JPH0554604B2 - - Google Patents
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- JPH0554604B2 JPH0554604B2 JP6396184A JP6396184A JPH0554604B2 JP H0554604 B2 JPH0554604 B2 JP H0554604B2 JP 6396184 A JP6396184 A JP 6396184A JP 6396184 A JP6396184 A JP 6396184A JP H0554604 B2 JPH0554604 B2 JP H0554604B2
- Authority
- JP
- Japan
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- alignment mark
- measured
- electron beam
- optical axis
- scanning
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はIC用ウエハなどの試料表面に刻印さ
れた試料位置検出用のアライメントマークを自動
的に検出し、かつ、その中心位置を精密に測定で
きるようにしたアライメント位置測定方法および
その装置に関する。
れた試料位置検出用のアライメントマークを自動
的に検出し、かつ、その中心位置を精密に測定で
きるようにしたアライメント位置測定方法および
その装置に関する。
(ロ) 従来技術
一般に、IC用ウエハなどでは試料位置検出用
のアライメントマークが刻印されることがある。
このアライメントマークはIC焼付時やウエハ切
出し時などにおいて試料の位置合せの基準を与え
るものであり、従つて、試料を所定位置に設定す
るためにはアライメントマークを検出して、その
位置を精密に測定することが必要となる。
のアライメントマークが刻印されることがある。
このアライメントマークはIC焼付時やウエハ切
出し時などにおいて試料の位置合せの基準を与え
るものであり、従つて、試料を所定位置に設定す
るためにはアライメントマークを検出して、その
位置を精密に測定することが必要となる。
従来、このようなアライメントマークの位置を
測定するには、光学顕微鏡や走査形電子顕微鏡
（SEM）を適用し、観察される像にカーソル線を
重ね合わせるなどして行なわれている。この場
合、光学顕微鏡では分解能が不充分でアライメン
トマークの測定精度に限界がある。SEMは分解
能に問題はないが、SEM像からアライメントマ
ークの位置を測定しようとすれば画像信号として
多量のデータを取扱わねばならず大容量のコンピ
ユータが必要となる。これらのために、未だアラ
イメントマークの測定に対して自動化が図れてお
らず、従つて、アライメントマーク位置測定は常
に時間がかかり測定作業も煩雑になるという難点
が残されている。
測定するには、光学顕微鏡や走査形電子顕微鏡
（SEM）を適用し、観察される像にカーソル線を
重ね合わせるなどして行なわれている。この場
合、光学顕微鏡では分解能が不充分でアライメン
トマークの測定精度に限界がある。SEMは分解
能に問題はないが、SEM像からアライメントマ
ークの位置を測定しようとすれば画像信号として
多量のデータを取扱わねばならず大容量のコンピ
ユータが必要となる。これらのために、未だアラ
イメントマークの測定に対して自動化が図れてお
らず、従つて、アライメントマーク位置測定は常
に時間がかかり測定作業も煩雑になるという難点
が残されている。
(ハ) 目的
本発明は従来のかかる問題点を解決し、アライ
メントマークの検出とその位置の測定とを精密
に、かつ、自動的に行なえるようにすることを目
的とする。
メントマークの検出とその位置の測定とを精密
に、かつ、自動的に行なえるようにすることを目
的とする。
(ニ) 構成
本発明はこのような目的を達成するため、表面
にアライメントマークが形成された被測定物に対
して電子ビームを光軸を中心として円形走査する
とともに、この走査円の径を順次大きくして前記
