JP3199193B2 - 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 - Google Patents
半導体搭載用回路基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3199193B2 JP3199193B2 JP31242892A JP31242892A JP3199193B2 JP 3199193 B2 JP3199193 B2 JP 3199193B2 JP 31242892 A JP31242892 A JP 31242892A JP 31242892 A JP31242892 A JP 31242892A JP 3199193 B2 JP3199193 B2 JP 3199193B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- foil
- thickness
- copper
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度実装に適した電
気機器、通信機、自動車等に用いられる半導体搭載用回
路基板に関する。
気機器、通信機、自動車等に用いられる半導体搭載用回
路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体搭載用回路基板では高密度
実装化および高性能化が要求され、半導体素子の小型
化、高性能化、配線回路の微細化が要求されている。ま
た、電源用金属基板等においては、ハイパワー化が必要
とされ大電流を流すことができる配線回路（以下、パタ
ーンと言う）が要求されている。例えば、従来では35μ
ｍ厚の箔を用い 600μｍの幅のパターンを作成していた
ところを、 105μｍ厚の箔を用いることにより 200μｍ
幅のパターンを形成し小型化したいという要求がある。
実装化および高性能化が要求され、半導体素子の小型
化、高性能化、配線回路の微細化が要求されている。ま
た、電源用金属基板等においては、ハイパワー化が必要
とされ大電流を流すことができる配線回路（以下、パタ
ーンと言う）が要求されている。例えば、従来では35μ
ｍ厚の箔を用い 600μｍの幅のパターンを作成していた
ところを、 105μｍ厚の箔を用いることにより 200μｍ
幅のパターンを形成し小型化したいという要求がある。
【０００３】一方、上記パターンに使用される箔として
半導体素子と回路をワイヤーボンディングにて接合する
ことが可能なアルミニウム付き電解銅箔が使用されてい
る。しかしながら、厚みが 100μｍを越える導電箔をエ
ッチングする場合、長時間エッチングを行うため、エッ
チングレジストの剥離や脱落に起因するサイドエッチン
グや配線回路の破壊が生じ、パターン精度の良い 100μ
ｍ以上の回路を有する半導体搭載用回路基板を得ること
ができなかった。
半導体素子と回路をワイヤーボンディングにて接合する
ことが可能なアルミニウム付き電解銅箔が使用されてい
る。しかしながら、厚みが 100μｍを越える導電箔をエ
ッチングする場合、長時間エッチングを行うため、エッ
チングレジストの剥離や脱落に起因するサイドエッチン
グや配線回路の破壊が生じ、パターン精度の良い 100μ
ｍ以上の回路を有する半導体搭載用回路基板を得ること
ができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたものであって、箔厚と回路幅と安全電
流および形成される回路の精度について検討し、高精度
で高密度実装に適した大電流化が可能な半導体搭載用回
路基板を提供することを目的とするものでる。
に鑑みてなされたものであって、箔厚と回路幅と安全電
流および形成される回路の精度について検討し、高精度
で高密度実装に適した大電流化が可能な半導体搭載用回
路基板を提供することを目的とするものでる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は金属
基板に絶縁層を介してアルミニウム−銅接合箔を積層し
てなる回路基板において、前記接合箔によって形成され
た回路の厚さが 100μｍ以上であり、かつ厚みに対する
回路の幅の比が１〜５であることを特徴とする半導体搭
載用回路基板とその製造方法であって、その製造方法は
前記接合箔をエッチングして回路を形成する際に、該接
合箔を構成する箔のうち絶縁層と接する反対側の箔をレ
ジストとしてエッチングすることを特徴とするものであ
る。
基板に絶縁層を介してアルミニウム−銅接合箔を積層し
てなる回路基板において、前記接合箔によって形成され
た回路の厚さが 100μｍ以上であり、かつ厚みに対する
回路の幅の比が１〜５であることを特徴とする半導体搭
載用回路基板とその製造方法であって、その製造方法は
前記接合箔をエッチングして回路を形成する際に、該接
合箔を構成する箔のうち絶縁層と接する反対側の箔をレ
ジストとしてエッチングすることを特徴とするものであ
る。
