JPH056945A - 半導体用アルミニウム基板 - Google Patents
半導体用アルミニウム基板Info
- Publication number
- JPH056945A JPH056945A JP18161491A JP18161491A JPH056945A JP H056945 A JPH056945 A JP H056945A JP 18161491 A JP18161491 A JP 18161491A JP 18161491 A JP18161491 A JP 18161491A JP H056945 A JPH056945 A JP H056945A
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- JP
- Japan
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- substrate
- aluminum
- anodic oxidation
- holes
- aluminum substrate
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 予め穴明けされた基板１表面及び穴部に絶縁
皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜５を施して
なるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明
けされた基板１が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜２
を施したアルミニウム板からなる。 【効果】 熱伝導率に優れ、軽量で取り扱いが容易で、
しかも安価であるスルホールタイプのピングリッドアレ
ー用のアルミニウム基板を得る。
皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜５を施して
なるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明
けされた基板１が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜２
を施したアルミニウム板からなる。 【効果】 熱伝導率に優れ、軽量で取り扱いが容易で、
しかも安価であるスルホールタイプのピングリッドアレ
ー用のアルミニウム基板を得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体用、特にスルホー
ルタイプのピングリッドアレー用のアルミニウム基板に
関する。
ルタイプのピングリッドアレー用のアルミニウム基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】近年の電子部品（ＩＣパ
ッケージ、多層配線基板等）は、ＬＳＩ／ＶＬＳＩの発
達に伴い、高集積化、小型化、高速化等の要求が強くな
っている。従来のピングリッドアレータイプの素材とし
ては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等のセラミックが使用されてい
る。セラミック製素材は絶縁性、信頼性等に優れた性能
を有するが、熱伝導性（放熱性）、誘電率、重量（軽量
化）、価格等の点において問題点を有する。例えば、熱
伝導率に関して言えば、今後のＬＳＩの高速化による発
熱量の増加に対応するためは高放熱材料を用いる必要が
生じるが、従来のセラミック製材料では必ずしも十分な
放熱性が確保できるものではなかった。
ッケージ、多層配線基板等）は、ＬＳＩ／ＶＬＳＩの発
達に伴い、高集積化、小型化、高速化等の要求が強くな
っている。従来のピングリッドアレータイプの素材とし
ては、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ等のセラミックが使用されてい
る。セラミック製素材は絶縁性、信頼性等に優れた性能
を有するが、熱伝導性（放熱性）、誘電率、重量（軽量
化）、価格等の点において問題点を有する。例えば、熱
伝導率に関して言えば、今後のＬＳＩの高速化による発
熱量の増加に対応するためは高放熱材料を用いる必要が
生じるが、従来のセラミック製材料では必ずしも十分な
放熱性が確保できるものではなかった。
【０００３】本発明は、放熱性、誘電率等が優れ、高集
積化、小型化、高速化等の要求に応じ得る半導体用アル
ミニウム基板を提供することを目的とする。
積化、小型化、高速化等の要求に応じ得る半導体用アル
ミニウム基板を提供することを目的とする。
【０００４】
【問題点を解決するための手段】本発明は、予め穴明け
された基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁
皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用
基板において、前記予め穴明けされた基板として、その
表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板を
用いることにより、前記課題を解決したものである。本
発明において、陽極酸化皮膜はリン酸アルマイトによる
ものが好ましい。
された基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁
皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用
基板において、前記予め穴明けされた基板として、その
表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板を
用いることにより、前記課題を解決したものである。本
発明において、陽極酸化皮膜はリン酸アルマイトによる
ものが好ましい。
【０００５】本発明において、アルミニウムとは、単に
アルミニウムのみでなくアルミニウム合金をも含むもの
である。以下に本発明に係る基板を製造する場合の工程
を図面を参照して説明する。
アルミニウムのみでなくアルミニウム合金をも含むもの
である。以下に本発明に係る基板を製造する場合の工程
を図面を参照して説明する。
【０００６】図１において、１はアルミニウム板であ
り、その材質は問わず、アルミニウムもしくはその合金
のうち適宜のものが使用できるが、穴明け時のだれ防止
と強度の面から、Ａ５０５２Ｐ−Ｈ３４等の比較的硬質
の材料が好ましい。通常、複数個の製品を１枚の板（例
えば、０．６ｏｒ０．８×２５５×３４０ｍｍ）で加工
し、後工程で切断する。
り、その材質は問わず、アルミニウムもしくはその合金
のうち適宜のものが使用できるが、穴明け時のだれ防止
と強度の面から、Ａ５０５２Ｐ−Ｈ３４等の比較的硬質
の材料が好ましい。通常、複数個の製品を１枚の板（例
えば、０．６ｏｒ０．８×２５５×３４０ｍｍ）で加工
し、後工程で切断する。
【０００７】ＮＣドリルやプレス加工により所定個数
（４５００〜５０００穴／枚）の穴（１．５ｏｒ１．８
φ）明けを行う。穴明け後、穴明けで生じたバリをサン
