JPH0581678A - 光デイスク再生装置 - Google Patents
光デイスク再生装置Info
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- JPH0581678A JPH0581678A JP24001991A JP24001991A JPH0581678A JP H0581678 A JPH0581678 A JP H0581678A JP 24001991 A JP24001991 A JP 24001991A JP 24001991 A JP24001991 A JP 24001991A JP H0581678 A JPH0581678 A JP H0581678A
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- optical disk
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッジ記録方式で情報が記録された光磁気デ
ィスクから既記録情報を再生する装置に関し、再生ドメ
イン長の伸びを補正した再生を行なう光ディスク再生装
置を提供する。 【構成】 計測手段１４はエッジ検出回路１３よりのエ
ッジ検出パルスのパルス間隔を計測することにより、光
ディスクに形成された磁区の前縁から後縁までの長さを
実質的に計測する。パルス幅可変回路１５は上記計測値
が大なるほど、波形整形回路１２よりのパルスの幅を小
さくして再生パルスとして出力する。
ィスクから既記録情報を再生する装置に関し、再生ドメ
イン長の伸びを補正した再生を行なう光ディスク再生装
置を提供する。 【構成】 計測手段１４はエッジ検出回路１３よりのエ
ッジ検出パルスのパルス間隔を計測することにより、光
ディスクに形成された磁区の前縁から後縁までの長さを
実質的に計測する。パルス幅可変回路１５は上記計測値
が大なるほど、波形整形回路１２よりのパルスの幅を小
さくして再生パルスとして出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ディスク再生装置に係
り、特にエッジ記録方式で情報が記録された光磁気ディ
スクから既記録情報を再生する光ディスク再生装置に関
する。
り、特にエッジ記録方式で情報が記録された光磁気ディ
スクから既記録情報を再生する光ディスク再生装置に関
する。
【０００２】近年、光ディスクの小型化、低ビットコス
ト化の要求に伴い、記録の高密度化が要求されている。
このため、一つの方法としてエッジ記録方式が提案され
ている。
ト化の要求に伴い、記録の高密度化が要求されている。
このため、一つの方法としてエッジ記録方式が提案され
ている。
【０００３】このエッジ記録方式では記録データが図４
（Ａ）に示す如き２値符号列である場合、値“１”のビ
ット位置でのみ光強度が反転する、同図（Ｂ）に示す記
録光ビーム発光パターンを作成し、これを記録光ビーム
として光ディスク（ここでは光磁気ディスク）上に照射
する。これにより、図４（Ｂ）にハイレベルで示す期
間、大なる光強度とされた記録光ビームが光ディスク上
に照射され、その照射局部位置の温度を上昇させ、外部
磁界が印加されている光ディスクの媒体に磁化反転を行
わせる。
（Ａ）に示す如き２値符号列である場合、値“１”のビ
ット位置でのみ光強度が反転する、同図（Ｂ）に示す記
録光ビーム発光パターンを作成し、これを記録光ビーム
として光ディスク（ここでは光磁気ディスク）上に照射
する。これにより、図４（Ｂ）にハイレベルで示す期
間、大なる光強度とされた記録光ビームが光ディスク上
に照射され、その照射局部位置の温度を上昇させ、外部
磁界が印加されている光ディスクの媒体に磁化反転を行
わせる。
【０００４】その結果、光ディスクの媒体平面上の１本
のトラックには、図４（Ｃ）に模式的に示す如く、周囲
の磁化方向と反対の磁化方向をもつ記録磁区（ドメイ
ン）Ｃ 1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 が形成される。なお、記録データ
は２／７変調されており、“１”と“１”の間に“０”
が最小２個、最大７個入るようになされている。このよ
うにして、光ディスク媒体には記録データがその“１”
と“１”の間を１つの磁区とし、また交互に磁化方向が
反転する磁区列として記録される。
のトラックには、図４（Ｃ）に模式的に示す如く、周囲
の磁化方向と反対の磁化方向をもつ記録磁区（ドメイ
ン）Ｃ 1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 が形成される。なお、記録データ
