JPH0575262B2 - - Google Patents

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JPH0575262B2
JPH0575262B2 JP61213345A JP21334586A JPH0575262B2 JP H0575262 B2 JPH0575262 B2 JP H0575262B2 JP 61213345 A JP61213345 A JP 61213345A JP 21334586 A JP21334586 A JP 21334586A JP H0575262 B2 JPH0575262 B2 JP H0575262B2
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light
resist master
film thickness
disk
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Yutaka Takasu
Shigeru Kono
Chiharu Koshio
Kazuhiko Osada
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Pioneer Video Corp
Pioneer Corp
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Pioneer Video Corp
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    • G—PHYSICS
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    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光デイスク用レジスト原盤の欠陥検
査及び膜厚測定装置に関する。
背景技術 映像や音声情報等をデイスク（円盤）状の記録
媒体に記録する方式として光学方式がある。この
光学方式は、基板となるガラス円盤の盤面上にフ
オトレジストを塗布しレジスト膜を形成すること
によつてレジスト原盤を作成し、このレジスト原
盤のレジスト膜に微小な点に集光したレーザビー
ムを映像や音声情報等に応じて明滅させるいわゆ
るビツトバイビツト方式で照射感光させ、しかる
後これを現像して得られるピツト（へこみ）の長
さ及びその繰返し周期により情報を記録するもの
である。
ところで、光デイスクの場合、通常ドロツプア
ウトと称される信号の欠落は難敵であり、このた
めレジスト原盤の作成段階において、ドロツプア
ウトの要因となる盤面上のホコリや傷等の欠陥の
有無を検査しておく必要がある。また、ガラス原
盤の盤面上にコーテイングされるレジスト膜の膜
厚を一定に保つことも非常に重要なことであり、
同様に、レジスト膜の膜厚を測定しておく必要が
ある。
従来、このレジスト原盤の盤面上の欠陥検査及
びレジスト膜の膜厚測定を行なうに際しては、欠
陥検査のための装置と膜厚測定のための装置とを
別々に用意し、倒てば欠陥検査が終了したらレジ
スト原盤を欠陥検査装置から膜厚測定装置へ人手
によつて移動し、続いて膜厚の測定を行なうとい
う処理手順が採られていたので、２つの装置を用
意することに伴うコスト高が避けられないと共
に、検査及び測定に時間がかかつてしまうという
欠点があつた。
発明の概要 本発明は、上記のような従来のものの欠点を除
去すべくなされたもので、両装置を一体化するこ
とにより、低コスト化及び検査及び測定に要する
時間の短縮化を可能とするとともに検出された欠
陥の大きさも知ることができる光デイスク用レジ
スト原盤の欠陥検査及び膜厚測定装置を提供する
ことを目的とする。
本発明によるレジスト原盤の欠陥検査及び膜厚
測定装置は、欠陥検査用の光学系と膜厚測定用の
光学系とを有し、両光学系の光源を共用すると共
に、欠陥検査及び膜厚測定を平行して行ない得る
