JPH0574653A - セラミツクコンデンサの製造方法 - Google Patents
セラミツクコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0574653A JPH0574653A JP25841291A JP25841291A JPH0574653A JP H0574653 A JPH0574653 A JP H0574653A JP 25841291 A JP25841291 A JP 25841291A JP 25841291 A JP25841291 A JP 25841291A JP H0574653 A JPH0574653 A JP H0574653A
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- Japan
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- layer
- alloy
- ceramic capacitor
- ribbon
- al2o3
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単に形状を付与することができるセラミッ
クコンデンサの製造方法を提供する。 【構成】 ＣｕとＡｌとの合金のリボンを製作する。こ
のＣｕ−Ａｌ合金のリボンを酸化処理すると、このＣｕ
−Ａｌ合金の両面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層が形成
され、このＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層の外側にＣｕＯ
層が形成される。上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層およ
び上記ＣｕＯ層をそれぞれ還元処理し、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3
−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有
する積層体が得られる。この積層体は、Ｃｕ−Ａｌ合金
の表面がＡｌ2Ｏ3層の磁器誘電体であり、このＡｌ2Ｏ3
層の外側がＣｕ層の導電体である。そして、Ｃｕ−Ａｌ
合金およびＣｕ層がコンデンサの電極として使用される
と、このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕは積層セラミックコンデンサになる。さら
に、酸化還元処理の前または後に、巻回構造に形状を付
与する処理を行う。
クコンデンサの製造方法を提供する。 【構成】 ＣｕとＡｌとの合金のリボンを製作する。こ
のＣｕ−Ａｌ合金のリボンを酸化処理すると、このＣｕ
−Ａｌ合金の両面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層が形成
され、このＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層の外側にＣｕＯ
層が形成される。上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層およ
び上記ＣｕＯ層をそれぞれ還元処理し、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3
−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有
する積層体が得られる。この積層体は、Ｃｕ−Ａｌ合金
の表面がＡｌ2Ｏ3層の磁器誘電体であり、このＡｌ2Ｏ3
層の外側がＣｕ層の導電体である。そして、Ｃｕ−Ａｌ
合金およびＣｕ層がコンデンサの電極として使用される
と、このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕは積層セラミックコンデンサになる。さら
に、酸化還元処理の前または後に、巻回構造に形状を付
与する処理を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電気回路に使用
されるセラミックコンデンサの製造方法に関する。
されるセラミックコンデンサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックコンデンサは、酸化チ
タン、チタン酸バリウム、アルミナ等を主成分とする磁
器誘電体に銀、銅等を焼き付けて電極としたもので、損
失角が小さく、高周波特性が優れており、容量の温度係
数が正のものから負のものまでいろいろ製造されてい
る。
タン、チタン酸バリウム、アルミナ等を主成分とする磁
器誘電体に銀、銅等を焼き付けて電極としたもので、損
失角が小さく、高周波特性が優れており、容量の温度係
数が正のものから負のものまでいろいろ製造されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のセラミックコン
デンサの製造方法にあっては、しかしながら、予め所定
形状に成形されたセラミックスを使用しているので、こ
のロール巻形状等を付与したセラミックコンデンサを簡
単に製造することができないという課題があった。ま
た、磁器誘電体に電極を焼き付けるため、セラミックコ
ンデンサの製造そのものも複雑になっているという課題
があった。
デンサの製造方法にあっては、しかしながら、予め所定
形状に成形されたセラミックスを使用しているので、こ
のロール巻形状等を付与したセラミックコンデンサを簡
単に製造することができないという課題があった。ま
た、磁器誘電体に電極を焼き付けるため、セラミックコ
ンデンサの製造そのものも複雑になっているという課題
があった。
【０００４】そこで、本発明は、簡単に形状を付与する
ことができるセラミックコンデンサの製造方法を提供す
