JPH058157B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH058157B2 JPH058157B2 JP60258277A JP25827785A JPH058157B2 JP H058157 B2 JPH058157 B2 JP H058157B2 JP 60258277 A JP60258277 A JP 60258277A JP 25827785 A JP25827785 A JP 25827785A JP H058157 B2 JPH058157 B2 JP H058157B2
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- JP
- Japan
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- cdte
- ingot
- quartz ampoule
- polycrystalline
- temperature region
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明はブリツジマン炉を用いたCdTe単結晶
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
＜従来の技術＞
CdTe単結晶は、電離箱に代る放射線検出素子
として各種の分野で用いられるものであり、一般
にCdとTeとを化学等量比に混合して高真空
（10-5pa程度）の筒状の容器（例えば石英アンプ
ル）にいれ、この石英アンプルをブリツジマン炉
に配置し、CdとTeを溶融、反応させて結晶化さ
せる方法が用いられている。
として各種の分野で用いられるものであり、一般
にCdとTeとを化学等量比に混合して高真空
（10-5pa程度）の筒状の容器（例えば石英アンプ
ル）にいれ、この石英アンプルをブリツジマン炉
に配置し、CdとTeを溶融、反応させて結晶化さ
せる方法が用いられている。
第３図は、この用なCdTe単結晶の製造に用い
る装置の炉内の温度構成およびアンプルの配置を
示す概念図である。
る装置の炉内の温度構成およびアンプルの配置を
示す概念図である。
第３図において、１はCdとTeが真空封入され
た石英アンプルであり、この石英アンプル１は任
意の温度分布が設定出来るように構成された均熱
炉（図示せず）内に出し入れ可能に吊下げられて
いる。そして従来は、この様な装置を用いて、石
英アンプル１を加熱炉内の上部の均熱領域（1130
℃）の位置に配置してCdとTeを溶融させ、この
位置から石英アンプル１を徐々に降下させCdTe
の融点温度である1092℃の位置でアンプルの下部
から徐々に結晶成長させ、CdTeの単結晶を製造
していた。
た石英アンプルであり、この石英アンプル１は任
意の温度分布が設定出来るように構成された均熱
炉（図示せず）内に出し入れ可能に吊下げられて
いる。そして従来は、この様な装置を用いて、石
英アンプル１を加熱炉内の上部の均熱領域（1130
℃）の位置に配置してCdとTeを溶融させ、この
位置から石英アンプル１を徐々に降下させCdTe
の融点温度である1092℃の位置でアンプルの下部
から徐々に結晶成長させ、CdTeの単結晶を製造
していた。
＜発明が解決しようとする問題点＞
しかし、このような製造方法においては、結晶
核は石英アンプル１の底部突端の各所から発生す
るので、常に１つの結晶核のみを上方へ成長させ
て単結晶を得るのは難しく、結晶開始時点で数個
の核が発生するため多結晶となつてしまう。しか
も、アンプル中央部までは固液界面の位置や形状
が大きく変化するという問題点がある。
核は石英アンプル１の底部突端の各所から発生す
るので、常に１つの結晶核のみを上方へ成長させ
て単結晶を得るのは難しく、結晶開始時点で数個
の核が発生するため多結晶となつてしまう。しか
も、アンプル中央部までは固液界面の位置や形状
が大きく変化するという問題点がある。
本出願人の実験によれば、直径25mm長さ100mm
のCdTeのインゴツトでは中央部付近まで数個の
粒界が残り、単結晶が得られるのは全長の半分
（約50mm）程度であつた。
のCdTeのインゴツトでは中央部付近まで数個の
粒界が残り、単結晶が得られるのは全長の半分
（約50mm）程度であつた。
＜問題点を解決するための手段＞
本発明は上記従来技術に鑑みて成されたもの
で、石英アンプル全体若しくは単結晶CdTeを含
む高温領域に配置された多結晶CdTe側を単結晶
化させることを目的とし、所定の直径と長さを有
し、前記長さの約半分を多結晶CdTeインゴツト
とし、他の半分の少なくとも前記多結晶CdTeと
接する部分に単結晶CdTeインゴツトを配置して
石英アンプルに収納し、所定の負圧下で封止する
第１工程と、 加熱炉の低温領域がCdTeの融点温度よりも低
