JPH054948B2

JPH054948B2 -

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Publication number: JPH054948B2
Application number: JP62217854A
Authority: JP
Inventors: Yoshuki Yasutomi; Yasuo Matsushita; Kosuke Nakamura
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1986-09-05
Filing date: 1987-09-02
Publication date: 1993-01-21
Also published as: JPS63185864A; US4923829A

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は、複合セラミツクス及びその製造法に
係り、特に焼結時の寸法変化率が小さい複雑形状
の導電性部品に適した導電性セラミツクス及びそ
の製造法に関する。〔従来の技術〕従来より発熱体としては金属発熱体やセラミツ
ク発熱体が提供されている。金属発熱体にはニク
ロムやタンタルなどがあるが、これらは耐熱性に
乏しく1000℃以上になると劣化すると云う問題が
ある。セラミツクス発熱体として実用されているの
は、炭化けい素、安定化ジルコニア、ランタンク
ロマイト、モリブデンシリサイドなどがあるが、
これらの材料は比較的電気抵抗が高く、また抵抗
温度係数が負であるために熱暴走を引き起こし易
く、温度制御が難しい。また機械的強度、耐熱衝
撃性も低いという欠点をもつており、これらに代
わる新しい導電性セラミツクスが望まれており、
いろいろな方法で検討されている。例えば、特開昭60−103078号に示されているよ
うに、SiCやSi₃N₄に導電性化合物を混合し、ホ
ツトプレス焼結することにより上記の問題を解決
している。しかし、ホツトプレス法は、焼結体の
緻密化が可能であるが膨大なエネルギを必要とす
るために製造コストが高いという問題がある。更に、特開昭60−60983号に示されているよう
に、Si₃N₄に導電性化合物を混合し、ホツトプレ
ス法よりもエネルギ消費の点で有利な常圧焼結法
により導電性セラミツクスを得ているが、焼結助
剤を利用するために高温での軟化や変形が生じ
る。また焼結時の寸法収縮が約15〜18％あり、変
形などの問題がある。焼結助剤を用いずにSi₃N₄
粉末と導電性化合物を焼結すると密度が向上しな
いために比抵抗が大きいという問題があり、導電
性セラミツクスの性能としては不充分である。〔発明が解決しようとする問題点〕上記従来技術は、焼結時の寸法収縮の点につい
て配慮がされておらず、収縮に伴う変形が大き
い。複雑形状品の成形が困難で加工コストも高い
などの問題があつた。本発明の目的は、焼結時の寸法収縮が小さく、
複雑形状品をニアネツトシエイプに焼結した複合
セラミツクスを提供するにある。また、他の目的は10¹⁰〜10^-5Ω・cmの範囲で任
意の抵抗値を有する複合セラミツクスを提供する
にある。更に、他の目的は、抵抗温度係数が正である複
合セラミツクスを提供するにある。〔問題点を解決するための手段〕本発明の複合セラミツクスは、導電性粒子を金
属Siから生成したSi₃N₄の粒子およびウイスカで
結合させたものにある。本発明における導電性粒子は耐酸化性にも優れ
ているTiN，TiC，ZrN，ZrC，Cr₂Ｎ，Cr₃C₂の
いずれかである。本発明において、焼結体中の上記導電性化合物
の含有量を10〜80vol％とする。なお、導電材が
30vol％より少ないとセラミツクスの抵抗率が
10Ωcmより大きくなり抵抗温度係数が負となる。
従つて、抵抗温度係数が正のものを要求する場合
は30vol％以上が好ましい。また、80vol％より多
くなるとセラミツクスの機械的強度、耐熱衝撃
