ｒ1 を導入する際に脱離されるものであれば特
に限定されるものではないが、好ましくはパラトルエン
スフォニル基、メタンスルフォニル基およびトリフルオ
ロメタンスルフォニル基を用いることができる。
【００２７】ここで、脱離基Ｒ4 の導入は、例えば、パ
ラトルエンスフォニル基を導入する場合、塩化パラトル
エンスルホニルを用いたエステル化反応によって、パラ
トルエンスフォニル基を水酸基の酸素原子に結合させる
ことにより行うことができる。
ラトルエンスフォニル基を導入する場合、塩化パラトル
エンスルホニルを用いたエステル化反応によって、パラ
トルエンスフォニル基を水酸基の酸素原子に結合させる
ことにより行うことができる。
【００２８】工程（ｇ）における脱離基Ｒ4 を置換基Ｒ
1 で置換する反応は、上述の工程（ａ）における置換基
Ｒ2 の導入と同様の条件でアルキル化、アルケニル化ま
たはアルキニル化することにより達成できる。
1 で置換する反応は、上述の工程（ａ）における置換基
Ｒ2 の導入と同様の条件でアルキル化、アルケニル化ま
たはアルキニル化することにより達成できる。
【００２９】工程（ｇ）で２位へ導入される置換基Ｒ1
は、例えば、メチル基、ペンチル基のようなアルキル
基、例えば、ビニル基のようなアルケニル基、または、
例えば、エチニル基のようなアルキニル基である。これ
らのアルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素
数は、１〜５の範囲内であることが好ましく、直鎖であ
っても、分鎖であっても良い。
は、例えば、メチル基、ペンチル基のようなアルキル
基、例えば、ビニル基のようなアルケニル基、または、
例えば、エチニル基のようなアルキニル基である。これ
らのアルキル基、アルケニル基及びアルキニル基の炭素
数は、１〜５の範囲内であることが好ましく、直鎖であ
っても、分鎖であっても良い。
【００３０】上述の工程（ｂ）から工程（ｄ）におい
て、置換基Ｒ2 および隣接する０Ｒ3 基の配置は反転す
ることなく維持される。このため、工程（ｄ）において
ラクトン環を形成した後、化合物（VI）の３位の置換基
Ｒ2 および４位のカルボキシメチル基はシス配座にな
る。このシス配座は、工程（ｆ）以降においても維持さ
れる。この結果、３，４−二置換−シス−γ−ラクトン
を選択的に製造できる。
て、置換基Ｒ2 および隣接する０Ｒ3 基の配置は反転す
ることなく維持される。このため、工程（ｄ）において
ラクトン環を形成した後、化合物（VI）の３位の置換基
Ｒ2 および４位のカルボキシメチル基はシス配座にな
る。このシス配座は、工程（ｆ）以降においても維持さ
れる。この結果、３，４−二置換−シス−γ−ラクトン
を選択的に製造できる。
【００３１】
【実施例】以下の実施例により、この発明をさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００３２】 実施例１ cis−ウイスキーラクトンの製造方法 １，４−シクロヘキサジエンモノエポキシドの調製 Agric.Biol.Chem.,43,1919-1922(1979)に記載の方法に
従って、１、４−シクロヘキサジエンをｍ−クロロ過安
息香酸と反応させることにより、１，４−シクロヘキサ
ジエンモノエポキシドを得た。生成物の物理データは文
献値と一致した。
従って、１、４−シクロヘキサジエンをｍ−クロロ過安
息香酸と反応させることにより、１，４−シクロヘキサ
ジエンモノエポキシドを得た。生成物の物理データは文
献値と一致した。
【００３３】工程（ａ） trans-２−メチル−４−シ
クロヘキセノールの調製 ヨウ化第一銅４７．６ｇ（２５０ｍｍｏｌ）を無水エー
テル１２０ｍｌ中に添加した懸濁液に、−７８℃のアル
ゴン雰囲気下において、メチルリチウムのエーテル溶液
（濃度１．４ｍｏｌ／１）３５７ｍｌ（４９９ｍｍｏ
ｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、−２０℃まで
ゆっくりと昇温してから、溶液が白色になるまでそのま
まの温度で撹拌した（この溶液を反応溶液Ａと記す）。
続いて、先に調製した１，４−シクロヘキサジエンモノ
エポキシド１６．０ｇ（１６７ｍｍｏｌ）を、無水エー
テル４０ｍｌに溶解した。この溶液を反応溶液Ａの中
に、−２０℃でゆっくりと滴下した。その後、そのまま
の温度で３０分間撹拌し、さらに室温で一晩反応させた
（この溶液を反応溶液Ｂと記す）。
クロヘキセノールの調製 ヨウ化第一銅４７．６ｇ（２５０ｍｍｏｌ）を無水エー
テル１２０ｍｌ中に添加した懸濁液に、−７８℃のアル
ゴン雰囲気下において、メチルリチウムのエーテル溶液
