JPH0572378B2

JPH0572378B2 -

Info

Publication number: JPH0572378B2
Application number: JP14367085A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Sato; Katsuyuki Morimoto; Susumu Yamamoto
Original assignee: Nissan Chemical Corp
Current assignee: Nissan Chemical Corp
Priority date: 1985-06-28
Filing date: 1985-06-28
Publication date: 1993-10-12
Also published as: JPS624272A

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野本発明は１−アルキル−３−クロル−４−カル
ボキシ−５−置換チオピラゾール誘導体およびそ
の製法に関する。更に詳しくは、本発明は一般式（）：

【化】〔式中R¹は低級アルキル基を、R²は水素原子
または低級アルキル基を、R³は水素原子、低級
アルキル基、ベンジル基、アルカリ金属原子また
は

【式】（R¹は低級アルキル基、R²は水素原子または低級アルキル基を示
す。）を示す。〕で表される１−アルキル−３−ク
ロル−４−カルボキシ−５−置換チオピラゾール
誘導体およびその製法に関する。１−アルキル−３−クロル−４−カルボキシ−
５−置換チオピラゾール誘導体は医薬、農薬等の
中間体として有用である。たとえば特願昭59−
55126号明細書（特開昭60−208977号公報参照）
に記載の除草剤の中間体として有用である。すなわちヨーロツパ特許公開87780号公報、特
開昭59−122488号公報等に記載の方法を参照にし
てピラゾールスルホンアミド誘導体（）に誘導
する。

【化】〔式中R¹，R²およびR³は前記と同じ意味を示
す。〕スルホンアミド誘導体（）は、さらに前
記特許出願明細書（特願昭59−55126号）に記載
された方法に従つて目的とする除草剤の有効成分
化合物に誘導することができる。従来の技術１４−カルボキシ−５−置換チオピラゾール誘
導体の製法として従来以下の方法が知られてい
る。 (1)

【化】（特開昭59−122488号公報参照） (2)

【化】（ヘテロサイクルズ（Heterocycles），６巻，
1865ページ，1977年参照） (3)

【化】（特開昭55−9062号公報参照） (4)

【化】（ヒエミベリヒテ（Chemische Berichte），
114巻2450ページ 1981年参照） (5)

【化】（以上ケミカル・アブストラクツ（Chemical
Abstru−cts），86巻，189791Y1976年参照）以上から４−カルボキシ−５−置換チオピラゾ
ール誘導体におけるもう一つのピラゾール環炭素
（ピラゾール環３位）上の置換基は、水素原子、
アルキル基、カルボン酸エステル、アミノ基など
であり、塩素原子等のハロゲン原子の導入された
本発明化合物（）は文献未記載の新規化合物で
あることがわかる。一方上記(1)〜(5)の従来の技術を参考にして本発
明化合物（）を合成することも以下に示す理由
から困難である。上記反応式(1)においては、原料として

【式】に対応する

【式】〔式中R¹，R²は前記と同じ意味を示す。〕が必要になるが、文献未記載の新規化合物であり
入手が困難である。上記反応式(2)，(3)においては、反応式からわか
るようにピラゾール環３位の置換基が水素原子ま
たはアルキル基に限定されるものである。従つ
て、ピラゾール環３位にハロゲンの導入された本
発明化合物（）の合成には応用することができ
ない。上記反応式(4)の反応においては１収率が必ずしも良好でない反応である。２この反応を参考にして（）を合成する場合
原料としてアセチレンジカルボン酸エステルの
代わりにClC≡Ｃ−CO₂CH₃の利用が考えられ
るがその反応性及び異性体の生成については不
明である。３ ClC≡CCO₂CH₃は高価かつ、非工業的な方
法により作られる ClCH≡CHCl＋ClCO₂CH₃CH₃Li −−−−−−−→ ClC≡CO₂CH₃ （ヒエミベリヒチ（Chemische Berichte）
92巻、1950ページ、1959年）高価な試薬（CH₃Li）、特殊な反応条件（反応
温度−80℃）が必要であり、一般的な工業材料と
して利用できるものではない。以上から上記反応式(4)も本発明化合物（）を
合成する為の好ましい方法とはいえない。一方ビラゾールスルホンアミド誘導体（）
の製法としては特願昭59−55126号明細書に於
て以下の方法が記載されている。

【化】

【化】本合成法の特徴は１高価なリチウムジイソプロピルアミド等のリ
チオ化試薬を用いる必要がある。２反応条件として、極端な低温（−60℃）条件
で行われること。（工業的には設備、操作、及
びエネルギーコスト面で不利である）等の問題
点がある。リチオ化試薬は高価な為、工業原料特に農薬製
造の試薬としてはほとんど用いられていないのが
現状であり、また低温反応を行う場合は一般の反
応設備では不可能なことから、例えば大型冷凍機
等の新しい設備や、低温にする為のエネルギー面
あるいは反応制御の操作面等の問題が発生してく
る。以上の理由から、本方法も実験室の製法として
はともかく、工業的に安価にピラゾールスルホン
アミド誘導体（）を得る為の方法とは言えな
い。発明が解決しようとする問題点本発明の目的は容易で、かつ工業的なピラゾー
ルスホンアミド誘導体（）を得る為の新規な合
成ルートを提供することにある。本発明化合物は一般式（）：

【式】〔式中R¹，R²およびR³は前記と同じ意味を示
す。〕で表される化合物であり、本発明化合物を用いれ
ばピラゾールスルホンアミド誘導体（）への誘
導は非常に容易である。しかしながらピラゾール環の３位に塩素原子、
４位にカルボキシ基、および５位に置換チオ基を
もつ本発明化合物（）の合成は、前記の従来技
術を参考にして達成することは困難であり、今回
従来の方法によらない新しい合成方法が必要にな
つた。また同時に前記の特願昭59−55126号明細書の
ような高価なリチオ化試薬及び低温での反応条件
を用いない工業的で安価な製造法であることが必
要である。以上から工業的にも安価でかつ容易にピラゾー
ルスルホンアミド誘導体（）に誘導できる新し
い中間体の供給が必要となつた。問題点を解決する為の手段及び発明の態様本発明者らは一般式（）：

【式】〔式中R¹は低級アルキル基、R²は水素原子ま
たは低級アルキル基を示す。〕で表されるジハロゲノピラゾール誘導体を、エタ
ノール、ジメチルホルムアミド、ジオキサン等の
不活性溶媒中水硫化ナトリウム、ナトリウムジス
ルフイド、アルキルメルカプタン、ベンジルメル
カプタン等の硫黄化合物と、必要な場合は水酸化
ナトリウム、水酸化ナトリウム、ナトリウムアル
コラート、トリエチルアミン等の塩基の存在下反
応させることにより一般式（）：

【式】〔式中R¹，R²およびR³は前記と同じ意味を示
す。〕で表されるピラゾール誘導体の得られることを見
い出した。ここで一般式（）で表される本発明
化合物は文献未記載の新規化合物であり、また本
発明化合物を用いることによつて特願昭59−
55126号明細書に記載の除草剤が高収率でしかも
高品質に得られることを見い出し本発明を完成さ
せた。反応溶媒としては前記の他に、メタノール、テ
トラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、トル
エン、キシレン、ジメチルスルホキシド等、硫黄
化合物としては前記の他に、水硫化カリウム、硫
化ナトリウム等、塩基としては前記の他に水酸化
カリウム、ナトリウムアルコラート、金属ナトリ
ウム、ピリジン等を用いることもできる。反応温
度は室温から溶媒の還流温度の範囲で行われる。また本発明化合物（）の合成にあたつて、３
位の塩素原子の置換した以下に記す構造の異性体
化合物

【式】〔式中R¹，R²およびR³は前記と同じ意味を示
す。〕の生成は認められず、選択性の高い反応で
あることも判明した。なお原料として用いられるジハロゲノピラゾー
ル誘導体（）も新規化合物であるが以下の反応
式により容易に合成することができる。（以下の
参考例１，２，３参照） (1)

【化】 (2)