性、耐酸化性などの特性が低下する。本発明の焼結体は、その気孔率を５〜30％とす
るのが好ましい。気孔率が30％を超えると機械的
強度が低下すると共に抵抗率も大きくなる。また
本発明の焼結体は反応焼結法によつて得られるた
め、導電性粒子と金属シリコン粉末からなる成形
体を、窒化性ガス雰囲気中で焼結する際、金属シ
リコンを窒化性ガスと反応させて窒化ケイ素に変
化させ、導電性粒子間を結合させる必要がある。
そのためには窒化性ガスが成形体中を通過するの
で、焼結体の気孔率は５％以上になる。前記金属Siの平均粒径は5μm以下が好ましい。
その理由は、5μmよりも大きくなると、窒化時間
（金属SiからSi₃N₄に変わる時間）が長くなると
共に、未反応のSiが残留するので好ましくない。本発明において、成形用バインダはポリビニル
ブチラールやポリエチレンなどの有機高分子化合
物、シリコンイミド化合物やポリシラン化合物な
どの有機Si化合物、その他の熱可塑性樹脂、ステ
アリン酸などの潤滑剤を、前記金属Siと導電性化
合物の合計100重量部に対し２〜20重量部添加し、
加圧成形して相対密度（理論密度に対する実際の
密度）60％以上に成形するのが好ましい。該成形体は、上記バインダなどは、その分解温
度以上に加熱して分解除去する。次いで、窒素お
よび／またはアンモニア（必要に応じて水素、ア
ルゴン、ヘリウムなどを加えたもの）の窒化性ガ
ス雰囲気中で、少なくとも1350℃で加熱し焼結す
る。なお、本発明の焼結体は、焼結による収縮が極
めて少ないので、いわゆるニアネツトシエイプに
焼結することができるが、必要により、成形後ま
たは焼結後に機械加工することもできる。前記金属Siおよび導電性化合物は市販の粒子
状、ウイスカ状のものをそのまま用いることがで
きるが、ミルなどによつて粉砕して球状粒子とし
て用いてもよい。本発明の焼結体は、焼結粒子間を金属Siから生
成したSi₃N₄の多数の針状のウイスカ同志が絡み
合うことによつて強く結合し、これが耐熱衝撃
性、強靱性を得るのに大きく寄与している。本発
明において、焼結体中のウイスカの量をSi₃N₄相
100vol％に対し１〜70vol％（好ましくは10〜
30vol％）とした理由は、上記範囲外では耐熱衝
撃性、強靱性が充分得られないからである。もち
ろんこれらをあまり必要としない場合はそのかぎ
りではない。成形方法は、射出成形、鋳込み成形、ラバープ
レス成形、押出し成形、金型成形など形状と要求
特性に応じて成形方法を選択する。この成形体から成形助剤などを除去させた後、
本発明に従つて、ウイスカ生成熱処理を行なう。本発明において、焼結体の気孔中に導電性を持
つ樹脂や粒子を含浸することも可能である。 Si粒子から生成するウイスカ以外に、原料とし
てウイスカを混合してもよい。原料ウイスカは金
属Siから生成したウイスカ、粒子により結合され
るので特性上問題ない。本発明において、焼結体の気孔率を５％より小
さくするために、焼結体を再焼結することも可能
である。再焼結は、ホツトプレスや熱間静水圧プ
レス、また焼結助剤を利用した常圧による二次焼
結が可能である。これにより、ウイスカが焼結体
中に三次元的に存在するため高じん性のセラミツ
クスが得られる。この場合の焼結による寸法収縮は７％以下に抑
えることができ、高寸法精度のものが得られる。
ホツトプレスや熱間静水圧プレスの加圧は、成形
体中のウイスカが塑性変形できる温度まで加熱し
て行なうのがよい。焼結助剤を利用した焼結体は高温で軟化するた
め機械的特性を低下させる。また、粒界に高抵抗
層が存在するようになり、電気的特性も低下する
ので、使用目的によつては好ましくない。しか
し、本発明の場合は、従来の常圧焼結体に比較し
て焼結助剤が少なくてよい。また、寸法収縮率も
小さいので変形がない。次に成形時のバインダ量としては５〜20重量部
がよい理由を以下に述べる。原料粉末自体はぜい性の固体粒子から成つてい
るため、そのまま加圧するだけでは充填が困難で
あり圧力の増加にともなつて成形体に歪を発生
し、クラツクを発生して割れてしまう。そのた