被測定物のアライメントマークを検出し、次い
で、電子ビームを逆向きに円形走査してホコリ、
キズ等による検出誤りを判別する第１ステツプ
と、この第１ステツプで検出したアライメントマ
ークの検出データに基づきアライメントマークを
前記光軸に向つて移動させ、続いて電子ビームを
直交走査して前記光軸とアライメントマークとの
距離を測定する第２ステツプと、この第２ステツ
プで測定した光軸とアライメントマーク間の距離
データに基づきアライメントマークを光軸に向つ
てさらに接近させ、次いで電子ビームを再び円形
走査してこの走査円とアライメントマークとの交
叉位置を検出し、この検出データに基づきアライ
メントマークの中心位置を求める第３ステツプと
を順次行なうようにしている。また、このために
使用するアライメントマーク位置測定装置として
は、表面にアライメントマークが形成された被測
定物に照射する電子ビームを偏向させる直交２方
向に配置された偏向手段と、この偏向手段に正弦
波信号ならびにこの正弦波信号と同期して位相が
90゜異なる余弦波信号とをそれぞれ与える正弦波、
余弦波の各発生器と、前記各偏向手段にランプ波
を与えるランプ波発生器と、前記被測定物が載置
される試料ステージを水平移動するステージ駆動
手段と、被測定物から放射される反射電子を検出
する検出器と、前記正弦波、余弦波およびランプ
波の各発生器の出力を制御するとともに前記検出
器から出力されるアライメントマークの検出信号
に基づき前記ステージ駆動手段の動作を制御する
制御回路とを備えていることを特徴としている。
にアライメントマークが形成された被測定物に対
して電子ビームを光軸を中心として円形走査する
とともに、この走査円の径を順次大きくして前記
被測定物のアライメントマークを検出し、次い
で、電子ビームを逆向きに円形走査してホコリ、
キズ等による検出誤りを判別する第１ステツプ
と、この第１ステツプで検出したアライメントマ
ークの検出データに基づきアライメントマークを
前記光軸に向つて移動させ、続いて電子ビームを
直交走査して前記光軸とアライメントマークとの
距離を測定する第２ステツプと、この第２ステツ
プで測定した光軸とアライメントマーク間の距離
データに基づきアライメントマークを光軸に向つ
てさらに接近させ、次いで電子ビームを再び円形
走査してこの走査円とアライメントマークとの交
叉位置を検出し、この検出データに基づきアライ
メントマークの中心位置を求める第３ステツプと
を順次行なうようにしている。また、このために
使用するアライメントマーク位置測定装置として
は、表面にアライメントマークが形成された被測
定物に照射する電子ビームを偏向させる直交２方
向に配置された偏向手段と、この偏向手段に正弦
波信号ならびにこの正弦波信号と同期して位相が
90゜異なる余弦波信号とをそれぞれ与える正弦波、
余弦波の各発生器と、前記各偏向手段にランプ波
を与えるランプ波発生器と、前記被測定物が載置
される試料ステージを水平移動するステージ駆動
手段と、被測定物から放射される反射電子を検出
する検出器と、前記正弦波、余弦波およびランプ
波の各発生器の出力を制御するとともに前記検出
器から出力されるアライメントマークの検出信号
に基づき前記ステージ駆動手段の動作を制御する
制御回路とを備えていることを特徴としている。
(ホ) 実施例
以下、本発明を一実施例について図面に基づい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図はこの実施例のアライメントマーク位置
測定装置の構成図である。同図において、符号１
はアライメントマーク位置測定装置を示し、２は
IC用ウエハなどの被測定物４表面に照射する電
子ビームを発生する電子ビーム発生部、６は電子
ビームを偏向させる偏向手段である。偏向手段６
は互いに直交するＸ軸、Ｙ軸の２方向に配列され
た偏向コイルや静電偏向板等で構成される。８は
ｒ sin wt（ｒ：振幅、wt：位相角）などの正弦
波信号を偏向手段６のたとえばＸ軸側の偏向コイ
ルに加える正弦波発生器、１０は上記正弦波信号
と同期して位相が90゜異なるｒ cos wtなどの余