（濃度１．４ｍｏｌ／１）３５７ｍｌ（４９９ｍｍｏ
ｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、−２０℃まで
ゆっくりと昇温してから、溶液が白色になるまでそのま
まの温度で撹拌した（この溶液を反応溶液Ａと記す）。
続いて、先に調製した１，４−シクロヘキサジエンモノ
エポキシド１６．０ｇ（１６７ｍｍｏｌ）を、無水エー
テル４０ｍｌに溶解した。この溶液を反応溶液Ａの中
に、−２０℃でゆっくりと滴下した。その後、そのまま
の温度で３０分間撹拌し、さらに室温で一晩反応させた
（この溶液を反応溶液Ｂと記す）。
【００３４】反応終了後、反応溶液Ｂを、飽和塩化アン
モニウム水溶液中にあけ、室温で１時間撹拌した。この
後、セライトを用いて不溶物を瀘過し、瀘液をエーテル
で３回抽出した。この有機層を、飽和塩化ナトリウム水
溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、常
圧で溶媒を留去した。得られた残留物を、２２０ｍｍＨ
ｇの減圧下で減圧蒸留することにより、trans-２−メチ
ル−４−シクロヘキセノール１５．２ｇ（１３５ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率８１％）。得られた生成物の物理的デ
ータは次のとおりであった。
モニウム水溶液中にあけ、室温で１時間撹拌した。この
後、セライトを用いて不溶物を瀘過し、瀘液をエーテル
で３回抽出した。この有機層を、飽和塩化ナトリウム水
溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、常
圧で溶媒を留去した。得られた残留物を、２２０ｍｍＨ
ｇの減圧下で減圧蒸留することにより、trans-２−メチ
ル−４−シクロヘキセノール１５．２ｇ（１３５ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率８１％）。得られた生成物の物理的デ
ータは次のとおりであった。
【００３５】沸点：１３２〜１３３℃（２２０ｍｍＨ
ｇ） 1 H-NMR(CDCl3 ):δ 5.64-5.52(2H,m,H-3,H-4),3.53(1
H,dt,J=11.8,5.3Hz,H-1), 2.45-2.34(1H,m,H-2),2.29-
2.18(1H,m,H-5),2.07-1.95(1H,m, H-2),1.84-1.65(3H,
m,H-5,H-6,OH),1.03(3H,d,J=6.3Hz, Me) 。
ｇ） 1 H-NMR(CDCl3 ):δ 5.64-5.52(2H,m,H-3,H-4),3.53(1
H,dt,J=11.8,5.3Hz,H-1), 2.45-2.34(1H,m,H-2),2.29-
2.18(1H,m,H-5),2.07-1.95(1H,m, H-2),1.84-1.65(3H,
m,H-5,H-6,OH),1.03(3H,d,J=6.3Hz, Me) 。
【００３６】工程（ｂ） trans−２−メチル−４−シ
クロヘキセニル−ベンゾエートの調製 工程（ａ）で得られたtrans-２−メチル−４−シクロヘ
キセノール８．５４ｇ（７６．２ｍｍｏｌ）をピリジン
８５ｍｌに溶解して調製した溶液に、０℃の無水条件下
において、塩化ベンゾイル１３．３ｍｌ（１１４ｍｍｏ
ｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で一晩反応
させた。
クロヘキセニル−ベンゾエートの調製 工程（ａ）で得られたtrans-２−メチル−４−シクロヘ
キセノール８．５４ｇ（７６．２ｍｍｏｌ）をピリジン
８５ｍｌに溶解して調製した溶液に、０℃の無水条件下
において、塩化ベンゾイル１３．３ｍｌ（１１４ｍｍｏ
ｌ）をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で一晩反応
させた。
【００３７】反応終了後、反応溶液に少量のメタノール
を加え、その後、減圧下で溶媒を留去した。得られた残
留物をエーテルに溶解し、１Ｎ塩酸および飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で順次洗浄した。次いで、有機層を、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去
した。得られた残留物を、４ｍｍＨｇの減圧下で蒸留す
ることにより、 trans−２−メチル−４−シクロヘキセ
ニル−ベンゾエート１３．５ｇ（６２．４ｍｍｏｌ）を
得た（収率８２％）。得られた生成物の物理的データは
次のとおりであった。