め、何らかの有機バインダーを加えて粉体の流動
性を助け、かつ成形体の強度を高める必要があ
る。また、有機バインダーの添加量により焼結体
の強度が左右される。有機バインダー添加量と焼
結体の曲げ強度の関係を第９図に示す。図から明
らかなように有機バインダー添加量により焼結体
の強度が変る。これは成形体の密度に関係する。
有機バインダーが多すぎても少なすぎても成形体
の密度が向上せず、最適添加量の場合のみ高密度
となる。即ち、原料粉に有機バインダーの添加量
を増して行くと、混合物の加温下の流動性は良好
となり、加圧成形が容易になる。その結果成形体
の密度が向上する。しかし、原料粉が理想的な密
充填にあるときの空孔の割合以上に有機バインダ
を混合すると原料粉はバインダ中に孤立した状態
になる。混合物の流動性は良いが、成形体中の固
形分はバインダが多くなるほど少なくなり、その
結果、成形体の密度が低下することになる。こう
した理由からバインダ量の適当な範囲としては５
〜20重量部がよい。本発明において、金属SiとしてフエロSiを使用
することもできる。この場合、フエロSiの含有量
は70wt％以下とするのが好ましい。FeはSiの窒
化反応を促進させる効果があるが、逆に多すぎる
とフエロSiが焼結体中に残存して、高温特性を低
下させる。本発明では、導電性化合物は平均粒径100μm以
下の粒子または平均アスペクト比200以下で平均
長さ200mm以下のウイスカを使用するのがよい。
これらのものよりも大きいものを用いると、分散
が不均一となり、曲げ強さ、耐熱衝撃性が低下す
るそれがある。とくに粒子としては平均粒径5μm以下が好まし
い。〔作用〕本発明が、焼結時の寸法変化率が小さく、靱
性、耐熱性、耐熱衝撃性にも優れた複合セラミツ
クスが得られるのは、導電性化合物が金属Siから
生成したSi系窒化物の粒子およびウイスカで結合
されることによるものである。また、導電性化合物を用いているために、その
配合量を制御することにより、焼結体の電気抵抗
率を10¹⁰〜10^-5Ωcmの範囲のものが得られる。〔実施例〕実施例１〜６平均粒径0.7μmの金属Si粉末と平均粒径0.5μm
のTiN粉末を第１表の割合に混合し、その100重
量部に対しポリビニルアルコール粉末を９重量部
添加して、メタノール50c.c.と一緒に24時間混合し
た。そして、混合物を1000Kgｆ／cm²の圧力が成形
を行い40φ×10mmの成形体を得た。成形体は、窒素雰囲気中2.5℃／ｈの昇温速度
で500℃まで加熱し、ポリビニルアルコールを分
解した後、５℃／minで1100℃まで加熱し、1100
℃から1400℃まで４℃／ｈの昇温で加熱すること
により、Si₃N₄ウイスカ−Si₃N₄粒子＝１／９の
焼結体を得た。ここで、このウイスカー／粒子の
配合比は、1100℃から1400℃まで加熱昇温速度を
変化させ、昇温の途中に段階的に温度を保持する
ことにより調整する。また、ウイスカー／粒子の
割合は、焼結体の走査電顕観察及び透過電顕観察
から求めた。得られた焼結体の特性を第１表に示す。比較の
ために平均粒径の0.8μmのSi₃N₄粉末、平均粒径
0.5μmのTi粉末を用い同様にして成形体を得、
1750℃で４時間窒素雰囲気中で焼結して得られた
焼結体の特性を第１表に比較例１〜６とし併せて
示す。ここで、熱衝撃値は焼結体を1200℃で30分間保
持した後、水中に投入して急冷し、亀裂を発生す
るまで反復し、その回数を以て比較した。第１図に、TiN含有量と電気抵抗率（以下抵
抗率と云う）の関係を示す。曲線Ａが本発明、曲
線Ｂが比較例である。以上より、本発明品は、比較例に対して抵抗率
が１／10〜１／100小さい。また、曲げ強さ、耐
熱衝撃性も組成比が同じ場合は本発明品が優れて
いる。次に、第２表の比較例７〜12に示す組成の混合
粉末を調整した。この混合粉末は、焼結助剤とし
てY₂O₃を含有させている。これを前記と同様に
成形し、1750℃で４時間焼成し焼結体を得た。得
られた焼結体の特性を第２表に示す。

