JPH0547478Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0547478Y2 JPH0547478Y2 JP1986117703U JP11770386U JPH0547478Y2 JP H0547478 Y2 JPH0547478 Y2 JP H0547478Y2 JP 1986117703 U JP1986117703 U JP 1986117703U JP 11770386 U JP11770386 U JP 11770386U JP H0547478 Y2 JPH0547478 Y2 JP H0547478Y2
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- JP
- Japan
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- surge
- constant voltage
- voltage diode
- mov
- diode
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はサージ吸収用半導体素子に関し、特に
定電圧ダイオードで吸収しきれないサージ電流を
吸収するサージ吸収用半導体素子に関する。
定電圧ダイオードで吸収しきれないサージ電流を
吸収するサージ吸収用半導体素子に関する。
従来、この種のサージ吸収用半導体素子として
は、第７図に示すように、サージ源２２に対して
保護回路（素子）２１と並列に定電圧ダイオード
（ZD）２を用いるか、この定電圧ダイオード２で
吸収しきれない大きなサージ電流に対しては、第
８図に示すように、金属酸化物バリスタ
（MOV）１を用いていた。
は、第７図に示すように、サージ源２２に対して
保護回路（素子）２１と並列に定電圧ダイオード
（ZD）２を用いるか、この定電圧ダイオード２で
吸収しきれない大きなサージ電流に対しては、第
８図に示すように、金属酸化物バリスタ
（MOV）１を用いていた。
上述した定電圧ダイオード２で吸収しきれない
大きなサージ電流に対してMOV１を用いると、
第９図の特性図に示すように、MOV１の電圧波
形は応答性が悪く、立上りに時間t5がかかり安定
していないという欠点があつた。
大きなサージ電流に対してMOV１を用いると、
第９図の特性図に示すように、MOV１の電圧波
形は応答性が悪く、立上りに時間t5がかかり安定
していないという欠点があつた。
本考案の目的は、このような欠点を除き、立上
り時間が短かく応答性がよいサージ吸収用半導体
素子を提供することにある。
り時間が短かく応答性がよいサージ吸収用半導体
素子を提供することにある。
本考案のサージ吸収用半導体素子の構成は、円
筒型の金属酸化物バリスタの円筒内に、定電圧ダ
イオードを内蔵させ、この定電圧ダイオードの両
端を前記金属酸化物バリスタの両端の電極に接続
してこれらを並列接続し、これらを一体に形成し
たことを特徴とする。
筒型の金属酸化物バリスタの円筒内に、定電圧ダ
イオードを内蔵させ、この定電圧ダイオードの両
端を前記金属酸化物バリスタの両端の電極に接続
してこれらを並列接続し、これらを一体に形成し
たことを特徴とする。
次に本考案について図面を参照して説明する。
第１図ａ，ｂは本考案の一実施例の透視した斜
視図およびその等価回路図である。図中、１は円
筒形のMOV、２は定電圧ダイオードのチツプを
示している。このMOV１の電極３，５のうち電
極３にはチツプ２が接触してマウントされてお
り、このMOV１の他方の電極５とチツプ２とは
ボンデイングワイヤ４によりボンデイングされて
接続されている。このMOV１のリード端子７、
リード端子８はそれぞれ電極５、電極３に接続さ
れている。樹脂９がこれらMOV１、電極３、電
極５を封止している。
視図およびその等価回路図である。図中、１は円
筒形のMOV、２は定電圧ダイオードのチツプを
示している。このMOV１の電極３，５のうち電
極３にはチツプ２が接触してマウントされてお
り、このMOV１の他方の電極５とチツプ２とは
ボンデイングワイヤ４によりボンデイングされて
接続されている。このMOV１のリード端子７、
リード端子８はそれぞれ電極５、電極３に接続さ
れている。樹脂９がこれらMOV１、電極３、電
極５を封止している。
第２図ａ，ｂは本考案の第２の実施例の透視斜
視図および等価回路図である。本実施例は、円筒
形のMOV１と、リードレス円筒形の定電圧ダイ
オード１０とからなり、電極３と、電極５は、
MOV１と定電圧ダイオード１０の両端の電極に
それぞれ接続され、リード端子７，８はそれぞ
れ、電極５，３と接続されている。樹脂９がこれ
らMOV１、電極３，５を封止している。
視図および等価回路図である。本実施例は、円筒