構成となつている。
実施例 以下、本発明の実施例を図に基づいて詳細に説
明する。
第１図は、本発明によるレジスト原盤の欠陥検
査及び膜厚測定装置を示す構成図である。図にお
いて、レジスト原盤１はターンテーブル２により
担持され、スピンドルモータ３によつて回転駆動
される。レジスト原盤１の上方には、当該原盤の
盤面上の欠陥の検査及びレジスト膜の膜厚の測定
を光学的に行なう光学ヘツド４が設けられてい
る。この光学ヘツド４はレジスト原盤１の半径方
向に延在する螺旋軸５に図示せぬ部材を介して螺
合しており、当該軸が回転することによりその回
転方向に応じた方向に移動する。螺旋軸４は送り
モータ６によつて回転駆動される。光学ヘツド４
の移動半径位置を検出する半径位置検出器７が設
けられており、当該検出器は光学ヘツド４の移動
半径位置に応じた情報をモータ制御回路８に供給
する。この半径位置検出器７としては、例えば光
学ヘツド４の移動に伴つて抵抗値が変化する可変
抵抗器等の周知の手段を用い得る。モータ制御回
路８は送りモータ６の回転速度及び回転方向を制
御することにより光学ヘツド４の移動位置を制御
すると共に、半径位置検出器７からの半径位置情
報に基づいて光学ヘツド４の各移動位置における
レジスト原盤１の線速度が一定となるようにスピ
ンドルモータ３をCLV（Constant Linear
Velocity）制御する。
スピンドルモータ３をCLV制御するのは、以
下に説明する理由による。すなわち、第２図に示
すように、レジスト原盤１の盤面上に内周から外
周に亘つて半径方向に一定幅ｔ（mm）の引つ掻き
傷９があるものと仮定し、原盤の回転数をｆ
（回／sec）、検査半径（光学ヘツド４の移動位置
半径）をＲ（mm）とすると、光学ヘツド４による
検査によつて得られる検出パルス幅Ｗは、 Ｗ＝ｔ／2πR・ｆ（sec） となり、原盤の回転数ｆが一定では、検査半径Ｒ
により検出パルス幅Ｗは変化することになる。検
査による欠陥の大きさの基準としてこの検出パル
ス幅Ｗを使用するためには、一定幅ｔに対して検
出パルス幅Ｗも一定で出力されなければならな
い。よつて、2πR・ｆ＝Ｖ（線速度）を一定とし
て検査する必要がある。CLV制御で検査すると
は、 ｆ＝Ｋ／Ｒ（Ｋ：ある定数） とすることで、これにより Ｗ＝ｔ／2πK となり、傷の幅ｔと検出パルス幅Ｗとは検査半径
Ｒに関係なく比例することになる。
次に、レジスト原盤１の盤面上の欠陥検査及び
レジスト膜の膜厚測定を光学的に主なう光学ヘツ
ド４の具体的に構成について第３図に基づいて説
明するに、単一の例えばHe−Neレーザ１０が設
けられている。このHe−Neレーザ１０から発せ
られるレーザ光はミラー１１を経てビームスプリ
ツタ１２に入射し、このビームスプリツタ１２に
よつて欠陥検査用の第１のレーザ光と膜厚測定用
の第２のレーザ光とに分離される。
欠陥検査用の第１のレーザ光はダイバージング
レンズ１３、ビームスプリツタ１４及びλ／４板
１５を経て対物レンズ１６に入射し、この対物レ
ンズ１６によつて収束されて微小スポツトとして
レジスト原盤１の盤面上に垂直に照射される。対
物レンズ１６はフオーカスアクチユエータ１７に
よつてその光軸方向に駆動される構成となつてい
る。このフオーカスアクチユエータ１７の摺動動
作によつて発生する塵埃がレジスト原盤１の上に
落下して盤面上を汚染しないように対物レンズ１
６とレジスト原盤１との間にガラスプレート１８
が設けられている。
レジスト原盤１の盤面で反射したレーザ光はガ
ラスプレート１８、対物レンズ１６及びλ／４板
１５を経てビームスプリツタ１４に入射し、この
ビームスプリツタ１４によつて垂直に反射され
る。この反射されたレーザ光はλ／２板１９を介
してビームスプリツタ２０に入射し、このビーム
スプリツタ２０によつて更にフオーカスエラー検
出用のレーザ光と欠陥検出用のレーザ光とに分離
される。フオーカスエラー検出用のレーザ光はシ
リンドリカルレンズ２１を経て受光面が４分割さ
れたいわゆる４分割フオトデイテクタ２２に入射
