JPH056919A - フリツプチツプボンデイング方法 - Google Patents
フリツプチツプボンデイング方法Info
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- JPH056919A JPH056919A JP3156720A JP15672091A JPH056919A JP H056919 A JPH056919 A JP H056919A JP 3156720 A JP3156720 A JP 3156720A JP 15672091 A JP15672091 A JP 15672091A JP H056919 A JPH056919 A JP H056919A
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- semiconductor chip
- chip
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- elastic material
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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-
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程を少なくし、半導体チップや回路基板の
交換を容易にする。 【構成】 弾性材１１によって半導体チップ１２のバン
プ１３,１３を回路基板１５の電極部１６,１６に圧接
し、弾性材１１の脚部を回路基板１５に熱可塑性接着剤
で接着して半導体チップ１２を回路基板１５に仮実装す
る。この状態で検査を行った後、回路基板１５に接着さ
れた弾性材１１内の空間に光硬化性樹脂１９を注入して
半導体チップ１２を封止すると同時に、半導体チップ１
２を回路基板１５に本実装する。このように、仮実装状
態で検査を行って、半導体チップ１２または回路基板１
５が不良の場合には仮実装を解除して不良品を容易に交
換できる。また、本実装と封止とを同時に行って工程数
を少なくする。
交換を容易にする。 【構成】 弾性材１１によって半導体チップ１２のバン
プ１３,１３を回路基板１５の電極部１６,１６に圧接
し、弾性材１１の脚部を回路基板１５に熱可塑性接着剤
で接着して半導体チップ１２を回路基板１５に仮実装す
る。この状態で検査を行った後、回路基板１５に接着さ
れた弾性材１１内の空間に光硬化性樹脂１９を注入して
半導体チップ１２を封止すると同時に、半導体チップ１
２を回路基板１５に本実装する。このように、仮実装状
態で検査を行って、半導体チップ１２または回路基板１
５が不良の場合には仮実装を解除して不良品を容易に交
換できる。また、本実装と封止とを同時に行って工程数
を少なくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばＬＳＩ(大規
模集積回路)等の半導体チップを回路基板上にフリップ
チップ実装する際に用いられるフリップチップボンディ
ング方法に関する。
模集積回路)等の半導体チップを回路基板上にフリップ
チップ実装する際に用いられるフリップチップボンディ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フリップチップボンディングを行
う場合には、図６および図７に示すようにして行ってい
る。すなわち、まず、図６に示すように、半導体チップ
１の表面に形成されたバンプ２,２を回路基板３の電極
４,４に圧接しながら、半導体チップ１を回路基板３に
光硬化性樹脂５で接着固定して実装する。そうした後
に、接続部の信頼性を確保するために、図７に示すよう
に、回路基板３に実装された半導体チップ１をセラミッ
クキャップ６等によってカバーして封止するのである。
う場合には、図６および図７に示すようにして行ってい
る。すなわち、まず、図６に示すように、半導体チップ
１の表面に形成されたバンプ２,２を回路基板３の電極
４,４に圧接しながら、半導体チップ１を回路基板３に
光硬化性樹脂５で接着固定して実装する。そうした後
に、接続部の信頼性を確保するために、図７に示すよう
に、回路基板３に実装された半導体チップ１をセラミッ
クキャップ６等によってカバーして封止するのである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフリップチップボンディング方法によって実装され