【０００６】以下、図面により本発明を詳細に説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体搭載用回路基
板（以下、回路基板と言う）とその製造方法を示す断面
図である。図１（ａ）は、ベース金属基板１に絶縁層２
を介して導電箔の厚さが 320μｍのアルミニウム−銅接
合箔３のアルミニウム箔５を上面として積層したもので
ある。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体搭載用回路基
板（以下、回路基板と言う）とその製造方法を示す断面
図である。図１（ａ）は、ベース金属基板１に絶縁層２
を介して導電箔の厚さが 320μｍのアルミニウム−銅接
合箔３のアルミニウム箔５を上面として積層したもので
ある。
【０００７】回路基板に用いるベース金属基板として
は、良熱伝導性を持つアルミニウムおよびアルミニウム
合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金等あるいは銅／
鉄−ニッケル系合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル
系合金／アルミニウム等の複合材料等が使用可能であ
る。本発明においては、ベース金属基板１としては、
０．５ｍｍ〜 ３．０ｍｍのアルミニウムが用いられ
る。
は、良熱伝導性を持つアルミニウムおよびアルミニウム
合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金等あるいは銅／
鉄−ニッケル系合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル
系合金／アルミニウム等の複合材料等が使用可能であ
る。本発明においては、ベース金属基板１としては、
０．５ｍｍ〜 ３．０ｍｍのアルミニウムが用いられ
る。
【０００８】また、絶縁層としては、無機粉体を含有す
る高分子樹脂絶縁層、および耐熱性高分子樹脂絶縁層を
用い、その厚みは２０μｍ〜 ３００μｍが好適であ
る。前記無機粉体としては、アルミナ、ベリリヤ、ボロ
ンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化ケイ素、窒
化アルミ等が好ましく、高分子樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、各種エンジニ
アリングプラスチックが用いられる。本発明においては
エポキシ樹脂が用いられる。
る高分子樹脂絶縁層、および耐熱性高分子樹脂絶縁層を
用い、その厚みは２０μｍ〜 ３００μｍが好適であ
る。前記無機粉体としては、アルミナ、ベリリヤ、ボロ
ンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化ケイ素、窒
化アルミ等が好ましく、高分子樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、各種エンジニ
アリングプラスチックが用いられる。本発明においては
エポキシ樹脂が用いられる。
【０００９】本発明に用いられるアルミニウム−銅接合
箔３の接合方法としては、圧延法でもメッキ法でもかま
わない。圧延法にてアルミニウム−銅接合箔を作製する
場合、箔と絶縁層の接着強さを保持するため、粗面化処
理を行ってもかまわない。この粗面化処理方法としては
機械的方法あるいは化学的方法のいずれの方法でもかま
わない。さらに接着面には接合箔と絶縁層との接着強さ
を保持するため、銅および銅合金粒子の電着処理を行う
ことができる。また、銅の電着処理のほかに、銅−ニッ
ケル合金、銅−コバルト合金、銅−ニッケル−コバルト
合金等の銅合金を用いてもかまわない。また、電着処理
を行った後、防錆処理等を行ってもかまわない。
箔３の接合方法としては、圧延法でもメッキ法でもかま
わない。圧延法にてアルミニウム−銅接合箔を作製する
場合、箔と絶縁層の接着強さを保持するため、粗面化処
理を行ってもかまわない。この粗面化処理方法としては
機械的方法あるいは化学的方法のいずれの方法でもかま
わない。さらに接着面には接合箔と絶縁層との接着強さ
を保持するため、銅および銅合金粒子の電着処理を行う
ことができる。また、銅の電着処理のほかに、銅−ニッ
ケル合金、銅−コバルト合金、銅−ニッケル−コバルト
合金等の銅合金を用いてもかまわない。また、電着処理
を行った後、防錆処理等を行ってもかまわない。
【００１０】また、本発明のアルミニウム−銅接合箔３
は、 100μｍ〜1000μｍが好ましく、さらに好ましくは
150μｍ〜 500μｍの箔厚が望ましい。箔の厚みが 100
μｍ未満では箔の厚みが薄すぎて高密度実装に対応でき
る回路幅を形成する事ができない。また、箔の厚みが10
00μｍを越えるとサイドエッチングが大きく、精度の良
いパターンを形成することが難しい。
は、 100μｍ〜1000μｍが好ましく、さらに好ましくは
