JPH0781958B2 - 微細粒子測定装置 - Google Patents
微細粒子測定装置Info
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- JPH0781958B2 JPH0781958B2 JP1161234A JP16123489A JPH0781958B2 JP H0781958 B2 JPH0781958 B2 JP H0781958B2 JP 1161234 A JP1161234 A JP 1161234A JP 16123489 A JP16123489 A JP 16123489A JP H0781958 B2 JPH0781958 B2 JP H0781958B2
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- G01N15/10—Investigating individual particles
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は成膜，エッチング，洗浄等のプロセス装置に
存在する微細粒子（異物）の測定を行うための微細粒子
測定装置に関し、例えばウエハの異物検査装置に関する
ものである。
存在する微細粒子（異物）の測定を行うための微細粒子
測定装置に関し、例えばウエハの異物検査装置に関する
ものである。
第３図は例えば特公昭63-30570号公報に示された第１の
従来例である微細粒子測定装置を示す構成図であり、ウ
エハ表面上に付着した微細粒子を測定するためのもので
ある。図において、１は測定される半導体装置用基板
（ウエハ）、２は微細粒子、３はレーザ光源（平行光線
発生用光源）、４は偏光子、５は対物レンズ、６は光を
電気信号に変換する光検出器、７は光検出器６からの出
力情報を処理し、微細粒子の測定結果を得るための電子
回路装置、８はウエハの位置を動かすための駆動機構で
ある。
従来例である微細粒子測定装置を示す構成図であり、ウ
エハ表面上に付着した微細粒子を測定するためのもので
ある。図において、１は測定される半導体装置用基板
（ウエハ）、２は微細粒子、３はレーザ光源（平行光線
発生用光源）、４は偏光子、５は対物レンズ、６は光を
電気信号に変換する光検出器、７は光検出器６からの出
力情報を処理し、微細粒子の測定結果を得るための電子
回路装置、８はウエハの位置を動かすための駆動機構で
ある。
次に第１の従来例の動作について説明する。
レーザ光源３から出射されたレーザ光をウエハ表面に平
行に照射させる。この時、例えばＳ偏光のレーザ光を用
いている。Ｓ偏光のレーザ光は微細粒子２により散乱さ
れるが、微細粒子の表面には微小な凹凸があるために、
散乱光はＰ偏光成分を多く含んだ光となる。一方、測定
雰囲気の媒質は通常空気の気体であるが、気体分子によ
るレーリ散乱光はＰ偏光成分を含まない。従って、Ｓ偏
光成分を遮断するように配置した偏光子４により、気体
分子による散乱光は遮断され、対物レンズ５を介して微
細粒子からの散乱光のうちのＰ偏光成分のみが光検出器
６により受光され、電子回路装置７で測定結果が得られ
る。駆動機構８はウエハ表面上の微細粒子の分布を測定
するために設けられている。
行に照射させる。この時、例えばＳ偏光のレーザ光を用
いている。Ｓ偏光のレーザ光は微細粒子２により散乱さ
れるが、微細粒子の表面には微小な凹凸があるために、
散乱光はＰ偏光成分を多く含んだ光となる。一方、測定
雰囲気の媒質は通常空気の気体であるが、気体分子によ
るレーリ散乱光はＰ偏光成分を含まない。従って、Ｓ偏
光成分を遮断するように配置した偏光子４により、気体
分子による散乱光は遮断され、対物レンズ５を介して微
細粒子からの散乱光のうちのＰ偏光成分のみが光検出器
６により受光され、電子回路装置７で測定結果が得られ
る。駆動機構８はウエハ表面上の微細粒子の分布を測定
するために設けられている。
また、第４図は例えば文献エイ・シンタニ等，ジャーナ
ル オブ エレクトロケミカル ソサイアティ（A.Shin
tani et al:J.Electrochem.Soc.）124 No.11（1977）17
71に示された、第２の従来例である微細粒子測定装置を
示す構成断面図であり、図において、３はレーザ光源、
９は受光レンズ系10により空間的に限定され、かつ測定
されるべき微細粒子を含む観測空間領域、６は光検出
器、11は測定装置内の迷光を極力抑えるためのオプティ
カルトラップである。
ル オブ エレクトロケミカル ソサイアティ（A.Shin
tani et al:J.Electrochem.Soc.）124 No.11（1977）17
71に示された、第２の従来例である微細粒子測定装置を
示す構成断面図であり、図において、３はレーザ光源、
９は受光レンズ系10により空間的に限定され、かつ測定
されるべき微細粒子を含む観測空間領域、６は光検出