弦波信号を偏向手段１０のＹ軸側の偏向コイルに
加える余弦波発生器である。また、１２，１４は
偏向手段６のＸ，Ｙ各軸の偏向コイルに鋸歯状の
ランプ波を与える各ランプ波発生器、１６は被測
定物４が載置される試料ステージ、１８はこの試
料ステージ１６を水平に駆動する駆動手段で、機
械的アクチユエータとこれを駆動するモータなど
で構成される。２０は被測定物４から電子ビーム
走査によつて放射される反射電子を検出する検出
器、２２は検出器から出力される検出信号のピー
クをラツチするピークホールド回路、２４は切換
回路、２６は検出器２０から出力される検出信号
をデジタル化するＡ／Ｄ変換器、２８は正弦波、
余弦波およびランプ波の各発生器８，１０，１
２，１４の出力を制御するとともに、検出器２０
で検出したアライメントマークの検出信号に基づ
き前記ステージ駆動手段１８の動作制御を行なう
制御回路（以下、CPUと称する）である。
測定装置の構成図である。同図において、符号１
はアライメントマーク位置測定装置を示し、２は
IC用ウエハなどの被測定物４表面に照射する電
子ビームを発生する電子ビーム発生部、６は電子
ビームを偏向させる偏向手段である。偏向手段６
は互いに直交するＸ軸、Ｙ軸の２方向に配列され
た偏向コイルや静電偏向板等で構成される。８は
ｒ sin wt（ｒ：振幅、wt：位相角）などの正弦
波信号を偏向手段６のたとえばＸ軸側の偏向コイ
ルに加える正弦波発生器、１０は上記正弦波信号
と同期して位相が90゜異なるｒ cos wtなどの余
弦波信号を偏向手段１０のＹ軸側の偏向コイルに
加える余弦波発生器である。また、１２，１４は
偏向手段６のＸ，Ｙ各軸の偏向コイルに鋸歯状の
ランプ波を与える各ランプ波発生器、１６は被測
定物４が載置される試料ステージ、１８はこの試
料ステージ１６を水平に駆動する駆動手段で、機
械的アクチユエータとこれを駆動するモータなど
で構成される。２０は被測定物４から電子ビーム
走査によつて放射される反射電子を検出する検出
器、２２は検出器から出力される検出信号のピー
クをラツチするピークホールド回路、２４は切換
回路、２６は検出器２０から出力される検出信号
をデジタル化するＡ／Ｄ変換器、２８は正弦波、
余弦波およびランプ波の各発生器８，１０，１
２，１４の出力を制御するとともに、検出器２０
で検出したアライメントマークの検出信号に基づ
き前記ステージ駆動手段１８の動作制御を行なう
制御回路（以下、CPUと称する）である。
次に、被測定物４の表面に刻印されたアライメ
ントマークの検出とその位置の測定方法について
各ステツプ順に説明する。
ントマークの検出とその位置の測定方法について
各ステツプ順に説明する。
(a) 第１ステツプ
IC用ウエハなどのような被測定物４ではその
アライメントマークの形状と、その刻印位置とは
予じめある程度知られているので、測定開始にあ
たつてはこの情報を頼りに第２図ａに示すよう
に、たとえば十字状に形成されたアライメントマ
ークＭを電子ビームの走査可能域まで移動させ
る。この移動は手動等で行なつてもよい。次い
で、CPU２８から正弦波、余弦波の各発生器８，
１０へ制御信号を与えて正弦波、余弦波の各発生
器８，１０を起動する。正弦波、余弦波の各発生
器８，１０からはこれにより正弦波信号と余弦波
信号とが発生し、これらの信号を偏向手段６に加
える。電子ビーム発生部２で発生した電子ビーム
は偏向手段６に加えられる上記正弦波信号と余弦
波信号とにより偏向を受ける。こうして、電子ビ
ームをその光軸O0を中心として円形走査する。
しかも、その際、CPU２８で偏向手段６に加え
る正弦波信号、余弦波信号の振幅を変化させるこ
とにより、電子ビームの描く走査円Ｃの径を順次
大きくしていく。一方、被測定物４の表面からは
電子ビーム走査により反射電子が放出されるの
で、これを検知器２０で検出し、この検出器２０
から出力される検出信号を切換回路２４を介して
Ａ／Ｄ変換器２６を通してデジタル化する。そし
て、デジタル化した検出信号をCPU２８に取り
込む。電子ビームの描く走査円Ｃがアライメント
マークＭと交叉していないときには、第２図ｂに