150μｍ〜 500μｍの箔厚が望ましい。箔の厚みが 100
μｍ未満では箔の厚みが薄すぎて高密度実装に対応でき
る回路幅を形成する事ができない。また、箔の厚みが10
00μｍを越えるとサイドエッチングが大きく、精度の良
いパターンを形成することが難しい。
【００１１】箔厚が 100μｍを越える導電箔の回路を形
成する方法として、アルミニウム−銅接合箔のアルミニ
ウム箔をエッチングレジストとして用いる。図１（ａ）
〜（ｄ）にアルミニウム−銅接合箔のアルミニウム面を
上面とした場合のエッチングの過程を示した。
成する方法として、アルミニウム−銅接合箔のアルミニ
ウム箔をエッチングレジストとして用いる。図１（ａ）
〜（ｄ）にアルミニウム−銅接合箔のアルミニウム面を
上面とした場合のエッチングの過程を示した。
【００１２】まず、アルミニウム箔５上に所望のレジス
ト６を塗布し、アルミニウムのみを選択的にエッチング
するエッチング液、たとえば、水酸化ナトリウム水溶液
等でエッチングを行う。エッチングレジストを除去した
後、アルミニウム層を侵さず、銅のみエッチング可能な
エッチング液、たとえば硫酸−過酸化水素水溶液等で銅
のエッチング行う。
ト６を塗布し、アルミニウムのみを選択的にエッチング
するエッチング液、たとえば、水酸化ナトリウム水溶液
等でエッチングを行う。エッチングレジストを除去した
後、アルミニウム層を侵さず、銅のみエッチング可能な
エッチング液、たとえば硫酸−過酸化水素水溶液等で銅
のエッチング行う。
【００１３】この際、図１（ｂ）に示すようにアルミニ
ウム箔５が銅のエッチングレジストとなるが銅箔の厚み
が厚いのでエッチング時間が長くかかる。従来使用して
いる有機系のレジスト材料では剥離や脱落等が生じ易い
が、上層のアルミニウム箔をレジスト材料として利用す
るため、レジストの剥離や脱落によるサイドエッチやパ
ターンの破壊等が発生することなく、精度の良いパター
ンを形成することが可能となる。
ウム箔５が銅のエッチングレジストとなるが銅箔の厚み
が厚いのでエッチング時間が長くかかる。従来使用して
いる有機系のレジスト材料では剥離や脱落等が生じ易い
が、上層のアルミニウム箔をレジスト材料として利用す
るため、レジストの剥離や脱落によるサイドエッチやパ
ターンの破壊等が発生することなく、精度の良いパター
ンを形成することが可能となる。
【００１４】つぎに、図１（ｃ）に示すようにアルミパ
ッド等を残したい部分に有機系レジスト７を塗布し、ア
ルミニウムのみ選択的にエッチングする液でエッチング
を行なうことにより、たとえば図１（ｄ）に示すような
ルミパッド８を有する所望のパターンを得る。
ッド等を残したい部分に有機系レジスト７を塗布し、ア
ルミニウムのみ選択的にエッチングする液でエッチング
を行なうことにより、たとえば図１（ｄ）に示すような
ルミパッド８を有する所望のパターンを得る。
【００１５】図２は、ベース金属基板１として厚さ 3.0
ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２となるシリカ含
有エポキシ樹脂を 100μｍの厚みで塗布し、アルミニウ
ム20μｍ−銅 300μｍの接合箔をアルミニウム箔を上面
として張り合わせた回路基板を用い、半導体10等を実装
した半導体搭載回路基板の断面図である。
ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２となるシリカ含
有エポキシ樹脂を 100μｍの厚みで塗布し、アルミニウ
ム20μｍ−銅 300μｍの接合箔をアルミニウム箔を上面
として張り合わせた回路基板を用い、半導体10等を実装
した半導体搭載回路基板の断面図である。
【００１６】
【作用および実施例】〔実施例〕図１（ａ）に示した構
成の基板（アルミニウム基板１；厚さ 3.0ｍｍ、絶縁層
２；厚さ100 μｍ、アルミニウム−銅接合箔３；厚さ20
μｍ− 300μｍ、アルミニウム箔５面を上面）にスクリ
ーン印刷法でレジスト６（NAZDAR 205、吉川加工販売）
を塗布し、1500μｍ幅のラインを形成し乾燥した。つぎ
に、この基板をアルミニウム−銅接合箔３のアルミニム
に対しエッチング可能な水酸化ナトリウム水溶液等でエ
ッチングした。
成の基板（アルミニウム基板１；厚さ 3.0ｍｍ、絶縁層
２；厚さ100 μｍ、アルミニウム−銅接合箔３；厚さ20
μｍ− 300μｍ、アルミニウム箔５面を上面）にスクリ
ーン印刷法でレジスト６（NAZDAR 205、吉川加工販売）
を塗布し、1500μｍ幅のラインを形成し乾燥した。つぎ
に、この基板をアルミニウム−銅接合箔３のアルミニム
に対しエッチング可能な水酸化ナトリウム水溶液等でエ
ッチングした。
【００１７】レジストを取り除いた後、アルミニウム面
をエッチングレジストとして銅のエッチングが可能な硫
酸−過酸化水素水溶液（商品名：クリーンエッチ、三菱
ガス化学製）でエッチングして銅のパターンを形成す
る。アルミニウムパッドが必要な部分に再びレジスト塗
布、乾燥し不必要なアルミニウム部分を苛性ソーダ水溶
