JPH0559741B2 - - Google Patents
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- JPH0559741B2 JPH0559741B2 JP60022966A JP2296685A JPH0559741B2 JP H0559741 B2 JPH0559741 B2 JP H0559741B2 JP 60022966 A JP60022966 A JP 60022966A JP 2296685 A JP2296685 A JP 2296685A JP H0559741 B2 JPH0559741 B2 JP H0559741B2
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- light guide
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- guide fiber
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレーザプロープに関する。
近年、患者の体腔内の処置部位をレーザ光で処
置することが試みられている。この場合、内視鏡
の挿通用チヤンネルを通じて体腔内に導入できる
レーザプロープが用いられる。
置することが試みられている。この場合、内視鏡
の挿通用チヤンネルを通じて体腔内に導入できる
レーザプロープが用いられる。
従来、この種のレーザプロープは第7図で示す
ようにその先端に出射用先端チツプaが設けられ
ている。そして、この出射用先端チツプaはレー
ザプローブの先端に設けた固定部材bに取付け固
定されている。
ようにその先端に出射用先端チツプaが設けられ
ている。そして、この出射用先端チツプaはレー
ザプローブの先端に設けた固定部材bに取付け固
定されている。
また、固定部材bに固定する方法として第7図
で示すように固定部材bの先端縁部cでかしめ付
ける方法の他に、出射用先端チツプaの周側壁を
その側方から締め付けて挟み込む方法がある。
で示すように固定部材bの先端縁部cでかしめ付
ける方法の他に、出射用先端チツプaの周側壁を
その側方から締め付けて挟み込む方法がある。
しかし、前者の方式は固定部材bの先端縁部c
でかしめ付けるとき、セラミツク製の先端チツプ
aが脆いだけに大きな力を加えることができな
い。しかも、先端チツプaの一部分だけしかかし
め固定できない。したがつて、強く確実に固定で
きないため、先着チツプaが緩みやすい。
でかしめ付けるとき、セラミツク製の先端チツプ
aが脆いだけに大きな力を加えることができな
い。しかも、先端チツプaの一部分だけしかかし
め固定できない。したがつて、強く確実に固定で
きないため、先着チツプaが緩みやすい。
後者の方式は出射用先端チツプaの側外周に大
径な固定部材がくるため、その分だけ少なくとも
大径化する。したがつて、内視鏡の挿通用チヤン
ネルを通じて体腔内に導入しようとしたとき、挿
入できなかつたり、引つ掛つたりする欠点があつ
た。
径な固定部材がくるため、その分だけ少なくとも
大径化する。したがつて、内視鏡の挿通用チヤン
ネルを通じて体腔内に導入しようとしたとき、挿
入できなかつたり、引つ掛つたりする欠点があつ
た。
本発明は、上記事情に着目してなされたもの
で、その目的とするところは、レーザプローブの
先端に出射用先端チツプを大径化することなく、
確実に固定できるレーザプローブを提供すること
にある。
で、その目的とするところは、レーザプローブの
先端に出射用先端チツプを大径化することなく、
確実に固定できるレーザプローブを提供すること
にある。
本発明はレーザプローブの導光用フアイバの先
端にセラミツツク製の先端チツプを加熱接合して
固定したレーザプローブである。
端にセラミツツク製の先端チツプを加熱接合して
固定したレーザプローブである。
第1図および第2図は本発明の第1の実施例を
示す。第1図中1はレーザ光発生装置であり、こ
のレーザ光発生装置1の前面上部にはレーザプロ
ーブ2のコネクタ3を接続する出射用ソケツト4
が設けられている。レーザプローブ2は内視鏡5
の挿通用チヤンネル6に挿通できる長尺な可撓性
の挿入部7を有してなり、その挿入部7の基端に
上記コネクタ3が設けられている。
示す。第1図中1はレーザ光発生装置であり、こ
のレーザ光発生装置1の前面上部にはレーザプロ
ーブ2のコネクタ3を接続する出射用ソケツト4
が設けられている。レーザプローブ2は内視鏡5
の挿通用チヤンネル6に挿通できる長尺な可撓性
の挿入部7を有してなり、その挿入部7の基端に
上記コネクタ3が設けられている。
上記挿入部7は導光フアイバ8を外皮9で被覆
してなり、上記導光フアイバ8はコア11とこの
周囲を包囲するクラツド12で構成されている。
そして、導光フアイバ8の先端には第2図で示す
ようにアルミナなどの透明なセラミツク材料から
なる先端チツプ13が取り付けられている。この
先端チツプ13の先端部分は円錐形に形成されて
いて、上記導光フアイバ8を通じて伝わつてきた
レーザ光を内面反射させながら集束し、先端から
出射するようになつている。なお、先端チツプ1
3の少なくとも先端部分には上記外皮9がない。
してなり、上記導光フアイバ8はコア11とこの
周囲を包囲するクラツド12で構成されている。
そして、導光フアイバ8の先端には第2図で示す
ようにアルミナなどの透明なセラミツク材料から
なる先端チツプ13が取り付けられている。この
先端チツプ13の先端部分は円錐形に形成されて
いて、上記導光フアイバ8を通じて伝わつてきた
レーザ光を内面反射させながら集束し、先端から
出射するようになつている。なお、先端チツプ1
3の少なくとも先端部分には上記外皮9がない。
さらに、先端チツプ13は導光フアイバ8のコ
ア11およびクラツド12の各先端面に加熱接合
され、これにより機械的に連結固定されるととも
に、コア11と先端チツプ13は光学的にも連結
されるようになつている。
ア11およびクラツド12の各先端面に加熱接合
され、これにより機械的に連結固定されるととも
に、コア11と先端チツプ13は光学的にも連結
されるようになつている。
上記加熱接合する手段としては酸化物ソルダー
法、ホツトプレス法、高温加熱法などがある。酸
化物ソルダー法とは酸化物をソルダーとして用
い、このソルダーをセラミツクと被接合材料との
間に入れ、加熱処理して接合する方法である。こ
の方法は主としてセラミツク−セラミツク、セラ
ミツク−金属の接合にも適する。酸化系、非酸化
系を問わず、どちらのセラミツクのも適用でき
る。酸化物ソルダには各種あり、融点が12000℃
ないし2000℃に至るまでのものがある。接合時の
加熱雰囲気としては空気中、中性ガス中、還元雰
囲気中あるいは真空中などでよい。また、酸化物
ソルダの熱膨張係数としてはセラミツクと被接合
材料にほぼ一致していることが望ましい。
法、ホツトプレス法、高温加熱法などがある。酸
化物ソルダー法とは酸化物をソルダーとして用
い、このソルダーをセラミツクと被接合材料との
間に入れ、加熱処理して接合する方法である。こ
の方法は主としてセラミツク−セラミツク、セラ
ミツク−金属の接合にも適する。酸化系、非酸化
系を問わず、どちらのセラミツクのも適用でき
る。酸化物ソルダには各種あり、融点が12000℃
ないし2000℃に至るまでのものがある。接合時の
加熱雰囲気としては空気中、中性ガス中、還元雰
囲気中あるいは真空中などでよい。また、酸化物
ソルダの熱膨張係数としてはセラミツクと被接合
材料にほぼ一致していることが望ましい。
ホツトプレス法とはセラミツクと被接合材料と
の間にIn、In合金などの箔を挟み、圧着しながら
加熱して行く方法である。
の間にIn、In合金などの箔を挟み、圧着しながら
加熱して行く方法である。
また、高温加熱方法とはセラミツクと被接合材
料を接触させ高温加熱することにより界面部に拡
散層あるには反応層を形成させて接合する方法で
ある。たとえばSiO2のレーザプローブと酸窒化
アルミニウム(7Al2O3AlN)の立方晶の先端チ
ツプ13を接触させ、その接触部にCO2レーザ
200W、アシストガスとしてN2ガスを流しながら
数秒間照射することによつて接合する。このとき
接合を容易にするため、加圧してもよい。
料を接触させ高温加熱することにより界面部に拡
散層あるには反応層を形成させて接合する方法で
ある。たとえばSiO2のレーザプローブと酸窒化
アルミニウム(7Al2O3AlN)の立方晶の先端チ
ツプ13を接触させ、その接触部にCO2レーザ
200W、アシストガスとしてN2ガスを流しながら
数秒間照射することによつて接合する。このとき
接合を容易にするため、加圧してもよい。
なお、導光フアイバ8と先端チツプ13との接
合に無機接着剤を用いた場合に比べて接合強度が
一般的よい。
合に無機接着剤を用いた場合に比べて接合強度が
一般的よい。
第3図は本発明の第2の実施例を示すものであ
る。この実施例はより小さな先端チツプ13を用
い、この先端チツプ13をコア11の先端面に加
熱接合するようにしたものである。このようにコ
ア11の先端面にのみ加熱接合し、クラツド12
の先端には接合しないので、先端部分の小径化を
図ることができる。
る。この実施例はより小さな先端チツプ13を用
い、この先端チツプ13をコア11の先端面に加
熱接合するようにしたものである。このようにコ
ア11の先端面にのみ加熱接合し、クラツド12
の先端には接合しないので、先端部分の小径化を
図ることができる。
第4図は本発明の第3の実施例を示すものであ
る。この実施例は先端チツプ13の後端部分に導
光フアイバ8のコア11の先端部を嵌挿する嵌込
み用孔20を形成し、この嵌込み用孔20に上記
コア11の先端部を嵌挿する状態で加熱接合する
ようにしたものである。つまり、コア11の先端
部の外周の嵌込み用孔20の内周面との間で加熱
接合したものであるから、その接合面積が大き
く、連結強度を大きくできる。
る。この実施例は先端チツプ13の後端部分に導
光フアイバ8のコア11の先端部を嵌挿する嵌込
み用孔20を形成し、この嵌込み用孔20に上記
コア11の先端部を嵌挿する状態で加熱接合する
ようにしたものである。つまり、コア11の先端
部の外周の嵌込み用孔20の内周面との間で加熱
接合したものであるから、その接合面積が大き
く、連結強度を大きくできる。
第5図は本発明の第4の実施例を示すものであ
る。この実施例は先端チツプ13の後端面部分に
導光フアイバ8のクラツド12の先端面を加熱接
合し、コア11の先端部は先端チツプ13から離
して対向させたものである。
る。この実施例は先端チツプ13の後端面部分に
導光フアイバ8のクラツド12の先端面を加熱接
合し、コア11の先端部は先端チツプ13から離
して対向させたものである。
第6図は導光フアイバ8に先端チツプ13を加
熱接合するにあたり、比較的薄肉な金属リング2
2を介して連結したものである。金属リング22
は導光フアイバ8のクラツド12と先端チツプ1
3の各外周に接合されている。この場合の接合方
法としてはたとえば高融点金属法、活性金属法な
どがある。この接合方式によればその接合面積を
大きくとることができるので、より強力な接合強
度を得ることができる。なお、上記活性金属法は
金属ソルダ法の一種で、その金属ソルダをセラミ
ツク材料と被接合材料との間に入れ、加熱処理し
て接合する方法である。金属ソルダとしてはTi
系、Zr系などのように非常に活性な金属および
化合物を用いる。そして、真空中または不活性ガ
ス中で加熱操作により接合する。
熱接合するにあたり、比較的薄肉な金属リング2
2を介して連結したものである。金属リング22
は導光フアイバ8のクラツド12と先端チツプ1
3の各外周に接合されている。この場合の接合方
法としてはたとえば高融点金属法、活性金属法な
どがある。この接合方式によればその接合面積を
大きくとることができるので、より強力な接合強
度を得ることができる。なお、上記活性金属法は
金属ソルダ法の一種で、その金属ソルダをセラミ
ツク材料と被接合材料との間に入れ、加熱処理し
て接合する方法である。金属ソルダとしてはTi
系、Zr系などのように非常に活性な金属および
化合物を用いる。そして、真空中または不活性ガ
ス中で加熱操作により接合する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はレーザプローブの
導光用フアイバの先端に、セラミツク製の先端チ
ツプを加熱接合して固定したから、レーザプロー
ブの先端に出射用先端チツプを大径化することな
く、確実に固定できる。そして、かしめなどの機
械的な固定法とは異なり構成の簡略化とともに、
安心して使用できる。
導光用フアイバの先端に、セラミツク製の先端チ
ツプを加熱接合して固定したから、レーザプロー
ブの先端に出射用先端チツプを大径化することな
く、確実に固定できる。そして、かしめなどの機
械的な固定法とは異なり構成の簡略化とともに、
安心して使用できる。
第1図は本発明の第1の実施例のレーザプロー
ブの使用状態の斜視図、第2図はそのレーザプロ
ーブの先端部の側断面図、第3図ないし第6図は
本発明のそれぞれ異なる他の実施例のレーザプロ
ーブの先端部の側断面図、第7図は従来のレーザ
プローブの先端部の側断面図である。 2……レーザプローブ、8……導光フアイバ、
11……コア、12……クラツド、13……先端
チツプ。
ブの使用状態の斜視図、第2図はそのレーザプロ
ーブの先端部の側断面図、第3図ないし第6図は
本発明のそれぞれ異なる他の実施例のレーザプロ
ーブの先端部の側断面図、第7図は従来のレーザ
プローブの先端部の側断面図である。 2……レーザプローブ、8……導光フアイバ、
11……コア、12……クラツド、13……先端
チツプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 導光用フアイバの先端にセラミツク製の先端
チツプを加熱接合したことを特徴とするレーザプ
ローブ。 2 上記加熱接合は酸化物ソルダ法を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のレー
ザプローブ。 3 上記加熱接合はホツトプレス法を用いたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のレー
ザプローブ。 4 上記加熱接合は高温加熱法を用いたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項に記載のレーザプ
ローブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60022966A JPS61181455A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | レ−ザプロ−ブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60022966A JPS61181455A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | レ−ザプロ−ブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61181455A JPS61181455A (ja) | 1986-08-14 |
JPH0559741B2 true JPH0559741B2 (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=12097319
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60022966A Granted JPS61181455A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | レ−ザプロ−ブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61181455A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63115552A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | 星野 雅彦 | レ−ザメス |
JPS63115553A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | 星野 雅彦 | レ−ザメス |
JP2514428Y2 (ja) * | 1987-05-15 | 1996-10-16 | オリンパス光学工業株式会社 | レ−ザプロ−ブ |
JP2882814B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1999-04-12 | 株式会社エス・エル・ティ・ジャパン | レーザ光の照射装置 |
JP3046315B2 (ja) * | 1989-09-05 | 2000-05-29 | 株式会社エス・エル・ティ・ジャパン | レーザ光の照射装置 |
JP2882818B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1999-04-12 | 株式会社エス・エル・ティ・ジャパン | レーザ光の照射装置 |
CA2066963A1 (en) * | 1991-05-15 | 1992-11-16 | Norio Daikuzono | Laser light irradiation apparatus |
US20070027443A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-02-01 | Ondine International, Ltd. | Hand piece for the delivery of light and system employing the hand piece |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60022966A patent/JPS61181455A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61181455A (ja) | 1986-08-14 |
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