ることを、その目的としている。
ことができるセラミックコンデンサの製造方法を提供す
ることを、その目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、第１の金属とＡｌとの合金のリボンを製作する工程
と、このリボンを酸化処理する工程と、酸化したリボン
を還元処理する工程と、このリボンに形状を付与する処
理を行う工程と、を含み、第１の金属を電極としたセラ
ミックコンデンサを製造するセラミックコンデンサの製
造方法である。
は、第１の金属とＡｌとの合金のリボンを製作する工程
と、このリボンを酸化処理する工程と、酸化したリボン
を還元処理する工程と、このリボンに形状を付与する処
理を行う工程と、を含み、第１の金属を電極としたセラ
ミックコンデンサを製造するセラミックコンデンサの製
造方法である。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
において上記第１の金属として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、お
よび、Ｆｅからなる群より選ばれる金属を用いたセラミ
ックコンデンサの製造方法である。
において上記第１の金属として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、お
よび、Ｆｅからなる群より選ばれる金属を用いたセラミ
ックコンデンサの製造方法である。
【０００７】
【作用】上記のように構成されたセラミックコンデンサ
の製造方法においては、第１の金属として、Ｃｕを用
い、例えば、ＣｕとＡｌとの合金のリボンを所定の厚さ
に製作する。このＣｕ−Ａｌ合金のリボンを大気中で所
定の温度まで加熱し、酸化処理する。この結果、このＣ
ｕ−Ａｌ合金の両面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層が形
成され、さらにこのＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層の外側
にＣｕＯ層が形成される。このリボンを、Ｈ2雰囲気中
で所定の温度まで加熱して、上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸
化物層および上記ＣｕＯ層をそれぞれ還元処理する。こ
の結果、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有するリボンが得られる。この
積層体のリボンは、上記還元により、上記Ｃｕ−Ａｌ−
Ｏ複合酸化物層がＡｌ2Ｏ3層の磁器誘電体に、上記Ｃｕ
Ｏ層がＣｕ層の導電体に、それぞれ変化して得られたも
のである。そして、このリボンにおいて、Ｃｕ−Ａｌ合
金およびＣｕ層をコンデンサの電極として使用すると、
このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−
Ｃｕ合金は積層セラミックコンデンサになる。また、酸
化還元処理の前または後に、例えば巻回構造に形状を付
与する処理を行えば、巻回構造のセラミックコンデンサ
が製造できることとなる。また、上記リボンの厚さを薄
く形成して上記酸化還元を行うことにより、Ｃｕ−Ａｌ
2Ｏ3−Ｃｕの積層体のコンデンサとして使用することも
可能である。
の製造方法においては、第１の金属として、Ｃｕを用
い、例えば、ＣｕとＡｌとの合金のリボンを所定の厚さ
に製作する。このＣｕ−Ａｌ合金のリボンを大気中で所
定の温度まで加熱し、酸化処理する。この結果、このＣ
ｕ−Ａｌ合金の両面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層が形
成され、さらにこのＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層の外側
にＣｕＯ層が形成される。このリボンを、Ｈ2雰囲気中
で所定の温度まで加熱して、上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸
化物層および上記ＣｕＯ層をそれぞれ還元処理する。こ
の結果、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有するリボンが得られる。この
積層体のリボンは、上記還元により、上記Ｃｕ−Ａｌ−
Ｏ複合酸化物層がＡｌ2Ｏ3層の磁器誘電体に、上記Ｃｕ
Ｏ層がＣｕ層の導電体に、それぞれ変化して得られたも
のである。そして、このリボンにおいて、Ｃｕ−Ａｌ合
金およびＣｕ層をコンデンサの電極として使用すると、
このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−
Ｃｕ合金は積層セラミックコンデンサになる。また、酸
化還元処理の前または後に、例えば巻回構造に形状を付
与する処理を行えば、巻回構造のセラミックコンデンサ
が製造できることとなる。また、上記リボンの厚さを薄
く形成して上記酸化還元を行うことにより、Ｃｕ−Ａｌ
2Ｏ3−Ｃｕの積層体のコンデンサとして使用することも
可能である。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るセラミックコンデンサの
製造方法の一実施例について、図１および表を参照して
説明する。
製造方法の一実施例について、図１および表を参照して
説明する。
【０００９】Ａｌの質量が１％〜１０％の範囲で含有し
たＣｕ−Ａｌ合金１のリボンは、例えばアークプラズマ
溶解したボタンを厚さ５０μｍ〜０.５ｍｍの範囲に冷
間圧延することにより、製作されている。そして、図１
に示すように、このＣｕ−Ａｌ合金１のリボンを、大気
中で温度２００℃〜１０５０℃の範囲にて２時間加熱
し、酸化処理する。この結果、このＣｕ−Ａｌ合金１の
表面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層２，２が形成され