液にて取り除き、銅箔部を露出させ、ワイヤーボンディ
ングできるアルミニウムパッド部を有する厚さ300 μ
ｍ、幅1438μｍのパターンを形成した。
をエッチングレジストとして銅のエッチングが可能な硫
酸−過酸化水素水溶液（商品名：クリーンエッチ、三菱
ガス化学製）でエッチングして銅のパターンを形成す
る。アルミニウムパッドが必要な部分に再びレジスト塗
布、乾燥し不必要なアルミニウム部分を苛性ソーダ水溶
液にて取り除き、銅箔部を露出させ、ワイヤーボンディ
ングできるアルミニウムパッド部を有する厚さ300 μ
ｍ、幅1438μｍのパターンを形成した。
【００１８】このパターンは約30Ａの電流を流すことが
でき、従来の35μｍ厚の回路を有する基板よりパターン
密度の高い回路基板を得ることができた。また、上述の
とおり形成されたパターンを有する回路基板の温度が40
℃以下で使用できる安全電流は表１に示すとおり45Ａで
あった。
でき、従来の35μｍ厚の回路を有する基板よりパターン
密度の高い回路基板を得ることができた。また、上述の
とおり形成されたパターンを有する回路基板の温度が40
℃以下で使用できる安全電流は表１に示すとおり45Ａで
あった。
【００１９】
【表１】
【００２０】同様に、ベース金属基板１として厚さ3.0
ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリカ含
有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、アルミニウ
ム厚20μｍ−銅厚が 100μｍ〜1000μｍの表１に示した
接合箔を、アルミニウム面を上面として張り合わせ回路
基板用基板を作製し、上記方法と同様にパターン印刷、
エッチングを行なった。パターンの幅は表１に示した通
り、回路幅と箔の厚みとの比が１〜５となるように設計
した。
ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリカ含
有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、アルミニウ
ム厚20μｍ−銅厚が 100μｍ〜1000μｍの表１に示した
接合箔を、アルミニウム面を上面として張り合わせ回路
基板用基板を作製し、上記方法と同様にパターン印刷、
エッチングを行なった。パターンの幅は表１に示した通
り、回路幅と箔の厚みとの比が１〜５となるように設計
した。
【００２１】エッチング後、回路幅を測長機（東京プロ
セスサービス（株）製ＴＤＳ-600Ｂ）にて測定した実測
値及びそれぞれの条件で形成された回路を有する回路基
板の温度が40℃以下で使用できる安全電流は表１に示す
とおりであった。
セスサービス（株）製ＴＤＳ-600Ｂ）にて測定した実測
値及びそれぞれの条件で形成された回路を有する回路基
板の温度が40℃以下で使用できる安全電流は表１に示す
とおりであった。
【００２２】このようにしてエッチングして形成された
回路の断面図を図３に示すが、回路幅の実測値ｌはパタ
ーン設計値Ｌに対して近く良好なパターンが得られた。
回路の断面図を図３に示すが、回路幅の実測値ｌはパタ
ーン設計値Ｌに対して近く良好なパターンが得られた。
【００２３】〔比較例１〕ベース金属基板１として厚さ
3.0 ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリ
カ含有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、アルミ
ニウム厚20μｍ−銅厚が 100μｍ〜1000μｍの表１に示
した接合箔を、アルミニウム面を上面として張り合わせ
基板を作製した。この基板を実施例１と同様な方法でパ
ターン印刷、エッチングを行なった。この時の回路幅と
箔の厚みとの比は 0.5、６となるように設計した。エッ
チング後、回路幅を測長機（東京プロセスサービス
（株）製ＴＤＳ-600Ｂ）にて測定した。その測定結果を
実施例と併せ表１に示した。
3.0 ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリ
カ含有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、アルミ
ニウム厚20μｍ−銅厚が 100μｍ〜1000μｍの表１に示
した接合箔を、アルミニウム面を上面として張り合わせ
基板を作製した。この基板を実施例１と同様な方法でパ
ターン印刷、エッチングを行なった。この時の回路幅と
箔の厚みとの比は 0.5、６となるように設計した。エッ
チング後、回路幅を測長機（東京プロセスサービス
（株）製ＴＤＳ-600Ｂ）にて測定した。その測定結果を
実施例と併せ表１に示した。
【００２４】その結果、回路幅と箔の厚みの比が 0.5で
は、サイドエッチングにより、アルミニウム箔が剥離し
てしまい、パターンが形成できなかった。また、回路幅
と箔の厚みの比が６のものでは、箔厚 100μｍで回路幅