【表】

【表】第２図に、TiN含有量と焼結時の寸法変化率
の関係を示す。以上より本発明品Ｃは、Si₃N₄粉末とTiN粉末
に焼結助剤Y₂O₃を添加したものＤと比較して寸
法変化率が極めて小さく優れた焼結体が得られ
る。また、比較例のものは焼結助剤を添加している
ためにガラス相が存在し、このガラス相が高温で
軟化するために高温における強度が低い。実施例７平均粒径0.9μmの金属Si粉末と平均粒径2μmの
TiC粉末を種々の割合に調合し、その100重量部
に対してポリエチレン系ワツクスを11重量部添加
して、150℃で加圧ニーダを用いて５時間混練し
た後混合物を破砕し、150℃、1000Kgｆ／cm²の条
件で成形体を得た。そして成形体中のワツクス分
を除くために２℃／ｈで500℃まで加熱した。そ
して、窒素ガス中、1100℃から1400℃まで４℃／
ｈで時間をかけて加熱処理し、焼結体を得た。このようにして得たSi₃N₄−TiC系複合セラミ
ツクスはいずれも相対密度80％以上であり、該セ
ラミツクスの抵抗率とTiC混合量の関係を第３図
の曲線Ｅで示す。TiC混合量を調整することで抵
抗率は10¹⁰〜10^-5Ωcmのものが得られる。また該
セラミツクスの抵抗率と温度との関係から求めた
抵抗温度係数は第４図の曲線Ｇの如くであり、
TiC量が30vol％より多い領域では、正の抵抗温
度係数をもつことが分る。また、該セラミツクス
の焼結時の寸法変化率とTiC混合量との関係を第
５図に示す。常圧焼結の場合の寸法変化率15〜18
％であるのに較べると約１桁小さい。実施例８実施例７と同様に、TiCの代りにZrC，ZrNの
粉末（平均粒径2μm）を用いて調合、成形、焼結
を行ない、Si₃N₄−ZrC系、Si₃N₄−ZrN系の複合
セラミツクスを作製した。これら２つの系の複合
セラミツクスの抵抗率と導電性物質混合量との関
係は、第３図の曲線Ｅとほぼ同等である。また抵
抗温度特性も実施例７の場合と同様に、ZrCまた
はZrNの混合量が約30vol％以上で正の抵抗温度
特性を持つものが得られた。実施例９実施例７と同様にしてTiNの代わりにCr₂Ｎ，
Cr₃C₂の導電性粒子（平均粒径：2μm）を混合量
を変えて調合、成形、焼結を行なつた。いずれ
も、焼結時の寸法変化率が１％以下と小さく、ま
たこれらのセラミツクスの抵抗率と導電性化合物
配合量との関係は、第３図の曲線Ｆとほぼ同様で
ある。実施例 10 金属Si粉末（平均粒径1.2μm）をSi₃N₄換算で
50体積部とTiCウイスカ（平均アスペクト比50、
平均長さ100μm）50体積部、これらの合計の100
重量部に対してポリシラン化合物を10重量部添加
した混合粉を1000Kgｆ／cm²で成形した後、窒素ガ
ス雰囲気中で最高1700℃まで段階的に時間をかけ
て加熱処理し、焼結体を得た。得られた複合セラミツクスの特性は相対密度93
％、室温時の抵抗率４×10^-3Ωcm、抵抗温度係数
（20〜500℃）＋2.2％／℃、曲げ強さ380MN／cm²、
焼結時の寸法変化率＋1.8％である。実施例 11〜18 実施例10と同様にして、金属Si粉末の粒径を変
えて焼結した結果を第３表に示す。

【表】第６図に、金属Si粒径と曲げ強さの関係を示
す。金属Siの粒径が5μmを超えると焼結体中の未
窒化の残留Siが加熱により蒸発するために焼結体
の密度が向上しない。またそのために強度が低下
し、かつ抵抗率も大きい。実施例 19〜27 平均粒径0.9μmの金属Si粉末50重量部と平均粒
径2μmのTiN粉末を用い実施例７と同様にして成
形体を作成した。そして、窒素雰囲気中1400℃ま
で段階的に加熱時間を変えて焼結を行い、Si₃N₄
ウイスカーの生成量を調整し、焼結体を得た。得
られた焼結体の試験結果を第４表に示す。なお、破壊靱性値はノツチドビーム法により測
定した。

【表】以上より、Si₃N₄相100vol％に対して、１〜
70vol％Si₃N₄ウイスカーが存在する本発明品は
耐熱衝撃性、靱性に優れていることが判る。実施例 28〜47 実施例１と同様にしてａ，ａ，ａ族元素
の窒化物、炭化物、硼化物物の20種類について作
成した焼結体の耐酸化性試験を行つた。その結果
を第５表に示す。これより、TiN，TiC，ZrN，
ZrC，Cr₂Ｎ，Cr₃C₂が耐酸化性に特に優れている
ことが判る。

【表】

【表】実施例 48 自動車用交流発電機の集電材として、実施例７
で得られたSi₃N₄−TiC（50vol％）導電性セラミ
ツクスを用いて集電特性を検討した。その結果を
第６表に示す。これより、本発明品は従来の銅−
カーボンに較べ耐摩耗特性に優れていることが判
る。