形のMOV１と、リードレス円筒形の定電圧ダイ
オード１０とからなり、電極３と、電極５は、
MOV１と定電圧ダイオード１０の両端の電極に
それぞれ接続され、リード端子７，８はそれぞ
れ、電極５，３と接続されている。樹脂９がこれ
らMOV１、電極３，５を封止している。
次に第１図ｂの等価回路について説明する。
第３図は本実施例の使用時の回路図で、本実施
例の素子２０を保護される回路（あるいは、素
子）２１と並列に接続してサージ源２２から保護
するようにした回路である。
例の素子２０を保護される回路（あるいは、素
子）２１と並列に接続してサージ源２２から保護
するようにした回路である。
第４図は本実施例のサージ電流の波形図を示し
ている。サージ源２２から定電圧ダイオード２の
許容電流I2よりも、大きなピーク電流Ｉをもつサ
ージが発生した場合、第５図に示すように、定電
圧ダイオード２のＶ−Ｉ特性波形Ａと、MOV１
のＶ−Ｉ特性波形Ｂとにより、素子２０のＶ−Ｉ
特性波形Ｃが得られる。この場合、電流値I1は定
電圧ダイオード２のＶ−Ｉ特性波形ＡとMOV１
のＶ−Ｉ特性波形Ｂとの交点となる電流値とな
る。
ている。サージ源２２から定電圧ダイオード２の
許容電流I2よりも、大きなピーク電流Ｉをもつサ
ージが発生した場合、第５図に示すように、定電
圧ダイオード２のＶ−Ｉ特性波形Ａと、MOV１
のＶ−Ｉ特性波形Ｂとにより、素子２０のＶ−Ｉ
特性波形Ｃが得られる。この場合、電流値I1は定
電圧ダイオード２のＶ−Ｉ特性波形ＡとMOV１
のＶ−Ｉ特性波形Ｂとの交点となる電流値とな
る。
第４図に示すサージ電流ｉにおいて、電流値I1
を定電圧ダイオード２の許容電流I2より小さくな
るように定電圧ダイオードおよびMOVを設定す
ることにより、電流値I1よりもサージ電流が小さ
い領域、すなわち時間T1，T3においては、定電
圧ダイオード２を用いてサージ吸収し、電流値I1
よりもサージ電流が大きい領域、すなわち時間
T2においては、MOV１を用いてサージを吸収す
ることができる。
を定電圧ダイオード２の許容電流I2より小さくな
るように定電圧ダイオードおよびMOVを設定す
ることにより、電流値I1よりもサージ電流が小さ
い領域、すなわち時間T1，T3においては、定電
圧ダイオード２を用いてサージ吸収し、電流値I1
よりもサージ電流が大きい領域、すなわち時間
T2においては、MOV１を用いてサージを吸収す
ることができる。
したがつて、第９図に示すように、従来の
MOV１のみを用いた電圧波形は、時間T5のよう
に、応答特性が悪いが、定電圧ダイオード２の
MOV１とを並列に接続した本考案の素子では、
第６図に示すように、定電圧ダイオードの時間
T0（T0＜＜T5）が極めて早い応答特性となり、
サージ吸収としてより安定した電圧波形が得られ
る。なお、第２図ｂの等価回路は、定電圧ダイオ
ード２を双方向の定電圧ダイオード１０にした場
合であり、双方向サージ電流に対し有効であり、
その動作は第１図ｂの等価回路と同等である。
MOV１のみを用いた電圧波形は、時間T5のよう
に、応答特性が悪いが、定電圧ダイオード２の
MOV１とを並列に接続した本考案の素子では、
第６図に示すように、定電圧ダイオードの時間
T0（T0＜＜T5）が極めて早い応答特性となり、
サージ吸収としてより安定した電圧波形が得られ
る。なお、第２図ｂの等価回路は、定電圧ダイオ
ード２を双方向の定電圧ダイオード１０にした場
合であり、双方向サージ電流に対し有効であり、
その動作は第１図ｂの等価回路と同等である。
以上説明したように本考案は、定電圧ダイオー
ドとMOVを並列に接続したサージ吸収用素子に
より、定電圧ダイオードの応答特性及びMOVの
大きなエネルギー耐量を利用し、定電圧ダイオー
ドで吸収しきれないサージ電流をMOVにより吸
収し、より応答性がよく、安定したサージ吸収を
可能とする。
ドとMOVを並列に接続したサージ吸収用素子に
より、定電圧ダイオードの応答特性及びMOVの
大きなエネルギー耐量を利用し、定電圧ダイオー
ドで吸収しきれないサージ電流をMOVにより吸
収し、より応答性がよく、安定したサージ吸収を
可能とする。
第１図ａ，ｂは、本考案の一実施例の透視した
斜視図およびその等価回路図、第２図ａ，ｂは本
考案の第２の実施例の透視斜視図およびその等価
回路図、第３図は本実施例を用いたサージ吸収回
路の一例の回路図、第４図は本実施例のサージ電
流波形図、第５図は本実施例の素子のＶ−Ｉ特性
図、第６図は本実施例のサージ電流に対する電圧
波形図、第７図、第８図は従来の定電圧ダイオー
ドおよびMOVを用いたサージ吸収回路の二例の
回路図、第９図は従来例のMOVのサージ電流に
対する電圧波形図である。 １……MOV、２，１０……定電圧ダイオード