る。つまり、Ｃｕ−Ａｌ合金が大気中のＯ2と化合する
ことになる。さらに、このＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層
２，２の外側にＣｕＯ層３，３が形成される。
たＣｕ−Ａｌ合金１のリボンは、例えばアークプラズマ
溶解したボタンを厚さ５０μｍ〜０.５ｍｍの範囲に冷
間圧延することにより、製作されている。そして、図１
に示すように、このＣｕ−Ａｌ合金１のリボンを、大気
中で温度２００℃〜１０５０℃の範囲にて２時間加熱
し、酸化処理する。この結果、このＣｕ−Ａｌ合金１の
表面にＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層２，２が形成され
る。つまり、Ｃｕ−Ａｌ合金が大気中のＯ2と化合する
ことになる。さらに、このＣｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層
２，２の外側にＣｕＯ層３，３が形成される。
【００１０】次に、このリボン４を、Ｈ2雰囲気中で所
定の温度にて所定時間加熱する。これにより、上記Ｃｕ
−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層２，２および上記ＣｕＯ層３，
３がそれぞれ還元される。この結果、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3−
（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有す
るリボン７が得られる。この積層体のリボン７は、上記
還元により、上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層がＡｌ2
Ｏ3層の磁器誘電体に、上記ＣｕＯ層がＣｕ層の導電体
に、それぞれ変化して得られたものである。
定の温度にて所定時間加熱する。これにより、上記Ｃｕ
−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層２，２および上記ＣｕＯ層３，
３がそれぞれ還元される。この結果、Ｃｕ−Ａｌ2Ｏ3−
（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2Ｏ3−Ｃｕの層状構造を有す
るリボン７が得られる。この積層体のリボン７は、上記
還元により、上記Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層がＡｌ2
Ｏ3層の磁器誘電体に、上記ＣｕＯ層がＣｕ層の導電体
に、それぞれ変化して得られたものである。
【００１１】そして、このリボン７において、Ｃｕ−Ａ
ｌ合金およびＣｕ層をコンデンサの電極として使用する
と、このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕ合金は積層セラミックコンデンサになる。ま
た、酸化還元処理の前または後に、例えば巻回構造に形
状を付与する処理を行えば、巻回構造のセラミックコン
デンサが製造できることとなる。
ｌ合金およびＣｕ層をコンデンサの電極として使用する
と、このＣｕ−Ａｌ2Ｏ3−（Ｃｕ−Ａｌ合金）−Ａｌ2
Ｏ3−Ｃｕ合金は積層セラミックコンデンサになる。ま
た、酸化還元処理の前または後に、例えば巻回構造に形
状を付与する処理を行えば、巻回構造のセラミックコン
デンサが製造できることとなる。
【００１２】以下、表１〜表１２は、上記方法で製造し
たコンデンサについて電気絶縁性の試験を行った場合の
結果を示している。なお、表中でのＡｌ％はＣｕ−Ａｌ
合金１に含有するＡｌの質量％である。○印は、Ｃｕ−
Ａｌ合金１とＣｕ層６との間で所定の電圧をかけても導
通しない場合である。◎印は、その導通しない場合の最
適例である。×印は、Ｃｕ−Ａｌ合金１とＣｕ層６との
間で導通する場合である。これは、緻密なＡｌ2Ｏ3層が
できないためである。××印は、Ｃｕ−Ａｌ合金１とＣ
ｕ層６との間で導通する場合である。これは、Ｃｕ層６
が連続した導電体にならないためである。×××印は、
Ｃｕ層６が形成されない場合である。そして、表５〜表
１２は、ＣｕをＮｉ、ＣｏまたはＦｅに変更した場合で
ある。
たコンデンサについて電気絶縁性の試験を行った場合の
結果を示している。なお、表中でのＡｌ％はＣｕ−Ａｌ
合金１に含有するＡｌの質量％である。○印は、Ｃｕ−
Ａｌ合金１とＣｕ層６との間で所定の電圧をかけても導
通しない場合である。◎印は、その導通しない場合の最
適例である。×印は、Ｃｕ−Ａｌ合金１とＣｕ層６との
間で導通する場合である。これは、緻密なＡｌ2Ｏ3層が
できないためである。××印は、Ｃｕ−Ａｌ合金１とＣ
ｕ層６との間で導通する場合である。これは、Ｃｕ層６
が連続した導電体にならないためである。×××印は、
Ｃｕ層６が形成されない場合である。そして、表５〜表
１２は、ＣｕをＮｉ、ＣｏまたはＦｅに変更した場合で
ある。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】
【表５】
【００１８】
【表６】
【００１９】
【表７】
【００２０】
【表８】
【００２１】
【表９】
【００２２】
【表１０】
【００２３】
【表１１】
【００２４】
【表１２】
【００２５】表１に示すように、厚さが５０μｍのＣｕ
−Ａｌ合金１のリボンは所定の酸化処理および還元処理
が施されると、各Ｃｕ層６は空隙等を含まないＣｕが連
続した層として形成される。また、Ａｌ2Ｏ3層が空隙等
のない緻密な層になっていることがわかる。
−Ａｌ合金１のリボンは所定の酸化処理および還元処理
が施されると、各Ｃｕ層６は空隙等を含まないＣｕが連
続した層として形成される。また、Ａｌ2Ｏ3層が空隙等
のない緻密な層になっていることがわかる。
【００２６】さらに、酸化還元処理の前または後に、例
