JPH0562951A - 接着型ｓｏｉ基板用支持基板 - Google Patents
接着型ｓｏｉ基板用支持基板Info
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- JPH0562951A JPH0562951A JP22160291A JP22160291A JPH0562951A JP H0562951 A JPH0562951 A JP H0562951A JP 22160291 A JP22160291 A JP 22160291A JP 22160291 A JP22160291 A JP 22160291A JP H0562951 A JPH0562951 A JP H0562951A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、Ｓｉ基板を接着させて接着型ＳＯＩ
基板を形成する接着型ＳＯＩ基板用支持基板に関し、製
造工程中に支持基板に研削加工を施しても、良好な面取
り部が残されている接着型ＳＯＩウェーハ用支持基板を
提供することを目的とする。 【構成】ＳＯＩ基板用のＳｉ基板が接着される接着面
と、接着面に対して裏側の裏側研削面と、周端部に形成
された面取り部とを有し、面取り部は、接着面側に形成
された表側傾斜部と、裏側研削面側に形成された裏側傾
斜部と、表側傾斜部端と裏側傾斜部端を結んで断面円弧
状に形成された円弧部とを有し、接着面又は裏側研削面
を研削したときに面取り部の円弧部が残るように、面取
り部が形成されているように構成する。
基板を形成する接着型ＳＯＩ基板用支持基板に関し、製
造工程中に支持基板に研削加工を施しても、良好な面取
り部が残されている接着型ＳＯＩウェーハ用支持基板を
提供することを目的とする。 【構成】ＳＯＩ基板用のＳｉ基板が接着される接着面
と、接着面に対して裏側の裏側研削面と、周端部に形成
された面取り部とを有し、面取り部は、接着面側に形成
された表側傾斜部と、裏側研削面側に形成された裏側傾
斜部と、表側傾斜部端と裏側傾斜部端を結んで断面円弧
状に形成された円弧部とを有し、接着面又は裏側研削面
を研削したときに面取り部の円弧部が残るように、面取
り部が形成されているように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ基板を接着させて
接着型ＳＯＩ基板を形成する接着型ＳＯＩ基板用支持基
板に関する。
接着型ＳＯＩ基板を形成する接着型ＳＯＩ基板用支持基
板に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉ基板と接着型ＳＯＩ基板用支持基板
とを接着して接着型ＳＯＩ基板（接着型誘電体分離基
板）を形成する方法について図３を用いて説明する。図
３Ａは、Ｓｉ基板と支持基板を接着した後に基板周辺を
ベベリング加工し、Ｓｉ基板周辺と支持基板との未接着
部を除去すると共に面取り部を形成する接着型ＳＯＩ基
板の製造方法である。
とを接着して接着型ＳＯＩ基板（接着型誘電体分離基
板）を形成する方法について図３を用いて説明する。図
３Ａは、Ｓｉ基板と支持基板を接着した後に基板周辺を
ベベリング加工し、Ｓｉ基板周辺と支持基板との未接着
部を除去すると共に面取り部を形成する接着型ＳＯＩ基
板の製造方法である。
【０００３】まず、（１００）Ｓｉ基板１表面全体を酸
化して酸化膜２を形成する（工程（ａ））。次に、Ｓｉ
基板１の、支持基板との接着面側に多結晶シリコン層３
を形成（工程（ｂ））した後、多結晶シリコン層３の平
坦化を行う（工程（ｃ））。次に、Ｓｉ基板１の多結晶
シリコン層３を介してＳｉ基板１と支持基板４とを接着
する（工程（ｄ））。
化して酸化膜２を形成する（工程（ａ））。次に、Ｓｉ
基板１の、支持基板との接着面側に多結晶シリコン層３
を形成（工程（ｂ））した後、多結晶シリコン層３の平
坦化を行う（工程（ｃ））。次に、Ｓｉ基板１の多結晶
シリコン層３を介してＳｉ基板１と支持基板４とを接着
する（工程（ｄ））。
【０００４】次に、この接着した基板にベベリング加工
を施して、Ｓｉ基板１と支持基板４の周端に生じた未接
着部を除去すると共に基板周端部に面取り部を形成する
（工程（ｅ））。次に、Ｓｉ基板１上部を研削して薄膜
