JPH0572377B2 - - Google Patents

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JPH0572377B2
JPH0572377B2 JP14366985A JP14366985A JPH0572377B2 JP H0572377 B2 JPH0572377 B2 JP H0572377B2 JP 14366985 A JP14366985 A JP 14366985A JP 14366985 A JP14366985 A JP 14366985A JP H0572377 B2 JPH0572377 B2 JP H0572377B2
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methylpyrazole
ethoxycarbonyl
chloro
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Toshiaki Sato
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Nissan Chemical Corp
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Nissan Chemical Corp
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【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は新規な4−カルボキシ−3,5−ジク
ロルピラゾール誘導体およびそれらの製法に関す
る。 更に詳しくは、本発明は一般式():
【式】 〔式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子また
は低級アルキル基を示す。〕 で表さく新規な4−カルボキシ−3,5−ジクロ
ルピラゾール誘導体および該誘導体の製法に関す
る。 4−カルボキシ−3,5−ジクロルピラゾール
誘導体は医薬、農薬等の中間体として有用であ
る。たとえば特願昭59−55126号明細書(特開昭
60−208977号公報参照)に記載の除草剤の中間体
として有用である。 すなわち、ヨーロツパ特許公開87780号公報お
よび特開昭59−122488号公報等に記載の方法を参
考にして下記一般式()に誘導し、
【化】 〔式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子また
は低級アルキル基を示す。R3は水素原子、低級
アルキル基、ベンジル基または
【式】基を示す。〕さらに4− カルボキシ−3−クロルピラゾール−5−スルホ
ンアミド誘導体()に誘導する。
【化】 〔式中R1,R2およびR3は前記と同じ意味を示
す。〕 スルホンアミド誘導体()は、さらに前記特
許出願明細書(特願昭59−55126号)に記載され
た方法に従つて目的とする除草剤の有効成分化合
物に誘導することができる。 従来の技術 4−カルボキシピラゾール−5−スルホンアミ
ド誘導体を得るには従来以下の方法が知られてい
る。 (1)
【化】
【化】 (ヨーロツパ特許公開87780号公報および特開
昭59−122488号公報参照) (2)
【化】 〔式中R4は水素原子、低級アルキル基または
フエニル基を、R5は水素原子または低級アルキ
ル基を、R6は低級アルキル基を示す。〕 (特開昭59−219281号公報およびジヤーナル・オ
ブ・ヘテロサイクリツク・ケミストリー
(Journal of heterocyclic Chemistry)21巻、
1017ページ、1984年参照) (3) また特願昭59−55126号明細書では以下の方
法が記載されている。
【化】
【化】 上記反応(1),(2)に於て用いられる出発原料のほ
とんどのものは公知化合物であり以下の反応式に
より容易に合成することができる。 反応式(代表例)
【化】
【化】 なおEMME,EMCEは共に工業製品として市
販されている化合物であり、容易に入手すること
ができる。 発明が解決しようとする問題点 本発明は、容易でかつ、工業的な4−カルボキ
シ−3−クロルピラゾール−5−スルホンアミド
誘導体()を得る為の新規な製造ルートを提供
するものである。 4−カルボキシ−3−クロルピラゾール−5−
スルホンアミド誘導体()を前記(1),(2)の合成
法に準じて合成する為には原料として、ピラゾー
ル環3位にクロル原子を有する。
【式】または
【式】 〔式中R1,R2は前記と同じ意味を示す。〕 を用いることが必要である。 しかしながらこれらの化合物は文献未記載の化
合物であり、また前記の公知の方法を参考にして
合成する事も困難である。従つて目的の4−カル
ボキシ−3−クロルピラゾール−5−スルホンア
ミド誘導体()を得る為には、これらに代わる
新しい原料の供給が必要となつた。 また前記(3)の特願昭59−55126号明細書記載の
方法は 1 高価なリチウムジイソプロピルアミド等のリ
チオ化試薬を用いている。 2 反応条件として、極端な低温(−60℃)条件
で行つている(工業的に設備、操作、及びエネ
ルギー面で非常に不利である) 等の問題点がある。 リチオ化試薬は高価な為、工業原料特に農薬製
造の試薬としてはほとんど用いられていないのが