器、11は測定装置内の迷光を極力抑えるためのオプティ
カルトラップである。
本従来例の装置はキャピラリ（管）を用いてプロセス装
置と接続して使用し、プロセス装置内の微細粒子を含ん
だ気体を吸引することにより、間接的にプロセス装置内
の微細粒子を測定するものである。
置と接続して使用し、プロセス装置内の微細粒子を含ん
だ気体を吸引することにより、間接的にプロセス装置内
の微細粒子を測定するものである。
また第５図（ａ），（ｂ）は第３の従来例であるインシ
チュ パーティクル フラックス モニター（In-Situ
Particle Flux Monitor）の動作原理を示すそれぞれ平
面図及び正面図である。
チュ パーティクル フラックス モニター（In-Situ
Particle Flux Monitor）の動作原理を示すそれぞれ平
面図及び正面図である。
レーザ光源３からのレーザ光を平行に配置されたミラー
21間で多数回反射を繰り返すことにより、２次元の観測
空間領域を拡大している。この空間領域を微細粒子２が
通過する際に散乱光が生じ、この散乱光を光検出器６で
受けることにより微細粒子の測定を行なう。なお、22は
反射集光板、23はビームストッパである。本装置はプロ
セス装置内に設置されて用いられる。
21間で多数回反射を繰り返すことにより、２次元の観測
空間領域を拡大している。この空間領域を微細粒子２が
通過する際に散乱光が生じ、この散乱光を光検出器６で
受けることにより微細粒子の測定を行なう。なお、22は
反射集光板、23はビームストッパである。本装置はプロ
セス装置内に設置されて用いられる。
第１の従来例における微細粒子測定装置は以上のように
構成されているので、微細粒子の表面に少なくともレー
ザ光の波長より十分小さいとはみなせない程度の微小な
凹凸が存在することが必要であり、凹凸の少ない滑らか
な微細粒子やより粒径の小さい微細粒子に対しては測定
が困難であるなどの問題点があった。またＳ偏光のレー
ザ光の代わりにＰ偏光ないしは非偏光のレーザ光を用い
ると測定は可能であるが、測定雰囲気の気体によるレー
リ散乱光（Ｐ偏光）を偏光子４によって遮断することが
できないので、S/N比を上げることができず、より粒径
の小さい微細粒子の測定は困難であった。また、本従来
例の装置はプロセス装置内の微細粒子測定をめざしたも
のではなく、オフライン検査用の装置であるので、ウエ
ハから極めて近い距離に偏光子及び対物レンズ（顕微鏡
を構成）を配置し、観測空間領域の限定をはかっている
が、プロセス装置内の測定への適用は困難であった。
構成されているので、微細粒子の表面に少なくともレー
ザ光の波長より十分小さいとはみなせない程度の微小な
凹凸が存在することが必要であり、凹凸の少ない滑らか
な微細粒子やより粒径の小さい微細粒子に対しては測定
が困難であるなどの問題点があった。またＳ偏光のレー
ザ光の代わりにＰ偏光ないしは非偏光のレーザ光を用い
ると測定は可能であるが、測定雰囲気の気体によるレー
リ散乱光（Ｐ偏光）を偏光子４によって遮断することが
できないので、S/N比を上げることができず、より粒径
の小さい微細粒子の測定は困難であった。また、本従来
例の装置はプロセス装置内の微細粒子測定をめざしたも
のではなく、オフライン検査用の装置であるので、ウエ
ハから極めて近い距離に偏光子及び対物レンズ（顕微鏡
を構成）を配置し、観測空間領域の限定をはかっている
が、プロセス装置内の測定への適用は困難であった。
第２の従来例における微細粒子測定装置はプロセス装置
内に装着されたウエハ表面上の微細粒子は測定できず、
またプロセス装置内の浮遊した微細粒子についても該微
細粒子のうちうまく吸引できかつ本測定装置内にうまく
輸送できたものしか測定できないという問題点があっ
た。
内に装着されたウエハ表面上の微細粒子は測定できず、
またプロセス装置内の浮遊した微細粒子についても該微
細粒子のうちうまく吸引できかつ本測定装置内にうまく
輸送できたものしか測定できないという問題点があっ
た。
第３の従来例における微細粒子測定装置は、浮遊してい
る微細粒子は測定できるが、ウエハ表面上に付着したも
のについては測定できない。また、レーザ光源，ミラ
ー，光検出器等の光学系をプロセス装置内に設置するこ
とになるので、例えば常圧熱CVDによる成膜プロセスを
例にとると、高温に加熱されたウエハ上ないしは直上付
近の浮遊微細粒子を成膜中に測定することは困難である
し、また非成膜時においても本装置の設置はウエハ近傍
の、例えばガスの流れ，温度分布等の環境を大きく変え
る要因となる。また、エッチングや洗浄のプロセスにお
いても大きな外乱を生じることなしに測定を行なうこと
は困難である。さらに、本装置の測定方式では雰囲気媒
質である気体のレーリ散乱光に起因した信号、即ちバッ
クグラウンドを除去する手段を講じていないので、微細
粒子に起因した散乱光が前者のバックグラウンドに埋も
れてしまうような散乱光強度の弱い、つまりは粒径の小