た半導体チップ１は回路基板３上に光硬化性樹脂５によ
って接着固定されているので、検査の結果不良箇所が発
見された場合には交換が困難であるという問題がある。
また、無理に半導体チップ１を取り出そうとすると回路
基板３にもダメージが与えられてしまうという問題があ
る。また、実装工程の他に、セラミックキャップ６でカ
バーしたり樹脂でモールドしたりする封止工程が必要で
あり、工程数が多くなるという問題もある。
来のフリップチップボンディング方法によって実装され
た半導体チップ１は回路基板３上に光硬化性樹脂５によ
って接着固定されているので、検査の結果不良箇所が発
見された場合には交換が困難であるという問題がある。
また、無理に半導体チップ１を取り出そうとすると回路
基板３にもダメージが与えられてしまうという問題があ
る。また、実装工程の他に、セラミックキャップ６でカ
バーしたり樹脂でモールドしたりする封止工程が必要で
あり、工程数が多くなるという問題もある。
【０００４】そこで、この発明の目的は、工程数が少な
く、半導体チップや回路基板の容易な交換を可能にする
フリップチップボンディング方法を提供することにあ
る。
く、半導体チップや回路基板の容易な交換を可能にする
フリップチップボンディング方法を提供することにあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明のフリップチップボンディング方法は、
弾性材によってバンプ付半導体チップの上記バンプを回
路基板の電極部に圧接させた後、第１接着剤で上記弾性
材の周囲を上記回路基板に接着して上記半導体チップを
上記回路基板に仮実装する工程と、上記回路基板に接着
された弾性材内の空間に第２接着剤を注入して、上記半
導体チップを上記回路基板に本実装する工程から成るこ
とを特徴としている。
め、第１の発明のフリップチップボンディング方法は、
弾性材によってバンプ付半導体チップの上記バンプを回
路基板の電極部に圧接させた後、第１接着剤で上記弾性
材の周囲を上記回路基板に接着して上記半導体チップを
上記回路基板に仮実装する工程と、上記回路基板に接着
された弾性材内の空間に第２接着剤を注入して、上記半
導体チップを上記回路基板に本実装する工程から成るこ
とを特徴としている。
【０００６】また、第２の発明のフリップチップボンデ
ィング方法は、第１の発明のフリップチップボンディン
グ方法において、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤
を用いる一方、上記第２接着剤として光硬化性樹脂を用
いることを特徴としている。
ィング方法は、第１の発明のフリップチップボンディン
グ方法において、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤
を用いる一方、上記第２接着剤として光硬化性樹脂を用
いることを特徴としている。
【０００７】
【実施例】以下、この発明を図示の実施例により詳細に
説明する。図１乃至図５は、本実施例によるフリップチ
ップボンディング方法における各工程の説明図である。
以下、図１乃至図５に基づいて、本実施例におけるフリ
ップチップボンディング方法について説明する。まず、
図１に示すように、両側に脚部１１a,１１aを有する弾
性材１１の中央部１１bにおける上記脚部１１a,１１a側
の側面に、バンプ１３,１３付き半導体チップ１２の反
バンプ側の側面を張り付ける。さらに、弾性材１１の脚
部１１a,１１aにおける半導体チップ１２側には熱可塑
性接着剤１４を貼付する。すなわち、本実施例において
は、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤１４を用いる
のである。
説明する。図１乃至図５は、本実施例によるフリップチ
ップボンディング方法における各工程の説明図である。
以下、図１乃至図５に基づいて、本実施例におけるフリ
ップチップボンディング方法について説明する。まず、
図１に示すように、両側に脚部１１a,１１aを有する弾
性材１１の中央部１１bにおける上記脚部１１a,１１a側
の側面に、バンプ１３,１３付き半導体チップ１２の反
バンプ側の側面を張り付ける。さらに、弾性材１１の脚
部１１a,１１aにおける半導体チップ１２側には熱可塑
性接着剤１４を貼付する。すなわち、本実施例において
は、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤１４を用いる
のである。
