JPH0519956Y2 - - Google Patents

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JPH0519956Y2
JPH0519956Y2 JP1986166391U JP16639186U JPH0519956Y2 JP H0519956 Y2 JPH0519956 Y2 JP H0519956Y2 JP 1986166391 U JP1986166391 U JP 1986166391U JP 16639186 U JP16639186 U JP 16639186U JP H0519956 Y2 JPH0519956 Y2 JP H0519956Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体部品の接続構造に関し、詳し
くは、TAB(テープオートメイテイドボンデイン
グ)Lsi又はICを回路基板に異方性導電接着剤で
接続・実装するものにおいて、接続部分のアウタ
リード部の回路基板への接続を確実なものとし
て、電気的接続の信頼性向上を図るものである。
従来の技術 従来、第5図に示すようなポリイミド基材1に
Lsiチツプ2および該チツプ2に接続させてアウ
タリード3を接着させたTABLsiは、回路基板へ
のアウタリードボンデイングを通常半田付けによ
り行つている。この半田付けを容易とするため
に、図示のように、アウタリード部Aは基材1を
カツトし配線だけをリード状に伸ばした形状とし
ている。しかしながら、上記半田付けの接続構造
とした場合、接着面積が少ないため接続性に信頼
がなく、かつ、アウタリード線の間隔を一定に保
持しにくく、特に、細かいピツチの場合は品質の
安定化が図れない。また、半田付けによる為に作
業手数がかかると共に、接着作業の際に装置治具
の表面に導電接着剤が付着して作業性が低下し、
洗浄工程なども必要となる等の問題があつた。
そのため、半田付けによらずに、異方性導電接
着剤を用いてアウタリードボンデイングをする方
法が提供されている。該方法ではボンデイング温
度の低温化によりローコストのフイルム回路基板
が採用出来ると共に、より細かいピツチでアウタ
リードをボンデイングした場合にも品質の安定化
が図られ、かつ、洗浄工程が不要となる等のメリ
ツトがある。しかしながら、この異方性導電接着
剤を用いてアウタリードボンデイングする場合、
上記半田付けと同じようにアウタリードの接続部
の基材をカツトしてリード線だけを伸ばした構造
とすると、接着面積が少ないために接続信頼性が
低くなると共に、ボンデイングの際に装置や治具
の表面に接着剤が付着して作業性が低下し、か
つ、リード線の間隔を一定に保持しにくい等の問
題は解消されない。
考案の目的 本考案は上記した問題を解消せんとするもので
あり、異方性導電接着剤を用いてTABLsi又はIC
を回路基板にアウタリードボンデイングするもの
において、アウタリード部にTABのベースフイ
ルムからなる基材を部分的に残す形状とし、該ア
ウタリード部の基材を回路基板に接着することに
よつて、電気的接続の信頼性向上を図ると共に、
作業性の向上等も図るものである。
考案の構成 本考案は上記目的を達成するためになされたも
ので、第1のベースフイルムに、Lsi,IC等の半
導体チツプと、該半導体チツプに接続されると共
に上記第1のベースフイルムから突出したアウタ
リードとを取り付けたTABLsi又はICを回路基板
に接続するものであつて、上記第1のベースフイ
ルムにチツプ嵌合穴を設け、該チツプ嵌合穴に配
置した上記半導体チツプを絶縁性樹脂からなる接
着剤により固定した状態でエツチングレジスト加
工により上記アウタリードを形成すると共に、上
記アウタリードの回路基板との接続側に、上記絶
縁性樹脂からなる接着剤を充填した分離帯溝を介
設して第1のベースフイルムと分離させた第2の
ベースフイルムを設けたことを特徴とする半導体
部品の接続構造を提供するものである。
実施例 以下、本考案を図面に示す実施例により詳細に
説明する。
第1図に示すTABLsiにおいて、10はLsiチ
ツプ、11はLsiチツプ10の保持ベースとなり、
第1のベースフイルムを構成するポリイミド製の