ダー、バフ布等を用いてバリ取りする。バリ高さは２０
μｍ以下にすることが好ましい。
（４５００〜５０００穴／枚）の穴（１．５ｏｒ１．８
φ）明けを行う。穴明け後、穴明けで生じたバリをサン
ダー、バフ布等を用いてバリ取りする。バリ高さは２０
μｍ以下にすることが好ましい。
【０００８】次いで、陽極酸化処理を施し、アルミニウ
ム基板１表面及び穴部上にアルマイト皮膜２を形成す
る。この陽極酸化処理はアルミニウム基板１と次工程で
形成する絶縁材との密着性を向上させるために行うもの
であり、特にリン酸アルマイト皮膜とすることが好まし
い。皮膜厚は、表面部で０．５〜１μｍ、穴部で０．３
〜０．５μｍ程度とする。
ム基板１表面及び穴部上にアルマイト皮膜２を形成す
る。この陽極酸化処理はアルミニウム基板１と次工程で
形成する絶縁材との密着性を向上させるために行うもの
であり、特にリン酸アルマイト皮膜とすることが好まし
い。皮膜厚は、表面部で０．５〜１μｍ、穴部で０．３
〜０．５μｍ程度とする。
【０００９】陽極酸化処理を施したアルミニウム基板表
面及び穴部を絶縁材３で被覆し、その表裏に銅箔（１８
μｍ）４を真空中でホットプレスする。銅箔４はその片
面を粗面化処理しておく。絶縁材３としては、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹
脂が使用できるが、特にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂
が好ましい。
面及び穴部を絶縁材３で被覆し、その表裏に銅箔（１８
μｍ）４を真空中でホットプレスする。銅箔４はその片
面を粗面化処理しておく。絶縁材３としては、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹
脂が使用できるが、特にエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂
が好ましい。
【００１０】次いで、再度、穴明け加工する。そして、
無電解銅メッキにより穴部の表面に銅皮膜５を形成す
る。そして、適宜の大きさに切断し、ここに所望のスル
ホール型アルミニウム基板が得られる。
無電解銅メッキにより穴部の表面に銅皮膜５を形成す
る。そして、適宜の大きさに切断し、ここに所望のスル
ホール型アルミニウム基板が得られる。
【００１１】
以上のような本発明に係るアルミニウム基板の性能を従
来のセラミック製基板との性能を比較すると上表のよう
である。
来のセラミック製基板との性能を比較すると上表のよう
である。
【００１２】上表より、本発明に係るアルミニウム基板
は熱伝導率に優れ、軽量で取り扱いが容易で、しかも安
価であることがわかる。
は熱伝導率に優れ、軽量で取り扱いが容易で、しかも安
価であることがわかる。
【図１】本発明に係るアルミニウム基板を製造する場合
の工程の一例を示す説明図である。
の工程の一例を示す説明図である。
１ アルミニウム基板
２ アルマイト皮膜
３ 絶縁材
４ 銅箔
５ 銅皮膜
Claims (2)
- 【請求項１】 予め穴明けされた基板表面及び穴部に絶
縁皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜を施して
なるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明
けされた基板が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施
したアルミニウム板からなることを特徴とする半導体用
アルミニウム基板。 - 【請求項２】 陽極酸化皮膜がリン酸アルマイトによる
請求項１記載の半導体用アルミニウム基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161491A JP2965271B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体用アルミニウム基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18161491A JP2965271B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体用アルミニウム基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056945A true JPH056945A (ja) | 1993-01-14 |
| JP2965271B2 JP2965271B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=16103884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18161491A Expired - Lifetime JP2965271B2 (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | 半導体用アルミニウム基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2965271B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515712A (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 熱伝導性基板パッケージ |
| EP2068361A1 (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-10 | Phoenix Precision Technology Corporation | Packaging substrate having chip embedded therein and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP18161491A patent/JP2965271B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515712A (ja) * | 2002-10-24 | 2006-06-01 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 熱伝導性基板パッケージ |
| EP2068361A1 (en) * | 2007-12-04 | 2009-06-10 | Phoenix Precision Technology Corporation | Packaging substrate having chip embedded therein and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2965271B2 (ja) | 1999-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990706 |