さい微細粒子については測定が困難であった。
る微細粒子は測定できるが、ウエハ表面上に付着したも
のについては測定できない。また、レーザ光源，ミラ
ー，光検出器等の光学系をプロセス装置内に設置するこ
とになるので、例えば常圧熱CVDによる成膜プロセスを
例にとると、高温に加熱されたウエハ上ないしは直上付
近の浮遊微細粒子を成膜中に測定することは困難である
し、また非成膜時においても本装置の設置はウエハ近傍
の、例えばガスの流れ，温度分布等の環境を大きく変え
る要因となる。また、エッチングや洗浄のプロセスにお
いても大きな外乱を生じることなしに測定を行なうこと
は困難である。さらに、本装置の測定方式では雰囲気媒
質である気体のレーリ散乱光に起因した信号、即ちバッ
クグラウンドを除去する手段を講じていないので、微細
粒子に起因した散乱光が前者のバックグラウンドに埋も
れてしまうような散乱光強度の弱い、つまりは粒径の小
さい微細粒子については測定が困難であった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、成膜，エッチング，洗浄等のプロセス装置内
に装着されたウエハ表面上に付着した微細粒子，及びウ
エハ上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置内の
環境あるいはプロセスそのものに大きな外乱を与えるこ
となしに、高い空間分解能で計測することのできる微細
粒子測定装置を得ることを目的とする。
たもので、成膜，エッチング，洗浄等のプロセス装置内
に装着されたウエハ表面上に付着した微細粒子，及びウ
エハ上の空間に浮遊した微細粒子を、プロセス装置内の
環境あるいはプロセスそのものに大きな外乱を与えるこ
となしに、高い空間分解能で計測することのできる微細
粒子測定装置を得ることを目的とする。
この発明に係る微細粒子測定装置は、波長が同一で相互
に位相差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ
光を発生させるレーザ光位相変調部と、上記２本のレー
ザ光を上記の測定対象である微細粒子を含む空間におい
て交差させる光学系と、上記の２本のレーザ光の交差さ
れた領域において測定対象である微細粒子により散乱さ
れた光を受光し電気信号に変換する光検出器と、この散
乱光による電気信号の中で上記レーザ光位相変調部での
位相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ上記位
相変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取
り出す信号処理部とを備えたものである。
に位相差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ
光を発生させるレーザ光位相変調部と、上記２本のレー
ザ光を上記の測定対象である微細粒子を含む空間におい
て交差させる光学系と、上記の２本のレーザ光の交差さ
れた領域において測定対象である微細粒子により散乱さ
れた光を受光し電気信号に変換する光検出器と、この散
乱光による電気信号の中で上記レーザ光位相変調部での
位相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ上記位
相変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取
り出す信号処理部とを備えたものである。
本発明においては、上記構成としたから、レーザ光に起
因する以外の迷光の寄与が測定信号から除去されるとと
もに、測定空間領域を２本のレーザ光の交差した領域に
限定でき、S/Nが高く、かつ空間分解能の高い測定がで
きる。さらには、その限定された測定空間領域内にあっ
てもその領域内の雰囲気媒質が均質とみなせる範囲で
は、その雰囲気媒質のレーリ散乱光に起因した信号成分
をも除去することができ、測定における外乱要因を十分
に抑制した上での微細粒子の高空間分解能の測定が可能
となる。
因する以外の迷光の寄与が測定信号から除去されるとと
もに、測定空間領域を２本のレーザ光の交差した領域に
限定でき、S/Nが高く、かつ空間分解能の高い測定がで
きる。さらには、その限定された測定空間領域内にあっ
てもその領域内の雰囲気媒質が均質とみなせる範囲で
は、その雰囲気媒質のレーリ散乱光に起因した信号成分
をも除去することができ、測定における外乱要因を十分
に抑制した上での微細粒子の高空間分解能の測定が可能
となる。
また２本のレーザ光の交差領域をプロセス装置内で移動
させることより、ウエハ表面においては付着した微細粒
子の２次元分布が、ウエハ上の空間においては浮遊した
微細粒子の３次元分布が得られる。
させることより、ウエハ表面においては付着した微細粒
子の２次元分布が、ウエハ上の空間においては浮遊した