えばロール巻のような巻回構造の形状を付与する処理を
行えば、このような巻回構造のセラミックコンデンサが
容易に製造できる。
えばロール巻のような巻回構造の形状を付与する処理を
行えば、このような巻回構造のセラミックコンデンサが
容易に製造できる。
【００２７】また、表２〜表１２に示すように、上記Ｃ
ｕ−Ａｌ合金１のリボンの膜厚を変化させても、Ｃｕを
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅに変化させても、同様な結果が得られ
た。
ｕ−Ａｌ合金１のリボンの膜厚を変化させても、Ｃｕを
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅに変化させても、同様な結果が得られ
た。
【００２８】
【発明の効果】本発明は、以上説明してきたように構成
されているので、セラミックコンデンサにおいて、この
コンデンサの形状を容易に付与できる。また、セラミッ
クコンデンサの製造が簡単になっている。
されているので、セラミックコンデンサにおいて、この
コンデンサの形状を容易に付与できる。また、セラミッ
クコンデンサの製造が簡単になっている。
【図１】本発明の一実施例に係るセラミックコンデンサ
の製造方法の工程を説明するための断面図である。
の製造方法の工程を説明するための断面図である。
１ Ｃｕ−Ａｌ合金 ２ Ｃｕ−Ａｌ−Ｏ複合酸化物層 ３ Ｃｕ−Ｏ層 ５ Ａｌ2Ｏ3層 ６ Ｃｕ層
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の金属とＡｌとの合金のリボンを製
作する工程と、 このリボンを酸化処理する工程と、 酸化したリボンを還元処理する工程と、 このリボンに形状を付与する処理を行う工程と、を含
み、 第１の金属を電極としたセラミックコンデンサを製造す
ることを特徴とするセラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において上記第１の金属とし
て、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、および、Ｆｅからなる群より選
ばれる金属を用いたことを特徴とするセラミックコンデ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25841291A JPH0574653A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | セラミツクコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25841291A JPH0574653A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | セラミツクコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574653A true JPH0574653A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17319870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25841291A Withdrawn JPH0574653A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | セラミツクコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574653A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696700B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-02-24 | National University Of Singapore | P-type transparent copper-aluminum-oxide semiconductor |
| US6933054B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-08-23 | Weiland-Werke Ag | Bearing material for the manufacture of wear-resistant slide bearings made of a copper-aluminum-alloy with defined cover layers |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP25841291A patent/JPH0574653A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6696700B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-02-24 | National University Of Singapore | P-type transparent copper-aluminum-oxide semiconductor |
| US6933054B2 (en) * | 2001-12-06 | 2005-08-23 | Weiland-Werke Ag | Bearing material for the manufacture of wear-resistant slide bearings made of a copper-aluminum-alloy with defined cover layers |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |