JPH056570Y2 - - Google Patents
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- JPH056570Y2 JPH056570Y2 JP1984154463U JP15446384U JPH056570Y2 JP H056570 Y2 JPH056570 Y2 JP H056570Y2 JP 1984154463 U JP1984154463 U JP 1984154463U JP 15446384 U JP15446384 U JP 15446384U JP H056570 Y2 JPH056570 Y2 JP H056570Y2
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- magnetic
- thin film
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- polymer
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Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、磁気デイスクに係り、特に金属磁性
薄膜を磁気記録媒体とする耐摩耗性の秀れた高密
度記録用の磁気デイスクに関するものである。
薄膜を磁気記録媒体とする耐摩耗性の秀れた高密
度記録用の磁気デイスクに関するものである。
(ロ) 従来の技術
Co、Fe、Co−Ni、Co−Cr等の金属磁性薄膜
を磁気記録媒体とする磁気デイスクは、高密度記
録特性が秀れていることが確認されてはいるが、
磁気ヘツドとの接触走行による金属磁性薄膜の摩
耗が激しく、実用化の隘路となつている。
を磁気記録媒体とする磁気デイスクは、高密度記
録特性が秀れていることが確認されてはいるが、
磁気ヘツドとの接触走行による金属磁性薄膜の摩
耗が激しく、実用化の隘路となつている。
この様な摩耗対策として、例えば、特公昭53−
3922号に開示されている情報記録体(ビデオデイ
スク)で採用されている様に金属磁性薄膜上にメ
チルアルキルシロキサン化合物等を潤滑剤として
使用し磁気デイスク上に被膜状にコーテイングし
ておくことも考えられるが、被膜自身の耐久性の
限界或は磁気ヘツドとの接触走行のため生ずる剥
離等のために比較的短時間で金属磁性薄膜が露出
してしまうという欠点を余儀なくされ、実用上満
足のゆく磁気デイスクとしての耐久性寿命を満足
するには至つていない。また、磁気デイスクの記
録密度を高くするために記録トラツク幅を小さく
した場合、隣接トラツクからのクロストークが生
じるという問題がある。
3922号に開示されている情報記録体(ビデオデイ
スク)で採用されている様に金属磁性薄膜上にメ
チルアルキルシロキサン化合物等を潤滑剤として
使用し磁気デイスク上に被膜状にコーテイングし
ておくことも考えられるが、被膜自身の耐久性の
限界或は磁気ヘツドとの接触走行のため生ずる剥
離等のために比較的短時間で金属磁性薄膜が露出
してしまうという欠点を余儀なくされ、実用上満
足のゆく磁気デイスクとしての耐久性寿命を満足
するには至つていない。また、磁気デイスクの記
録密度を高くするために記録トラツク幅を小さく
した場合、隣接トラツクからのクロストークが生
じるという問題がある。
(ハ) 考案が解決すべき問題点
本考案は、上述の従来技術の欠点を、外部から
の潤滑油補給手段に依らず解決し、且つ隣接トラ
ツクからのクロストークを防止した実用上満足の
ゆく磁気デイスクを提供するものである。
の潤滑油補給手段に依らず解決し、且つ隣接トラ
ツクからのクロストークを防止した実用上満足の
ゆく磁気デイスクを提供するものである。
(ニ) 問題点を解決する手段
非磁性の基盤上に潤滑油を含浸した高分子環状
膜と環状の金属磁性薄膜とを交互に同心的に形成
し、隣接する前記金属磁性薄膜をその間に位置す
る前記高分子環状膜により分離する。
膜と環状の金属磁性薄膜とを交互に同心的に形成
し、隣接する前記金属磁性薄膜をその間に位置す
る前記高分子環状膜により分離する。
(ホ) 作用
磁気デイスクの回転と磁気ヘツドと金属磁性薄
膜との間の接触走行によつて生ずる負圧により、
高分子環状膜から含浸油が適宜金属磁性薄膜上に
供給されて磁気ヘツドと金属磁性薄膜間の接触走