微細粒子の３次元分布が得られる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図において、１はプロセス装置12内に装着された半
導体装置用基板（ウエハ）、２はウエハ１の表面上に付
着した微細粒子、３はレーザ光源、23はレーザ光のＰ偏
光成分とＳ偏光成分の間にある所定の周波数で変調され
た位相差を与えるレーザ光位相変調部、24はＰ偏光成分
とＳ偏光成分の２本のレーザ光に分岐する偏光ビームス
プリッタ、４は偏光子、６は２本のレーザ光の交差され
た領域、つまり測定空間領域にある微細粒子２によって
散乱されたレーザ光を偏光子４を通して受光し、電気信
号に変換する光検出器、25は光検出器６の出力である電
気信号の中でレーザ光位相変調部23での位相変調信号と
周波数が同一または２倍で、かつ位相変調信号との位相
差が時間的に一定である信号分を取り出す信号処理部
で、例えばロックインアンプである。また、26はプロセ
ス装置12内を通過して出てきた２本のレーザ光の合成波
を受光して電気信号に変換する光検出器で、光検出器６
と同様のものである。27は光検出器26の出力である電気
信号の中で、レーザ光位相変調部23での位相変調信号と
周波数が同一又は２倍で、かつ位相差が時間的に一定で
ある信号分を取り出す信号処理部であり、例えばロック
インアンプで信号処理部25と同様のものである。
導体装置用基板（ウエハ）、２はウエハ１の表面上に付
着した微細粒子、３はレーザ光源、23はレーザ光のＰ偏
光成分とＳ偏光成分の間にある所定の周波数で変調され
た位相差を与えるレーザ光位相変調部、24はＰ偏光成分
とＳ偏光成分の２本のレーザ光に分岐する偏光ビームス
プリッタ、４は偏光子、６は２本のレーザ光の交差され
た領域、つまり測定空間領域にある微細粒子２によって
散乱されたレーザ光を偏光子４を通して受光し、電気信
号に変換する光検出器、25は光検出器６の出力である電
気信号の中でレーザ光位相変調部23での位相変調信号と
周波数が同一または２倍で、かつ位相変調信号との位相
差が時間的に一定である信号分を取り出す信号処理部
で、例えばロックインアンプである。また、26はプロセ
ス装置12内を通過して出てきた２本のレーザ光の合成波
を受光して電気信号に変換する光検出器で、光検出器６
と同様のものである。27は光検出器26の出力である電気
信号の中で、レーザ光位相変調部23での位相変調信号と
周波数が同一又は２倍で、かつ位相差が時間的に一定で
ある信号分を取り出す信号処理部であり、例えばロック
インアンプで信号処理部25と同様のものである。
なお、この光検出器26と信号処理部27を中心に構成され
た測定部分は本発明の測定装置の動作をモニタ管理する
ためのもので、本発明の測定原理の本質に関わるもので
はない。28は信号処理部25からの信号をもとに、信号処
理部27からの信号を考慮して微細粒子の情報を得るデー
タ処理部である。
た測定部分は本発明の測定装置の動作をモニタ管理する
ためのもので、本発明の測定原理の本質に関わるもので
はない。28は信号処理部25からの信号をもとに、信号処
理部27からの信号を考慮して微細粒子の情報を得るデー
タ処理部である。
次に動作について説明する。レーザ光源３から出射され
たレーザ光はレーザ光位相変調部23および偏光ビームス
プリッタ24により相互の位相差がある所定の周波数で変
調された２本のレーザ光に分岐された上で、プロセス装
置12内に装着されたウエハ１の表面に照射されるか、あ
るいはウエハ１の表面上の空間を通過する。この際、２
本のレーザ光をウエハ１表面ないしは表面上の空間で交
差させると、その交差領域に干渉じまが形成される。
たレーザ光はレーザ光位相変調部23および偏光ビームス
プリッタ24により相互の位相差がある所定の周波数で変
調された２本のレーザ光に分岐された上で、プロセス装
置12内に装着されたウエハ１の表面に照射されるか、あ
るいはウエハ１の表面上の空間を通過する。この際、２
本のレーザ光をウエハ１表面ないしは表面上の空間で交
差させると、その交差領域に干渉じまが形成される。
第２図（ａ）はこの様子を説明するためのもので、29及
び30は２本のレーザ光のそれぞれであり、31は交差領
域、32は形成された干渉じま、２は測定されるべき微細
粒子である。干渉じま32はレーザ光29とレーザ光30の相
互の位相差がある所定の周波数で変調されているので、
その変調と同期して位置が移動する。従って第２図
（ｂ）に示すように、干渉じまの強度の位置に関する分
布が微細粒子の位置で周期的に移動するので、微細粒子
による散乱光は２本のレーザ光位相差の変調信号と同期
することになる。従って第１図において、微細粒子から
の散乱光を光検出器６で電気信号に変換し、その信号の
中から信号処理部25によりレーザ光位相変調部23での位
相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ位相差が