【表】実施例 49 実施例10で得られた導電性セラミツクスを用い
て第７図ａ，ｂに示すようなＵ字形ヒータ（抵抗
値0.1Ω；抵抗率６×10^-3Ωcm）を作製した。この
ヒータ部２の端子１に直流12Vの電圧を印加した
時のヒータ端子電圧V_H、電流I_H及びヒータ先端部
温度T_Hを第８図に示すが、先端温度900℃までが
約0.8秒、1200℃までが約1.2秒、1500℃までが約
1.8秒と瞬間的に昇温し、速熱性に優れている。
また通電によりヒータ温度が上昇するにつれて正
の抵抗温度係数により負荷電流が減少した。これ
により、熱暴走によるヒータ溶断などのトラブル
が起きない。実施例 50〜58 実施例１と同様にして成形体を作製した。そし
て、窒化性ガス中の酸素分圧を変えて、Siから生
成するSi₃N₄，Si₂N₂Ｏ，SiO₂の量と得られた焼
結体の抵抗率の関係を第７表に示す。

【表】

【表】抵抗率が低下する傾向がある。実施例 59〜64 実施例４と同様に、金属Siの代りにFe含有量
の異なるフエロSi粉末（平均粒径5μm）を用い
て、作製した焼結体の特性を第８表に示す。

【表】 Fe含有量が増すに伴い、高温曲げ強さ、耐熱
衝撃性が低下し、抵抗率が小さくなる傾向があ
る。実施例 65 実施例10で得られた焼結体を外径30mm×内径20
mm×厚さ８mmの摺動試験用リングに加工し、摺動
面を3μmのダイヤモンドを吹きつけたバフで研摩
した後、下記の条件で乾式摺動試験を行つた。結
果を第９表に示す。摺動条件試験法：メカニカルシールタイプ（Ring on Ring方式）潤滑方式：無潤滑摺動速度：10ｍ／min 面圧：1.5Kg／cm² 時間：48時間

【表】また、比較材料についても同様の条件でテスト
した結果を第10表に示す。この結果から本発明品
は耐摩耗性に優れ、摺動材としても優れている。

【表】これにより、一般用メカニカルシールリング、
ケミカル用シールリング、プランジヤ、軸受、サ
ンドブラスト用ノズル、タペツト等種々の摺動部
材として応用できる。また、潤滑剤を焼結体の気孔中に含浸させるこ
とにより一段と優れた摺動部材を得ることもでき
る。実施例 66〜72 実施例３と同様にして、成形用バインダ量を変
えて成形、焼結して得られた気孔率の異なる焼結
体について同様に試験した結果を第11表に示す。

【表】これより、気孔率が30％より多くなると強度、
耐酸化性、靱性が低下する傾向がある。実施例 73〜77 実施例19〜23で得られた焼結体を窒素中、第12
表の条件で150分HIP処理を行つた。得られた焼
結体の試験結果を第12表に示す。

【表】これより、相対密度を99〜100％にすることが
でき高温強度、靱性を更に高めることができる。
また、抵抗率も２×10^-4Ωcmと小さいことが判つ
た。実施例 78 実施例19〜23の原料に焼結助剤としてY₂O₃を
3vol％、Al₂O₃を2vol％添加し、同様に成型、焼
結した。そして二次焼結を1800℃、５時間行つて
ち密焼結体を得た。該焼結体は室温での曲げ強さ900〜1000MN／
mm²のものが得られたが、1200℃では焼結体の粒界
が軟化し、曲げ強さ300MN／mm²程度しか示さな
かつた。抵抗率は８×10^-4Ωcmと小さな値であ
り、低温域で使用するには問題ない。また、二次焼結による寸法変化率は７％程度で
変形もなかつた。一次焼結後、最終の形状に機械加工後、二次焼
結することによつて複雑形状の製品を比較的容易
に得ることができる。実施例 79〜83 実施例１と同様に、加熱温度と昇温速度を変え
て焼結し、Si₃N₄中のβ−Si₃N₄の量と耐熱衝撃
値との関係を調べた。結果を第13表に示す。

