JPH0543171B2 - - Google Patents

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JPH0543171B2
JPH0543171B2 JP59244229A JP24422984A JPH0543171B2 JP H0543171 B2 JPH0543171 B2 JP H0543171B2 JP 59244229 A JP59244229 A JP 59244229A JP 24422984 A JP24422984 A JP 24422984A JP H0543171 B2 JPH0543171 B2 JP H0543171B2
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optical system
reticle
alignment optical
slit
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JP59244229A
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JPS61121437A (ja
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Kinya Kato
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Nippon Kogaku KK
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Priority to US06/796,785 priority patent/US4710029A/en
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Publication of JPH0543171B2 publication Critical patent/JPH0543171B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、半導体素子の製造に用いられる露光
装置、特に投影型露光装置におけるレチクルのア
ライメント光学系に関する。
(発明の背景) 従来、縮小投影型露光装置では、一般にレチク
ル上に設けられた複数のアライメントマークの像
をそれぞれアライメント光学系内のスリツト上に
形成し、このスリツトの後方に配置された各光電
検出器からの光電信号によりスリツトを基準とし
てレチクルの位置合わせを行つている。このよう
な位置合わせは、投影対物レンズによつてレチク
ル上のパターンが焼付けられる被露光体としての
ウエハを載置するステージの移動に対して、アラ
イメント光学系中のスリツトが厳密に一定の位置
関係に保たれていることが前提である。このため
に、ウエハが載置されるステージ上に設けられた
基準マーク(フイデユーシヤル・マーク)を用
い、投影対物レンズを通してアライメント光学系
中の一つのスリツトとフイデユーシヤル・マーク
とを合致させた後、ステージを移動することによ
つて、投影対物レンズを通してフイデユーシヤ
ル・マークとアライメント光学系中の他のスリツ
トとが合致するようにアライメント光学系を調整
しておくことが必要である。
この場合、レチクル上の複数のアライメントマ
ークの間隔は所定の値に定められているため、一
方のアライメントマークに対応するスリツトとフ
イデユーシヤル・マークとを合致させた後、他方
のアライメントマークに対応するスリツトにフイ
デユーシヤル・マークを合致させるために、ステ
ージをそのアライメントマーク間隔値と投影倍率
との積に相当する値だけ移動させる。そして、他
方のアライメントマークとフイデユーシヤル・マ
ークとが合致しない場合には、ハービングガラス
等により両者が合致するようにアライメント光学
系を調整する。このようにしてステージの走りに
対して、アライメント光学系中のスリツトを正確
に位置合わせしておくことが、レチクルの位置合
わせにおいて極めて重要である。
ところが、フイデユーシヤル・マークにより投
影対物レンズを通してアライメント光学系中の各
スリツトの光学的位置調整を行う場合に、投影対
物レンズの倍率が何等かの原因によつて基準倍率
から変動しているならば、ステージを所定のアラ
イメントマーク間隔値と投影倍率との積の値だけ
移動したとしても正確な位置合わせを行うことは
難しく、誤差を生ずる恐れがあつた。即ち、第8