は２／７変調されており、“１”と“１”の間に“０”
が最小２個、最大７個入るようになされている。このよ
うにして、光ディスク媒体には記録データがその“１”
と“１”の間を１つの磁区とし、また交互に磁化方向が
反転する磁区列として記録される。
【０００５】このようなエッジ記録方式で記録された光
ディスクでは、磁区のエッジの位置が重要であるので、
磁区のエッジ位置間隔の変化の影響を受けずに再生する
必要がある。
ディスクでは、磁区のエッジの位置が重要であるので、
磁区のエッジ位置間隔の変化の影響を受けずに再生する
必要がある。
【０００６】
【従来の技術】上記のエッジ記録方式で記録された光デ
ィスクの既記録データを再生する再生装置は、既記録デ
ータが光ディスクに磁化方向の変化として記録されてい
るので、磁気カー効果を利用して既記録データを再生す
る。すなわち、光ディスクの媒体面の反射光の偏光面は
記録磁化の方向に応じて回転するので、この反射光の偏
光面の回転方向を弁別することで既記録データを再生す
る。
ィスクの既記録データを再生する再生装置は、既記録デ
ータが光ディスクに磁化方向の変化として記録されてい
るので、磁気カー効果を利用して既記録データを再生す
る。すなわち、光ディスクの媒体面の反射光の偏光面は
記録磁化の方向に応じて回転するので、この反射光の偏
光面の回転方向を弁別することで既記録データを再生す
る。
【０００７】従って、再生装置は図５（Ａ）に示す各ト
ラック上に対物レンズで光ビームを絞って再生光スポッ
ト１を形成走査し、これにより得られる反射光の偏光面
の回転方向を弁別して同図（Ｂ）に示す如き再生波形を
得る。この再生波形から再生波形のセンターレベルを横
切る時点が値“１”で、他は“０”である、図５（Ｃ）
に示す如き再生データが復調される。
ラック上に対物レンズで光ビームを絞って再生光スポッ
ト１を形成走査し、これにより得られる反射光の偏光面
の回転方向を弁別して同図（Ｂ）に示す如き再生波形を
得る。この再生波形から再生波形のセンターレベルを横
切る時点が値“１”で、他は“０”である、図５（Ｃ）
に示す如き再生データが復調される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、エッジ記録
方式により光ディスクに情報を記録するに際しては、レ
ーザダイオード（ＬＤ）から光ディスクに照射される光
ビームの照射時間、すなわちＬＤパルス記録幅に応じ
て、記録された磁区（ドメイン）の長さ（すなわち再生
ドメイン長）が図６に示す如く変化してしまう。
方式により光ディスクに情報を記録するに際しては、レ
ーザダイオード（ＬＤ）から光ディスクに照射される光
ビームの照射時間、すなわちＬＤパルス記録幅に応じ
て、記録された磁区（ドメイン）の長さ（すなわち再生
ドメイン長）が図６に示す如く変化してしまう。
【０００９】同図は横軸がＬＤパルス記録幅（単位μ
ｍ）、縦軸が再生ドメイン長の伸び（単位μｍ）を示
し、周速１０ｍ／ｓの光ディスクに対して記録パワーを
３段階に変え、かつ、ＬＤパルス記録幅を１μｍから
２．５μｍまで段階的に変えたときの特性図である。こ
こで、ＬＤは図７に示す如く、周期が一定で、ハイレベ
ルの期間Ｔが可変される駆動パルスにより駆動され、こ
れにより光ディスク上に標準状態では周期が５μｍの長
さに相当し、ハイレベルの期間ＴでＬＤパルス記録幅に
相当する長さのドメインが記録されるものとする。
ｍ）、縦軸が再生ドメイン長の伸び（単位μｍ）を示
し、周速１０ｍ／ｓの光ディスクに対して記録パワーを
３段階に変え、かつ、ＬＤパルス記録幅を１μｍから
２．５μｍまで段階的に変えたときの特性図である。こ
こで、ＬＤは図７に示す如く、周期が一定で、ハイレベ
ルの期間Ｔが可変される駆動パルスにより駆動され、こ
れにより光ディスク上に標準状態では周期が５μｍの長
さに相当し、ハイレベルの期間ＴでＬＤパルス記録幅に
相当する長さのドメインが記録されるものとする。
【００１０】図６からわかるように、ＬＤパルス記録幅
が長くなるほど、記録しようとしたドメイン長と実際に
記録されたドメイン長との差である再生ドメイン長の伸
びが大となる。これはＬＤパルス記録幅が長くなるほ
ど、光ディスク上の光ビーム照射位置の温度が上昇し、
光ビーム照射位置の外縁周囲にも磁化反転が生じるため
である。また、図６において、△，□及び○は夫々記録
パワーが小，中及び大のときの特性を示しており、これ
から記録パワーが大なるほど再生ドメイン長の伸びが大
きいことがわかる。
が長くなるほど、記録しようとしたドメイン長と実際に
記録されたドメイン長との差である再生ドメイン長の伸