基材、12はLsiチツプ10に一端が接続される
銅箔製のアウタリード、13はアウタリード12
の他端の端子接続側の保持ベースとなり、第2の
ベースフイルムを構成するポリイミド製の基材で
あり、上記チツプベースの基材11から分離した
ものである。
上記TABLsiは第2図および第3図に順番に示
す方法で製作しており、まず、第2図および第3
図の各()に示すように、上記基材11および
13を形成するポリイミド製のTABベースフイ
ルム14に、正方形のチツプ嵌合穴15と、該チ
ツプ嵌合穴15の4辺の外側に一定間隔l1をあけ
て細巾な分離帯溝16A〜16Dをパンチング加
工で穿設している。
次に、()に示すように、上記パンチングし
たチツプ嵌合穴15、分離帯溝16A〜16Dに
絶縁性樹脂からなる接着剤17を充填し、嵌合穴
15にLsiチツプ10を嵌め込み接着剤17を介
してベースフイルム14に取り付けている。
次に、()に示すように、ベースフイルム1
4の下面側にアウタリード12を形成する銅箔1
8を絶縁性接着剤19で接着し、かつ、該銅箔1
8と上記Lsiチツプ10とを導電材20で溶接す
る。
次に、()に示すように、銅箔18を写真に
よるエツチングレジスト加工でアウタリード12
の形状とする。該アウタリード12は第1図に示
すように、Lsiチツプ10との溶接による接続部
から複数本のリード線が所定間隔をあけて平行に
伸びた形状となつている。
このようにベースフイルム14にLsiチツプ1
0およびアウタリード12を互いに接続させて取
り付けた後、()に示すように、溝16A〜1
6Dの外側縁と一定間隔l1をあけた点線にそつて
斜線部を打ち抜き、第1図に示す形状としてい
る。該打ち抜き状態において、ベースフイルム1
4はLsiチツプ10を取り付けるベースとなる上
記基材11と分離溝16A〜16Dにより分離さ
れた基材13とに分かれるが、基材11と13と
は溝16A〜16Dに充填された絶縁性の接着剤
17で接着されている。また、各アウタリード1
2はLsiチツプ10との接続側が基材11に接着
されると共に、他端側は基材11から分離された
基材13に接着され、かつ、分離溝16A〜16
Dでは一定間隔をあけて配置されるアウタリード
12が絶縁性接着剤17を介して互いに接着され
ている。
上記の方法で製作した第1図に示すTABLsiは
第4図に示すように回路基板21に取り付けら
れ、回路基板21に取り付ける端子22と上記各
アウタリード12とは異方性導電接着剤23を介
して接着している。その際、異方性導電接着剤を
貼付または塗布した回路基板21上に上記
TABLsiを位置決めし、アウタリード12上に残
した基材13上から加熱加圧ヘツド(図示せず)
で押さえるか、或いは回路基板がフレキシブル回
路基板の場合はアウタリード側の基材13を支持
台で支え、フレキシブル回路基板の裏面より加熱
加圧ヘツドにより押さえて、アウタリード12を
端子21に接続している。
上記したTABLsiの回路基板へのアウタリード
ボンデイングによれば、アウタリード12と回路
基板21側との接続部は、アウタリード12自体
は端子22と接着されると共に、アウタリード1
2のリード間の絶縁部(間隙)は基材13と回路
基板21とが接着剤で接着されるため、接着面積
が大きくなり接着力が向上する。また、接着作業
時において、アウタリード12の絶縁部分にはみ
出した樹脂が圧着治具に付着する恐れもなく、従
来必要とされた洗浄工程が不要となる等、作業性
が向上する。かつ、上記アウタリードボンデイン
グの後、電気的チエツクは分離帯溝16A〜16
Dに露出するLsiリードパターンを利用して容易
に行うことが出来る。
さらに、TABLsi自体においても、Lsiチツプ
10のベースとなる基材11とアウタリード接続
部のベースとなる基材13を分離しているため、
吸湿や加熱膨張による基材11の寸法変化に対し
て、基材13を小さい変化量に押さえることが出
来、よつて、接続部の信頼性は分離されていない
場合と比較して更に向上させることが出来る。か
つ、フレキシブル回路基板のような場合に起こる
Lsiチツプへの負荷(曲げ、ねじれ)に対してア
ウターリード接続部の基材13が分離しているた
め、接続部への負荷を軽減することが出来る。
また、基材11,13を分離することにより、