する。この４分割フオトデイテクタ２２は各受光
面の受光量に応じたレベルの出力を発生し、フオ
ーカス制御回路２３に供給する。フオーカス制御
回路２３は４分割デイテクタ２２の４つの出力に
基づいてフオーカスエラー信号を生成し、このエ
ラー信号が常に零になるようにレジスト原盤１に
対する対物レンズ１６の高さ位置を制御する。こ
のフオーカスエラー信号の検出方法はいわゆる非
点収差法によるものであり、光学式デイスク再生
装置の分野では周知の検出方法である。
ビームスプリツタ２０で分離された欠陥検出用
のレーザ光は例えばPINフオトダイオード２４に
入射し、このフオトダイオード２４でその光量に
応じた電気信号に変換されて欠陥検出回路２５に
供給される。PINフオトダイオード２４の出力信
号はレジスト原盤１の盤面上に傷等の欠陥が存在
すると第４図ａに示すように部分的に信号レベル
が低下するので、欠陥検出回路２５において所定
のスレツシヨールドレベルVthを設定することに
より、第４図ｂに示す如き欠陥検出パルスを得る
ことができる。この検出パルスは欠陥カウンタ回
路２６に供給される。検出パルスのパルス幅Ｗは
先述したように欠陥部分の幅ｔに対応しており、
このパルス幅から欠陥部分の大きさを判別できる
ので、欠陥カウンタ回路２６においては例えばパ
ルス幅に対して数種類のウインドウを設定するこ
とにより、各パルス幅毎の欠陥数のカウントが行
なわれる。
以上により、レジスト原盤１の盤面上の欠陥を
光学的に検出するための欠陥検出用光学系１００
が構成されている。
なお、上記実施例においては、欠陥部分の大き
さ毎に欠陥数をカウントするとしたが、第１図に
おける半径位置検出器７の位置検出情報に基づい
て、検出した欠陥部分の半径位置を記憶するよう
にすることも可能である。
次に、レジスト膜の膜厚を光学的に検出するた
めの膜厚測定用光学系２００について説明する。
ビームスプリツタ１２で分離された膜厚測定用の
レーザ光はλ／２板３０を経てビームスプリツタ
３１で更に２つのレーザ光に分離され、一方のレ
ーザ光はフオトデイテクタ３２に直接入射してそ
の光量に応じた電気信号に変換される。他方のレ
ーザ光はλ／２板３３を経てミラー３４に入射
し、このミラー３４によつてレジスト原盤１の盤
面上にこの盤面に対して所定の角度で照射され
る。この照射光に基づくレジスト原盤１からの反
射光はフオトデイテクタ３５に入射し、その光量
に応じた電気信号に変換される。フオトデイテク
タ３２，３５の各出力信号は膜厚演算回路３６に
供給される。この膜厚演算回路３６においては、
フオトデイテクタ３５の出力をフオトデイテクタ
３２の出力で割り算し各デイテクタに入射する光
量比を算出することにより、レジスト原盤１の盤
面上の反射率Ｐを求めることができる。本実施例
においては、この反射率Ｐとレジスト膜の膜厚ｈ
とは第５図に示す如き関係にあるので、フオトデ
イテクタ３２，３５の各出力に基づいて反射率Ｐ
を算出することにより、1000〜2000Åの範囲内で
膜厚ｈを測定できることになる。なお、レジスト
原盤１のレジスト膜の膜厚は上記範囲内にあるの
で、1000〜2000Åの範囲内で膜厚ｈを測定できれ
ば実用上十分である。なお、光源波長を変化させ
ることにより、測定範囲を変化させることもでき
る。
この膜厚測定の場合も、欠陥検出の場合と同様
に、第１図における半径位置検出器７の位置検出
情報に基づいて、膜厚が大きく変化する部分の半
径位置を記憶するようにすることも可能である。
なお、上記実施例においては、レジスト原盤１
の欠陥検査及びレジスト膜の膜厚測定を並行して
行なう場合について説明したが、本発明による装
置はレジスト原盤１を作成する前工程においてガ
ラス原盤の盤面上の欠陥を検査する場合にも用い
得るものであり、この場合レジスト膜はまだコー
テイングされていないので、当然のことながら欠
陥検査のみが行なわれることになる。
発明の効果 以上説明したように、本発明にる光デイスク用
レジスト原盤の欠陥検査及び膜厚測定装置におい