【０００８】次に、図２に示すように、回路基板１５の
電極部１６,１６に上記半導体チップ１２のバンプ１３,
１３を当接させた後に弾性材１１を回路基板１５側に押
し付けて、バンプ１３,１３を電極部１６,１６に圧接さ
せる。そうした後、加熱治具１７,１７によって熱可塑
性接着剤１４を熔融させて弾性材１１の脚部１１a,１１
aを回路基板１５に接合する。この場合、半導体チップ
１２と回路基板１５とを接合しているのは熱可塑性接着
剤１４であるから、再度上記脚部１１a,１１aを加熱す
れば接合は容易に解除されるのである。すなわち、本実
施例においては、熱可塑性接着剤１４で半導体チップ１
２を回路基板１５に仮実装するのである。
電極部１６,１６に上記半導体チップ１２のバンプ１３,
１３を当接させた後に弾性材１１を回路基板１５側に押
し付けて、バンプ１３,１３を電極部１６,１６に圧接さ
せる。そうした後、加熱治具１７,１７によって熱可塑
性接着剤１４を熔融させて弾性材１１の脚部１１a,１１
aを回路基板１５に接合する。この場合、半導体チップ
１２と回路基板１５とを接合しているのは熱可塑性接着
剤１４であるから、再度上記脚部１１a,１１aを加熱す
れば接合は容易に解除されるのである。すなわち、本実
施例においては、熱可塑性接着剤１４で半導体チップ１
２を回路基板１５に仮実装するのである。
【０００９】次に、図３に示すように、上記加熱治具１
７,１７を除去した後、半導体チップ１２および回路基
板１５の検査を実施する。その結果、半導体チップ１２
あるいは回路基板１５が不良であれば、再度加熱治具１
７,１７を装着して弾性材１１の脚部１１a,１１aを加熱
し、脚部１１a,１１aと回路基板１５との接合を解除す
る。そして、半導体チップ１２が不良であれば半導体チ
ップ１２を弾性材１１と共に交換する。一方、回路基板
１５が不良であれば回路基板１５を交換する。その後、
上述の工程を検査結果が良となるまで繰り返す。
７,１７を除去した後、半導体チップ１２および回路基
板１５の検査を実施する。その結果、半導体チップ１２
あるいは回路基板１５が不良であれば、再度加熱治具１
７,１７を装着して弾性材１１の脚部１１a,１１aを加熱
し、脚部１１a,１１aと回路基板１５との接合を解除す
る。そして、半導体チップ１２が不良であれば半導体チ
ップ１２を弾性材１１と共に交換する。一方、回路基板
１５が不良であれば回路基板１５を交換する。その後、
上述の工程を検査結果が良となるまで繰り返す。
【００１０】検査の結果、半導体チップ１２および回路
基板１５が良品であると判定された場合には、図４に示
すように、弾性材１１,半導体チップ１２および回路基
板１５によって囲まれた空間１８に、光硬化性樹脂１９
を注入して光硬化させる。その際に、上記弾性材１１の
脚部１１a,１１aと回路基板１５とは熱可塑性接着剤に
よって接合されているので、脚部１１a,１１aと回路基
板１５とは分離することはないのである。すなわち、本
実施例においては、上記第２接着剤として光硬化性樹脂
１９を用いるのである。
基板１５が良品であると判定された場合には、図４に示
すように、弾性材１１,半導体チップ１２および回路基
板１５によって囲まれた空間１８に、光硬化性樹脂１９
を注入して光硬化させる。その際に、上記弾性材１１の
脚部１１a,１１aと回路基板１５とは熱可塑性接着剤に
よって接合されているので、脚部１１a,１１aと回路基
板１５とは分離することはないのである。すなわち、本
実施例においては、上記第２接着剤として光硬化性樹脂
１９を用いるのである。
【００１１】上述のように、本実施例においては、検査
結果が良である場合にのみ、光硬化性樹脂１９によって
半導体チップ１２を回路基板１５に本実装すると同時
に、半導体チップ１２を封止するのである。このよう
に、熱によって簡単に変形したりすることのない光硬化
性樹脂１９で上記半導体チップ１２をモールドすること
によって、半導体チップ１２は確実に封止されるのであ
る。こうして、図５に示すように、バンプ１３,１３が
電極部１６,１６に圧接させた状態で半導体チップ１２
が弾性材１１と光硬化性樹脂１９とで封止されて、半導
体チップ１２の回路基板１５への実装が終了する。
結果が良である場合にのみ、光硬化性樹脂１９によって
半導体チップ１２を回路基板１５に本実装すると同時
に、半導体チップ１２を封止するのである。このよう
に、熱によって簡単に変形したりすることのない光硬化
性樹脂１９で上記半導体チップ１２をモールドすること
によって、半導体チップ１２は確実に封止されるのであ