行を円滑ならしめ、耐久性を向上せしめ、さらに
隣接する金属磁性薄膜間のクロストークがその間
に位置する高分子環状膜により防止される。
膜との間の接触走行によつて生ずる負圧により、
高分子環状膜から含浸油が適宜金属磁性薄膜上に
供給されて磁気ヘツドと金属磁性薄膜間の接触走
行を円滑ならしめ、耐久性を向上せしめ、さらに
隣接する金属磁性薄膜間のクロストークがその間
に位置する高分子環状膜により防止される。
(ヘ) 実施例
以下、本考案の磁気デイスクの平面図を示す第
1図と断面図を示す第2図を参照しつつ説明す
る。図番1は、非磁性の基盤を示すもので、この
基盤はハードデイスクの場合にはセラミツク、ア
ルマイト、アルミニウム或はガラスを素材とし、
ソフトデイスクの場合にはポリエチレン、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子樹脂フイルムを素材
として成形される。前記デイスク状の基盤1の中
心には、磁気デイスク記録再生装置のターンテー
ブルのスピンドル(図示せず)に嵌合し、磁気デ
イスク自身をターンテーブルにクランプするため
の取付孔2が設けられる。前記取付孔2の周囲に
は、帯電防止用の未記録金属薄膜環3が設けら
れ、その内端縁は前記取付孔1の内壁に電気的に
接続され、前記スピンドルを介して装置の基準電
位点に接続される。
1図と断面図を示す第2図を参照しつつ説明す
る。図番1は、非磁性の基盤を示すもので、この
基盤はハードデイスクの場合にはセラミツク、ア
ルマイト、アルミニウム或はガラスを素材とし、
ソフトデイスクの場合にはポリエチレン、ポリイ
ミド、ポリアミド等の高分子樹脂フイルムを素材
として成形される。前記デイスク状の基盤1の中
心には、磁気デイスク記録再生装置のターンテー
ブルのスピンドル(図示せず)に嵌合し、磁気デ
イスク自身をターンテーブルにクランプするため
の取付孔2が設けられる。前記取付孔2の周囲に
は、帯電防止用の未記録金属薄膜環3が設けら
れ、その内端縁は前記取付孔1の内壁に電気的に
接続され、前記スピンドルを介して装置の基準電
位点に接続される。
前記金属薄膜環3の外側には、シリコンオイル
やパーフルオロアルキルポリエーテル等を含浸し
たポリエチレン等の高分子樹脂薄膜4が前記取付
孔1に対し同心環状に形成されている。(以下高
分子環状薄膜と称す)この高分子環状薄膜4の外
側には磁気記録トラツクを形成するCo−Cr、Co
−N、Co、Fe等の磁性金属を主成分とする磁性
薄膜5が、同様に上記取付孔2に対して同心的に
形成されている。(以下この薄膜5を環状磁性薄
膜と称す)以下同様にして上記基盤1上には取付
孔2を中心として高分子環状薄膜4,4,4……
と環状磁性薄膜5,5,5……とが交互に配置さ
れ、最外周の少し巾広の環状磁性薄膜で終端す
る。前記高分子環状薄膜4,4,4……は基盤1
上に直接形成されており、隣接する環状磁性薄膜
5,5はその間に位置する高分子環状薄膜4によ
り完全に分離されている。
やパーフルオロアルキルポリエーテル等を含浸し
たポリエチレン等の高分子樹脂薄膜4が前記取付
孔1に対し同心環状に形成されている。(以下高
分子環状薄膜と称す)この高分子環状薄膜4の外
側には磁気記録トラツクを形成するCo−Cr、Co
−N、Co、Fe等の磁性金属を主成分とする磁性
薄膜5が、同様に上記取付孔2に対して同心的に
形成されている。(以下この薄膜5を環状磁性薄
膜と称す)以下同様にして上記基盤1上には取付
孔2を中心として高分子環状薄膜4,4,4……
と環状磁性薄膜5,5,5……とが交互に配置さ
れ、最外周の少し巾広の環状磁性薄膜で終端す
る。前記高分子環状薄膜4,4,4……は基盤1
上に直接形成されており、隣接する環状磁性薄膜
5,5はその間に位置する高分子環状薄膜4によ
り完全に分離されている。
尚、高分子環状膜の潤滑油含浸孔の径、材質、
巾、潤滑油の粘度等については、磁気デイスクの
記録トラツク(環状金属薄膜)の巾、回転速度、
磁気ヘツドの接触面積と材質、等を考慮し実験に
より決定する。
巾、潤滑油の粘度等については、磁気デイスクの
記録トラツク(環状金属薄膜)の巾、回転速度、
磁気ヘツドの接触面積と材質、等を考慮し実験に
より決定する。
斯る構成により、磁気デイスク走行中遠心力と
磁気ヘツドと記録トラツクの接触走行による負圧