化し、支持基板４裏面を研削して所定の板厚の接着型Ｓ
ＯＩ基板が形成される（工程（ｆ））。
を施して、Ｓｉ基板１と支持基板４の周端に生じた未接
着部を除去すると共に基板周端部に面取り部を形成する
（工程（ｅ））。次に、Ｓｉ基板１上部を研削して薄膜
化し、支持基板４裏面を研削して所定の板厚の接着型Ｓ
ＯＩ基板が形成される（工程（ｆ））。
【０００５】この図３Ａによる製造方法で形成された接
着型ＳＯＩ基板の大きさは、工程（ｅ）でのベベリング
加工により基板周辺部が削られて、加工前のＳｉ基板１
よりひとまわり小さいものとなる。例えば、６インチの
シリコン基板に工程（ｅ）のベベリング加工を施すと加
工後のＳＯＩ基板は５インチ基板となる。また、５イン
チのＳｉ基板であれば４インチのＳＯＩ基板になる。
着型ＳＯＩ基板の大きさは、工程（ｅ）でのベベリング
加工により基板周辺部が削られて、加工前のＳｉ基板１
よりひとまわり小さいものとなる。例えば、６インチの
シリコン基板に工程（ｅ）のベベリング加工を施すと加
工後のＳＯＩ基板は５インチ基板となる。また、５イン
チのＳｉ基板であれば４インチのＳＯＩ基板になる。
【０００６】このように製造工程前後で基板径が変わっ
てしまうのを防止した製造方法として、図３Ｂの製造方
法がある。Ｂの製造方法を用いると、Ａの製造方法と異
なり、製造工程前後で基板径がほとんど変わらずにＳＯ
Ｉ基板を形成できる。従って、一般にＡの製造方法より
Ｂの製造方法が採用される。図３ＢによるＳＯＩ基板の
製造方法について説明する。この製造工程は、図３Ａの
製造方法の工程（ａ）〜（ｄ）までは、同じ工程をと
る。
てしまうのを防止した製造方法として、図３Ｂの製造方
法がある。Ｂの製造方法を用いると、Ａの製造方法と異
なり、製造工程前後で基板径がほとんど変わらずにＳＯ
Ｉ基板を形成できる。従って、一般にＡの製造方法より
Ｂの製造方法が採用される。図３ＢによるＳＯＩ基板の
製造方法について説明する。この製造工程は、図３Ａの
製造方法の工程（ａ）〜（ｄ）までは、同じ工程をと
る。
【０００７】この製造方法の説明の初めとして、まず、
工程（ｄ）終了時の接着型ＳＯＩ基板用支持基板の周端
部断面の形状を図４を用いて説明する。図４（ａ）及び
図４（ｂ）は、ＭＯＳ系半導体装置に用いられる支持基
板４の周端部を示している。工程（ｄ）の終了時点で、
これら支持基板４の周端部には支持基板４の製造段階で
形成された面取り部が設けられている。
工程（ｄ）終了時の接着型ＳＯＩ基板用支持基板の周端
部断面の形状を図４を用いて説明する。図４（ａ）及び
図４（ｂ）は、ＭＯＳ系半導体装置に用いられる支持基
板４の周端部を示している。工程（ｄ）の終了時点で、
これら支持基板４の周端部には支持基板４の製造段階で
形成された面取り部が設けられている。
【０００８】図４（ａ）の支持基板４の面取り部は、接
着面（図中上側）と裏側研削面（図中下側）を結んで断
面円弧状に形成された円弧部を有しているものである。
支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着面と円弧部の接
合部から円弧部端まで長さＣ1 は２００〜３００μｍ、
基板裏側研削面と円弧部の接合部から円弧部端までの長
さＣ2 は２００〜３００μｍ、円弧部の曲率半径Ｒ1 は
２６０μｍである。
着面（図中上側）と裏側研削面（図中下側）を結んで断
面円弧状に形成された円弧部を有しているものである。
支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着面と円弧部の接
合部から円弧部端まで長さＣ1 は２００〜３００μｍ、
基板裏側研削面と円弧部の接合部から円弧部端までの長
さＣ2 は２００〜３００μｍ、円弧部の曲率半径Ｒ1 は
２６０μｍである。
【０００９】図４（ｂ）の支持基板４の面取り部は、接
着面側に形成された表側傾斜部及び円弧部と、裏側研削
面側に形成された裏側傾斜部及び円弧部と、表側傾斜部
側円弧部と裏側傾斜部側円弧部を結んで形成されてい
る。支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着面側の表側
傾斜部の長さＣ1 は３００〜４００μｍ、傾斜角θ1 は
２２°、基板裏側研削面側の裏側傾斜部の長さＣ2 は３