る。こうして、図５に示すように、バンプ１３,１３が
電極部１６,１６に圧接させた状態で半導体チップ１２
が弾性材１１と光硬化性樹脂１９とで封止されて、半導
体チップ１２の回路基板１５への実装が終了する。
【００１２】このように、本実施例によれば、上記弾性
材１１を回路基板１５に熱可塑性接着剤１４によって接
合することによって半導体チップ１２を回路基板１５に
仮実装し、後に光硬化性樹脂１９によって本実装するよ
うにしている。したがって、仮実装の段階で半導体チッ
プ１２や回路基板１５の検査を実施して、不良品がある
場合には仮実装を解除して半導体チップや回路基板を容
易に交換することができるのである。また、本実施例に
よれば、上記半導体チップ１２の回路基板１５への本実
装と半導体チップ１２の封止とを同時に行うことができ
るので、半導体チップ１２を封止するための工程を必要
とせず工程数を少なくできるのである。
材１１を回路基板１５に熱可塑性接着剤１４によって接
合することによって半導体チップ１２を回路基板１５に
仮実装し、後に光硬化性樹脂１９によって本実装するよ
うにしている。したがって、仮実装の段階で半導体チッ
プ１２や回路基板１５の検査を実施して、不良品がある
場合には仮実装を解除して半導体チップや回路基板を容
易に交換することができるのである。また、本実施例に
よれば、上記半導体チップ１２の回路基板１５への本実
装と半導体チップ１２の封止とを同時に行うことができ
るので、半導体チップ１２を封止するための工程を必要
とせず工程数を少なくできるのである。
【００１３】上記実施例においては、上記半導体チップ
１２を回路基板１５に仮実装する際に用いる上記第１接
着剤として熱可塑性接着剤を用い、本実装する際に用い
る第２接着剤として光硬化性樹脂を用いている。しかし
ながら、この発明ではこれに限定されるものではない。
要は、仮実装の際に用いる第１接着剤は容易に接合を解
除することができる接着剤であればよく、本実装の際に
用いる第２接着剤は容易に変形したり接合が解除される
ことのない樹脂であればよい。
１２を回路基板１５に仮実装する際に用いる上記第１接
着剤として熱可塑性接着剤を用い、本実装する際に用い
る第２接着剤として光硬化性樹脂を用いている。しかし
ながら、この発明ではこれに限定されるものではない。
要は、仮実装の際に用いる第１接着剤は容易に接合を解
除することができる接着剤であればよく、本実装の際に
用いる第２接着剤は容易に変形したり接合が解除される
ことのない樹脂であればよい。
【００１４】
【発明の効果】以上より明らかなように、第１の発明の
フリップチップボンディング方法は、半導体チップのバ
ンプを回路基板の電極部に圧接させる弾性材を第１接着
剤で上記回路基板に接着して上記半導体チップを回路基
板に仮実装する工程と、上記回路基板に接着された上記
弾性材内の空間に第２接着剤を注入して上記半導体チッ
プを回路基板に本実装する工程で成したので、仮実装の
状態で半導体チップおよび回路基板を検査することがで
きる。したがって、検査の結果不良であると判定された
半導体チップや回路基板は、仮実装を解除して容易に交
換できる。また、この発明によれば、上記半導体チップ
の回路基板への本実装と半導体チップの封止とを同時に
できるので、半導体チップを封止するための工程を必要
としない。したがって、少ない工程数で半導体チップの
実装および封止を確実に実施できる。
フリップチップボンディング方法は、半導体チップのバ
ンプを回路基板の電極部に圧接させる弾性材を第１接着
剤で上記回路基板に接着して上記半導体チップを回路基
板に仮実装する工程と、上記回路基板に接着された上記
弾性材内の空間に第２接着剤を注入して上記半導体チッ
プを回路基板に本実装する工程で成したので、仮実装の
状態で半導体チップおよび回路基板を検査することがで
きる。したがって、検査の結果不良であると判定された
半導体チップや回路基板は、仮実装を解除して容易に交
換できる。また、この発明によれば、上記半導体チップ
の回路基板への本実装と半導体チップの封止とを同時に
できるので、半導体チップを封止するための工程を必要
としない。したがって、少ない工程数で半導体チップの
実装および封止を確実に実施できる。
【００１５】また、第２の発明のフリップチップボンデ
ィング方法は、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤を
用いたので、上記弾性材を加熱することによって上記半
導体チップの仮実装を容易に解除することができる。さ
らに、上記第２接着剤として光硬化性樹脂を用いたの