く、高温領域がCdTeの融点温度よりも高く設定
された温度勾配を有する加熱炉中に、前記多結晶
CdTeインゴツト部分を前記高温領域側に配置し
て所定の時間放置し、前記多結晶CdTeインゴツ
ト部分を溶融する第２工程と、 前記石英アンプルを所定の速度で前記高温領域
側に移動させ、前記単結晶CdTeインゴツトの一
部を溶融して一定時間放置する第３工程と、 前記一定時間経過後所定の速度で前記石英アン
プルを前記低温領域側に移動させる第４工程を含
むことを特徴とするものである。
で、石英アンプル全体若しくは単結晶CdTeを含
む高温領域に配置された多結晶CdTe側を単結晶
化させることを目的とし、所定の直径と長さを有
し、前記長さの約半分を多結晶CdTeインゴツト
とし、他の半分の少なくとも前記多結晶CdTeと
接する部分に単結晶CdTeインゴツトを配置して
石英アンプルに収納し、所定の負圧下で封止する
第１工程と、 加熱炉の低温領域がCdTeの融点温度よりも低
く、高温領域がCdTeの融点温度よりも高く設定
された温度勾配を有する加熱炉中に、前記多結晶
CdTeインゴツト部分を前記高温領域側に配置し
て所定の時間放置し、前記多結晶CdTeインゴツ
ト部分を溶融する第２工程と、 前記石英アンプルを所定の速度で前記高温領域
側に移動させ、前記単結晶CdTeインゴツトの一
部を溶融して一定時間放置する第３工程と、 前記一定時間経過後所定の速度で前記石英アン
プルを前記低温領域側に移動させる第４工程を含
むことを特徴とするものである。
＜実施例＞
本発明においては前述の従来技術やまたは他の
方法により作製した＜100＞の方位を有する単結
晶CdTeインゴツトを単結晶の成長の種として使
用するものである。
方法により作製した＜100＞の方位を有する単結
晶CdTeインゴツトを単結晶の成長の種として使
用するものである。
第１図イ，ロは本発明の一実施例を示すもので
ある。
ある。
図において、イは石英アンプル１へのCdTeの
収納状態を示し、ロは炉（図示せず）中における
温度範囲と石英アンプルの配置状態の概念を示し
ている。これらの図に示すように石英アンプル１
には略1/2の高さの位置まで＜110＞の方位を有す
る単結晶CdTeインゴツト（以下インゴツトＡと
いう）を入れ、上部の略1/2の範囲に多結晶
CdTeインゴツト（以下インゴツトＢという）を
入れ、1.0×10-5paのCd蒸気圧下で封止する。こ
の石英アンプル１を炉内に入れ、略1130〜750℃
の温度勾配になるように設定する。この場合、イ
ンゴツトＡはCdTeの融点である1092℃以下の位
置に保持しておく、この状態で数時間放置しイン
ゴツトＢの部分を溶融する。次に石英アンプル１
を15mm／ｈ程度の速度で徐々に上昇させ、インゴ
ツトＡの上部から10mm程度を溶融し、その状態で
静止させ、12時間程度放置する。その後３mm／ｈ
程度の速度で石英アンプルを降下させる。
収納状態を示し、ロは炉（図示せず）中における
温度範囲と石英アンプルの配置状態の概念を示し
ている。これらの図に示すように石英アンプル１
には略1/2の高さの位置まで＜110＞の方位を有す
る単結晶CdTeインゴツト（以下インゴツトＡと
いう）を入れ、上部の略1/2の範囲に多結晶
CdTeインゴツト（以下インゴツトＢという）を
入れ、1.0×10-5paのCd蒸気圧下で封止する。こ
の石英アンプル１を炉内に入れ、略1130〜750℃
の温度勾配になるように設定する。この場合、イ
ンゴツトＡはCdTeの融点である1092℃以下の位
置に保持しておく、この状態で数時間放置しイン
ゴツトＢの部分を溶融する。次に石英アンプル１
を15mm／ｈ程度の速度で徐々に上昇させ、インゴ
ツトＡの上部から10mm程度を溶融し、その状態で
静止させ、12時間程度放置する。その後３mm／ｈ
程度の速度で石英アンプルを降下させる。
上記方法によれば、インゴツトＡが種となつて
結晶が成長するので、石英アンプル内をすべて単
結晶化させることが出来る。従つて従来例のよう
に略1/2の単結晶しか得られない場合に比較し効
率よくCdTeの単結晶を得ることができる。
結晶が成長するので、石英アンプル内をすべて単
結晶化させることが出来る。従つて従来例のよう
に略1/2の単結晶しか得られない場合に比較し効
率よくCdTeの単結晶を得ることができる。
第２図は石英アンプル１に収納するCdTeイン
ゴツトの他の実施例を示すもので、一部に多結晶
CdTeを含む＜110＞の方位を有する単結晶の
CdTeインゴツトＣを種結晶として使用したもの
である。
ゴツトの他の実施例を示すもので、一部に多結晶
CdTeを含む＜110＞の方位を有する単結晶の
CdTeインゴツトＣを種結晶として使用したもの
である。
上記の様に収納し前述の様に上部の多結晶部分
を溶融し、単結晶が存在する部分の一部を1092℃
の位置に上昇させて溶融し、徐々に下降すれば少