びが大となる。これはＬＤパルス記録幅が長くなるほ
ど、光ディスク上の光ビーム照射位置の温度が上昇し、
光ビーム照射位置の外縁周囲にも磁化反転が生じるため
である。また、図６において、△，□及び○は夫々記録
パワーが小，中及び大のときの特性を示しており、これ
から記録パワーが大なるほど再生ドメイン長の伸びが大
きいことがわかる。
【００１１】このように、従来はＬＤパルス記録幅に応
じて再生ドメイン長の伸びが変化するため、甚だしい場
合は正常にデータ再生ができないという問題がある。
じて再生ドメイン長の伸びが変化するため、甚だしい場
合は正常にデータ再生ができないという問題がある。
【００１２】本発明は上記の点に鑑みなされたもので、
再生ドメイン長の伸びを補正した再生ができる光ディス
ク再生装置を提供することを目的とする。
再生ドメイン長の伸びを補正した再生ができる光ディス
ク再生装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理ブロ
ック図を示す。同図中、１１は光学ヘッドで、エッジ記
録方式で記録された光ディスクの既記録信号を再生す
る。１２は波形整形回路で、光学ヘッド１１の出力再生
信号に基づき、前記光ディスクに形成された各磁区の前
縁と後縁に夫々対応する位置でエッジを有する再生パル
スを生成する。
ック図を示す。同図中、１１は光学ヘッドで、エッジ記
録方式で記録された光ディスクの既記録信号を再生す
る。１２は波形整形回路で、光学ヘッド１１の出力再生
信号に基づき、前記光ディスクに形成された各磁区の前
縁と後縁に夫々対応する位置でエッジを有する再生パル
スを生成する。
【００１４】エッジ検出回路１３は波形整形回路１２の
出力再生パルスに基づき、前記光ディスクに形成された
各磁区の前縁に対応する第１のエッジ検出信号と、前記
各磁区の後縁に対応する第２のエッジ検出信号を夫々生
成出力する。
出力再生パルスに基づき、前記光ディスクに形成された
各磁区の前縁に対応する第１のエッジ検出信号と、前記
各磁区の後縁に対応する第２のエッジ検出信号を夫々生
成出力する。
【００１５】１４は計測手段で、エッジ検出回路１３よ
りの前記第１のエッジ検出信号入力時点から前記第２の
エッジ検出信号入力時点までの時間を計測する。１５は
パルス幅可変回路で、計測手段１４よりの計測値が大な
るほど波形整形回路１２からの再生パルスのパルス幅を
短くして出力する。
りの前記第１のエッジ検出信号入力時点から前記第２の
エッジ検出信号入力時点までの時間を計測する。１５は
パルス幅可変回路で、計測手段１４よりの計測値が大な
るほど波形整形回路１２からの再生パルスのパルス幅を
短くして出力する。
【００１６】
【作用】本発明では、波形整形回路１２の出力再生パル
スの立ち上がりと立ち下がりの両エッジをエッジ検出回
路１３で検出し、検出された両エッジ間の時間を計測手
段１４により計測する。ここで、再生パルスの両エッジ
は光ディスクに形成された各磁区の前縁と後縁に夫々対
応しているため、計測手段１４による計測値は再生ドメ
イン長を実質的に示している。
スの立ち上がりと立ち下がりの両エッジをエッジ検出回
路１３で検出し、検出された両エッジ間の時間を計測手
段１４により計測する。ここで、再生パルスの両エッジ
は光ディスクに形成された各磁区の前縁と後縁に夫々対
応しているため、計測手段１４による計測値は再生ドメ
イン長を実質的に示している。
【００１７】一方、再生パルスはパルス幅可変回路１５
に供給され、ここで計測手段１４よりの計測値が大なる
ほどパルス幅を短くされて出力される。前記したよう
に、再生ドメイン長の伸びはＬＤパルス記録幅が大なる
ほど大きい。一方、上記の計測手段１４による計測値は
再生ドメイン長を実質的に示しているから、この計測値
が大のときは再生ドメイン長が長く、よって再生ドメイ
ン長の伸びも大きい。
に供給され、ここで計測手段１４よりの計測値が大なる
ほどパルス幅を短くされて出力される。前記したよう
に、再生ドメイン長の伸びはＬＤパルス記録幅が大なる
ほど大きい。一方、上記の計測手段１４による計測値は
再生ドメイン長を実質的に示しているから、この計測値
が大のときは再生ドメイン長が長く、よって再生ドメイ
ン長の伸びも大きい。
【００１８】そこで、本発明は再生ドメイン長が長いと
きはパルス幅を短くした再生パルスを取り出すようにす
ることにより、再生ドメイン長の伸びを補正するもので
ある。
きはパルス幅を短くした再生パルスを取り出すようにす
ることにより、再生ドメイン長の伸びを補正するもので
ある。
【００１９】
【実施例】図２は本発明の一実施例のブロック図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。図２において、前記したエッジ記