の実測値が 575μｍを示した。また各膜厚に対する回路
幅の実測値は表１に示すとおりであり、それぞれ所望の
電流を流す回路基板として十分な回路密度をとることが
できず電子部品の小型化の要求を満たすには不十分であ
った。
は、サイドエッチングにより、アルミニウム箔が剥離し
てしまい、パターンが形成できなかった。また、回路幅
と箔の厚みの比が６のものでは、箔厚 100μｍで回路幅
の実測値が 575μｍを示した。また各膜厚に対する回路
幅の実測値は表１に示すとおりであり、それぞれ所望の
電流を流す回路基板として十分な回路密度をとることが
できず電子部品の小型化の要求を満たすには不十分であ
った。
【００２５】〔比較例２〕ベース金属基板１として厚さ
3.0 ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリ
カ含有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、銅厚 3
00μｍの箔を張り合わせ基板を作製した。この基板にエ
ッチングレジストとして熱乾燥タイプのインク（GR147
C, サンワ化学工業（株）製）で1500μｍの回路パター
ンを形成し、実施例１と同様の方法で硫酸−過酸化水素
水溶液を用いエッチングを行なった。この時の回路の断
面を図４に示した。この図から明らかなように、回路幅
の実測値ｌはサイドエッチングが激しく、設計値Ｌに対
してかなり小さく使用することができなかった。
3.0 ｍｍのアルミニウム基板上に、絶縁層２としてシリ
カ含有エポキシ樹脂を100 μｍの厚みで塗布し、銅厚 3
00μｍの箔を張り合わせ基板を作製した。この基板にエ
ッチングレジストとして熱乾燥タイプのインク（GR147
C, サンワ化学工業（株）製）で1500μｍの回路パター
ンを形成し、実施例１と同様の方法で硫酸−過酸化水素
水溶液を用いエッチングを行なった。この時の回路の断
面を図４に示した。この図から明らかなように、回路幅
の実測値ｌはサイドエッチングが激しく、設計値Ｌに対
してかなり小さく使用することができなかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によりアルミニウム−銅接合箔の
厚みに対する回路幅が１〜５の大電流、高密度実装に適
した半導体搭載用回路基板を提供することが可能となる
とともに、その効率よく製造することが可能となった。
厚みに対する回路幅が１〜５の大電流、高密度実装に適
した半導体搭載用回路基板を提供することが可能となる
とともに、その効率よく製造することが可能となった。
【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明の回
路基板とその製造工程の、一例を示す断面図である。
路基板とその製造工程の、一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の回路基板に半導体等を搭載した一例
を模式的に示した図である。
を模式的に示した図である。
【図３】 本発明の回路基板の製造方法の一例を示す、
アルミニウム箔部をエッチングレジストとしてアルミニ
ウム−銅接合箔をエッチングした際の断面図である。
アルミニウム箔部をエッチングレジストとしてアルミニ
ウム−銅接合箔をエッチングした際の断面図である。
【図４】 比較例１のエッチング後の回路基板の断面図
である。
である。
１ ：ベース金属基板 ２ ：絶縁層 ３ ：アルミニウム−銅接合箔 ４ ：銅箔 ５ ：アルミニウム箔 ６、７：エッチングレジスト ８：アルミニウムパッド ９：ワイヤー 10：半導体 11：配線回路（導電回路） 12：半田
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 1/09 H01L 23/12 H05K 1/05 H05K 3/06 H05K 3/44
Claims (1)
- 【請求項１】厚さが０．５〜３．０ｍｍのアルミニウム
基板に無機粉体を含有するエポキシ樹脂からなる絶縁層
を介してアルミニウム−銅接合箔を前記銅箔が前記絶縁
層に接するように積層してなる回路基板において、前記
接合箔によって形成された回路の厚さが１００μｍ以上
であり、厚さに対する回路の幅の比が１〜５であり、し
かも４０℃以下で使用できる安全電流が２８２Ａ以下で
あることを特徴とする半導体搭載用回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31242892A JP3199193B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31242892A JP3199193B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06164090A JPH06164090A (ja) | 1994-06-10 |
