JPH056766B2 - - Google Patents
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- JPH056766B2 JPH056766B2 JP60292303A JP29230385A JPH056766B2 JP H056766 B2 JPH056766 B2 JP H056766B2 JP 60292303 A JP60292303 A JP 60292303A JP 29230385 A JP29230385 A JP 29230385A JP H056766 B2 JPH056766 B2 JP H056766B2
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29230385A JPS62154411A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29230385A JPS62154411A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 透明導電膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62154411A JPS62154411A (ja) | 1987-07-09 |
JPH056766B2 true JPH056766B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-01-27 |
Family
ID=17780012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29230385A Granted JPS62154411A (ja) | 1985-12-26 | 1985-12-26 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62154411A (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008044469A1 (fr) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Particule ultrafine d'oxyde de zinc et son procédé de production |
JP5697449B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2015-04-08 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板および透明電極付き基板の製造方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2545306B2 (ja) * | 1991-03-11 | 1996-10-16 | 誠 小長井 | ZnO透明導電膜の製造方法 |
JPWO2006090806A1 (ja) | 2005-02-24 | 2008-07-24 | 積水化学工業株式会社 | ガリウム含有酸化亜鉛 |
WO2007066490A1 (ja) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 酸化ガリウム-酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、透明導電膜の形成方法及び透明導電膜 |
WO2007072950A1 (ja) * | 2005-12-22 | 2007-06-28 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化亜鉛系透明導電膜のパターニング方法 |
JP4850901B2 (ja) | 2006-03-17 | 2012-01-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化亜鉛系透明導電体及び同透明導電体形成用スパッタリングターゲット |
US8007693B2 (en) | 2006-08-24 | 2011-08-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Zinc oxide based transparent electric conductor, sputtering target for forming of the conductor and process for producing the target |
JP5285331B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2013-09-11 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置 |
JP5003600B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2012-08-15 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、導電性積層体 |
JP4295811B1 (ja) | 2008-09-17 | 2009-07-15 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化亜鉛系ターゲット |
JP2014500403A (ja) * | 2010-12-24 | 2014-01-09 | オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド | 導電膜及びその調製方法並びに応用 |
JP5339100B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2013-11-13 | 住友金属鉱山株式会社 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
JP5761253B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2015-08-12 | 住友金属鉱山株式会社 | Zn−Si−O系酸化物焼結体とその製造方法およびスパッタリングターゲットと蒸着用タブレット |
JP2015135879A (ja) * | 2014-01-16 | 2015-07-27 | 住友化学株式会社 | 高キャリア密度n型ZnO薄膜及びその製造方法 |
JP6356520B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-07-11 | 株式会社カネカ | 透明電極付き基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58220407A (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | 松下電器産業株式会社 | 電圧非直線抵抗器の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-26 JP JP29230385A patent/JPS62154411A/ja active Granted
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62154411A (ja) | 1987-07-09 |
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