【化】〔式中R¹，R²は前記と同じ意味を示す。〕発明の効果 (1) 医農薬中間体として有用な新規ピラゾール誘
導体（）が得られる。 (2) 本発明化合物（）を用いることにより、容
易にしかも高収率がピラゾールスルホンアミド
誘導体（）が得られる。 (3) 前記の特願昭59−55126号明細書記載の方法
に比べて、高価なリチオ化試薬、特殊な反応条
件（反応温度−60℃）が不要になる。すなわち
従来法に比較して、工業的かつ、より安価な合
成法になる。実施例１３−クロロ−４−エトキシカルボニル−５−メ
ルカプト−１−メチルピラゾールの合成３，５−ジクロロ−４−エトキシカルボニル−
１−メチルピラゾール5.1ｇ、水硫化ナトリウム
4.6ｇ（約70％含有）及びジメチルホルムアミド
20mlの混合物を、80℃にて、２時間攪拌した。反
応終了後、過剰量の氷水に注ぎ、濃塩酸にて、酸
性とし、析出した結晶を取し、乾燥すると、粗
製の目的物５ｇを得た。得られた結晶をジイソプ
ロピルエーテルにて洗浄すると、純粋な目的物
4.6ｇを得た。融点 66〜67℃（収率91％）実施例２３−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−メ
チル−５−メチルチオピラゾールの合成上記−１において、水硫化ナトリウムの代わ
りにメチルメルカプタンナトリウム塩を用いたこ
と以外は、−１に準じて、標記化合物4.8ｇを
得た。収率89％、融点46〜47℃ 実施例３５−ベンジルチオ−３−クロロ−４−エトキシ
カルボニル−１−メチルピラゾールの合成上記−１において、水硫化ナトリウムの代わ
りにベンジルメルカプタンナトリウム塩を用いた
こと以外は、−１に準じて、標記化合物6.2ｇ
を得た。収率87％、融点53〜54℃ 実施例４３−クロロ−４−メトキシカルボニル−５−メ
ルカブト−１−メチルピラゾールの合成実施例１において、3.5−ジクロロ−４−エト
キシカルボニル−１−メチルピラゾールの代わり
に、3.5−ジクロロ−４−メトキシカルボニル−
１−メチルピラゾール6.3ｇを用いたこと以外は、
実施例１に準じて標記目的化合物5.6ｇを得た。融点87〜89℃（収率90％）参考例１ 3.5−ジクロロ−４−エトキシカルボニル−１
−メチルピラゾールの合成 3.5−ジアミノ−４−エトキシカルボニル−１
−メチルピラゾール8.8ｇを、濃塩酸100mlに溶解
し、亜硝酸ナトリウム8.8ｇの水溶液20mlを−15
〜−20℃にて滴下し、ジアゾ化した。このジアゾ
ニウム塩溶液を、硫酸銅・五水和物36ｇ、塩化ナ
トリウム28ｇ及び水100mlの溶液に室温にて滴下
した。滴下後徐々に加温し、50℃にて1.5時間攪
拌し、少量の塩化第一銅を加え、反応を完結させ
た。反応混合物に、過剰量の水を加え、クロロホ
ルムにて抽出し、水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去
すると、粗製の目的物10ｇを得た。析出した結晶
をジイソプロピルエーテルにて洗浄することによ
り、純粋な目的物7.9ｇを得た。融点66〜67℃（収率74％）参考例２ 3.5−ジクロロ−４−エトキシカルボニル−１
−メチルピラゾールの合成（別法） 35−ジクロロ−４−エトキシカルボニルピラ
ゾールの合成 3.5−ジアミノ−４−エトキシカルボニルピラ
ゾール22.7ｇを濃塩酸400mlに溶解し、亜硝酸ナ
トリウム24ｇの50ml水溶液を−10〜０℃にて滴下
し、ジアゾ化した。このジアゾニウム塩溶液を、
硫酸銅五水和物167ｇ、塩化ナトリウム128ｇ及び
水390mlの溶媒に室温にて滴下した。滴下後徐々
に加温し、50℃にて1.5時間攪拌し、少量の塩化
第一銅を加え、反応を完結させた。反応混合物
に、過剰量の水を加え、クロロホルムにて抽出
し、水洗、乾燥後、溶媒を減圧留去すると、粗製
の目的物26.7ｇを結晶として得た。得られた結晶
をジイソプロピルエーテルにて洗浄することによ
り、純粋な目的物23.2ｇを得た。融点111〜112℃（収率83％） 3.5−ジクロロ−４−エトキシカルボニル−