で、上記半導体チップは熱によって容易に変形しない接
着剤によって確実に封止されて上記回路基板に本実装さ
れる。
ィング方法は、上記第１接着剤として熱可塑性接着剤を
用いたので、上記弾性材を加熱することによって上記半
導体チップの仮実装を容易に解除することができる。さ
らに、上記第２接着剤として光硬化性樹脂を用いたの
で、上記半導体チップは熱によって容易に変形しない接
着剤によって確実に封止されて上記回路基板に本実装さ
れる。
【図１】この発明のフリップチップボンディング方法に
おける第１の工程の説明図である。
おける第１の工程の説明図である。
【図２】図１に続く工程の説明図である。
【図３】図２に続く工程の説明図である。
【図４】図３に続く工程の説明図である。
【図５】図４に続く工程の説明図である。
【図６】従来のフリップチップボンディング方法におけ
る実装工程の説明図である。
る実装工程の説明図である。
【図７】図６の実装工程に続く封止工程の説明図であ
る。
る。
１１…弾性材、 １１a…脚部、
１２…半導体チップ、 １３…バンプ、
１４…熱可塑性接着剤、 １５…回路基
板、１６…電極部、 １７…加熱
治具、１９…光硬化性樹脂。
１２…半導体チップ、 １３…バンプ、
１４…熱可塑性接着剤、 １５…回路基
板、１６…電極部、 １７…加熱
治具、１９…光硬化性樹脂。
Claims (2)
- 【請求項１】 弾性材によってバンプ付半導体チップの
上記バンプを回路基板の電極部に圧接させた後、第１接
着剤で上記弾性材の周囲を上記回路基板に接着して上記
半導体チップを上記回路基板に仮実装する工程と、上記
回路基板に接着された弾性材内の空間に第２接着剤を注
入して、上記半導体チップを上記回路基板に本実装する
工程から成ることを特徴とするフリップチップボンディ
ング方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたフリップチップボ
ンディング方法において、上記第１接着剤として熱可塑
性接着剤を用いる一方、上記第２接着剤として光硬化性
樹脂を用いることを特徴とするフリップチップボンディ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156720A JPH056919A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | フリツプチツプボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3156720A JPH056919A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | フリツプチツプボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH056919A true JPH056919A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15633865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3156720A Pending JPH056919A (ja) | 1991-06-27 | 1991-06-27 | フリツプチツプボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH056919A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201921A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
| KR100246354B1 (ko) * | 1997-07-18 | 2000-03-15 | 김영환 | 반도체 패키지 실장장치 |
| US6100597A (en) * | 1996-11-15 | 2000-08-08 | Nec Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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1991
- 1991-06-27 JP JP3156720A patent/JPH056919A/ja active Pending
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