ては、欠陥検査用の光学系と膜厚測定用の光学系
とを有し、両光学系のレーザを共用すると共に、
欠陥検査及び膜厚測定を並行して行ない得る構成
となつているので、欠陥検査及び膜厚測定の両装
置の一体化に伴う装置の小型化及び低コスト化並
びに検査及び測定に要する時間の短縮化が可能と
なる。さらに、微小スポツトにて欠陥検査を行う
のでレジスト原盤上の微小な欠陥の検出が可能と
なる。
また、レジスト原盤は回転せしめられてこの盤
面上に照射された微小スポツトが線速度一定で走
査するので、欠陥の有無に加えてその大きさも検
出することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるレジスト原盤の欠陥検査
及び膜厚測定装置に示す構成図、第２図はレジス
ト原盤の盤面上に引つ掻き傷がある場合を示す
図、第３図は第１図における光学ヘツドの内部構
成の具体例を示す構成図、第４図は第３図におけ
るPINフオトダイオード２４の出力信号ａ及び欠
陥検出回路２５の検出パルスｂの波形図、第５図
はレジスト原盤の盤面の反射率とレジスト膜の膜
厚との関係を示す図である。 主要部分の符号の説明、１……レジスト原盤、
３……スピンドルモータ、４……光学ヘツド、１
０……He−Neレーザ、１１，３４……ミラー、
１２，１４，２０，３１……ビームスプリツタ、
１５……λ／４板、１９，３０，３３……λ／２
板、２２……４分割フオトデイテクタ、２４……
PINフオトダイオード、３２，３５……フオトデ
イテクタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ レジスト膜がコーテイングされた光デイスク
    用レジスト原盤の盤面上の欠陥の検査及び前記レ
    ジスト膜の膜厚の測定を行なう装置であつて、レ
    ーザと、このレーザの光を第１及び第２の光に分
    離する手段と、前記第１の光を前記レジスト原盤
    の盤面上に微小スポツトとして照射せしめる手段
    と、前記レジスト原盤を回転させて前記第１の光
    をして線速度一定で前記盤面上を走査せしめる手
    段と、前記微小スポツトに基づく前記レジスト原
    盤からの反射光の光量に基づいて前記レジスト原
    盤の盤面上の欠陥を検出する手段と、前記第２の
    光を更に第３及び第４の光に分離する手段と、前
    記第３の光を前記レジスト原盤の盤面上にこの盤
    面に対して所定の角度で照射せしめる手段と、前
    記第３の光に基づく前記レジスト原盤からの反射
    光と前記第４の光との光量比に基づいて前記レジ
    スト膜の膜厚を測定する手段とを備えたことを特
    徴とする光デイスク用レジスト原盤の欠陥検査及
    び膜厚測定装置。
JP61213345A 1986-09-10 1986-09-10 光ディスク用レジスト原盤の欠陥検査及び膜厚測定装置 Granted JPS6367549A (ja)

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US07/094,777 US4865445A (en) 1986-09-10 1987-09-10 Apparatus for detecting faults on the surface of a resist master disc and measuring the thickness of the resist coating layer
NL8702156A NL8702156A (nl) 1986-09-10 1987-09-10 Inrichting voor het detecteren van defecten aan het oppervlak van een uit kunststof bestaande moederplaat en het meten van de dikte van de uit kunststof bestaande bekledingslaag.