１−メチルピラゾールの合成水酸化ナトリウム（55％含有）2.3ｇをテトラ
ヒドロフラン50mlに懸濁し、3.5−ジクロロ−４
−エトキシカルボニル−ピラゾール10ｇのテトラ
ヒドロフラン溶液30mlを10℃にて滴下した。室温
攪拌30分後、ヨウ化メチル7.7ｇを、室温にて滴
下し、加熱還流下、1.5時間攪拌した。反応後、
氷冷下、氷水を加え、濃塩酸にて中和後有機層を
分離し、水層はジエチルエーテルにて抽出した。
有機層を合わせ、水洗、乾燥し、溶媒を減圧留去
すると粗製の目的物11ｇを結晶として得た。得ら
れた目的物をｎ−ヘキサンにて洗浄すると純粋な
目的物10ｇを得た。（融点66〜67℃（収率93％）参考例３ 3.5−ジクロロ−４−メトキシカルボニル−１
−メチルピラゾールの合成参考例１において、3.5−ジアミノ−４−エト
キシカルボニル−１−メチルピラゾールの代わり
に、3.5−ジアミノ−４−メトキシカルボニル−
１−メチルピラゾール8.5ｇを用いること以外は、
参考例１に準じて標記化合物7.4ｇを合成したる。
融点58〜59℃（収率71％）参考例４３−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−メ
チルピラゾール−５−スルホンアミドの合成３−クロロ−５−クロロスルホニル−４−エ
トキシカルボニル−１−メチルピラゾールの合
成３−クロロ−４−エトキシカルボニル−５−メ
ルカプト−１−メチルピラゾール5.6ｇを、酢酸
40ml及び水10mlに懸濁し、激しく攪拌しつつ10〜
15℃にて塩素を30分間吹込んだ。その後、５℃に
て15分間攪拌した後、過剰量の氷水に注ぎ、ジエ
チルエーテにて抽出した。有機層を水洗、乾燥
し、溶媒を減圧留去すると、粗製の目的物6.9ｇ
を油状物として得た。標記スルホニルクロライド
の沸点は、133℃／0.2mm^Hgであつた。３−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−
メチルピラゾール−５−スルホンアミドの合成前記で得られた３−クロロ−５−クロロスル
ホニル−４−エトキシカルボニル−１−メチルピ
ラゾール6.9ｇを二酸化エタン70mlにて溶解し、
炭酸アンモニウム4.1ｇを室温にて加えた。室温
にて一夜攪拌後固体を別し液を濃縮すること
により、精製の目的物を結晶として得た。得られ
た結晶をジイソプロピルエーテルにて洗浄すると
純粋な目的物5.5ｇを得たる融点121〜123℃，（
→の総収率81％）参考例５３−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−メ
チルピラゾール−５−スルホンアミドの合成
（別法）実施例３に於て得られた５−ベンジルチオ−３
−クロロ−４−エトキシカルボニル−１−メチル
ピラゾール6.2ｇを用いて参考例４に準じて同様
に行つた。目的とするスルホンアミドの収量4.2
ｇ。（総収率79％）。

Claims

【特許請求の範囲】１一般式（）：【式】〔式中R¹は低級アルキル基を、R²は水素原子
または低級アルキル基を、R³は水素原子、低級
アルキル基、ベンジル基、アルカリ金属原子また
は【式】（R¹は低級アルキル基、 R²は水素原子または低級アルキル基を示す。）を
示す。〕で表される５−置換チオピラゾール誘導体。２一般式（）：【化】〔式中R¹は低級アルキル基を、R²は水素原子
または低級アルキル基を示す。〕で表されるジハロゲノピラゾール誘導体と、ナト
リウムジスルフイドまたは一般式（）： R³SNa （）〔式中R³は水素原子、低級アルキル基または
ベンジル基を示す。〕で表される硫黄化合物を不活性溶媒中で反応させ
ることを特徴とする一般式（）：【化】〔式中R¹は低級アルキル基を、R²は水素原子
または低級アルキル基を、R³は水素原子、低級
アルキル基、ベンジル基、アルカリ金属原子また
は【式】（R¹は低級アルキル基、R²は水素原子または低級アルキル基を示
す。）を示す。〕で表される５−置換チオピラゾール誘導体の製
法。