を加え、その後、減圧下で溶媒を留去した。得られた残
留物をエーテルに溶解し、１Ｎ塩酸および飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液で順次洗浄した。次いで、有機層を、
無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去
した。得られた残留物を、４ｍｍＨｇの減圧下で蒸留す
ることにより、 trans−２−メチル−４−シクロヘキセ
ニル−ベンゾエート１３．５ｇ（６２．４ｍｍｏｌ）を
得た（収率８２％）。得られた生成物の物理的データは
次のとおりであった。
【００３８】沸点：１２８−１３３℃（４ｍｍＨｇ） 1 H-NMR(CDCl3 ):δ 8.06(2H,d,J=7.OHz,aromatic H),
7.56(1H,t,J=7.4Hz,aromatic H),7.44(2H,t,J=7.5Hz,ar
omatic H),5.71-5.56(2H,m,H-3,H-4),5.00(1H,ddd,J=1
1.4,7.9,5.5Hz,H-1),2.62-2.51(1H,m,H-2),2.39-2.28(1
H,m,H-5),2.24-2.02(2H,m,H-2,H-6), 1.96-1.83(1H,m,
H-5),1.03(3H,d,6.6Hz,Me) 。
7.56(1H,t,J=7.4Hz,aromatic H),7.44(2H,t,J=7.5Hz,ar
omatic H),5.71-5.56(2H,m,H-3,H-4),5.00(1H,ddd,J=1
1.4,7.9,5.5Hz,H-1),2.62-2.51(1H,m,H-2),2.39-2.28(1
H,m,H-5),2.24-2.02(2H,m,H-2,H-6), 1.96-1.83(1H,m,
H-5),1.03(3H,d,6.6Hz,Me) 。
【００３９】工程（ｃ） ３−ベンゾイルオキシ−４
−メチルヘキサ二酸の調製 工程（ｂ）で調製した trans−２−メチル−４−シクロ
ヘキセニル−ベンゾエート１２．５ｇ（５７．８ｍｍｏ
ｌ）を、アセトニトリル１７３ｍｌに溶解して調製した
溶液に、四塩化炭素１７３ｍｌ、水２６０ｍｌおよび過
ヨウ素酸ナトリウム７４．２ｇ（３４７ｍｍｏｌ）を加
えた後、水浴上で酸化ルテニウム０．２５０ｇ（１．９
１ｍｍｏｌ）を加え、そのまま３時間、激しく撹拌し
た。
−メチルヘキサ二酸の調製 工程（ｂ）で調製した trans−２−メチル−４−シクロ
ヘキセニル−ベンゾエート１２．５ｇ（５７．８ｍｍｏ
ｌ）を、アセトニトリル１７３ｍｌに溶解して調製した
溶液に、四塩化炭素１７３ｍｌ、水２６０ｍｌおよび過
ヨウ素酸ナトリウム７４．２ｇ（３４７ｍｍｏｌ）を加
えた後、水浴上で酸化ルテニウム０．２５０ｇ（１．９
１ｍｍｏｌ）を加え、そのまま３時間、激しく撹拌し
た。
【００４０】反応終了後、反応溶液から不溶物を瀘別
し、クロロホルムで４回抽出した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して約５０
ｍｌまで濃縮した。この溶液をフロリジルカラムクロマ
トグラフ（溶出液；酢酸エチル：ギ酸＝１０００：１）
で精製した。さらに得られた固体を、ヘキサンークロロ
ホルムの混合溶媒より再結晶して、３−ベンゾイルオキ
シ−４−メチルヘキサ二酸１３．４ｇ（４７．８ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率８３％）。生成物の物理的データは次
のとおりであった。
し、クロロホルムで４回抽出した。有機層を無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去して約５０
ｍｌまで濃縮した。この溶液をフロリジルカラムクロマ
トグラフ（溶出液；酢酸エチル：ギ酸＝１０００：１）
で精製した。さらに得られた固体を、ヘキサンークロロ
ホルムの混合溶媒より再結晶して、３−ベンゾイルオキ
シ−４−メチルヘキサ二酸１３．４ｇ（４７．８ｍｍｏ
ｌ）を得た（収率８３％）。生成物の物理的データは次
のとおりであった。
【００４１】 1H-NMR(DMSO-d6 ):δ 12.28(2H,br,COO
H),7.96(2H,d,J=7.1Hz,aromatic H).7.66(1H,t,J=7.4H
z,aromatic H),7.53(2H,t,J=7.6Hz,aromatic H),5.45-
5.38(1H,m,H-3),2.75-2.58(2H,m,H-2),2.43-2.28(2H,m,
H-4,H-5),2.12(1H,dd,J=14.5,7.2Hz,H-5),1.00(3H,d,6.