時間的に一定である信号分を取り出すことにより、微細
粒子を測定することができる。一方、２本のレーザ光の
交差領域内に、微細粒子の測定を妨害する雰囲気媒質に
よるレーリ散乱光があっても、その雰囲気媒質が干渉じ
まの移動する範囲内で均質とみなせる範囲ではそのレー
リ散乱光による信号成分を除去できる。ゆえに、従来例
に比較して飛躍的に高いS/N比と高い空間分解能を持っ
てより粒径の小さい微細粒子を測定することができる。
び30は２本のレーザ光のそれぞれであり、31は交差領
域、32は形成された干渉じま、２は測定されるべき微細
粒子である。干渉じま32はレーザ光29とレーザ光30の相
互の位相差がある所定の周波数で変調されているので、
その変調と同期して位置が移動する。従って第２図
（ｂ）に示すように、干渉じまの強度の位置に関する分
布が微細粒子の位置で周期的に移動するので、微細粒子
による散乱光は２本のレーザ光位相差の変調信号と同期
することになる。従って第１図において、微細粒子から
の散乱光を光検出器６で電気信号に変換し、その信号の
中から信号処理部25によりレーザ光位相変調部23での位
相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ位相差が
時間的に一定である信号分を取り出すことにより、微細
粒子を測定することができる。一方、２本のレーザ光の
交差領域内に、微細粒子の測定を妨害する雰囲気媒質に
よるレーリ散乱光があっても、その雰囲気媒質が干渉じ
まの移動する範囲内で均質とみなせる範囲ではそのレー
リ散乱光による信号成分を除去できる。ゆえに、従来例
に比較して飛躍的に高いS/N比と高い空間分解能を持っ
てより粒径の小さい微細粒子を測定することができる。
なお、上記実施例ではプロセス装置内の微細粒子に限定
して説明したが、この測定装置に用いた方法をプロセス
装置とは切り離され、測定のみを考慮して設計された測
定装置に適用できるのはいうまでもなく、ウエハ表面の
異物検査装置に適用しても十分な効果がある。
して説明したが、この測定装置に用いた方法をプロセス
装置とは切り離され、測定のみを考慮して設計された測
定装置に適用できるのはいうまでもなく、ウエハ表面の
異物検査装置に適用しても十分な効果がある。
また以上はウェア表面ないしウェア表面上の空間の一部
の領域のみの微細粒子の測定について説明したが、第１
図において、２本のレーザ光の交差領域をプロセス装置
12内の所望の位置に移動させる機構を付与することによ
り、容易にウエハ１表面についてはウエハ表面に付着し
た微細粒子の２次元分布を，ウエハ１表面上の空間につ
いては浮遊している微細粒子の３次元分布を測定するこ
とができる。
の領域のみの微細粒子の測定について説明したが、第１
図において、２本のレーザ光の交差領域をプロセス装置
12内の所望の位置に移動させる機構を付与することによ
り、容易にウエハ１表面についてはウエハ表面に付着し
た微細粒子の２次元分布を，ウエハ１表面上の空間につ
いては浮遊している微細粒子の３次元分布を測定するこ
とができる。
また、さらに第１図においては波長が同一で相互の位相
差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ光を発
生させるために、レーザ光位相変調部23でレーザ光のＰ
偏光成分とＳ偏光成分の間の位相差を変調した後に偏光
ビームスプリッタ24で２本のレーザ光に分岐したが、先
にレーザ光を２本に分岐してから一方のレーザ光に位相
変調を与えてもよく、上記と同様の効果が得られるのは
いうまでもない。
差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ光を発
生させるために、レーザ光位相変調部23でレーザ光のＰ
偏光成分とＳ偏光成分の間の位相差を変調した後に偏光
ビームスプリッタ24で２本のレーザ光に分岐したが、先
にレーザ光を２本に分岐してから一方のレーザ光に位相
変調を与えてもよく、上記と同様の効果が得られるのは
いうまでもない。
以上のように、この発明によれば波長が同一で相互の位
相差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ光を
発生させるレーザ光位相変調部と、上記２本のレーザ光
を上記の測定対象である微細粒子を含む空間において交
差させる光学系と、上記の２本のレーザ光の交差された
領域において測定対象である微細粒子により散乱された
光を受光し、電気信号に変換する光検出器と、この散乱
光による電気信号の中で上記レーザ光位相変調部での位
相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ上記位相
変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取り
出す信号処理部とを備えたので、プロセス装置内に装着
された半導体装置用基板表面上の微細粒子及び上記基板