００〜４００μｍ、傾斜角θ2 は２２°、表側傾斜部側
円弧部の曲率半径Ｒ 1 は１２５μｍ、裏側傾斜部側円弧
部の曲率半径Ｒ2 は１２５μｍである。
着面側に形成された表側傾斜部及び円弧部と、裏側研削
面側に形成された裏側傾斜部及び円弧部と、表側傾斜部
側円弧部と裏側傾斜部側円弧部を結んで形成されてい
る。支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着面側の表側
傾斜部の長さＣ1 は３００〜４００μｍ、傾斜角θ1 は
２２°、基板裏側研削面側の裏側傾斜部の長さＣ2 は３
００〜４００μｍ、傾斜角θ2 は２２°、表側傾斜部側
円弧部の曲率半径Ｒ 1 は１２５μｍ、裏側傾斜部側円弧
部の曲率半径Ｒ2 は１２５μｍである。
【００１０】図４（ｃ）は、バイポーラ系半導体装置に
用いられる支持基板４の面取り部を示す。図４（ｃ）の
支持基板４の面取り部は、表側傾斜部及び円弧部と、裏
側傾斜部及び円弧部と、表側傾斜部側円弧部と裏側傾斜
部側円弧部を結んで形成されている。支持基板４の厚さ
Ｔは５２５μｍ、表側傾斜部の長さＣ1 は３００〜５０
０μｍ、傾斜角θ1 は１１°、裏側傾斜部の長さＣ2 は
３００〜５００μｍ、傾斜角θ2 は１１°、表側傾斜部
側円弧部の曲率半径Ｒ1 は１２５μｍ、裏側傾斜部側円
弧部の曲率半径Ｒ2 は１２５μｍである。
用いられる支持基板４の面取り部を示す。図４（ｃ）の
支持基板４の面取り部は、表側傾斜部及び円弧部と、裏
側傾斜部及び円弧部と、表側傾斜部側円弧部と裏側傾斜
部側円弧部を結んで形成されている。支持基板４の厚さ
Ｔは５２５μｍ、表側傾斜部の長さＣ1 は３００〜５０
０μｍ、傾斜角θ1 は１１°、裏側傾斜部の長さＣ2 は
３００〜５００μｍ、傾斜角θ2 は１１°、表側傾斜部
側円弧部の曲率半径Ｒ1 は１２５μｍ、裏側傾斜部側円
弧部の曲率半径Ｒ2 は１２５μｍである。
【００１１】このような形状をしている支持基板４とＳ
ｉ基板１とを接着した後、接着したＳｉ基板１と支持基
板４の周辺部に生じた未接着部分を除去するためのベベ
リング加工を行う（工程（ｇ））。Ｓｉ基板１周囲の未
接着部の除去は、Ｓｉ基板１周端部を２ｍｍから３ｍｍ
程度の幅で研削して除去することにより行われる。
ｉ基板１とを接着した後、接着したＳｉ基板１と支持基
板４の周辺部に生じた未接着部分を除去するためのベベ
リング加工を行う（工程（ｇ））。Ｓｉ基板１周囲の未
接着部の除去は、Ｓｉ基板１周端部を２ｍｍから３ｍｍ
程度の幅で研削して除去することにより行われる。
【００１２】次に、Ｓｉ基板１上部全面を研削して薄膜
化し、又支持基板４裏面を研削して所定の板厚の接着型
ＳＯＩ基板が形成される（工程（ｈ））。図５を用いて
支持基板４の研削量について説明する。例えば、電話交
換機に使用されるＩＣの場合は、コレクタ、ベース間の
耐圧が３２０Ｖ以上要求されるため、Ｓｉ層の深さ（図
中Ｄ′）は３５μｍ以上必要とされる。また、ＳＯＩ基
板厚Ｄは４００から５００μｍ程度が必要である。従っ
て、支持基板４の厚さＴ＝Ｄ−Ｄ′は、３５０から４５
０μｍ程度にする必要がある。
化し、又支持基板４裏面を研削して所定の板厚の接着型
ＳＯＩ基板が形成される（工程（ｈ））。図５を用いて
支持基板４の研削量について説明する。例えば、電話交
換機に使用されるＩＣの場合は、コレクタ、ベース間の
耐圧が３２０Ｖ以上要求されるため、Ｓｉ層の深さ（図
中Ｄ′）は３５μｍ以上必要とされる。また、ＳＯＩ基
板厚Ｄは４００から５００μｍ程度が必要である。従っ
て、支持基板４の厚さＴ＝Ｄ−Ｄ′は、３５０から４５
０μｍ程度にする必要がある。
【００１３】一般に基板メーカから納入されるＳｉ基板
１の基板厚の制度は、プラスマイナス１５μｍであるか
ら、ＳＯＩ基板の基板厚に所望の厚さを得るには、Ｓｉ
基板１の有する３０μｍのばらつきを考慮して、支持基
板４の基板裏側研削面の研削量を決定する必要がある。
即ち、研削を確実に行うためには、支持基板４の基板裏
側研削面を少なくとも３０μｍ以上研削する必要があ
り、通常はマージンを見込んで約５０μｍ程度研削す
る。
１の基板厚の制度は、プラスマイナス１５μｍであるか
ら、ＳＯＩ基板の基板厚に所望の厚さを得るには、Ｓｉ
基板１の有する３０μｍのばらつきを考慮して、支持基