7Hz,Me)。
H),7.96(2H,d,J=7.1Hz,aromatic H).7.66(1H,t,J=7.4H
z,aromatic H),7.53(2H,t,J=7.6Hz,aromatic H),5.45-
5.38(1H,m,H-3),2.75-2.58(2H,m,H-2),2.43-2.28(2H,m,
H-4,H-5),2.12(1H,dd,J=14.5,7.2Hz,H-5),1.00(3H,d,6.
7Hz,Me)。
【００４２】工程（ｄ） cis−４−ヒドロキシ−３−
メチルヘキサ二酸−１、４−ラクトンの調製 １Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２８０ｍｌに、工程（ｃ）
で調製した３−ベンゾイルオキシ−４−メチルヘキサ二
酸１３．６ｇ（４８．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時
間撹拌した。
メチルヘキサ二酸−１、４−ラクトンの調製 １Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２８０ｍｌに、工程（ｃ）
で調製した３−ベンゾイルオキシ−４−メチルヘキサ二
酸１３．６ｇ（４８．６ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時
間撹拌した。
【００４３】反応終了後、水素イオン型陽イオン交換樹
脂を加えて反応溶液を中和した。室温で１５分間撹拌し
た後、反応溶液が中性であることを確認し、水素イオン
型陽イオン交換樹脂および不溶物を瀘別した。次いで、
反応溶液をエーテルで洗浄した後、濃塩酸を加えて酸性
として１時間静置した。この後、減圧下溶媒を留去し、
トルエンとの共沸脱水および減圧乾燥を行って、 cis−
４−ヒドロキシ−３−メチルヘキサ二酸−１、４−ラク
トン７．８２ｇを得た。この生成物は未精製のまま次の
工程に用いた。生成物の物理的は次のとおりであった。
脂を加えて反応溶液を中和した。室温で１５分間撹拌し
た後、反応溶液が中性であることを確認し、水素イオン
型陽イオン交換樹脂および不溶物を瀘別した。次いで、
反応溶液をエーテルで洗浄した後、濃塩酸を加えて酸性
として１時間静置した。この後、減圧下溶媒を留去し、
トルエンとの共沸脱水および減圧乾燥を行って、 cis−
４−ヒドロキシ−３−メチルヘキサ二酸−１、４−ラク
トン７．８２ｇを得た。この生成物は未精製のまま次の
工程に用いた。生成物の物理的は次のとおりであった。
【００４４】 1H-NMR (D2 O): δ 5.04-4.96(1H,m,H-
4),2.88-2.64(4H,m,H-2,H-3,H-5),2.36-2.25(1H,m,H-
2),0.97(3H,d,J=6.9Hz,Me)。
4),2.88-2.64(4H,m,H-2,H-3,H-5),2.36-2.25(1H,m,H-
2),0.97(3H,d,J=6.9Hz,Me)。
【００４５】工程（ｅ） cis−６−ヒドロキシ−３−
メチルヘキサン−４−オリドの調製 工程（ｄ）で調製した cis−４−ヒドロキシ−３−メチ
ルヘキサ二酸−１、４−ラクトン７．８２ｇを、未精製
のまま、無水テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し
た。この溶液に、アルゴン雰囲気下０℃で、ボランーテ
トラヒドロフラン錯体のテトラヒドロフラン溶液（濃度
１．０ｍｏｌ／１）４９．５ｍｌ（４９．５ｍｍｏｌ）
をゆっくり滴下した。これを室温までゆっくり昇温した
後、そのまま室温で一晩撹拌した。
メチルヘキサン−４−オリドの調製 工程（ｄ）で調製した cis−４−ヒドロキシ−３−メチ
ルヘキサ二酸−１、４−ラクトン７．８２ｇを、未精製
のまま、無水テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し
た。この溶液に、アルゴン雰囲気下０℃で、ボランーテ
トラヒドロフラン錯体のテトラヒドロフラン溶液（濃度
１．０ｍｏｌ／１）４９．５ｍｌ（４９．５ｍｍｏｌ）
をゆっくり滴下した。これを室温までゆっくり昇温した
後、そのまま室温で一晩撹拌した。
【００４６】反応終了後、反応溶液に、０℃において飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくり加え、クロロホ