表面上の空間に浮遊した微細粒子をプロセス装置の環境
やプロセスそのものに大きな外乱を与えることなしに、
高いS/N比と高い空間分解能を持って測定でき、しかも
より粒径の小さい微細粒子を測定できる効果がある。
相差がある所定の周波数で変調された２本のレーザ光を
発生させるレーザ光位相変調部と、上記２本のレーザ光
を上記の測定対象である微細粒子を含む空間において交
差させる光学系と、上記の２本のレーザ光の交差された
領域において測定対象である微細粒子により散乱された
光を受光し、電気信号に変換する光検出器と、この散乱
光による電気信号の中で上記レーザ光位相変調部での位
相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ上記位相
変調信号との位相差が時間的に一定である信号分を取り
出す信号処理部とを備えたので、プロセス装置内に装着
された半導体装置用基板表面上の微細粒子及び上記基板
表面上の空間に浮遊した微細粒子をプロセス装置の環境
やプロセスそのものに大きな外乱を与えることなしに、
高いS/N比と高い空間分解能を持って測定でき、しかも
より粒径の小さい微細粒子を測定できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による微細粒子測定装置を
示す断面側面図、第２図（ａ），（ｂ）はこの発明の測
定原理を説明するための概略図、第３図は第１の従来例
の微細粒子測定装置の動作原理を示す示す構成図、第４
図は第２の従来例の微細粒子測定装置の動作原理を示す
断面図、第５図（ａ）および（ｂ）は第３の従来例の微
細粒子測定装置の動作原理を示す平面図および正面図で
ある。 １……ウエハ、２……微細粒子、３……レーザ光源、４
……偏光子、５……対物レンズ、６……光検出器、７…
…電子回路装置、８……ウエハの駆動機構、９……測定
されるべき微細粒子を含む観測空間領域、10……受光レ
ンズ系、11……オプティカルトラップ、12……プロセス
装置、21……ミラー、22……反射集光板、23……ビーム
ストッパ、24……偏光ビームスプリッタ、25……信号処
理部、26……光検出器、27……信号処理部、28……デー
タ処理部。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
示す断面側面図、第２図（ａ），（ｂ）はこの発明の測
定原理を説明するための概略図、第３図は第１の従来例
の微細粒子測定装置の動作原理を示す示す構成図、第４
図は第２の従来例の微細粒子測定装置の動作原理を示す
断面図、第５図（ａ）および（ｂ）は第３の従来例の微
細粒子測定装置の動作原理を示す平面図および正面図で
ある。 １……ウエハ、２……微細粒子、３……レーザ光源、４
……偏光子、５……対物レンズ、６……光検出器、７…
…電子回路装置、８……ウエハの駆動機構、９……測定
されるべき微細粒子を含む観測空間領域、10……受光レ
ンズ系、11……オプティカルトラップ、12……プロセス
装置、21……ミラー、22……反射集光板、23……ビーム
ストッパ、24……偏光ビームスプリッタ、25……信号処
理部、26……光検出器、27……信号処理部、28……デー
タ処理部。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−219542（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−55935（ＪＰ，Ａ) 特公 昭63−30570（ＪＰ，Ｂ２) Ｓｉｏ▲下２▼ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔ ｅｓ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ ｉｎ ＣＶＤ Ｒｅａｃｔｏｎ （Ｖｏｌ．124，Ｎｏ. 11，ＰＰ1771〜76)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体装置用基板表面に付着した微細粒子
及び浮遊した微細粒子を、レーザ光による散乱を用いて
測定する微細粒子測定装置において、 波長が同一で相互の位相差がある所定の周波数で変調さ
れた２本のレーザ光を発生させるレーザ光位相変調部
と、 上記２本のレーザ光を上記の測定対象である微細粒子を
含む空間において交差させる光学系と、 上記２本のレーザ光の交差された領域において測定対象
である微細粒子により散乱された光を受光し、電気信号
に変換する光検出器と、 この散乱光による電気信号の中で上記レーザ光位相変調
部での位相変調信号と周波数が同一または２倍で、かつ
上記位相変調信号との位相差が時間的に一定である信号
分を取り出す信号処理部とを備えたことを特徴とする微