録方式で記録された光ディスクから再生信号を得るため
の公知の光学系及び回路系を備えた光学ヘッド１１のプ
リアンプ２１から取り出された図３（Ａ）に示す如き再
生信号ａはアンプ２２で更に増幅された後、中点検出回
路２３及びコンパレータ２４に夫々供給される。
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明を省略する。図２において、前記したエッジ記
録方式で記録された光ディスクから再生信号を得るため
の公知の光学系及び回路系を備えた光学ヘッド１１のプ
リアンプ２１から取り出された図３（Ａ）に示す如き再
生信号ａはアンプ２２で更に増幅された後、中点検出回
路２３及びコンパレータ２４に夫々供給される。
【００２０】再生信号ａのゼロクロス点、すなわち最大
値と最小値との中点が中点検出回路２３で検出される。
この再生信号ａの中点は、光ディスクに形成された前記
磁区の前縁又は後縁の位置に対応している。コンパレー
タ２４はアンプ２２からの再生信号ａが、中点検出回路
２３よりの中点よりレベルが大であるか否かのレベル比
較を行ない、図３（Ｂ）に示す如く、波形整形された再
生パルスｂを取り出す。すなわち、上記の中点検出回路
２３とコンパレータ２４は前記した波形整形回路１２を
構成している。
値と最小値との中点が中点検出回路２３で検出される。
この再生信号ａの中点は、光ディスクに形成された前記
磁区の前縁又は後縁の位置に対応している。コンパレー
タ２４はアンプ２２からの再生信号ａが、中点検出回路
２３よりの中点よりレベルが大であるか否かのレベル比
較を行ない、図３（Ｂ）に示す如く、波形整形された再
生パルスｂを取り出す。すなわち、上記の中点検出回路
２３とコンパレータ２４は前記した波形整形回路１２を
構成している。
【００２１】立ち上がり検出回路２５及び立ち下がり検
出回路２６は夫々前記したエッジ検出回路１３を構成し
ており、上記再生パルスｂの立ち上がりと立ち下がりを
夫々検出し、図３（Ｃ）に示す第１のエッジ検出パルス
ｃと同図（Ｄ）に示す第２のエッジ検出パルスｄを出力
する。エッジ検出パルスｃは前記光ディスクに形成され
た磁区（ドメイン）の前縁に対応した位相で出力され、
エッジ検出パルスｄは該磁区の後縁に対応した位相で出
力される。
出回路２６は夫々前記したエッジ検出回路１３を構成し
ており、上記再生パルスｂの立ち上がりと立ち下がりを
夫々検出し、図３（Ｃ）に示す第１のエッジ検出パルス
ｃと同図（Ｄ）に示す第２のエッジ検出パルスｄを出力
する。エッジ検出パルスｃは前記光ディスクに形成され
た磁区（ドメイン）の前縁に対応した位相で出力され、
エッジ検出パルスｄは該磁区の後縁に対応した位相で出
力される。
【００２２】エッジ検出パルスｃはカウンタ２７のリセ
ット端子に印加される。カウンタ２７はクロック発生器
２８、ラッチ回路２９と共に前記した計測手段１４を構
成している。クロック発生器２８は再生信号ａの最高周
波数よりも２倍以上高い高周波数のクロックパルスを発
生し、カウンタ２７に供給する。カウンタ２７はこのク
ロックパルスを計数し、その計数値をラッチ回路２９に
供給する。
ット端子に印加される。カウンタ２７はクロック発生器
２８、ラッチ回路２９と共に前記した計測手段１４を構
成している。クロック発生器２８は再生信号ａの最高周
波数よりも２倍以上高い高周波数のクロックパルスを発
生し、カウンタ２７に供給する。カウンタ２７はこのク
ロックパルスを計数し、その計数値をラッチ回路２９に
供給する。
【００２３】ラッチ回路２９はこの入力計数値を、立ち
上がり検出回路２６の出力エッジ検出パルスｄによりラ
ッチする。従って、ラッチ回路２９はエッジ検出パルス
ｃの入力時点からエッジ検出パルスｄの入力時点までの
クロックパルス数がラッチされることにとなり、これは
再生パルスｂのハイレベル期間に対応した値を示してい
る。
上がり検出回路２６の出力エッジ検出パルスｄによりラ
ッチする。従って、ラッチ回路２９はエッジ検出パルス
ｃの入力時点からエッジ検出パルスｄの入力時点までの
クロックパルス数がラッチされることにとなり、これは
再生パルスｂのハイレベル期間に対応した値を示してい
る。
【００２４】一方、ディレイライン３０は互いに異なる
複数の遅延時間を再生パルスｂに付与し、それら複数の
遅延時間が付与された再生パルスを並列に出力してマル
チプレクサ３１に供給する。図３（Ｅ）はディレイライ
ン３０からの遅延再生パルスのうち遅延時間最短のパル
スｅを示し、同図（Ｆ）はディレイライン３０からの遅