板４の基板裏側研削面の研削量を決定する必要がある。
即ち、研削を確実に行うためには、支持基板４の基板裏
側研削面を少なくとも３０μｍ以上研削する必要があ
り、通常はマージンを見込んで約５０μｍ程度研削す
る。
【００１４】このようにしてＳｉ基板１の周辺部削除及
び支持基板４の基板裏側研削面の研削を行う工程（ｈ）
を経て形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を図６に示
す。図６（ａ）は、図４（ａ）に示した支持基板４を用
いて形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示す。接着型
ＳＯＩ基板の厚さＤは４５０μｍ、Ｓｉ基板１の厚さＥ
は４０μｍ、多結晶シリコン層３の厚さＦは１０〜１５
μｍである。Ｓｉ基板１周囲の未接着部の除去は、Ｓｉ
基板１周端部からの長さＡ＝３ｍｍだけ行われている。
Ｓｉ基板１未接着部の研削のために、支持基板４は、支
持基板４の接着面から測った研削深さＢ＝６０μｍの深
さまで研削されている。
び支持基板４の基板裏側研削面の研削を行う工程（ｈ）
を経て形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を図６に示
す。図６（ａ）は、図４（ａ）に示した支持基板４を用
いて形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示す。接着型
ＳＯＩ基板の厚さＤは４５０μｍ、Ｓｉ基板１の厚さＥ
は４０μｍ、多結晶シリコン層３の厚さＦは１０〜１５
μｍである。Ｓｉ基板１周囲の未接着部の除去は、Ｓｉ
基板１周端部からの長さＡ＝３ｍｍだけ行われている。
Ｓｉ基板１未接着部の研削のために、支持基板４は、支
持基板４の接着面から測った研削深さＢ＝６０μｍの深
さまで研削されている。
【００１５】従って、接着面と円弧部の接合部から円弧
部端まで長さＣ1 は１００μｍ以下、また、基板裏側研
削面の研削により、基板裏側研削面と円弧部の接合部か
ら円弧部端までの長さＣ2 は４０〜５０μｍとなってし
まっている。図６（ｂ）は、図４（ｂ）に示した支持基
板４を用いて形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示
す。
部端まで長さＣ1 は１００μｍ以下、また、基板裏側研
削面の研削により、基板裏側研削面と円弧部の接合部か
ら円弧部端までの長さＣ2 は４０〜５０μｍとなってし
まっている。図６（ｂ）は、図４（ｂ）に示した支持基
板４を用いて形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示
す。
【００１６】接着型ＳＯＩ基板の厚さＤ、Ｓｉ基板１の
厚さＥ、多結晶シリコン層３の厚さＦ、及び研削長さ
Ａ、研削深さＢの値は図６（ａ）と同じである。周端部
の表側傾斜部の長さＣ1 は１４０〜２４０μｍ、裏側傾
斜部の長さＣ2 は０〜７０μｍとなってしまっている。
図６（ｃ）は、図４（ｃ）に示した支持基板４を用いて
形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示す。
厚さＥ、多結晶シリコン層３の厚さＦ、及び研削長さ
Ａ、研削深さＢの値は図６（ａ）と同じである。周端部
の表側傾斜部の長さＣ1 は１４０〜２４０μｍ、裏側傾
斜部の長さＣ2 は０〜７０μｍとなってしまっている。
図６（ｃ）は、図４（ｃ）に示した支持基板４を用いて
形成された接着型ＳＯＩ基板の断面を示す。
【００１７】接着型ＳＯＩ基板の厚さＤ、Ｓｉ基板１の
厚さＥ、多結晶シリコン層３の厚さＦは、及び研削長さ
Ａ、研削深さＢの値は図６（ａ）、（ｂ）と同じであ
る。周端部の表側傾斜部の長さＣ1 は０〜１９０μｍ、
裏側傾斜部の長さＣ2 は０μｍとなってしまっている。
厚さＥ、多結晶シリコン層３の厚さＦは、及び研削長さ
Ａ、研削深さＢの値は図６（ａ）、（ｂ）と同じであ
る。周端部の表側傾斜部の長さＣ1 は０〜１９０μｍ、
裏側傾斜部の長さＣ2 は０μｍとなってしまっている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】このように、図６に示
したいずれの接着型ＳＯＩ基板の支持基板４も、周端部