示すように、CPU２８に取り込まれる検出信号
内にはアライメントマークＭに基づく検出ピーク
は存在しないので、走査円Ｃの径をさらに大きく
する。走査円ＣがアライメントマークＭと交叉す
ると、CPU２８に入力される検出信号内に検出
ピークが現われる。従つて、CPU２８が検出信
号内のピークを検出したときには切換回路２４の
接続をピークホールド回路２２側に切換える。そ
して、このときの走査円の径r1でもつて電子ビー
ムをたとえば反時計回りに１周し、引き続いて逆
方向、すなわち時計回りに一周させる。この操作
において、CPU２８は正弦波、余弦波の各発生
器８，１０出力と、Ａ／Ｄ変換器２６からの検出
信号入力とのタイミングを合わせている。従つ
て、被測定物４の表面に余分なキズやホコリが存
在しなければ電子ビームを反時計方向あるいは逆
に反時計方向に円形走査してもピークホールド回
路２２で得られる検出ピークの立ち上り位置は一
致することになる（第２図ｃ，ｄ参照）。キズや
ホコリが存在すると、検出ピークの立ち上り位置
が不一致となるのでこれによりキズやホコリを判
別し、検出誤りを防ぐ。
アライメントマークの形状と、その刻印位置とは
予じめある程度知られているので、測定開始にあ
たつてはこの情報を頼りに第２図ａに示すよう
に、たとえば十字状に形成されたアライメントマ
ークＭを電子ビームの走査可能域まで移動させ
る。この移動は手動等で行なつてもよい。次い
で、CPU２８から正弦波、余弦波の各発生器８，
１０へ制御信号を与えて正弦波、余弦波の各発生
器８，１０を起動する。正弦波、余弦波の各発生
器８，１０からはこれにより正弦波信号と余弦波
信号とが発生し、これらの信号を偏向手段６に加
える。電子ビーム発生部２で発生した電子ビーム
は偏向手段６に加えられる上記正弦波信号と余弦
波信号とにより偏向を受ける。こうして、電子ビ
ームをその光軸O0を中心として円形走査する。
しかも、その際、CPU２８で偏向手段６に加え
る正弦波信号、余弦波信号の振幅を変化させるこ
とにより、電子ビームの描く走査円Ｃの径を順次
大きくしていく。一方、被測定物４の表面からは
電子ビーム走査により反射電子が放出されるの
で、これを検知器２０で検出し、この検出器２０
から出力される検出信号を切換回路２４を介して
Ａ／Ｄ変換器２６を通してデジタル化する。そし
て、デジタル化した検出信号をCPU２８に取り
込む。電子ビームの描く走査円Ｃがアライメント
マークＭと交叉していないときには、第２図ｂに
示すように、CPU２８に取り込まれる検出信号
内にはアライメントマークＭに基づく検出ピーク
は存在しないので、走査円Ｃの径をさらに大きく
する。走査円ＣがアライメントマークＭと交叉す
ると、CPU２８に入力される検出信号内に検出
ピークが現われる。従つて、CPU２８が検出信
号内のピークを検出したときには切換回路２４の
接続をピークホールド回路２２側に切換える。そ
して、このときの走査円の径r1でもつて電子ビー
ムをたとえば反時計回りに１周し、引き続いて逆
方向、すなわち時計回りに一周させる。この操作
において、CPU２８は正弦波、余弦波の各発生
器８，１０出力と、Ａ／Ｄ変換器２６からの検出
信号入力とのタイミングを合わせている。従つ
て、被測定物４の表面に余分なキズやホコリが存
在しなければ電子ビームを反時計方向あるいは逆
に反時計方向に円形走査してもピークホールド回
路２２で得られる検出ピークの立ち上り位置は一
致することになる（第２図ｃ，ｄ参照）。キズや
ホコリが存在すると、検出ピークの立ち上り位置
が不一致となるのでこれによりキズやホコリを判
別し、検出誤りを防ぐ。
(b) 第２ステツプ
電子ビームの走査時間ｔはその走査円Ｃの走査
開始点からの走査角θ1に対応するのでCPU２８
に入力される検出信号の立ち上り位置からアライ
メントマークＭの方向が分る。また、電子ビーム
がアライメントマークＭを横切るときの走査円Ｃ
の径r1が電子ビームの光軸O0とアライメントマー
クＭとの概略距離を示している。従つて、CPU
２８でこれらの検出データに基づき、ステージ駆
動手段１８を制御して、アライメントマークＭを