によつて各高分子環状薄膜4,4……から所望の
潤滑油が環状金属薄膜5,5……上に薄く供給さ
れ浸透するから、磁気ヘツドと記録トラツク間の
接触摩擦は著しく軽減されしかもかなりの恒常性
をもつて低く抑えられるので、磁気デイスの耐久
性を大巾に向上せしめる。また、隣接する環状磁
性薄膜5,5がその間に位置する高分子環状薄膜
4により完全に分離されているため、記録トラツ
ク幅を小さくした場合においても、隣接する環状
磁性薄膜5,5間、即ち隣接する記録トラツク間
のクロストークは防止され、高密度記録に適す
る。
磁気ヘツドと記録トラツクの接触走行による負圧
によつて各高分子環状薄膜4,4……から所望の
潤滑油が環状金属薄膜5,5……上に薄く供給さ
れ浸透するから、磁気ヘツドと記録トラツク間の
接触摩擦は著しく軽減されしかもかなりの恒常性
をもつて低く抑えられるので、磁気デイスの耐久
性を大巾に向上せしめる。また、隣接する環状磁
性薄膜5,5がその間に位置する高分子環状薄膜
4により完全に分離されているため、記録トラツ
ク幅を小さくした場合においても、隣接する環状
磁性薄膜5,5間、即ち隣接する記録トラツク間
のクロストークは防止され、高密度記録に適す
る。
(ト) 効果
本考案に依れば金属磁性薄膜を記録媒体とした
磁気デイスクの耐久性を大巾に向上せしめ、更に
はクロストーク無しに高密度記録を可能にするも
のである。
磁気デイスクの耐久性を大巾に向上せしめ、更に
はクロストーク無しに高密度記録を可能にするも
のである。
第1図は本考案の磁気デイスクの平面図、第2
図は同じく断面図である。 1……基盤、4……高分子環状薄膜、5……環
状金属薄膜(記録トラツク)。
図は同じく断面図である。 1……基盤、4……高分子環状薄膜、5……環
状金属薄膜(記録トラツク)。
Claims (1)
- セラミツク等の非磁性基盤上に、潤滑油を含浸
した高分子環状膜と環状の金属磁性薄膜とを交互
に同心的に形成し、隣接する前記金属磁性薄膜を
その間に位置する前記高分子環状膜により分離し
たことを特徴とする磁気デイスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984154463U JPH056570Y2 (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984154463U JPH056570Y2 (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6172717U JPS6172717U (ja) | 1986-05-17 |
JPH056570Y2 true JPH056570Y2 (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=30712454
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984154463U Expired - Lifetime JPH056570Y2 (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH056570Y2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619527A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Fujitsu Ltd | Magnetic disc |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP1984154463U patent/JPH056570Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5619527A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-24 | Fujitsu Ltd | Magnetic disc |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6172717U (ja) | 1986-05-17 |
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