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JPS6367549A JPS6367549A (ja) 1988-03-26
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0781958B2 (ja) * 1989-06-23 1995-09-06 三菱電機株式会社 微細粒子測定装置
US5248889A (en) * 1990-08-14 1993-09-28 Tencor Instruments, Inc. Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths
US5134303A (en) * 1990-08-14 1992-07-28 Flexus, Inc. Laser apparatus and method for measuring stress in a thin film using multiple wavelengths
US5189481A (en) * 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
IT1252969B (it) * 1991-11-29 1995-07-07 Eidon Ricerca Sviluppo Documen Procedimento per rilevare le fibre sintetiche nella lavorazione del cascame di seta e relativa apparecchiatura
US5416594A (en) * 1993-07-20 1995-05-16 Tencor Instruments Surface scanner with thin film gauge
US5608526A (en) * 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US6734967B1 (en) * 1995-01-19 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
JPH09128818A (ja) * 1995-11-02 1997-05-16 Sony Corp 露光装置
WO1998010268A1 (en) * 1996-09-05 1998-03-12 Wea Manufacturing, Inc. Glass master surface inspector
JPH10221272A (ja) * 1997-02-03 1998-08-21 Mitsubishi Chem Corp 磁気ディスクの検査方法及び装置
JP3833810B2 (ja) * 1998-03-04 2006-10-18 株式会社日立製作所 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置
US6355570B1 (en) * 1998-03-04 2002-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses
US6020957A (en) * 1998-04-30 2000-02-01 Kla-Tencor Corporation System and method for inspecting semiconductor wafers
US6052191A (en) * 1998-10-13 2000-04-18 Northrop Grumman Corporation Coating thickness measurement system and method of measuring a coating thickness
US7106425B1 (en) * 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6782337B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen
US7130029B2 (en) * 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6919957B2 (en) * 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US7349090B2 (en) * 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US6950196B2 (en) * 2000-09-20 2005-09-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a thickness of a structure on a specimen and at least one additional property of the specimen
JP4505982B2 (ja) * 2000-11-30 2010-07-21 三菱電機株式会社 光ヘッド装置、記録及び／又は再生装置並びに記録及び／又は再生方法
JP3754003B2 (ja) * 2001-06-21 2006-03-08 株式会社リコー 欠陥検査装置及びその方法
EP2315205B1 (en) * 2002-10-10 2014-01-15 Sony Corporation Apparatus for producing optical disk-use original and for producing optical disk
KR20050072105A (ko) * 2002-10-14 2005-07-08 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 정보 기록 및/또는 재생 방법 및 장치
ATE521968T1 (de) * 2002-11-20 2011-09-15 Sony Corp Verfahren zur herstellung eines stempels zur herstellung eines optischen datenträgers und herstellungsverfahren für optische datenträger
US7302148B2 (en) * 2005-01-13 2007-11-27 Komag, Inc. Test head for optically inspecting workpieces
US8472020B2 (en) * 2005-02-15 2013-06-25 Cinram Group, Inc. Process for enhancing dye polymer recording yields by pre-scanning coated substrate for defects
KR20190139652A (ko) 2018-06-08 2019-12-18 삼성전자주식회사 검사 계측 장치 그리고 그의 검사 계측 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52140384A (en) * 1976-05-19 1977-11-22 Hitachi Ltd Flaw detector
JPS61201107A (ja) * 1985-03-05 1986-09-05 Toshiba Corp 透明な膜の表面検査方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3492491A (en) * 1967-03-03 1970-01-27 Optomechanisms Inc Thickness monitor for coating silicon wafer
US3841761A (en) * 1973-10-24 1974-10-15 Neotec Corp Method and apparatus for detecting faults in fabric
US4310250A (en) * 1980-02-01 1982-01-12 Erwin Sick Gmbh Apparatus for monitoring for faults in translucent strip material
US4391524A (en) * 1981-03-16 1983-07-05 Rca Corporation Method for determining the quality of light scattering material
JPS57179648A (en) * 1981-04-28 1982-11-05 Kansai Coke & Chem Co Ltd Reflectivity measuring apparatus
JPS5855705A (ja) * 1981-09-29 1983-04-02 Fujitsu Ltd 膜厚検出方法
US4454001A (en) * 1982-08-27 1984-06-12 At&T Bell Laboratories Interferometric method and apparatus for measuring etch rate and fabricating devices
US4676646A (en) * 1985-10-15 1987-06-30 Energy Conversion Devices, Inc. Method and apparatus for controlling thickness of a layer of an optical data storage device by measuring an optical property of the layer
US4676883A (en) * 1986-03-03 1987-06-30 Sierracin Corporation Optical disk transmission monitor for deposited films

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52140384A (en) * 1976-05-19 1977-11-22 Hitachi Ltd Flaw detector
JPS61201107A (ja) * 1985-03-05 1986-09-05 Toshiba Corp 透明な膜の表面検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6367549A (ja) 1988-03-26
NL8702156A (nl) 1988-04-05
US4865445A (en) 1989-09-12

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