光軸O0に向つて移動させる。次いで、CPU２８
から各ランプ波発生器１２，１４に制御信号を与
えて、このランプ発生器１２を起動する。これに
よりランプ波発生器１２，１４からはそれぞれラ
ンプ波が発生するので、このランプ波を偏向手段
６のＸ軸、Ｙ軸の各偏向コイルに加える。これに
より、第３図ａに示すように、電子ビームを先の
光軸O0位置において交互に直交走査する。その
際切換回路２４を動作させピークホールド回路２
２との接続を切換え、検出器２０とＡ／Ｄ変換器
２６とを直結させる。直交走査する電子ビームが
それぞれアライメントマークＭを横切ると、同図
ｂ，ｃに示すような検出ピークが得られる。この
ピーク検出の時間から光軸O0とアライメントマ
ークＭ間の直交２方向の距離x0，y0が測定でき
る。また、第３図におけるビーム走査でピークが
検出できなかつたり、あるいは３つ以上のピーク
が検出されたような場合にはキズやホコリが存在
するとして第１ステツプに戻つて再度測定を行な
うか、あるいは測定を一時中止させる。
開始点からの走査角θ1に対応するのでCPU２８
に入力される検出信号の立ち上り位置からアライ
メントマークＭの方向が分る。また、電子ビーム
がアライメントマークＭを横切るときの走査円Ｃ
の径r1が電子ビームの光軸O0とアライメントマー
クＭとの概略距離を示している。従つて、CPU
２８でこれらの検出データに基づき、ステージ駆
動手段１８を制御して、アライメントマークＭを
光軸O0に向つて移動させる。次いで、CPU２８
から各ランプ波発生器１２，１４に制御信号を与
えて、このランプ発生器１２を起動する。これに
よりランプ波発生器１２，１４からはそれぞれラ
ンプ波が発生するので、このランプ波を偏向手段
６のＸ軸、Ｙ軸の各偏向コイルに加える。これに
より、第３図ａに示すように、電子ビームを先の
光軸O0位置において交互に直交走査する。その
際切換回路２４を動作させピークホールド回路２
２との接続を切換え、検出器２０とＡ／Ｄ変換器
２６とを直結させる。直交走査する電子ビームが
それぞれアライメントマークＭを横切ると、同図
ｂ，ｃに示すような検出ピークが得られる。この
ピーク検出の時間から光軸O0とアライメントマ
ークＭ間の直交２方向の距離x0，y0が測定でき
る。また、第３図におけるビーム走査でピークが
検出できなかつたり、あるいは３つ以上のピーク
が検出されたような場合にはキズやホコリが存在
するとして第１ステツプに戻つて再度測定を行な
うか、あるいは測定を一時中止させる。
(c) 第３ステツプ
第２ステツプで光軸O0とアライメントマーク
Ｍとの直交２方向の距離x0，y0を測定すると、こ
の測定データを基に、CPU２８でステージ駆動
手段１８を制御してアライメントマークＭを光軸
O0に向つてさらに接近させ、第４図ａに示すよ
うに、アライメントマークＭの中心が光軸O0に
ほぼ一致させるようにする。続いて、CPU２８
から正弦波、余弦波の各発生器８，１０へ制御信
号を与えこの各発生器８，１０を起動させること
により、電子ビームを再び円形走査して走査円Ｃ
を描かせる。従つて、本例では電子ビームはアラ
イメントマークＭを４回横切ることになる。これ
により検出器２０からＡ／Ｄ変換器２６を介して
CPU２８に入力される検出信号内には第４図ｂ
に示すように４個の検出ピークP1〜P4が含まれ
る。前述のごとく、CPU２８は電子ビームの走
査開始からの時間、つまり、走査角θを同時に測
定しているので、検出ピークP1〜P4の発生間隔t1
〜t4から電子ビームの光軸O0とアライメントマー
クＭの中心との偏差、およびこの偏差の値からア
ライメントマークＭの中心位置を算出される。こ
うしてアライメントマークＭの位置が精密に測定
されるので、このアライメントマークＭの位置を
基準として被測定物４にICを焼付けるなどの作
業を行なうことができる。
Ｍとの直交２方向の距離x0，y0を測定すると、こ
の測定データを基に、CPU２８でステージ駆動
手段１８を制御してアライメントマークＭを光軸
O0に向つてさらに接近させ、第４図ａに示すよ
うに、アライメントマークＭの中心が光軸O0に
ほぼ一致させるようにする。続いて、CPU２８