細粒子測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161234A JPH0781958B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 微細粒子測定装置 |
| US07/540,893 US5030842A (en) | 1989-06-23 | 1990-06-20 | Fine-particle measuring apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1161234A JPH0781958B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 微細粒子測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325355A JPH0325355A (ja) | 1991-02-04 |
| JPH0781958B2 true JPH0781958B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=15731188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1161234A Expired - Fee Related JPH0781958B2 (ja) | 1989-06-23 | 1989-06-23 | 微細粒子測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5030842A (ja) |
| JP (1) | JPH0781958B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5343290A (en) * | 1992-06-11 | 1994-08-30 | International Business Machines Corporation | Surface particle detection using heterodyne interferometer |
| US5861952A (en) * | 1992-11-16 | 1999-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical inspection method and apparatus including intensity modulation of a light beam and detection of light scattered at an inspection position |
| US5448364A (en) * | 1993-03-22 | 1995-09-05 | Estek Corporation | Particle detection system with reflective line-to-spot collector |
| US6118525A (en) * | 1995-03-06 | 2000-09-12 | Ade Optical Systems Corporation | Wafer inspection system for distinguishing pits and particles |
| US6355570B1 (en) | 1998-03-04 | 2002-03-12 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor manufacturing methods, plasma processing methods and plasma processing apparatuses |
| JP3833810B2 (ja) | 1998-03-04 | 2006-10-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体の製造方法並びにプラズマ処理方法およびその装置 |
| US6356653B2 (en) | 1998-07-16 | 2002-03-12 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for combined particle location and removal |
| JP2000208448A (ja) | 1999-01-11 | 2000-07-28 | Hitachi Ltd | 回路基板製造方法および回路基板製造装置 |
| US6778272B2 (en) | 1999-03-02 | 2004-08-17 | Renesas Technology Corp. | Method of processing a semiconductor device |