延再生パルスのうち遅延時間最長のパルスｆを示してい
る。ディレイライン３０はマルチプレクサ３１及びＡＮ
Ｄ回路３２と共に前記したパルス幅可変回路１５を構成
している。
複数の遅延時間を再生パルスｂに付与し、それら複数の
遅延時間が付与された再生パルスを並列に出力してマル
チプレクサ３１に供給する。図３（Ｅ）はディレイライ
ン３０からの遅延再生パルスのうち遅延時間最短のパル
スｅを示し、同図（Ｆ）はディレイライン３０からの遅
延再生パルスのうち遅延時間最長のパルスｆを示してい
る。ディレイライン３０はマルチプレクサ３１及びＡＮ
Ｄ回路３２と共に前記したパルス幅可変回路１５を構成
している。
【００２５】マルチプレクサ３１はラッチ回路２９より
の計数値がセレクト端子に供給される一方、ディレイラ
イン３０の並列出力遅延再生パルスが夫々入力端子に並
列に供給され、セレクト端子への入力計数値に応じた番
号の入力端子を選択し、その選択入力端子の入力遅延再
生パルスを出力する。ここでは、マルチプレクサ３１は
セレクト端子に印加される計数値が大なるほど、遅延時
間が短い遅延再生パルスを選択するようにディレイライ
ン３０の出力端子と接続されている。
の計数値がセレクト端子に供給される一方、ディレイラ
イン３０の並列出力遅延再生パルスが夫々入力端子に並
列に供給され、セレクト端子への入力計数値に応じた番
号の入力端子を選択し、その選択入力端子の入力遅延再
生パルスを出力する。ここでは、マルチプレクサ３１は
セレクト端子に印加される計数値が大なるほど、遅延時
間が短い遅延再生パルスを選択するようにディレイライ
ン３０の出力端子と接続されている。
【００２６】マルチプレクサ３１の出力遅延再生パルス
はゲート回路であるＡＮＤ回路３２に供給され、ここで
ディレイライン３０よりの遅延時間最長の遅延再生パル
スｆと論理積をとられることにより、パルス幅を短くさ
れて最終の再生パルスとして取り出される。例えば、マ
ルチプレクサ３１の出力遅延再生パルスが図３（Ｅ）に
示すパルスｅであるときは、ＡＮＤ回路３２の出力パル
スは図３（Ｇ）に示す如くになり、再生パルスｂのパル
ス幅よりも小なる幅をもつ再生パルスｇとして出力され
る。
はゲート回路であるＡＮＤ回路３２に供給され、ここで
ディレイライン３０よりの遅延時間最長の遅延再生パル
スｆと論理積をとられることにより、パルス幅を短くさ
れて最終の再生パルスとして取り出される。例えば、マ
ルチプレクサ３１の出力遅延再生パルスが図３（Ｅ）に
示すパルスｅであるときは、ＡＮＤ回路３２の出力パル
スは図３（Ｇ）に示す如くになり、再生パルスｂのパル
ス幅よりも小なる幅をもつ再生パルスｇとして出力され
る。
【００２７】このようにして、本実施例によれば、再生
ドメイン長の変化が補正されたパルス幅の再生パルスを
取り出すことができる。
ドメイン長の変化が補正されたパルス幅の再生パルスを
取り出すことができる。
【００２８】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、再生ドメ
イン長に応じてパルス幅を可変した再生パルスを取り出
すことにより、記録パルス幅に応じた再生ドメイン長の
伸びを補正するようにしたため、従来に比べて再生パル
スへの再生ドメイン長の伸びの影響が大幅に低減された
正しいデータ再生を行なうことができ、従来に比べて再
生データ誤りを低減できる等の特長を有するものであ
る。
イン長に応じてパルス幅を可変した再生パルスを取り出
すことにより、記録パルス幅に応じた再生ドメイン長の
伸びを補正するようにしたため、従来に比べて再生パル
スへの再生ドメイン長の伸びの影響が大幅に低減された
正しいデータ再生を行なうことができ、従来に比べて再
生データ誤りを低減できる等の特長を有するものであ
る。
【図１】本発明の原理ブロック図である。
【図２】本発明の一実施例のブロック図である。
【図３】図２の動作説明用タイムチャートである。
【図４】エッジ記録方式の説明図である。
【図５】従来装置の再生原理説明図である。
【図６】ＬＤパルス記録幅と再生ドメイン長の伸びとの
関係を示す図である。
関係を示す図である。
【図７】ＬＤパルス記録幅の説明図である。
１１ 光学ヘッド １２ 波形整形回路 １３ エッジ検出回路 １４ 計測手段 １５ パルス幅可変回路 ３０ ディレイライン ３１ マルチプレクサ ３２ ＡＮＤ回路
Claims (3)
- 【請求項１】 エッジ記録方式で記録された光ディスク
の既記録信号を再生する光学ヘッド（１１）と、 該光学ヘッド（１１）の出力再生信号に基づき、前記光
ディスクに形成された各磁区の前縁、後縁に夫々対応す
る位置でエッジを有する再生パルスを生成する波形整形