から正弦波、余弦波の各発生器８，１０へ制御信
号を与えこの各発生器８，１０を起動させること
により、電子ビームを再び円形走査して走査円Ｃ
を描かせる。従つて、本例では電子ビームはアラ
イメントマークＭを４回横切ることになる。これ
により検出器２０からＡ／Ｄ変換器２６を介して
CPU２８に入力される検出信号内には第４図ｂ
に示すように４個の検出ピークP1〜P4が含まれ
る。前述のごとく、CPU２８は電子ビームの走
査開始からの時間、つまり、走査角θを同時に測
定しているので、検出ピークP1〜P4の発生間隔t1
〜t4から電子ビームの光軸O0とアライメントマー
クＭの中心との偏差、およびこの偏差の値からア
ライメントマークＭの中心位置を算出される。こ
うしてアライメントマークＭの位置が精密に測定
されるので、このアライメントマークＭの位置を
基準として被測定物４にICを焼付けるなどの作
業を行なうことができる。
なお、上記実施例ではアライメントマークＭ形
状が十字状のものについて説明したが他の形状を
したアライメントマークにも本発明を適用できる
のは勿論である。
状が十字状のものについて説明したが他の形状を
したアライメントマークにも本発明を適用できる
のは勿論である。
(ヘ) 効果
以上のように、本発明によればアライメントマ
ークの検出とその位置の測定とを精密に、かつ、
自動的に行なえるようになる。つまり、従来のよ
うな人手を介したパターン認識は不要となるので
アライメントマークの位置測定が短時間に行なわ
れ、かつ、測定精度も高い。しかも、測定作業の
煩雑さも解消されるという優れた効果が得られ
る。
ークの検出とその位置の測定とを精密に、かつ、
自動的に行なえるようになる。つまり、従来のよ
うな人手を介したパターン認識は不要となるので
アライメントマークの位置測定が短時間に行なわ
れ、かつ、測定精度も高い。しかも、測定作業の
煩雑さも解消されるという優れた効果が得られ
る。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図はアラ
イメントマーク位置測定装置の構成図、第２図は
第１ステツプにおけるアライメントマーク位置測
定方法の説明図、第３図は第２ステツプにおける
アライメントマーク位置測定方法の説明図、第４
図は第３ステツプにおけるアライメントマーク位
置測定方法の説明図である。 １……アライメントマーク位置測定装置、４…
…被測定物、６……偏向手段、８……正弦波発生
器、１０……余弦波発生器、１２，１４……ラン
プ波発生器、１８……ステージ駆動手段、２０…
…検出器、２８……制御回路。
イメントマーク位置測定装置の構成図、第２図は
第１ステツプにおけるアライメントマーク位置測
定方法の説明図、第３図は第２ステツプにおける
アライメントマーク位置測定方法の説明図、第４
図は第３ステツプにおけるアライメントマーク位
置測定方法の説明図である。 １……アライメントマーク位置測定装置、４…
…被測定物、６……偏向手段、８……正弦波発生
器、１０……余弦波発生器、１２，１４……ラン
プ波発生器、１８……ステージ駆動手段、２０…
…検出器、２８……制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面にアライメントマークが形成された被測
定物に対して電子ビームを光軸を中心として円形
走査するとともに、この走査円の径を順次大きく
して前記被測定物のアライメントマークを検出
し、次いで、電子ビームを逆向きに円形走査して
ホコリ、キズ等による検出誤りを判別する第１ス
テツプと、この第１ステツプで検出したアライメ
ントマークの検出データに基づきアライメントマ
ークを前記光軸に向つて移動させ、続いて電子ビ
ームを直交走査して前記光軸とアライメントマー
クとの距離を測定する第２ステツプと、この第２
ステツプで測定した光軸とアライメントマーク間
の距離データに基づきアライメントマークを光軸
に向つてさらに接近させ、次いで電子ビームを再
び円形走査してこの走査円とアライメントマーク
との交叉位置を検出し、この検出データに基づき
アライメントマークの中心位置を求める第３ステ
