JPH0555227A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH0555227A
JPH0555227A JP21522991A JP21522991A JPH0555227A JP H0555227 A JPH0555227 A JP H0555227A JP 21522991 A JP21522991 A JP 21522991A JP 21522991 A JP21522991 A JP 21522991A JP H0555227 A JPH0555227 A JP H0555227A
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JP
Japan
Prior art keywords
wiring
layer
signal wiring
signal
fixed potential
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Application number
JP21522991A
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English (en)
Inventor
Masaaki Abe
雅彰 阿部
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】多層の配線層をもつ半導体集積回路において立
体的な縦方向の電気的シールドを実現する。 【構成】第N層の信号配線に覆い重なるように第N+1
層のVDDやVSSに接続した固定電位配線を配置する
ことで第N層の信号配線と第N+2層の信号配線間の電
気的なシールドを実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波の信号配線やア
ナログ信号配線を有する半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体集積回路の高周波信号配線
やアナログ信号配線に対する電気的シールドは図2に示
すように、平面的に信号配線の両側に隣接して固定電位
配線を配置するという構成であった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の従来技
術では、平面的な横方向の電気的シールドは、実現され
るが、多層の配線層をもつ半導体集積回路において立体
的な縦方向の電気的シールドは実現されていない。つま
り第N層の第1の信号配線に対し第N+1層や第N+2
層の第2の信号配線が立体的に交差したり、あるいは隣
接して平行に配置された場合、電気的な容量結合によっ
てお互いに影響しあい、信号に雑音が乗る原因となる。
そこで本発明は、以上述べたような課題を解決すべく、
その目的は、多層の配線層をもつ半導体集積回路におい
て立体的な縦方向の電気的シールドを実現する半導体集
積回路を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、3層以上の配線層を有し、第N層の信号配線に覆い
重なるように第N+1層の固定電位配線を配置すること
を特徴とする。
【0005】
【実施例】図1(a)は、本発明のー実施例を示す半導
体集積回路の平面図である。1は第1層の信号配線であ
り、その上に覆い重なるように2の第2層の固定電位配
線が配置されている。3は第3層の信号配線であり、1
の第1層の信号配線と2の第2層の固定電位信号配線の
上を交差あるいは平行に配置されている。図1(b)
は、図1(a)のA−B面の断面図であり、1の第1層
の信号配線は5の第1の層間膜上に形成され、前記第1
の層間膜により4のシリコン基板とは電気的に絶縁され
おり、2の第2層の固定電位配線は6の第2の層間膜上
に形成され、前記第2の層間膜により1の第1層の信号
配線と電気的に絶縁されおり、3の第3層の信号配線は
7の第3の層間膜上に形成され、前記第3の層間膜によ
り2の第2層の固定電位配線と電気的に絶縁されてい
る。1の第1層の信号配線は2の第2層の固定電位配線
と電気的な容量結合され、また3の第3層の信号配線は
2の第2層の固定電位配線と電気的な容量結合されてお
り、1の第1層の信号配線と3の第3層の信号配線とは
直接、電気的な容量結合されない。ここで、2の第2層
の配線を正極または負極の電源電位に固定することによ
って、1の第1層の信号配線を流れる第1の信号と3の
第3層の信号配線を流れる第2の信号とは互いに、電気
的に影響を及ぼし合わない。つまり1の第1層の信号配
線を流れる第1の信号と3の第3層の信号配線を流れる
第2の信号とは3の第3層の正極または負極の電源電位
に固定された固定電位配線によって電気的にシールドさ
れる。
【0006】
【発明の効果】プロセス技術の進歩にともない、微細加
工や配線層の多層化等によって半導体集積回路の集積度
がますますあがっている現在、半導体集積回路自体も多
機能化の方向にある。すなわちアナログ回路とデジタル
回路の混在や多相クロック、高周波クロックを使ったワ
ンチップマイコン、コントローラなどのシステム回路等
の様々な種類の信号をもつ半導体集積回路が実現され、
また更なる多機能、高集積の半導体集積回路が求められ
ている。このような現状において、半導体集積回路を実
現するにあたりアナログ信号や高周波クロック信号を電
気的にシールドする工夫は必要不可欠である。いままで
アナログ信号配線や高周波クロック信号配線などは他の
信号配線と交差させないよう、また隣接して配置しない
ようレイアウトを工夫していたが、多機能化、高集積化
による信号配線の増加やレイアウトの効率を上げるため
に、どうしてもアナログ信号配線や高周波クロック信号
配線と他の信号配線と交差させたり隣接して配置する必
要がでてきている。本発明の半導体集積回路では第N層
の信号配線の上に覆い重なるように第N+1層の固定電
位配線を配置するという簡単な構造で第N層の信号配線
と第N+2層の信号配線とは電気的にシールドすること
ができる。すなわちアナログ信号配線や高周波クロック
信号配線と他の信号配線と交差させたり隣接して配置し
ても電気的にシールドされているため容量結合や電磁波
等によるノイズの影響を回避できる。言い替えれば、ア
ナログ信号配線や高周波クロック信号配線のレイアウト
の自由度が増し、集積度を上げることができるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体集積回路のー実施例を示す平面
図及びそのA−B面断面図。
【図2】従来の半導体集積回路の平面図。
【符号の説明】
1・・・第1層の信号配線 2・・・第2層の固定電位配線 3・・・第3層の信号配線 4・・・シリコン基板 5・・・第1の層間膜 6・・・第2の層間膜 7・・・第3の層間膜 8・・・パシベーション膜 9・・・第1層の第1の信号配線 10・・・第1層の固定電位配線 11・・・第1層の第2の信号配線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】3層以上の配線層を有する半導体集積回路
    において、第N(N=自然数)層の信号配線に覆い重な
    るように第N+1層の固定電位配線を配置することを特
    徴とする半導体集積回路。
JP21522991A 1991-08-27 1991-08-27 半導体集積回路 Pending JPH0555227A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274167A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nec Corp 半導体装置
US6909422B2 (en) 2000-02-07 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Track ball device and electronic apparatus using the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08274167A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nec Corp 半導体装置
US6909422B2 (en) 2000-02-07 2005-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Track ball device and electronic apparatus using the same
US7158119B2 (en) 2000-02-07 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Track ball device and electronic apparatus using the same

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