アウタリードボンデイング時の熱がLsiチツプ1
0に及ぼす影響を低減することが出来る。
また、基材11と13の分離帯溝16A〜16
Dには絶縁性接着剤17で充填され、該絶縁性接
着剤17にアウターリード12が接着されている
た共に、両側が基材13および11に接着されて
いるため、アウタリード12は位置決めされ、そ
の間隔を一定に保持することが出来る。よつて、
アウタリードが細かいピツチである場合にも品質
の安定化を図ることが出来る。
考案の効果 以上の説明より明らかなように、本考案によれ
ば、TABLsiを回路基板に異方性導電接着剤で接
続実装するものにおいて、接続部にあたるアウタ
リード部にTABのベースフイルムを残し、該ベ
ースフイルムを回路基板に接着しているため、接
着面積が増加して接着力の向上が図れ、電気的接
続の信頼性を高めることが出来る。また、アウタ
リードの接続部のベースフイルムとLsiチツプの
ベースフイルムとを分離しているため、湿度・温
度等の環境変化に対する接続部の信頼性も高める
とが出来る。さらに、従来の半田付けの場合に比
較して、作業性を大巾に向上させることが出来る
等の種々の効果を有する。また、本考案では、第
1のベースフイルムに設けたチツプ嵌合穴に半導
体チツプを配置し、この半導体チツプを絶縁性樹
脂からなる接着剤により固定した状態でエツチン
グレジスト加工によりアウタリードを形成する構
成としているため、半導体チツプを取付けた後、
アウタリードの形成が終了するまでの間、半導体
チツプを確実に第1のベースフイルムに保持する
ことができる等の種々利点を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係わるTABLsiの斜視図、第
2図()()()()()は上記TABLsi
の製作工程を示す平面図、第3図()()
()()()は第2図の()()()
()()の各断面図、第4図は上記TABLsiを
回路基板に取り付けた状態を示す断面図、第5図
は従来例を示す斜視図である。 10……Lsiチツプ、11……基材、12……
アウタリード、13……基材、14……ベースフ
イルム、15……チツプ嵌合穴、16A〜16D
……分離帯溝、17……絶縁性接着剤、18……
銅箔、21……回路基板、22……端子、23…
…異方性導電接着剤。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 第1のベースフイルムに、Lsi,IC等の半導体
    チツプと、該半導体チツプに接続されると共に上
    記第1のベースフイルムから突出したアウタリー
    ドとを取り付けたTABLsi又はICを回路基板に接
    続するものであつて、 上記第1のベースフイルムにチツプ嵌合穴を設
    け、該チツプ嵌合穴に配置した上記半導体チツプ
    を絶縁性樹脂からなる接着剤により固定した状態
    でエツチングレジスト加工により上記アウタリー
    ドを形成すると共に、 上記アウタリードの回路基板との接続側に、上
    記絶縁性樹脂からなる接着剤を充填した分離帯溝
    を介設して第1のベースフイルムと分離させた第
    2のベースフイルムを設けたことを特徴とする半
    導体部品の接続構造。
JP1986166391U 1986-10-28 1986-10-28 Expired - Lifetime JPH0519956Y2 (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52156560A (en) * 1976-06-23 1977-12-27 Hitachi Ltd Semiconductor device and its production
JPS6384990A (ja) * 1986-09-30 1988-04-15 株式会社東芝 携帯可能媒体

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS6384990A (ja) * 1986-09-30 1988-04-15 株式会社東芝 携帯可能媒体

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