ツプとを順次行なうことを特徴とするアライメン
トマーク位置測定方法。 ２ 表面にアライメントマークが形成された被測
定物に照射する電子ビームを偏向させる直交２方
向に配置された偏向手段と、この偏向手段に正弦
波信号ならびにこの正弦波信号と同期して位相が
90゜異なる余弦波信号とをそれぞれ与える正弦波、
余弦波の各発生器と、前記各偏向手段にランプ波
を与えるランプ波発生器と、前記被測定物が載置
される試料ステージを水平移動するステージ駆動
手段と、被測定物から放射される反射電子を検出
する検出器と、前記正弦波、余弦波およびランプ
波の各発生器の出力を制御するとともに前記検出
器から出力されるアライメントマークの検出信号
に基づき前記ステージ駆動手段の動作を制御する
制御回路とを備えていることを特徴とするアライ
メントマーク位置測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6396184A JPS60205207A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | アライメントマ−ク位置測定方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6396184A JPS60205207A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | アライメントマ−ク位置測定方法およびその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60205207A JPS60205207A (ja) | 1985-10-16 |
| JPH0554604B2 true JPH0554604B2 (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=13244410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6396184A Granted JPS60205207A (ja) | 1984-03-29 | 1984-03-29 | アライメントマ−ク位置測定方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60205207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827707A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-01-30 | Yamabishi Kogyo Kk | 弾性舗装材及び弾性舗装方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119125A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 走査型露光装置 |
| JP2585457B2 (ja) * | 1990-08-03 | 1997-02-26 | 株式会社日立製作所 | 最適性判定装置を付加した電子線描画装置 |
| JP4779870B2 (ja) * | 2006-08-18 | 2011-09-28 | 株式会社日立製作所 | イオン注入方法およびその装置 |
-
1984
- 1984-03-29 JP JP6396184A patent/JPS60205207A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827707A (ja) * | 1994-07-20 | 1996-01-30 | Yamabishi Kogyo Kk | 弾性舗装材及び弾性舗装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60205207A (ja) | 1985-10-16 |
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