図のレチクルR面上での位置関係を示す平面図の
如く、レチクルのアライメントマークが(+)マ
ークと、これに対してレチクル中心即ち投影対物
レンズ光軸AXに関して直交する位置に設けられ
たレチクルのエツジに沿つた(−)マークとから
なる場合に、対物レンズの投影倍率がなんらかの
原因によつてβからβ′に変化するならば、フイデ
ユーシヤル・マークのレチクル上での位置は、図
中実線で示したFYから点線で示したFY′へと異な
る位置に移動する。即ち、レチクル上に形成され
る各アライメントマーク間の距離は所定値に定め
られているので、この値の倍率分x及びyだけス
テージを移動するのであるが、投影対物レンズの
倍率がβ′に変化しているならば、レチクル上での
フイデユーシヤル・マーク位置はX方向のみなら
ずY方向にも変位を生ずる。このような状態にて
調整されたアライメント光学系によつてレチクル
を位置合わせすると、レチクルの位置が装置本体
に対して正確に位置合わせすることができず、特
にレチクルの回転誤差を生ずる。従つて、ウエハ
に対する複数パターンの重ね焼きの際に誤差を生
ずることとなり、集積度の高い微細なパターンを
持つ半導体素子の製造を行うことが不可能とな
る。
(発明の目的) 本発明の目的は、投影対物レンズの投影倍率が
変動した場合にも、レチクルの位置合わせを正確
に行うことが可能な投影型露光装置を提供するこ
とにある。
(発明の概要) 本発明は、レチクル上のパターンをウエハ上に
投影するための投影対物レンズと、レチクル上に
設けられた複数のアライメントマークの像をそれ
ぞれ形成する結像光学系と該複数のアライメント
マークの位置検出のために該結像光学系の像面位
置にそれぞれ配置された光電検出用スリツトを持
つアライメント光学系、並びに該アライメント光
学系中のスリツトの基準位置を設定するためにウ
エハを載置するステージ上に形成された基準指標
とを有する投影型露光装置において、前記各アラ
イメント光学系中の結像光学系の像面位置に配置
された光電検出用のスリツトをその長手方向がレ
チクル上で投影対物レンズの光軸を通る直線に一
致するよう構成すると共に、複数のアライメント
光学系中にそれぞれ設けられた光電検出用のスリ
ツトの相対的位置を該スリツトの長手方向に垂直
な方向にて光学的に微小量変化させるためのハー
ビングガラスを、一つのアライメント光学系中に
配置したものである。
即ち、このような構成においては、レチクル上
に設けられる複数のアライメントマークが、対物
レンズの光軸上にて互いに交差するような方向を
有していることを前提としている。そして、一つ
のアライメント光学系中に設けられたハービング
ガラスの傾斜角を調整することにより、ステージ
上に設けられた基準指標としてのフイデユーシヤ
ル・マークに基づいて、ステージの走りに対して
各アライメント光学系中のスリツトが厳密に位置
合わせされ、レチクルを装置本体に対して位置合
わせするための初期設定がなされる。
ここで、望ましくはレチクルを所定平面上にて
精密に位置合わせするために、XおよびY方向位
置、そして回転角の補正のために3個のアライメ
ントマークが互いに直交するように設けられ、こ
のためにそれぞれのアライメントマークに対応し
て結像系及び光電検出系からなるアライメント光
学系を3個づつ設けることが望ましい。そして、
3個のアライメントマークのうち2つづつを同一
視野内で観察するために、2個のアライメント光
学系による像を同一平面上に並列形成するための
視野合成プリズムを設けると共に、視野合成され
る一方のアライメント光学系と残る一つのアライ
メント光学系との光路を交差させてこの交差位置
に光路切換え反射鏡を設けることが望ましい。
(実施例) 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明を縮小投影型露光装置に用い
た一実施例のレチクルアライメント光学系を示す
概略斜視図である。レチクルRは図示なき照明系
により均一照明され、レチクル上の所定のパター
ンが投影対物レンズL0により、図示なき被露光
体としてのウエハ上に投影露光される。レチクル
R上の所定パターン領域の周囲には、レチクルR
を装置本体に対して位置合わせするための3個の
アライメントマーク、即ち、X方向の位置合わせ
用アライメントマークMX、Y方向の位置合わせ
用アライメントマークMY、及び回転の位置合わ
せ用アライメントマークMTがそれぞれ、投影対
物レンズL0の光軸AXに交わる如く設けられてい
