JPH0547976B2 - - Google Patents
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- JPH0547976B2 JPH0547976B2 JP8051591A JP8051591A JPH0547976B2 JP H0547976 B2 JPH0547976 B2 JP H0547976B2 JP 8051591 A JP8051591 A JP 8051591A JP 8051591 A JP8051591 A JP 8051591A JP H0547976 B2 JPH0547976 B2 JP H0547976B2
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- Japan
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- molybdenum
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- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051591A JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8051591A JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174164A Division JPS6066425A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218912A JPH04218912A (ja) | 1992-08-10 |
| JPH0547976B2 true JPH0547976B2 (OSRAM) | 1993-07-20 |
Family
ID=13720455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8051591A Granted JPH04218912A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | Lsi電極用の高純度モリブデンターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218912A (OSRAM) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4928706B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 光学薄膜形成用Nbスパッタリングターゲットの製造方法 |
| US7459036B2 (en) | 2003-03-07 | 2008-12-02 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd | Hafnium alloy target and process for producing the same |
| JP5550328B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-07-16 | 株式会社東芝 | Moスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| SG11202008892PA (en) * | 2018-03-13 | 2020-10-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and method for producing sputtering target |
| TWI798387B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-04-11 | 日商Jx金屬股份有限公司 | 濺鍍靶以及濺鍍靶的製造方法 |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP8051591A patent/JPH04218912A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04218912A (ja) | 1992-08-10 |
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