ルムで３回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。得られた残留物
を、シリカゲルカラムクロマトグラフ（溶出液；エーテ
ル）で精製することにより、 cis−６−ヒドロキシ−３
−メチルヘキサン−４−オリド２．９６ｇ（２０．５ｍ
ｍｏｌ）を得た（収率４２％）。生成物の物理的データ
は次のとおりであった。
和炭酸水素ナトリウム水溶液をゆっくり加え、クロロホ
ルムで３回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。得られた残留物
を、シリカゲルカラムクロマトグラフ（溶出液；エーテ
ル）で精製することにより、 cis−６−ヒドロキシ−３
−メチルヘキサン−４−オリド２．９６ｇ（２０．５ｍ
ｍｏｌ）を得た（収率４２％）。生成物の物理的データ
は次のとおりであった。
【００４７】 1H-NMR(CDCl3 ):δ 4.70(1H,ddd,J=9.8,
5.7,4.0Hz,H-4),3.90-3.76(2H,m,H-5),2.79-2.58(2H,m,
H-2,H-5),2.41(1H,br,OH),2.22(1H,dd,J=16.6,3.7Hz,H-
2),1.93-1.76(2H,m,H-3,H-5),1.04(3H,d,J=6.9Hz,Me)
。
5.7,4.0Hz,H-4),3.90-3.76(2H,m,H-5),2.79-2.58(2H,m,
H-2,H-5),2.41(1H,br,OH),2.22(1H,dd,J=16.6,3.7Hz,H-
2),1.93-1.76(2H,m,H-3,H-5),1.04(3H,d,J=6.9Hz,Me)
。
【００４８】工程（ｆ） cis−３−メチル−６−トシ
ルオキシヘキサン−４−オリドの調製 工程（ｄ）で調製した cis−４−ヒドロキシ−３−メチ
ルヘキサ二酸−１、４−ラクトン０．７０ｇ（４．９ｍ
ｍｏｌ）を、ピリジン５ｍｌに溶解して調製した溶液
に、無水条件下０℃において、塩化パラトルエンスルホ
ニル１．４ｇ（７．３ｍｍｏｌ）を加え、４℃において
４時間反応させた。
ルオキシヘキサン−４−オリドの調製 工程（ｄ）で調製した cis−４−ヒドロキシ−３−メチ
ルヘキサ二酸−１、４−ラクトン０．７０ｇ（４．９ｍ
ｍｏｌ）を、ピリジン５ｍｌに溶解して調製した溶液
に、無水条件下０℃において、塩化パラトルエンスルホ
ニル１．４ｇ（７．３ｍｍｏｌ）を加え、４℃において
４時間反応させた。
【００４９】反応終了後、反応溶液を飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液中にあけ、エーテルで３回抽出した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を
留去した。得られた残留物をエーテルに溶解し、１％硫
酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し
た。次いで、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、減圧下溶媒を留去して、 cis−３−メチル−６−ト
シルオキシヘキサン−４−オリド１．２ｇ（４．１ｍｍ
ｏｌ）を得た（収率８５％）。生成物の物理的データは
次のとおりであった。
リウム水溶液中にあけ、エーテルで３回抽出した。有機
層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下溶媒を
留去した。得られた残留物をエーテルに溶解し、１％硫
酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で順次洗浄し
た。次いで、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した
後、減圧下溶媒を留去して、 cis−３−メチル−６−ト
シルオキシヘキサン−４−オリド１．２ｇ（４．１ｍｍ
ｏｌ）を得た（収率８５％）。生成物の物理的データは
次のとおりであった。
【００５０】 1H-NMR(CDCl3 ):δ 7.79(2H,d,J=8.3Hz,
aromatic H),7.36(2H,d,J=8.2Hz,aromatic H),4.55(1H,
ddd,J=9.8,5.9,3.8Hz,H-4),4.26-4.08(2H,m,H-5),2.75-
2.53(2H,m,H-2,H-5),2.46(3H,s,Me),2.18(1H,dd,J=16.