る。そして、Y方向の位置合わせ用アライメント
マークMYと回転の位置合わせ用アライメントマ
ークMTとは光軸を通る同一直線上に位置し、X
方向の位置合わせ用アライメントマークMXはこ
の直線に直交する線上に設けられている。そし
て、各アライメントマークに対応してアライメン
ト光学系が設けられており、各アライメント光学
系はそれぞれのアライメントマークに対応するス
リツトを有しており、このスリツト上に各マーク
の像を形成して、これらの位置を検出することに
よつて装置本体に対するレチクルRの位置合わせ
を行う。
3つのアライメント光学系では、それぞれ投影
対物レンズによるウエハ露光と同一波長の光線
が、オプテイカルフアイバーにより照明光として
供給されて所謂同軸落射照明がなされており、照
明系、結像系及びスリツトによる光電検出系は実
質的に同一である。そこで、例としてY方向の位
置合わせ用アライメントマークMYについてのY
方向アライメント光学系について説明する。オプ
テイカルフアイバー1からの照明光は、集光レン
ズ2により視野絞り3上に集光され、光路屈曲用
反射鏡4、リレーレンズ5を経て半透過鏡6で反
射される。この反射光はリレーレンズ7、光路屈
曲用反射鏡8及びアライメント対物レンズ9を経
て反射鏡10によつてレチクルR上に集光され
る。リレーレンズ5,7及び対物レンズ9により
レチクルR上に視野絞り3の像が形成される。視
野絞り3には、スリツト状の開口部3aが設けら
れており、このスリツト状開口部3aの長手方向
は、レチクルR上で対物レンズL0の光軸AXに垂
直に交差する直線に一致するように配置されてい
る。そして、レチクルR上のアライメントマーク
MYからの光線は、反射鏡10により反射されて
対物レンズ9、光路屈曲用反射鏡8およびリレー
レンズ7を逆に進み、半透過鏡6を透過する。こ
の透過光はリレーレンズ11を通り、半透過鏡1
2で反射され微小振動鏡13で反射された後、ス
リツトSYを有するスリツト板15上に集光され、
ここにレチクルR上に設けられたアライメントマ
ークMYの像が形成される。このスリツトSYの長
手方向は、レチクル上にて対物レンズの光軸と交
わるように配置され、アライメントマークMY
挟み込むことによつて相対的位置合わせが成され
る。スリツト板の直前にはフイールドレンズ14
が配置されており、スリツトSYを通過する光束が
光電検出器16に入射して、この入射光の光量が
光電変換される。この光電検出器の出力を、高速
で振動する微小振動鏡13の駆動信号で同期検波
することによつて、スリツト板に対するアライメ
ントマークの相対位置を正確に検出される。この
ことは、例えば、本願と同一出願人による特公昭
55−25602号公報における従来技術として開示さ
れる通りである。
他のアライメントマークMX及びMTのためのア
ライメント光学系における照明系、結像系及びス
リツトによる光電検出系は上記と実質的に同一で
あるので、説明を省略するが、各アライメント光
学系におけるスリツトは、共にその長手方向がレ
チクル面上にて対物レンズ光軸に交わる直線に対
応するように構成されている。そして、レチクル
面上にて、Y方向アライメント光学系のスリツト
SYと回転アライメント光学系のスリツトSTとの長
手方向が同一直線上に一致し、X方向アライメン
ト光学系のスリツトSXの長手方向がこの直線に
直交するように構成されている。尚、図面中にお
いて、同一の機能を有する部材には同一の図番を
記した。このような各アライメント光学系の光電
検出系の信号によりレチクルR上の各アライメン
トマークの位置が検出され、各レチクルアライメ
ントマークが各アライメント光学系のスリツトに
対して正確に合致するように図示なきサーボ系に
よりレチクルRを移動することによつて、レチク
ルの装置本体に対する位置合わせが自動的になさ
れる。
このような3つのアライメントマークそれぞれ
の位置検出のための光電的アライメント系に加え
て、各アライメントマークの像の位置関係を観察
するための観察系が設けられている。この観察系
の構成は、第1図の概略斜視図にも示したが、第
2図の概略平面図に示した。第2図では、観察系
の構成を理解し易くするために、各アライメント
光学系の照明系及び同軸照明のための半透過鏡6
を省略すると共に、部分的に部材の位置を変更し
て示した。観察系は、各アライメント光学系中に
設けられた半透過鏡12の透過光を用いて、各ア
ライメントマークの像を形成するように構成され
ている。
まず、レチクルの回転位置検出用アライメント
マークMTについてのアライメント光学系をみる