回路（１２）と、 該波形整形回路（１２）の出力再生パルスに基づき、前
記光ディスクに形成された各磁区の前縁に対応する第１
のエッジ検出信号と、前記各磁区の後縁に対応する第２
のエッジ検出信号を夫々生成出力するエッジ検出回路
（１３）と、 該エッジ検出回路（１３）よりの前記第１のエッジ検出
信号入力時点から前記第２のエッジ検出信号入力時点ま
での時間を計測する計測手段（１４）と、 該計測手段（１４）よりの計測値が大なるほど、前記波
形整形回路（１２）からの再生パルスのパルス幅を短く
して出力するパルス幅可変回路（１５）とを有すること
を特徴とする光ディスク再生装置。 - 【請求項２】 前記パルス幅可変回路（１５）は、前記
波形整形回路（１２）の出力再生パルスを互いに異なる
複数の遅延時間を付与して並列に出力するディレイライ
ン（３０）と、前記計測手段（１４）の出力計測値に応
じて該ディレイライン（３０）からの複数の遅延再生パ
ルスのうちの一の遅延再生パルスを選択するマルチプレ
クサ（３１）と、該マルチプレクサ（３１）の出力遅延
再生パルスと前記ディレイライン（３０）からの所定の
一の遅延再生パルスとが夫々供給されて最終的な再生パ
ルスとして出力するゲート回路（３２）とよりなること
を特徴とする光ディスク再生装置。 - 【請求項３】 前記光ディスクは、記録光ビームの照射
位置の加熱により、磁化反転して磁区を形成する熱磁気
書込みの光ディスクであることを特徴とする請求項１記
載の光ディスク再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24001991A JPH0581678A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24001991A JPH0581678A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581678A true JPH0581678A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17053259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24001991A Withdrawn JPH0581678A (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 光デイスク再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0581678A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085504A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 着色光ファイバの着色層偏肉検査方法 |
| US7660216B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-02-09 | Nec Electronics Corporation | Disk reproducing apparatus and method |
| JP2020026962A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 多摩川精機株式会社 | 角度検出器の出力信号異常検出装置 |
| JP2020026961A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 多摩川精機株式会社 | 角度検出器の励磁信号異常検出装置 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP24001991A patent/JPH0581678A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH085504A (ja) * | 1994-06-21 | 1996-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 着色光ファイバの着色層偏肉検査方法 |
| US7660216B2 (en) | 2005-02-22 | 2010-02-09 | Nec Electronics Corporation | Disk reproducing apparatus and method |
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