| JP3199193B2 true JP3199193B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=18029096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31242892A Expired - Lifetime JP3199193B2 (ja) | 1992-11-20 | 1992-11-20 | 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199193B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210212214A1 (en) * | 2018-05-23 | 2021-07-08 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Method of manufacturing circuit board |
-
1992
- 1992-11-20 JP JP31242892A patent/JP3199193B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06164090A (ja) | 1994-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006240955A (ja) | セラミック基板、セラミック回路基板及びそれを用いた電力制御部品。 | |
| KR960040102A (ko) | 금속기재 다층 회로 기판 및 그 제조 방법과 이를 구비하는 반도체 모듈 | |
| NL8302539A (nl) | Hybride geintegreerde schakeling en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. | |
| KR100860533B1 (ko) | 금속 인쇄회로기판 제조방법 | |
| JP2007134563A (ja) | 段差回路基板、その製造方法およびそれを用いた電力制御部品。 | |
| JP2002118204A (ja) | 半導体装置、並びに半導体搭載用基板及びその製造方法 | |
| JP4172893B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
| JP2009246100A (ja) | 電子部品及び電子部品モジュール | |
| JP3199193B2 (ja) | 半導体搭載用回路基板およびその製造方法 | |
| JP3862454B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
| JPH0613723A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH10200219A (ja) | 回路基板 | |
| JP2003060129A (ja) | 回路基板及び回路基板の部分メッキ方法 | |
| JP3576228B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH10224059A (ja) | ヒートシンク | |
| JP2965271B2 (ja) | 半導体用アルミニウム基板 | |
| JPH0831976A (ja) | シリコン両面実装基板及びその製造方法 | |
| JPH1074859A (ja) | Ｑｆｎ半導体パッケージ | |
| JPH08125295A (ja) | 金属ベース回路基板 | |
| JP4187082B2 (ja) | 金属ベース回路基板とその製造方法 | |
| JP3231295B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
| JPH0360191B2 (ja) | ||
| JP3631028B2 (ja) | 金属ベース回路基板とその製造方法 | |
| JPH0823049A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP2957791B2 (ja) | 半導体搭載回路基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090615 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100615 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110615 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120615 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130615 Year of fee payment: 12 |