に、半透過鏡12の透過光により、光軸の片側の
光束を遮光する第1遮光板25上にアライメント
マークの1次像が形成される。そして、この1次
像からの光束は観察用第1リレーレンズL1と第
2リレーレンズL2との収斂作用及びこれらの間
に配置されたペンタゴナルダハプリズムP1の反
射作用を受け、視野合成プリズムとしての直角プ
リズムP2の一方の斜面で反射されて焦点板20
上に集光され、ここにアライメントマークMT
2次像が形成される。そして、X方向のアライメ
ントマークMX及びY方向のアライメントマーク
MYの観察系は、光路切換えのために揺動可能に
設けられた揺動鏡M1より共用されており、いず
れか一方のアライメントマークを観察するように
選択的に構成されている。各アライメント系内の
半透過鏡12を透過した光束は、揺動鏡M1によ
り選択的に観察光路へ導かれ、光軸の片側の光束
を遮光する第2遮光板26上にMXとMYとのいず
れか一方のアライメントマークの1次像が形成さ
れる。この1次像からの光束は、観察用第3リレ
ーレンズL3と第4リレーレンズL4及びこれらの
間に設けられた光路屈曲用反射鏡M2の作用を受
けて、視野合成プリズムP2の他方の斜面で反射
されて焦点鏡20上に集光され、ここにX方向ア
ライメントマークMXまたはY方向アライメント
マークMYの2次像が形成される。
視野合成プリズムP2は、その2つの反射面が
交差する稜線が観察用第2リレーレンズL2と観
察用第2リレーレンズL4との同一光軸に一致す
るか、またはこの光軸よりもやや焦点鏡20側に
位置する如く配置されている。そして、第1遮光
板25と第2遮光板26とはそれぞれ、視野合成
プリズムP2の稜線と焦点鏡20との間を通過し
ようとする光束を遮光しているため、一方の光路
からの光束が他方の光路に入射してゴーストを生
ずることがない。また、視野合成プリズムP2
稜線が、焦点鏡の中心、及び焦点板上の像をテレ
ビカメラ等の撮像装置24の撮像面上に再結像す
るためのリレーレンズ21と22との光軸に一致
するように構成されている。回転位置検出用のア
ライメント光学系中に配置されたペンタゴナルダ
ハプリズムP1は、そのダハ面により、レチクル
Rが移動した場合に、アライメントマークMT
像が観察視野内で変位する方向を、同一視野内に
形成される他方のアライメントマーク像の変位方
向と合致させる機能を有している。
このような視野合成プリズムP2を用いた観察
系の構成により、焦点板20上では、第3A図の
視野図の如く、視野の一方の側に回転方向アライ
メントマークの像MT′が形成され、他方の側には
X方向アライメントマークの像MX′またはY方向
のアライメントマークの像MY′が形成され、撮像
装置24によつて両者の位置関係を観察すること
ができる。前述した光電検出系による自動位置合
わせの後には、第3図Bの視野図の如く、焦点鏡
20上に設けられたアライメント用挟み込みマー
ク20a及び20bに対して2つのアライメント
マークの像MT′とMX′又はMY′が整列し、レチク
ルの位置合わせがなされた状態を確認することが
できる。そして、焦点鏡20上に形成される2つ
のアライメントマークの像のピント合わせのため
には、焦点鏡20とリレーレンズ21とが一体的
に光軸に沿つて移動し、異なつた厚さ又は屈折率
のレチクルにおいても鮮明な像を観察することが
可能である。尚、第3A図及び第3Bの視野図の
中央に位置する黒線は、視野合成される2つの観
察系中に設けられた遮光板25,26に対応し、
視野合成プリズムの稜線にも対応している。
以上は、各アライメント光学系によつてレチク
ルR上に設けられた各アライメントマークの位置
を検出し、これによつて、レチクルをアライメン
ト光学系即ち装置本体に対して位置合わせを行う
場合の説明であつた。次に、このようなアライメ
ント光学系において、位置合わせの基準となるス
テージ上のフイデユーシヤル・マークに対する調
整を行う初期設定について説明する。
第4図は、投影対物レンズL0によりステージ
30上のフイデユーシヤル・マークとレチクルア
ライメント光学系との位置関係を表す光路図であ
る。第4図では、アライメント光学系の中間部材
を省略して調整のために必要な部材を中心に示し
た。ステージ30上に設けられたフイデユーシヤ
ル・マークは例えば第5図の平面図の如く、X方
向アライメントのためにY方向に平行に設けられ
たX方向アライメント用フイデユーシヤル・マー
クFXと、これと直交する方向に設けられたY方
向アライメント用フイデユーシヤル・マークFY