6,3.5Hz,H-2),2.05-1.84(2H,m,H-3,H-5),0.99(3H,d,J=
7.0Hz,Me) 。
aromatic H),7.36(2H,d,J=8.2Hz,aromatic H),4.55(1H,
ddd,J=9.8,5.9,3.8Hz,H-4),4.26-4.08(2H,m,H-5),2.75-
2.53(2H,m,H-2,H-5),2.46(3H,s,Me),2.18(1H,dd,J=16.
6,3.5Hz,H-2),2.05-1.84(2H,m,H-3,H-5),0.99(3H,d,J=
7.0Hz,Me) 。
【００５１】 工程（ｇ） cis −ウイスキーラクトンの調製 ヨウ化第一銅５７５ｍｇ（３．０２ｍｍｏｌ）を、無水
エーテル１０ｍｌ中に添加した懸濁液に、−７８℃のア
ルゴン雰囲気下において、エチルリチウムのエーテル溶
液（濃度０．６０ｍｏｌ／ｌ）１０ｍｌ（６．０ｍｍｏ
ｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、−３０℃まで
１時間かけてゆっくり昇温してから、再び−７８℃まで
冷却した（以下反応溶液Ｃと記す）。次に、工程（ｆ）
で調製した cis−３−メチル−６−トシルオキシヘキサ
ン−４−オリド３００ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）を、無
水エーテル５ｍｌおよび無水トルエン１ｍｌに溶解し
た。この溶液に、−２０℃のアルゴン雰囲気下で、反応
溶液Ｃ７ｍｌを、ゆっくりと滴下した後、そのままの温
度で１時間撹拌した（この溶液を反応溶液Ｄと記す）。
エーテル１０ｍｌ中に添加した懸濁液に、−７８℃のア
ルゴン雰囲気下において、エチルリチウムのエーテル溶
液（濃度０．６０ｍｏｌ／ｌ）１０ｍｌ（６．０ｍｍｏ
ｌ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、−３０℃まで
１時間かけてゆっくり昇温してから、再び−７８℃まで
冷却した（以下反応溶液Ｃと記す）。次に、工程（ｆ）
で調製した cis−３−メチル−６−トシルオキシヘキサ
ン−４−オリド３００ｍｇ（１．０１ｍｍｏｌ）を、無
水エーテル５ｍｌおよび無水トルエン１ｍｌに溶解し
た。この溶液に、−２０℃のアルゴン雰囲気下で、反応
溶液Ｃ７ｍｌを、ゆっくりと滴下した後、そのままの温
度で１時間撹拌した（この溶液を反応溶液Ｄと記す）。
【００５２】反応終了後、反応溶液Ｄを、飽和塩化アン
モニウム水溶液中にあけ、不溶物を瀘別した。瀘液を、
エーテルで３回抽出し、抽出液を、水および飽和食塩水
で順次洗浄した。次いで、抽出液を、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。得られた残
渣を、メタノール５ｍｌに溶解し、これに１０％水酸化
ナトリウム水溶液５ｍｌを加え、室温にて一晩撹拌し
た。この後、メタノールを減圧留去し、得られた残渣
を、ジエチルエーテルで２度抽出した。水層を希塩酸に
て酸性とした後に、さらにジエチルエーテルで５度抽出
した。合わせた抽出液を、無水硫酸マグネシウムにて乾
燥した後濃縮して粗生成物を得た。この粗生成物を、シ
リカゲルカラムクロマトグラフ（溶出液；ｎ−ヘキサ
ン：エーテル＝１０：１〜２：１）で精製した後、減圧
蒸留してcis −ウイスキーラクトン１０７ｍｇ（０．６
９ｍｍｏｌ）を得た（収率６８％）。得られた生成物の
物理的データは次のとおりであった。
モニウム水溶液中にあけ、不溶物を瀘別した。瀘液を、
エーテルで３回抽出し、抽出液を、水および飽和食塩水
で順次洗浄した。次いで、抽出液を、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥した後、減圧下溶媒を留去した。得られた残
渣を、メタノール５ｍｌに溶解し、これに１０％水酸化
ナトリウム水溶液５ｍｌを加え、室温にて一晩撹拌し
た。この後、メタノールを減圧留去し、得られた残渣
を、ジエチルエーテルで２度抽出した。水層を希塩酸に
て酸性とした後に、さらにジエチルエーテルで５度抽出
した。合わせた抽出液を、無水硫酸マグネシウムにて乾
燥した後濃縮して粗生成物を得た。この粗生成物を、シ
リカゲルカラムクロマトグラフ（溶出液；ｎ−ヘキサ
ン：エーテル＝１０：１〜２：１）で精製した後、減圧
蒸留してcis −ウイスキーラクトン１０７ｍｇ（０．６
９ｍｍｏｌ）を得た（収率６８％）。得られた生成物の
物理的データは次のとおりであった。
【００５３】沸点：１２０〜１３０℃［２１ｍｍＨｇ
（ｂａｔｈ ｔｅｍｐ．）］ 1 H-NMR(CDCl3 ):δ 0.92(3H,t,J=7.OHz),1.02(3H,d,J
=6.9Hz),1.20-1.75(6H,m), 2.20(1H,dd,J=3.8 and 16.8
Hz),2.51-2.64(1H,m),2.70(1H,dd,J=7.8 and 16.8Hz),
4.40-4.48(1H.m)。
（ｂａｔｈ ｔｅｍｐ．）］ 1 H-NMR(CDCl3 ):δ 0.92(3H,t,J=7.OHz),1.02(3H,d,J
=6.9Hz),1.20-1.75(6H,m), 2.20(1H,dd,J=3.8 and 16.8