現状であり、また低温反応を行う場合は一般の反
応設備では不可能なことから、例えば大型冷凍機
等の設備の新設、低温にする為のエネルギーコス
トあるいは反応制御の操作面等の問題が発生して
くる。 以上の理由から前記(3)の方法は実験室の製法と
してはともかく、工業的に安価に4−カルボキシ
−3−クロルピラゾール−5−スルホンアミド誘
導体()を得る為の方法とはいえない。 問題点を解決する為の手段及び発明の態様 本発明者らは一般式()
【式】 〔式中R1,R2は前記と同じ意味を示す。〕 で表されるアミノピラゾール誘導体を鉱酸または
有機酸の存在下、亜硝酸塩等の亜硝酸供給源を用
いてジアゾニウム塩とし、次いで銅系触媒存在下
分解させることにより 一般式():
【式】 〔式中R1,R2は前記と同じ意味を示す。〕 で表されるピラゾール誘導体の得られることを見
出した。ここで一般式()で表される化合物は
新規化合物であり、また本化合物を用いることに
よつて、特願昭59−55126号明細書に記載の除草
剤が高収率でしかも高品質に得られることを見い
出し本発明を完成させた。 本発明の方法はアミノピラゾール誘導体()
をジアゾニウム塩()に誘導するジアゾ化工
程、および生成したジアゾニウム塩を分解してピ
ラゾール誘導体()を得る分解する分解工程か
らなつている。
【化】 〔式中R1,R2は前記と同じ意味を示す。〕 ジアゾ化工程で用いられる酸としては例えば塩
酸、硫酸、リン酸、酢酸等あるいはそれらの混合
物を用いることができる。本発明においてはクロ
ル供給源としても可能な塩酸が好ましいが、ジア
ゾニウム塩分解時、塩化銅等のクロル供給源があ
れば必ずしもジアゾニウム塩合成時に塩酸を用い
なくても可能である。 ジアゾ化工程の温度は−30〜50℃好ましくは−
10℃〜室温の範囲で行われる。亜硝酸供給源とし
ては、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウム、亜硝
酸カルシウム、塩化ニトロシル、三二酸化窒素、
一酸化窒素等を用いることができる。 分解工程では塩化銅、酢酸銅、銅粉、硫酸銅と
食塩(混合物)等の銅系触媒により分解を行うの
が一般的である。ジアゾ分解触媒として塩化銅の
ようなクロル供給源の無い場合はジアゾニウム塩
の合成時に塩酸を用いて行う。 分解工程の温度は−30〜80℃好ましくは0℃〜
60℃の範囲で行われる。 なお、本発明の原料として用いられるアミノピ
ラゾール誘導体()の一部のものはケミカルア
ブストラクツ(Chemical Abstracts)93巻
95181Sに記載の方法により容易に合成すること
ができる。 発明の効果 (1) 本発明の合成法により、医農薬中間体として
有用な新規ピラゾール誘導体()が得られ
る。 (2) 新規ピラゾール誘導体()を用いることに
より、4−カルボキシ−3−クロルピラゾール
−5−スルホンアミド()が容易に得られ
る。 (3) 前記特願昭59−55126号明細書記載の従来の
合成方法と比較して、高価なリチオ化試薬、特
殊な反応条件(反応温度−60℃)が不要にな
る。すなわち従来法に比較して、工業的かつ、
より安価な合成法になる。 実施例 1 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル−
1−メチルピラゾールの合成 3,5−ジアミノ−4−エトキシカルボニル−
1−メチルピラゾール8.8gを、濃塩酸100mlに溶
解し、亜硝酸ナトリウム8.8gの水溶液20mlを−15
〜−20℃にて滴下し、ジアゾ化した。このジウア
ゾニウム塩溶液を硫酸銅・五水和物36g、塩化ナ
トリウム28g及び水100mlの溶液に室温にて滴下
した。滴下後、徐々に加温し、50℃にて、1.5時
間攪拌し、少量の塩化第一銅を加え、反応を完結
させた。反応混合物に、過剰量の水を加え、クロ
ロホルムにて抽出し、水洗、乾燥後、溶媒を減圧
留去すると、粗製の目的10gを得た。析出した結
晶をジイソプロピルエーテルにて洗浄することに
より、純粋な目的物7.9gを得た。融点、66−67℃
(収率74%) 実施例 2 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル−
1−メチルピラゾールの合成(別法) 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル
ピラゾールの合成 3,5−ジアミノ−4−エトキシカルボニルピ
ラゾール22.7gを濃塩酸400mlに溶解し、亜硝酸ナ
トリウム24gの50ml水溶液を−10〜0℃にて滴下
し、ジアゾ化した。このジアゾニウム塩溶液を、
硫酸銅・五水和物167g、塩化ナトリウム128g及
び水390mlの溶液に室温にて滴下した。滴下後
徐々に加温し、50℃にて1.5時間攪拌し、少量の
塩化第一銅を加え、反応を完結させた。反応混合
物に、過剰量の水を加え、クロロホルムにて抽出
し、水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去すると、粗製
の目的物26.7gを結晶として得た。得られた結晶
をジイソプロピルエーテルにて洗浄することによ
り、純粋な目的物23.2gを得た。融点111−112℃
(収率83%) 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル
−1−メチルピラゾールの合成 水素化ナトリウム(55%含有)2.3gをテトラヒ
ドロフラン50mlに懸濁し、3,5−ジクロロ−4
−エトキシカルボニルピラゾール10gのテトラヒ
ドロフラン溶液30mlを10℃にて滴下した。室温攪
拌30分後、ヨウ化メチル7.7gを、室温にて滴下
し、加熱還流下、1.5時間攪拌した。反応後、氷
冷下、氷水を加え、濃塩酸にて中和後、有機層を
分離し、水層はジエチルエーテルにて抽出した。
有機層を合わせ、水洗、乾燥し、溶媒を減圧留去
すると、粗製の目的物11gを結晶として得た。得
られた目的物をn−ヘキサンにて洗浄すると純粋
な目的物10gを得た。融点66−67℃(収率93%) 実施例 3 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル−
1−メチルピラゾールの合成 実施例1において、3,5−ジアミノ−4−エ
トキシカルボニル−1−メチルピラゾール8.8gの
代わりに、3,5−ジアミノ−4−メトキシカル
ボニル−1−メチルピラゾール8.5gを原料として
用いたこと以外は実施例1と同じ条件で行つて、
標記目的化合物を7.4gを得た。融点58〜59℃(収
率71%) 参考例 1 3−クロロ−4−エトキシカルボニル−1−メ
チルピラゾール−5−スルホンアミドの合成 −1 3−クロロ−4−エトキシカルボニル−
5−メルカプト−1−メチルピラゾールの合成 3,5−ジクロロ−4−エトキシカルボニル−
1−メチルピラゾール5.1g、水硫化ナトリウム
4.6g(約70%含有)及びジメチルホルムアミド20
mlの混合物を80℃にて、2時間攪拌した。反応終
了後、過剰量の氷水に注ぎ、濃塩酸にて、酸性と
し、析出した結晶を取し、乾燥すると、粗製の
目的物5gを得た。得られた結晶をジイソプロピ
ルエーテルにて洗浄すると、純粋な目的物4.6gを
得た。融点66−67℃(収率91%) −2 3−クロロ−4−エトキシカルボニル−
1−メチル−5−メチルチオピラゾールの合成 上記)−1において、水硫化ナトリウムの代
わりにメチルメルカプタンナトリウム塩を用いた
こと以外は、)−1に準じて、標記化合物4.8g
を得た。収率89%、融点46−47℃ −3 5−ベンジルチオ−3−クロロ−4−エ
トキシカルボニル−1−メチルピラゾールの合
成 上記に)−1において、水硫化ナトリウムの
代わりにベンジルメルカプタンナトリウム塩を用
いたこと以外は、)−1に準じて、標記化合物
6.2gを得た。収率87%、融点53−54℃ 3−クロロ−5−クロロスルホニル−4−エ
トキシカルボニル−1−メチルピラゾールの合
成 3−クロロ−4−エトキシカルボニル−5−メ
ルカプト−1−メチルピラゾール5.6gを、酢酸40
ml及び水10mlに懸濁し、激しく攪拌しつつ10〜15
℃にて塩素を30分間吹込んだ。その後5℃にて15
分間攪拌した後、過剰量の氷水に注ぎ、ジエチル
エーテルにて抽出した。有機層を水洗、乾燥し、
溶媒を減圧留去すると、粗製の目的物6.9gを油状
物として得た。(沸点133℃/0.2mmHg) 3−クロロ−4−エトキシカルボニル−1−
メチルピラゾール−5−スルホンアミドの合成 前記)で得られた3−クロロ−5−クロロス
ルホニル−4−エトキシカルボニル−1−メチル
ピラゾール6.9gを二塩化エタン70mlに溶解し、炭
酸アンモニウム4.1gを室温にて加えた。室温にて
一夜攪拌後、固体を別し、液を凝縮すること
により、粗製の目的を結晶として得た。得られた
結晶を、ジイソプロピルエーテルにて洗浄する
と、純粋な目的物5.5gを得た。融点121〜123℃、
()→)の総収率81%) 参考例 2 3−クロロ−4−メトキシカルボニル−1−メ
チルピラゾール−5−スルホンアミドの合成 3−クロロ−4−メトキシカルボニル−5−
メルカプト−1−メチルピラゾールの合成 参考例1に準じて合成した。融点87〜89℃(収
率90%) 3−クロロ−4−メトキシカルボニル−1−
メチルピラゾール−5−スルホンアミドの合成 参考例1に準じて合成した。融点125〜126℃3
−クロロ−4−メトキシカルボニル−5−メルカ
プト−1−メチルピラゾールからの(総収率83
%)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式:() 【式】 〔式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子また
    は低級アルキル基を示す。〕 で表されるピラゾール誘導体。 2 一般式(): 【式】 〔式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子また
    は低級アルキル基を示す。〕 で表されるアミノピラゾール誘導体を鉱酸または
    有機酸の存在下、亜硝酸塩等の亜硝酸供給源を用
    いてジアゾニウム塩とし、次いで銅系触媒存在下
    分解させることを特徴とする一般式(): 【式】 〔式中R1,R2はそれぞれ独立に水素原子また
    は低級アルキル基を示す。〕 で表されるピラゾール誘導体の製造法。
JP14366985A 1985-06-28 1985-06-28 ピラゾ−ル誘導体およびその製法 Granted JPS624271A (ja)

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