（チツプ）、３，５……電極、４……ボンデイング
ワイヤ、７，８……リード端子、９……樹脂、２
０……素子、２１……保護回路、２２……サージ
源。
斜視図およびその等価回路図、第２図ａ，ｂは本
考案の第２の実施例の透視斜視図およびその等価
回路図、第３図は本実施例を用いたサージ吸収回
路の一例の回路図、第４図は本実施例のサージ電
流波形図、第５図は本実施例の素子のＶ−Ｉ特性
図、第６図は本実施例のサージ電流に対する電圧
波形図、第７図、第８図は従来の定電圧ダイオー
ドおよびMOVを用いたサージ吸収回路の二例の
回路図、第９図は従来例のMOVのサージ電流に
対する電圧波形図である。 １……MOV、２，１０……定電圧ダイオード
（チツプ）、３，５……電極、４……ボンデイング
ワイヤ、７，８……リード端子、９……樹脂、２
０……素子、２１……保護回路、２２……サージ
源。
Claims (1)
- 円筒型の金属酸化物バリスタの円筒内に、定電
圧ダイオードを内蔵させ、この定電圧ダイオード
の両端を前記金属酸化物バリスタの両端の電極に
接続してこれらを並列接続し、これらを一体に形
成したことを特徴とするサージ吸収用半導体素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986117703U JPH0547478Y2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986117703U JPH0547478Y2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324850U JPS6324850U (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0547478Y2 true JPH0547478Y2 (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=31003462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986117703U Expired - Lifetime JPH0547478Y2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547478Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4771180B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2011-09-14 | トヨタ自動車株式会社 | 組電池および組電池の制御システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133641A (en) * | 1980-02-22 | 1981-10-19 | Bosch Gmbh Robert | Ion current measuring voltage source for internal combustion engine |
| JPS583530A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 通信回線用雷サ−ジ防護回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6096941U (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-02 | 株式会社村田製作所 | サ−ジ電圧吸収用複合部品 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP1986117703U patent/JPH0547478Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56133641A (en) * | 1980-02-22 | 1981-10-19 | Bosch Gmbh Robert | Ion current measuring voltage source for internal combustion engine |
| JPS583530A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-10 | 日本電信電話株式会社 | 通信回線用雷サ−ジ防護回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6324850U (ja) | 1988-02-18 |
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