Hz),2.51-2.64(1H,m),2.70(1H,dd,J=7.8 and 16.8Hz),
4.40-4.48(1H.m)。
【００５４】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明の３，４−二
置換−シス−γ−ラクトンの製造方法によれば、有用性
が高いシス体を、選択的にかつより高い収率で製造する
ことができる等効果を奏するものである。
置換−シス−γ−ラクトンの製造方法によれば、有用性
が高いシス体を、選択的にかつより高い収率で製造する
ことができる等効果を奏するものである。
Claims (2)
- 【請求項１】 化１に示す一般式（Ｉ）で表される３，
４−二置換−シス−γ−ラクトン（Ｉ）の製造方法であ
って、 【化１】 （式中Ｒ1 及びＲ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、ア
ルケニル基またはアルキニル基を示す。） （ａ）化２に示す１，４−シクロヘキサジエンモノエポ
キシド(II)の２位に置換基Ｒ2 を導入することにより化
３に示す化合物(III)を得る工程と、 【化２】 【化３】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｂ）工程（ａ）で得られた化合物(III) の１位の水酸
基に一般的な水酸基の保護基Ｒ3 を導入することにより
化４に示す化合物（IV）を得る工程と、 【化４】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｃ）工程（ｂ）で得られた化合物（IV）のオレフィン
部分を酸化的に開裂して化５に示す化合物（Ｖ）を得る
工程と、 【化５】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ3 は、一般的な水酸基
の保護基を表す。） （ｄ）工程（ｃ）で得られた化合物（Ｖ）を脱保護反応
に供した後、ラクトンを形成させて化６に示す化合物
（VI）を得る工程と、 【化６】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｅ）工程（ｄ）で得られた化合物（VI）のカルボキシ
ル基を選択的に還元して化７に示す化合物(VII) を得る
工程と、 【化７】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示す。） （ｆ）工程（ｅ）で得られた化合物(VII) の水酸基に脱
離基Ｒ4を導入して、化８に示す化合物（VIII) を得る
工程と、 【化８】 （式中Ｒ2 は、直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケニル
基またはアルキニル基を示し、Ｒ4 は、一般的な脱離基
を表す。） （ｇ）工程（ｆ）で得られた化合物（VIII）の脱離基Ｒ
4 を置換基Ｒ1 で置換することにより３，４−二置換−
シス−γ−ラクトン（Ｉ）を得る工程とを具備したこと
を特徴とする３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製
造方法。 - 【請求項２】 置換基Ｒ1 及びＲ2 が、炭素数が１〜
５の範囲内であって直鎖又は分鎖のアルキル基、アルケ
ニル基またはアルキニル基であることを特徴とする請求
項１記載の３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3270510A JPH0586045A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | ３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3270510A JPH0586045A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | ３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586045A true JPH0586045A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=17487249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3270510A Pending JPH0586045A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | ３，４−二置換−シス−γ−ラクトンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0586045A (ja) |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3270510A patent/JPH0586045A/ja active Pending
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