とからなつており、ステージの走りに対するアラ
イメント光学系の調整のためには、Y方向アライ
メント用マークFYが用いられる。
いま、第4図中にて実線で示した如く、ステー
ジ30の移動によりY方向アライメント用フイデ
ユーシヤル・マークFYをY方向アライメント光
学系内のスリツトSYに合致させ、次ぎに図中点線
で示す如く、ステージ30をX方向に移動させて
Y方向アライメント用のフイデユーシヤル・マー
クFYを回転アライメント光学系内のスリツトST
に合致させるものとする。このときステージ30
の移動に対して回転アライメント光学系内のスリ
ツトSTが調整されていない場合には、例えば第6
A図に示す如く、ステージ移動のX方向に対して
アライメント光学系がθだけ回転していることと
なる。このような状態のままアライメント光学系
に対してレチクルを位置合わせすば、ステージの
送りに対してレチクルが、図中点線で示した如
く、ステージの送りに対して傾斜したままウエハ
への露光がなされるため、各露光チツプの回転を
生じてしまう。そこで、回転アライメント光学系
の結像系内に設けられたハービングガラスH(平
行平面板)を、第4図に示した如く、スリツトST
の長手方向に対応する回転軸を中心として微小角
度だけ回転することによつて、フイデユーシヤ
ル・マークFYに対してスリツトSTをその幅方向
(長手方向に垂直な方向)で光学的に相対移動さ
せて、第6B図の如く、両者が合致するように調
整する。この状態において、ステージの走り即ち
移動方向に対してアライメント光学系の回転誤差
が完全に除かれたことになり、アライメント光学
系の装置本体に対する初期設定が完了する。上記
第6A図及び6B図は共に、レチクルR上でのフ
イデユーシヤル・マークと各スリツトとの位置関
係を示した平面図である。
上記の如きアライメント光学系において、ステ
ージの走りに対する初期設定を行う場合には、第
6図と同様にレチクル面上での位置関係を示した
第7図に示す如く、投影対物レンズの倍率が基準
倍率から変動していたとしても、回転誤差を生ず
る恐れがない。第7図では、Y方向アライメント
光学系のスリツトSYとY方向位置合わせ用フイデ
ユーシヤル・マークFYとを合致させた後、ステ
ージを移動して回転アライメント光学系のスリツ
トSTに対する調整を行う場合において、投影対物
レンズの倍率が基準値βのときのフイデユーシヤ
ル・マークFYを実線で、倍率がβ′に変動している
ときのフイデユーシヤル・マークFY′を点線で示
した。即ち、ステージの移動量xに対して、レチ
クルR面上でのフイデユーシヤル・マークの移動
量は、それぞれx/β、x/β′となる。図ではこ
の差を誇張して示した。上述した如く、本発明に
よる構成では各スリツトの長手方向がレチクル面
上にて投影対物レンズの光軸と交わるように構成
され、Y方向アライメント光学系中のスリツトSY
とフイデユーシヤル・マークFYとの合致の後に
回転アライメント光学系のスリツトSTとの位置調
整のためにステージを移動させる場合の移動方向
は、必ず投影対物レンズの光軸を横切る方向とな
るため、図示のとおり、投影対物レンズの倍率が
変動している場合にも、フイデユーシヤル・マー
クFYのレチクル面上での対応位置は光軸AXを通
る同一直線上に位置する。このため、第8図に示
した従来の如く、X方向でのステージ移動に対し
てY方向での変位を生ずることがない。従つて、
投影対物レンズの倍率に変動がある場合であつて
も、ステージの走り、即ち装置本体に対してアラ
イメント光学系を回転誤差なく正確に位置合わせ
することが可能である。
尚、ステージの移動は、互いに直交するX方向
とY方向において共に干渉計による極めて精密な
送りがなされるため、上記のようにステージのX
方向での走りに対してのみ回転誤差の補正を行え
ば、アライメント光学系の装置本体に対する初期
設定は十分である。また、各アライメント系内の
リレーレンズ7は、第2図に示した如く、正レン
ズと負レンズとで構成された所謂ガリレオ系から
なり、投影対物レンズが異なる倍率のものに置き
換えて用いられる場合には、各アライメント系内
のスリツト上に形成されるフイデユーシヤル・マ
ーク像の大きさが変わらないように、このガリレ
オ系を逆転して配置される。さらに、上記の実施
例は縮小投影型露光装置であつたが、これに限ら
ず、ウエハの載置するステージ上に設けられた基
準指標により投影対物レンズを通してレチクルア
ライメント光学系の位置調整を行う投影型露光装
置においては、本発明が等しく有効であることは