の面取りがされていないに等しい状態になっている。工
程（ｇ）で行った、Ｓｉ基板１周囲の未接着部除去のた
めのベベリング加工により支持基板４の接着面を研削し
たこと、Ｓｉ基板１厚を一定量、例えばポリシリコン層
と合わせて５０μｍ以上残すため、また、ウェーハプロ
セス後のグラインダ処理が省略できる程度まで基板厚を
調整するため支持基板４裏面を研削したこと、により支
持基板４周端部の面取りが無くなるのである。
したいずれの接着型ＳＯＩ基板の支持基板４も、周端部
の面取りがされていないに等しい状態になっている。工
程（ｇ）で行った、Ｓｉ基板１周囲の未接着部除去のた
めのベベリング加工により支持基板４の接着面を研削し
たこと、Ｓｉ基板１厚を一定量、例えばポリシリコン層
と合わせて５０μｍ以上残すため、また、ウェーハプロ
セス後のグラインダ処理が省略できる程度まで基板厚を
調整するため支持基板４裏面を研削したこと、により支
持基板４周端部の面取りが無くなるのである。
【００１９】このように、基板周端部に良好な面取り部
のない状態でウェーハプロセスの次工程に移ると、ウェ
ーハプロセス中での基板割れ、カケ、ゴミの原因となる
という問題がある。本発明の目的は、製造工程中に支持
基板に研削加工を施しても、良好な面取り部が残されて
いる接着型ＳＯＩウェーハ用支持基板を提供することに
ある。
のない状態でウェーハプロセスの次工程に移ると、ウェ
ーハプロセス中での基板割れ、カケ、ゴミの原因となる
という問題がある。本発明の目的は、製造工程中に支持
基板に研削加工を施しても、良好な面取り部が残されて
いる接着型ＳＯＩウェーハ用支持基板を提供することに
ある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、ＳＯＩ基板
用のＳｉ基板が接着される接着面と、前記接着面に対し
て裏側の裏側研削面と、周端部に形成された面取り部と
を有し、前記面取り部は、前記接着面側に形成された表
側傾斜部と、前記裏側研削面側に形成された裏側傾斜部
と、前記表側傾斜部端と前記裏側傾斜部端を結んで断面
円弧状に形成された円弧部とを有し、前記接着面又は前
記裏側研削面を研削しても、前記面取り部の前記円弧部
が残るように、前記面取り部が形成されていることを特
徴とする接着型ＳＯＩ基板用支持基板によって達成され
る。
用のＳｉ基板が接着される接着面と、前記接着面に対し
て裏側の裏側研削面と、周端部に形成された面取り部と
を有し、前記面取り部は、前記接着面側に形成された表
側傾斜部と、前記裏側研削面側に形成された裏側傾斜部
と、前記表側傾斜部端と前記裏側傾斜部端を結んで断面
円弧状に形成された円弧部とを有し、前記接着面又は前
記裏側研削面を研削しても、前記面取り部の前記円弧部
が残るように、前記面取り部が形成されていることを特
徴とする接着型ＳＯＩ基板用支持基板によって達成され
る。
【００２１】
【作用】本発明によれば、接着型ＳＯＩ基板用支持基板
の製造工程中に研削加工を施しても円弧部を有する面取
り部を残すことができる。
の製造工程中に研削加工を施しても円弧部を有する面取
り部を残すことができる。
【００２２】
【実施例】本発明の一実施例による接着型ＳＯＩ基板用
支持基板を図１を用いて説明する。図１は、本実施例に
よる接着型ＳＯＩ基板用支持基板の周端部断面を示す図
である。
支持基板を図１を用いて説明する。図１は、本実施例に
よる接着型ＳＯＩ基板用支持基板の周端部断面を示す図
である。
【００２３】本実施例の接着型ＳＯＩ基板用支持基板の
周端部は、従来の基板の周端部に比べて、表側傾斜部と
裏側傾斜部の長さが長いこと、表側傾斜部と裏側傾斜部
を結ぶ断面円弧状に形成された円弧部が一つであること
を特徴とする。支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着
面側の表側傾斜部の長さＣ1 は２ｍｍ、傾斜角θ1 は約
２．４°、基板裏側研削面側の裏側傾斜部の長さＣ2 は
２ｍｍ、傾斜角θ2 は約２．４°、円弧部の曲率半径Ｒ
1 は１５０μｍである。
周端部は、従来の基板の周端部に比べて、表側傾斜部と
裏側傾斜部の長さが長いこと、表側傾斜部と裏側傾斜部
を結ぶ断面円弧状に形成された円弧部が一つであること
を特徴とする。支持基板４の厚さＴは５２５μｍ、接着