なくとも単結晶が存在する上方の多結晶部分を効
率よく単結晶化することが出来る。
を溶融し、単結晶が存在する部分の一部を1092℃
の位置に上昇させて溶融し、徐々に下降すれば少
なくとも単結晶が存在する上方の多結晶部分を効
率よく単結晶化することが出来る。
なお、本実施例においては石英アンプルを上
昇、下降させる例で説明したが、石英アンプルを
動かすことなく炉中の温度範囲を移動させるよう
にしてもよい。
昇、下降させる例で説明したが、石英アンプルを
動かすことなく炉中の温度範囲を移動させるよう
にしてもよい。
＜発明の効果＞
以上、実施例と共に具体的に説明したように、
本発明によれば、初期段階における多数の粒界の
発生を防止することができ、単結晶を効率的に得
ることができる。
本発明によれば、初期段階における多数の粒界の
発生を防止することができ、単結晶を効率的に得
ることができる。
第１図イ，ロは本発明の一実施例を示す説明
図、第２図は石英アンプルに収納するCdTeイン
ゴツトの他の実施例を示す図、第３図は従来例を
示す図である。 １…容器（石英アンプル）、Ａ……単結晶
CdTeインゴツト、Ｂ……多結晶CdTeインゴツ
ト。
図、第２図は石英アンプルに収納するCdTeイン
ゴツトの他の実施例を示す図、第３図は従来例を
示す図である。 １…容器（石英アンプル）、Ａ……単結晶
CdTeインゴツト、Ｂ……多結晶CdTeインゴツ
ト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の直径と長さを有し、前記長さの約半分
を多結晶CdTeインゴツトとし、他の半分の少な
くとも前記多結晶GdTeと接する部分に単結晶
CdTeインゴツトを配置して石英アンプルに収納
し、所定の負圧下で封止する第１工程と、 加熱炉の低温領域がCdTeの融点温度よりも低
く、高温領域がCdTeの融点温度よりも高く設定
された温度勾配を有する加熱炉を用い、前記多結
晶CdTeインゴツト部分を前記高温領域側に配置
して所定の時間放置し、前記多結晶CdTeインゴ
ツト部分を溶融する第２工程と、 前記石英アンプルを所定の速度で前記高温領域
側に移動させ、前記単結晶CdTeインゴツトの一
部を溶融して一定時間放置する第３工程と、 前記一定時間経過後所定の速度で前記石英アン
プルを前記低温領域側に移動させる第４工程を含
むことを特徴とするCdTe結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25827785A JPS62119200A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25827785A JPS62119200A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119200A JPS62119200A (ja) | 1987-05-30 |
| JPH058157B2 true JPH058157B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=17318009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25827785A Granted JPS62119200A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | ＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119200A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51151067A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of a malti_semiconductor crystal |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25827785A patent/JPS62119200A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51151067A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Fujitsu Ltd | Manufacturing method of a malti_semiconductor crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62119200A (ja) | 1987-05-30 |
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