〔発明の効果〕

本発明によれば、焼結時の寸法変化率が極めて
小さく、靱性、耐熱性、耐熱衝撃性にも優れた複
合セラミツクスを提供することができる。該複合
セラミツクスは、高温度で使用される構造材料を
はじめエンジン、熱交換器など広く利用すること
ができる。また、導電性化合物の配合量を制御することに
より、焼結体の電気抵抗率を10¹⁰〜10^-5Ωcmの範
囲で任意に制御できる。更に、抵抗温度係数が正
のものを得ることができるので、耐熱衝撃性にす
ぐれた電流の熱暴走を起こさない電気材料を提供
することができる。例えば、各種ヒータ、グロー
プヒータ、点火用ヒータ、または発電機集電材、
モータブラシなどに利用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はTiN含有量と電気抵抗率との関係を
示す図、第２図はTiN含有量と焼結時の寸法変
化率との関係を示す図、第３図はTiC含有量と電
気抵抗率との関係を示す図、第４図はTiC含有量
と抵抗温度係数との関係を示す図、第５図はTiC
含有量と焼結時の寸法変化率との関係を示す図、
第６図は原料の金属Si粒径と焼結体の曲げ強さと
の関係を示す図、第７図は本発深の焼結体から成
るヒータの平面図および側断面図、第８図は該ヒ
ータの通電特性を示す図、第９図は成型用バイン
ダの添加量と該焼結体の曲げ強さとの関係を示す
図である。Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ……本発明の実施例、
Ｂ，Ｄ……比較例、１……ヒータ端子、２……ヒ
ータ部。

Claims

【特許請求の範囲】１ TiN，TiC，ZrN，ZrC，Cr₂Ｎ，Cr₃C₂のい
ずれかの導電性粒子が、金属シリコンから生成さ
れた主として窒化ケイ素からなる粒子及びウイス
カによつて結合された焼結体であつて、気孔率が
０−30％、電気抵抗率が10¹⁰−10^-5Ωcmであるこ
とを特徴とする複合セラミツクス。２前記窒化ケイ素には、Feが70重量％以下含
まれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の複合セラミツクス。３前記焼結体の抵抗温度係数が正であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合セラ
ミツクス。４前記焼結体の気孔率が５−30％であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合セラ
ミツクス。５前記焼結体の気孔率が５％未満であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合セラ
ミツクス。６窒化ケイ素に換算して20−90容量％に相当す
る金属シリコン粉末と、TiN，TiC，ZrN，
ZrC，Cr₂Ｎ，Cr₃C₂のいずれかの導電性粒子80−
10容量％との混合粉末に、成形用バインダの適量
を混合して成形し、前記バインダの分解温度以上
の温度で加熱して該バインダを除去し、次いで、
窒化性ガス雰囲気中で昇温速度及び加熱時間を制
御しながら少なくとも1350℃以上に加熱して、窒
化ケイ素の前記ウイスカ／粒子の容積比が１／99
−７−／30となるよう反応焼結することを特徴と
する複合セラミツクスの製法。７前記金属シリコン粉末がFeを70重量％以下
含むことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載
の複合セラミツクスの製法。８前記成形体の密度が理論密度の60％以上とな
るよう成形することを特徴とする特許請求の範囲
第６項記載の複合セラミツクスの製法。９前記金属シリコン粉末の粒径が5μm以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の
複合セラミツクスの製法。１０前記金属シリコン粉末及び前記導電性粒子
の粒径が5μm以下であることを特徴とする特許請
求の範囲第６項記載の複合セラミツクスの製法。１１窒化ケイ素に換算して20−90容量％に相当
する金属シリコン粉末と、TiN，TiC，ZrN，
ZrC，Cr₂Ｎ，Cr₃C₂のいずれかの導電性粒子80−
10容量％との混合粉末に、成形用バインダの適量
を混合して成形し、前記バインダの分解温度以上
の温度で加熱して該バインダを除去し、次いで、
窒化性ガス雰囲気中で昇温速度及び加熱時間を制
御しながら少なくとも135℃以上に加熱して、窒
化ケイ素の前記ウイスカ／粒子の容積比が１／99
−70／30となるよう反応焼結した後、二次焼結す
ることを特徴とする複合セラミツクスの製法。１２前記金属シリコン粉末がFeを70重量％以
下含むことを特徴とする特許請求の範囲第１１項
記載の複合セラミツクスの製法。１３前記成形体の密度が理論密度の60％以上と
なるよう成形することを特徴とする特許請求の範
囲第１１項記載の複合セラミツクスの製法。１４前記金属シリコン粉末の粒径が5μm以下で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１１項記
載の複合セラミツクスの製法。１５前記金属シリコン粉末及び前記導電性粒子
の粒径が5μm以下であることを特徴とする特許請
求の範囲第１１項記載の複合セラミツクスの製
法。１６前記二次焼結工程が加圧焼結法であること
を特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の複合
セラミツクスの製法。１７前記二次焼結工程前に機械加工を施すこと
を特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の複合
セラミツクスの製法。