いうまでもない。そして、本発明によるレチクル
アライメント光学系により、ウエハ上に形成され
るウエハアライメントマークとレチクルアライメ
ントマークとの位置関係を投影対物レンズを通し
て確認することも可能であり、この場合にはウエ
ハ上の有効パターン領域を露光してしまうことの
ないように、照明系中の視野絞りをより小さい開
口のものと置き換えることが望ましい。
(発明の効果) 以上の如く、本発明によれば、投影対物レンズ
の投影倍率が何等かの原因によつて変動した場合
にも、レチクルと位置合わせの基準となるレチク
ルアライメント光学系の位置調整を正確に行うこ
とが可能となり、一層集積度の高くなる超LSIの
製造をも可能とする優れた性能の投影型露光装置
が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるレチクルアライメント
光学系の構成を示す概略斜視図、第2図はその概
略平面図、第3A図及び第3B図はアライメント
光学系の観察系によるレチクルアライメントマー
クの観察視野図、第4図はステージ上のフイデユ
ーシヤル・マークとレチクルアライメント光学系
との位置関係を表す光路図、第5図はフイデユー
シヤル・マークの例を示す平面図、第6A図及び
第6B図はレチクル面上でのフイデユーシヤル・
マークと各スリツトとの位置関係を示す平面図、
第7図は投影対物レンズの倍率変動があつた場合
のレチクル面上でのフイデユーシヤル・マークの
位置関係を示す平面図、第8図は投影対物レンズ
の倍率変動があつた場合、従来のレチクルアライ
メント方法におけるレチクル面上でのフイデユー
シヤル・マークの位置関係を示す平面図である。 〔主要部分の符号の説明〕、L0……投影対物レ
ンズ、R……レチクル、AX……投影対物レンズ
の光軸、SX,SY,ST……スリツト、H……ハー
ビングガラス、P1……ペンタダハプリズム、P2
……視野合成プリズム、20……焦点板、30…
…ステージ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 レチクル上のパターンをウエハ上に投影する
    ための投影対物レンズと、該レチクル上に設けら
    れた複数のアライメントマークの像をそれぞれ形
    成する結像光学系と該複数のアライメントマーク
    の位置検出のために該結像光学系の像面位置にそ
    れぞれ配置された光電検出用スリツトを持つアラ
    イメント光学系、並びに該アライメント光学系中
    のスリツトの基準位置を設定するためにウエハを
    載置するステージ上に形成された基準指標とを有
    する投影型露光装置において、前記各アライメン
    ト光学系中の結像光学系の像面位置に配置された
    光電検出用のスリツトをその長手方向がレチクル
    上で投影対物レンズの光軸を通る直線に一致する
    よう構成すると共に、該複数のアライメント光学
    系中にそれぞれ設けられた光電検出用のスリツト
    の相対的位置を該スリツトの長手方向に垂直な方
    向にて光学的に微小量変化させるためのハービン
    グガラスを、一つのアライメント光学系中に配置
    したことを特徴とする投影型露光装置。 2 前記アライメント光学系は3個設けられ、該
    3個のアライメント光学系内にそれぞれ配置され
    た光電検出用スリツトは、その長手方向がレチク
    ル面上にて互いに直交するように構成されている
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の投
    影型露光装置。 3 前記3個のアライメント光学系のうち二つの
    光学系による像を同一視野にて形成するための視
    野合成プリズムを設けると共に、該視野合成され
    るアライメント光学系の一方の光学系と残るアラ
    イメント光学系との光路を交差させ、該光路の交
    差位置に光路切換え鏡を配置したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第2項記載の投影型露光装置。 4 前記視野合成される二つのアライメント光学
    系による像が形成される焦点板を、該焦点板上の
    像を観察するためのレンズ系の一部と共に光軸に
    沿つて移動可能に構成したことを特徴とする特許
    請求の範囲第3項記載の投影型露光装置。
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