面側の表側傾斜部の長さＣ1 は２ｍｍ、傾斜角θ1 は約
２．４°、基板裏側研削面側の裏側傾斜部の長さＣ2 は
２ｍｍ、傾斜角θ2 は約２．４°、円弧部の曲率半径Ｒ
1 は１５０μｍである。
【００２４】図２を用いて本実施例による接着型ＳＯＩ
基板用支持基板について説明する。本実施例の接着型Ｓ
ＯＩ基板用支持基板の裏側研削面から測った円弧部の曲
率中心Ｏの位置は、裏側研削予定深さｔより深い位置に
あるようにし、また、接着面から測った円弧部の曲率中
心Ｏの位置は、接着面研削予定深さｈより深い位置にあ
るようにしている。図中破線で示したのが、基板裏側研
削面の研削予定線である。一点鎖線で示したのが、接着
面の研削予定線である。
基板用支持基板について説明する。本実施例の接着型Ｓ
ＯＩ基板用支持基板の裏側研削面から測った円弧部の曲
率中心Ｏの位置は、裏側研削予定深さｔより深い位置に
あるようにし、また、接着面から測った円弧部の曲率中
心Ｏの位置は、接着面研削予定深さｈより深い位置にあ
るようにしている。図中破線で示したのが、基板裏側研
削面の研削予定線である。一点鎖線で示したのが、接着
面の研削予定線である。
【００２５】また、少なくとも周端部からｄ1 ＝２００
μｍ、ｄ2 ＝２００μｍの距離分だけ面取り部を残すと
研削加工後のカケ等の発生が押さえられる。そこで、円
弧部の曲率半径Ｒ1 を１５０μｍとして表側傾斜部及び
裏側傾斜部の長さを２ｍｍにしたことにより、研削加工
後も円弧部を有し、円弧部及び傾斜部の長さが周端部よ
り２００μｍ以上残すことが可能となる。接着面の周端
部から２〜３ｍｍまでは接着されないので、この領域ま
で傾斜部の長さをのばしても問題はない。
μｍ、ｄ2 ＝２００μｍの距離分だけ面取り部を残すと
研削加工後のカケ等の発生が押さえられる。そこで、円
弧部の曲率半径Ｒ1 を１５０μｍとして表側傾斜部及び
裏側傾斜部の長さを２ｍｍにしたことにより、研削加工
後も円弧部を有し、円弧部及び傾斜部の長さが周端部よ
り２００μｍ以上残すことが可能となる。接着面の周端
部から２〜３ｍｍまでは接着されないので、この領域ま
で傾斜部の長さをのばしても問題はない。
【００２６】ここで、裏面傾斜部の傾斜角θ2 について
考える。裏側研削面から測ったｄ2 の位置における高さ
をｔ′とすると、ｔ＜ｔ′であればよい。 ｔ′＝（Ｃ2 −ｄ2 ）ｔａｎθ2 であるから、裏側傾斜部の傾斜角θ2 は、 ｔ＜（Ｃ2 −ｄ2 ）ｔａｎθ2 で与えられる。但し、ｔ［μｍ］は裏側研削予定深さ、
Ｃ2 ［μｍ］は裏面傾斜部の長さ、ｄ2 は２００μｍで
ある。
考える。裏側研削面から測ったｄ2 の位置における高さ
をｔ′とすると、ｔ＜ｔ′であればよい。 ｔ′＝（Ｃ2 −ｄ2 ）ｔａｎθ2 であるから、裏側傾斜部の傾斜角θ2 は、 ｔ＜（Ｃ2 −ｄ2 ）ｔａｎθ2 で与えられる。但し、ｔ［μｍ］は裏側研削予定深さ、
Ｃ2 ［μｍ］は裏面傾斜部の長さ、ｄ2 は２００μｍで
ある。
【００２７】上式を満足するように裏側傾斜部を形成す
ればよいが、本実施例では、ｔ＝ｔ′、Ｃ2 が２ｍｍの
場合の最小のθ2 を使用している。傾斜を緩やかにする
ためである。同様に、、表側研削面から測ったｄ1 の位
置をｈ′とすると、ｈ＜ｈ′であればよい。
ればよいが、本実施例では、ｔ＝ｔ′、Ｃ2 が２ｍｍの
場合の最小のθ2 を使用している。傾斜を緩やかにする
ためである。同様に、、表側研削面から測ったｄ1 の位
置をｈ′とすると、ｈ＜ｈ′であればよい。
【００２８】ｈ′＝（Ｃ1 −ｄ1 ）ｔａｎθ1 であるから、表側傾斜部の傾斜角θ1 は、 ｈ＜（Ｃ1 −ｄ1 ）ｔａｎθ1 で与えられる。但し、ｈ［μｍ］は接着面研削予定深
さ、Ｃ1 ［μｍ］は表面傾斜部の長さ、ｄ1 は２００μ
ｍである。
さ、Ｃ1 ［μｍ］は表面傾斜部の長さ、ｄ1 は２００μ
ｍである。
【００２９】こうすることにより、工程（ｇ）におい
て、Ｓｉ基板１周囲の未接着部を除去するためのベベリ
ング加工を施して支持基板４の接着面を研削しても、ま
た、支持基板４の裏面を基板厚の調整のため研削して
も、支持基板４に良好な面取り部が残されている。本実
施例によれば、研削加工後も円弧部を有し、円弧部及び
傾斜部の長さが周端部より２００μｍ以上確保した面取
り部を実現できる。
て、Ｓｉ基板１周囲の未接着部を除去するためのベベリ
ング加工を施して支持基板４の接着面を研削しても、ま
た、支持基板４の裏面を基板厚の調整のため研削して
も、支持基板４に良好な面取り部が残されている。本実
施例によれば、研削加工後も円弧部を有し、円弧部及び
傾斜部の長さが周端部より２００μｍ以上確保した面取
り部を実現できる。
【００３０】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、製造工程
中に支持基板に研削加工を施しても良好な面取り部を残
すことができるので、ウェーハプロセス中でのウェーハ
割れ、カケ、ゴミの発生を防止して、安定してウェーハ
プロセスの次工程に移ることができる。
中に支持基板に研削加工を施しても良好な面取り部を残
すことができるので、ウェーハプロセス中でのウェーハ
割れ、カケ、ゴミの発生を防止して、安定してウェーハ
プロセスの次工程に移ることができる。
【図１】本発明の一実施例による接着型ＳＯＩ基板用支
持基板の周端部断面を示す図である。
持基板の周端部断面を示す図である。
【図２】本発明の一実施例による接着型ＳＯＩ基板用支
持基板の説明図である。
持基板の説明図である。
【図３】接着型ＳＯＩ基板用支持基板の製造工程を示す
図である。
図である。
【図４】従来の接着型ＳＯＩ基板用支持基板の基板周端
部の断面図である。
部の断面図である。
【図５】支持基板４の研削量についての説明図である。
【図６】従来の接着型ＳＯＩ基板の断面図である。
１…Ｓｉ基板 ２…酸化膜 ３…多結晶シリコン層 ４…支持基板
Claims (5)
- 【請求項１】 ＳＯＩ基板用のＳｉ基板が接着される接
着面と、前記接着面に対して裏側の裏側研削面と、周端
部に形成された面取り部とを有し、 前記面取り部は、 前記接着面側に形成された表側傾斜部と、 前記裏側研削面側に形成された裏側傾斜部と、 前記表側傾斜部端と前記裏側傾斜部端を結んで断面円弧
状に形成された円弧部とを有し、 前記接着面又は前記裏側研削面を研削したときに前記面
取り部の前記円弧部が残るように、前記面取り部が形成
されていることを特徴とする接着型ＳＯＩ基板用支持基
板。 - 【請求項２】 請求項１記載の接着型ＳＯＩ基板用支持
基板において、 前記裏側研削面から測った前記円弧部の曲率中心の位置
は、裏側研削予定深さより深い位置にあることを特徴と
する接着型ＳＯＩ基板用支持基板。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の接着型ＳＯＩ基板
用支持基板において、 前記接着面から測った前記円弧部の曲率中心の位置は、
接着面研削予定深さより深い位置にあることを特徴とす
る接着型ＳＯＩ基板用支持基板。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の接着
型ＳＯＩ基板用支持基板において、 前記表側傾斜部の傾斜角θ1 は、式 ｈ＜（Ｃ1 −ｄ1 ）ｔａｎθ1 但し、ｈ［μｍ］は接着面研削予定深さ、Ｃ1 ［μｍ］
は前記表面傾斜部の長さ、ｄ1 は２００μｍを満足する
ことを特徴とする接着型ＳＯＩ基板用支持基板。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の接着
型ＳＯＩ基板用支持基板において、 前記裏側傾斜部の傾斜角θ2 は、式 ｔ＜（Ｃ2 −ｄ2 ）ｔａｎθ2 但し、ｔ［μｍ］は裏側研削予定深さ、Ｃ2 ［μｍ］は
前記裏面傾斜部の長さ、ｄ2 は２００μｍを満足するこ
とを特徴とする接着型ＳＯＩ基板用支持基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22160291A JPH0562951A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 接着型ｓｏｉ基板用支持基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22160291A JPH0562951A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 接着型ｓｏｉ基板用支持基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562951A true JPH0562951A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=16769333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22160291A Withdrawn JPH0562951A (ja) | 1991-09-02 | 1991-09-02 | 接着型ｓｏｉ基板用支持基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562951A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041218A1 (fr) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de recyclage d'une plaquette separee et plaquette separee recyclee |
| US7018926B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-03-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2006278807A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 接合部材と接合部材の作製方法 |
-
1991
- 1991-09-02 JP JP22160291A patent/JPH0562951A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001041218A1 (fr) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd. | Procede de recyclage d'une plaquette separee et plaquette separee recyclee |
| US6596610B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-07-22 | Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. | Method for reclaiming delaminated wafer and reclaimed delaminated wafer |
| US6720640B2 (en) | 1999-11-29 | 2004-04-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for reclaiming delaminated wafer and reclaimed delaminated wafer |
| KR100733113B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2007-06-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 박리 웨이퍼의 재생처리방법 |
| US7018926B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-03-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
| JP2006278807A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 接合部材と接合部材の作製方法 |
| JP4668659B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2011-04-13 | 大日本印刷株式会社 | 接合部材と接合部材の作製方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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