| US6613588B2 (en) | 1999-03-02 | 2003-09-02 | Hitachi, Ltd. | Floating particle inspection method and its apparatus and a semiconductor device processing apparatus |
| JP2002057143A (ja) | 2000-08-07 | 2002-02-22 | Hitachi Ltd | 浮遊異物検出装置 |
| JP4559650B2 (ja) * | 2001-03-22 | 2010-10-13 | シチズンホールディングス株式会社 | 旋光度測定装置及び旋光度測定方法 |
| US6597446B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-07-22 | Sentec Corporation | Holographic scatterometer for detection and analysis of wafer surface deposits |
| TW582062B (en) * | 2001-09-14 | 2004-04-01 | Sony Corp | Laser irradiation apparatus and method of treating semiconductor thin film |
| US7175875B2 (en) | 2002-02-15 | 2007-02-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for plasma processing |
| KR100511816B1 (ko) * | 2002-08-22 | 2005-09-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 반도체 제조 방법 및 플라즈마 처리 방법 및 그 장치 |
| JP5066887B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-11-07 | 栗田工業株式会社 | 水質評価方法及び装置 |
| EP2947957B1 (en) | 2013-01-21 | 2017-11-22 | Asahi Glass Company, Limited | Sheet material for electrically-heated window |
| ES2755674T3 (es) | 2013-03-07 | 2020-04-23 | Saint Gobain | Panel revestido con áreas parcialmente revestidas |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3812349A (en) * | 1973-04-06 | 1974-05-21 | Laser Sciences Inc | Apparatus for inspecting cigarettes or the like |
| CH584886A5 (ja) * | 1974-10-09 | 1977-02-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
| DE3624314A1 (de) * | 1986-07-18 | 1988-01-28 | Hoechst Ag | Verwendung von epoxidharz/haerter-mischungen zur herstellung von beschichtungen mit erhoehter zwischenschichthaftung |
| JPS6367549A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-26 | Pioneer Electronic Corp | 光ディスク用レジスト原盤の欠陥検査及び膜厚測定装置 |
-
1989
- 1989-06-23 JP JP1161234A patent/JPH0781958B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-20 US US07/540,893 patent/US5030842A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｓｉｏ▲下２▼ＰａｒｔｉｃｕｌａｔｅｓＤｉｓｐｅｒｓｅｄｉｎＣＶＤＲｅａｃｔｏｎ（Ｖｏｌ．１２４，Ｎｏ．１１，ＰＰ１７７１〜７６） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0325355A (ja) | 1991-02-04 |
| US5030842A (en) | 1991-07-09 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |