JPH0557847U - 薄膜集積回路 - Google Patents

薄膜集積回路

Info

Publication number
JPH0557847U
JPH0557847U JP107523U JP10752391U JPH0557847U JP H0557847 U JPH0557847 U JP H0557847U JP 107523 U JP107523 U JP 107523U JP 10752391 U JP10752391 U JP 10752391U JP H0557847 U JPH0557847 U JP H0557847U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
integrated circuit
thin film
outer lead
film integrated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP107523U
Other languages
English (en)
Inventor
寛治 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP107523U priority Critical patent/JPH0557847U/ja
Publication of JPH0557847U publication Critical patent/JPH0557847U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板が曲げられたり又は捩られた場合にアウ
ターリードの損傷を防止することにより、耐久性に優れ
て信頼性を向上することにある。 【構成】 基板と、この基板と反対方向に載置される回
路素子と、この回路素子および基板を電気的に接続する
アウターリードと、を具備する薄膜集積回路において、
前記アウターリードに湾曲部を形成した構成にしたこと
を特徴としている。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、基板と、この基板と反対方向に載置される回路素子と、この回路素 子および基板を電気的に接続するアウターリードとを具備する薄膜集積回路のう ち、特に、当該アウターリードに湾曲部を形成してアウターリードの損傷を防止 する薄膜集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の薄膜集積回路を図3(a) ,(b) ,図4(a) ,(b) および図5を用いて説 明する。
【0003】 上記薄膜集積回路は、図3(a) ,(b) に示すフィルム状部品(以下、TAB部 品という。)がテープ状に加工されたTABテープ11を基板15に装着すると き、TAB部品13を打ち抜いて、基板15に実装する。上記基板15に実装さ れるTAB部品13は、半導体チップ17の向きが基板15に対して図4(a) , (b) に示す2通りある。すなわち、実装時に半導体17が基板15側に載置され ている状態を図4(a) に示すフェイスアップという。実装時に半導体チップ17 が基板15と反対方向の当該半導体チップ17と基板15とを電気的に接続する アウターリード19の図中上部に実装されるのをフェイスダウンという。
【0004】 上記フェイスアップの要部拡大図を図5に示す。上記アウターリード19は、 先端部が基板15に接着された後に基板15に対して立設し、立設したリードに 垂直方向に曲げられ、更に基板15に対して水平方向に形成されてフィルムテー プ21を介して半導体チップ17に接続されている構成である。また、フェイス ダウンも図4(b) に示す如く、アウターリード19の先端部が基板15に接着さ れ、基板15に対して図中、斜め上方に曲げられてフィルムテープ21上に載置 されて半導体チップ17に接続している。上記基板15が曲げられるとアウター リード19の損傷を防止するのが容易ではなかった。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の薄膜集積回路は、基板15にTAB部品13をフェイス ダウン実装後、当該基板15が曲げられたり、又は、捩られた時に生じる応力が アウターリード19に作用して、当該アウターリード19の切断を招くおそれが あった。上記アウターリード19の切断により実装された半導体チップ17が動 作しない状態になり、回路の信頼性の低下を招来する問題があった。
【0006】 本考案は、従来のこのような課題を解決するためになされたもので、その目的 は、基板が曲げられたり又は捩られた場合にアウターリードの損傷を防止するこ とにより、耐久性に優れて信頼性を向上する薄膜集積回路を提供することにある 。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本考案は、基板と、この基板と反対方向に載置され る回路素子と、この回路素子および基板を電気的に接続するアウターリードと、 を具備する薄膜集積回路において、 前記アウターリードに湾曲部を形成した構成にしたことを要旨とする。
【0008】
【作用】
上述の如く構成すれば、基板が曲げられたり、又は、捩られた場合にアウター リードの湾曲部により当該基板に加えられる曲げ又は捩りによる応力を吸収する ので、アウターリードの損傷を防止できる。
【0009】
【実施例】
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて説明する。
【0010】 図1は本考案の薄膜集積回路に係る一実施例を示す構成図である。
【0011】 同図の図中左側において、集積回路を内蔵する半導体チップ1の両端には当該 半導体チップ1と後述の基板7とが電気的に接続するアウターリード3が接続さ れ、当該アウターリード3を保持するフィルムテープ5がアウターリード3の図 中、下側に接着されている。
【0012】 上記半導体チップ1等のTAB部品を印刷配線板である基板7にフェイスダウ ン実装した状態を図1の図中右側に示す。なお、フェイスダウン実装は、基板7 側の反対方向であるアウターリード3の図中上部に半導体チップ1を載置する実 装をいう。
【0013】 上記アウターリード3は、基板7に半田付けにより接着されている図中右側の 先端部9aから湾曲しながら立設し、半円の形状を形成して図中上部の半導体チ ップ1方向に突き出た湾曲部9bを有する。更に、アウターリード3は、湾曲部 3bの半円から基板7に対して水平方向に形成されている水平部3cを有する形 状である。
【0014】 上記水平部3cの下部にはアウターリード3を保持するフィルムテープ5が設 置されている。水平部3cの図中左側には半導体チップ1に接続されている。
【0015】 上記薄膜集積回路の製造工程を図2(a) ,(b) を用いて説明する。
【0016】 まず、アウターリード3をテープ状に加工されたTABテープから切断する場 合を図2(a) に示す。上記アウターリード3をTABテープから切断する場合は 、基板7に実装される半導体チップ1の向きが基板7側であるフェイスアップ実 装と同様のフォーミングを形成する。但し、アウターリード3とフィルムテープ 5との間には、ギャップGを設けておく。
【0017】 次に、TABテープより切断した後に基板7に実装する場合を図2(b) に示す 。
【0018】 TABテープから打ち抜かれた部品を基板7に実装する場合は、半導体チップ 1を図中下向きのF方向に押し付けるとともに、アウターリード3の図中両端の 基板7と接着する先端部3aを位置決め用のブロックであるヒータチップ9a, 9bにより当該基板7に固定する。なお、ヒータチップ9a,9bの代わりに加 熱ツールにより固定する方式もある。
【0019】 このようにして、アウターリード3の図中両端に半導体チップ1の方向に突き 出た湾曲部3bを形成する。
【0020】 上記基板7に実装された薄膜集積回路の基板7に曲げ応力が図2(b) の半導体 チップ1の方向に作用されるとアウターリード3は、先端部3aが半導体チップ 1方向に応力を受け湾曲部3bが基板7方向に応力を受けて当該基板7に作用さ れる曲げ応力を吸収する。
【0021】 一方、基板7に作用する応力が図2(b) の半導体部品1と反対方向に作用する とアウターリード3は、先端部3aが半導体チップ1と反対方向に応力を受け湾 曲部3bが半導体チップ1方向に応力を受けて更に湾曲されて当該基板7に作用 される曲げ応力を吸収する。
【0022】 これにより、基板7に半導体チップ1の方向又は半導体チップ1と反対方向に 応力が作用されても、アウターリード3の湾曲部3bにより当該応力を吸収する ので、アウターリード3の切断または当該アウターリード3の先端部3aの基板 7からの剥離を防止できる。
【0023】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案では、アウターリードに湾曲部を形成したので、 基板が曲げられたり又は捩られた場合にアウターリードの損傷を防止することに より、耐久性に優れて信頼性の向上を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の薄膜集積回路に係る一実施例を示す構
成図である。
【図2】本考案の薄膜集積回路の製造工程を示す図であ
る。
【図3】TABテープからTAB部品の切り抜きを示す
図である。
【図4】TAB部品の基板への実装を示す図である。
【図5】従来の薄膜集積回路を示す構成図である。
【符号の説明】
1 半導体チップ 3 アウターリード 3a 先端部 3b 湾曲部 5 フィルムテープ 7 基板 9a,9b ヒータチップ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と、この基板と反対方向に載置され
    る回路素子と、この回路素子および基板を電気的に接続
    するアウターリードと、 を具備する薄膜集積回路において、 前記アウターリードに湾曲部を形成した構成にしたこと
    を特徴とする薄膜集積回路。
JP107523U 1991-12-26 1991-12-26 薄膜集積回路 Pending JPH0557847U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP107523U JPH0557847U (ja) 1991-12-26 1991-12-26 薄膜集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP107523U JPH0557847U (ja) 1991-12-26 1991-12-26 薄膜集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0557847U true JPH0557847U (ja) 1993-07-30

Family

ID=14461355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP107523U Pending JPH0557847U (ja) 1991-12-26 1991-12-26 薄膜集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0557847U (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4743851B2 (ja) * 2005-07-08 2011-08-10 キヤノン株式会社 記録ヘッドの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4743851B2 (ja) * 2005-07-08 2011-08-10 キヤノン株式会社 記録ヘッドの製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0847088A3 (en) Semiconductor device, method for manufacturing the same, and method for mounting the same
US7534661B2 (en) Method of forming molded resin semiconductor device
JPH0557847U (ja) 薄膜集積回路
JPH08316270A (ja) テープキャリアおよびそれを用いた半導体装置
JP3428475B2 (ja) 半導体パッケージの製造方法
KR950004512A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US5359223A (en) Lead frame used for semiconductor integrated circuits and method of tape carrier bonding of lead frames
US5925927A (en) Reinforced thin lead frames and leads
JPS62123727A (ja) 半導体装置
JPS5844593Y2 (ja) ビ−ム・リ−ド型半導体装置
JPS6143857B2 (ja)
JPH09223767A (ja) リードフレーム
JPS62226636A (ja) プラスチツクチツプキヤリア
JP3094271B2 (ja) リードフレームの製造方法
JPH0519956Y2 (ja)
US20070296070A1 (en) Semiconductor package having functional and auxiliary leads, and process for fabricating it
JPH0214558A (ja) 半導体集積回路装置
JP3287327B2 (ja) 半導体樹脂封止パッケージの製造方法
JPS5889953U (ja) 混成回路
JP2000260908A (ja) 表面実装型半導体装置およびその製造方法
JPH0536843U (ja) 集積回路用パツケージ
JPH07122685A (ja) 半導体装置
JPS5883150U (ja) 半導体集積回路装置
JPS61236131A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH06209067A (ja) 電子部品用リードフレーム