JPS61121437A - 投影型露光装置 - Google Patents

投影型露光装置

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JPS61121437A
JPS61121437A JP59244229A JP24422984A JPS61121437A JP S61121437 A JPS61121437 A JP S61121437A JP 59244229 A JP59244229 A JP 59244229A JP 24422984 A JP24422984 A JP 24422984A JP S61121437 A JPS61121437 A JP S61121437A
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alignment optical
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明は、半導体素子の製造に用いられる露光装置、特
に投影型露光装置におけるレチクルのアライメント光学
系に関する。
(発明の背景) 従来、縮小投影型露光装置では、一般にレチクル上に設
けられた複数のアライメントマークの像をそれぞれアラ
イメント光学系内のスリット上に形成し、このスリット
の後方に配置された各光電検出器からの光電信号により
スリットを基準としてレチクルの位置合わせを行ってい
る。このような位置合わせは、投影対物レンズによって
レチクル上のパターンが焼付られる被露光体としてのウ
ェハを載置するステージの移動に対して、アライメント
光学系中のスリットが厳密に一定の位置関係に保たれて
いることが前提である。このために、ウェハが載置され
るステージ上に設けられた基準マーク(フィデューシャ
ル・マーク)を用い、投影対物レンズを通してアライメ
ント光学系中の一つのスリットとフィデューシャル・マ
ークとを合致させた後、ステージを移動することによっ
て、投影対物レンズを通してこのフィデューシャル・マ
ークとアライメント光学系中の他のスリットとが合致す
るようにアライメント光学系を調整しておくことが必要
である。
この場合、レチクル上の複数のアライメントマークの間
隔は所定の値に定められているため、一方のアライメン
トマークに対応するスリットとフィデューシャル・マー
クとを合致させた後、他方のアライメントマークに対応
するスリットにフィデューシャル・マークを合致させる
ために、ステージをそのアライメントマーク間隔値と投
影倍率との積に相当する値だけ移動させる。そして、他
方のアライメントマークとフィデューシャル・マークと
が合致しない場合には、ハービングガラス等により両者
が合致するようにアライメント光学系を調整する。この
ようにしてステージの走りに対して、アライメント光学
系中のスリットを正確に位置合わせしておくことが、レ
チクルの位置合わせにおいて橿めて重要である。
ところが、フィデューシャル・マークにより投影対物レ
ンズを通してアライメント光学系中の各スリ7)の光学
的位置調整を行う場合に、投影対物レンズの倍率が何等
かの原因によって基準倍率から変動しているならば、ス
テージを所定のアライメントマーク間隔値と投影倍率と
の積の値だけ移動したとしても正確な位置合わせを行う
ことは難しく、誤差を生ずる恐れがあった。即ち、第8
図のレチクル8面上での位置関係を示す平面図の如く、
レチクルのアライメントマークが(+)マークと、これ
に対してレチクル中心即ち投影対物レンズ光軸AXに関
して直交する位置に設けられたレチクルのエツジに沿っ
た(−)マークとからなる場合に、対物レンズの投影倍
率がなんらかの原因によってβからβ′に変化するなら
ば、フィデューシャル・マークのレチクル上での位置は
、図中実線で示したF、から点線で示したFv  ’へ
と異なる位置に移動する。即ち、レチクル上に形成され
る各アライメントマーク間の距離は所定値に定められて
いるので、この値の倍率骨×及びyだけステージを移動
するのであるが、投影対物レンズの倍率がβ′に変化し
ているならば、レチクル上でのフィデューシャル・マー
ク位置は×方向のみならずY方向にも変位を生ずる。こ
のような状態にて調整されたアライメント光学系によっ
てレチクルを位置合わせすると、レチクルの位置が装置
本体に対して正確に位置合わせすることができず、特に
レチクルの回転誤差を生ずる。従って、ウェハに対する
複数パターンの重ね焼きの際に誤差を生ずることとなり
、集積度の高い微細なパターンを持つ半導体素子の製造
を行うことが不可能となる。
(発明の目的) 本発明の目的は、投影対物レンズの投影倍率が変動した
場合にも、レチクルの位置合わせを正確に行うことが可
能な投影型露光装置を提供することにある。
(発明の概要) 本発明は、レチクル上のパターンをウェハ上に投影する
ための投影対物レンズと、レチクル上に設けられた複数
のアライメントマークの像をそれぞれ形成する結像光学
系と該複数のアライメントマークの位置検出のために該
結像光学系の像面位置にそれぞれ配置された光電検出用
スリットを持つアライメント光学系、並びに該アライメ
ント光学系中のスリットの基準位置を設定するためにウ
ェハを載置するステージ上に形成された基準指標とを有
する投影型露光装置において、各アライメント光学系中
の結像光学系の像面位置に配置された光電検出用のスリ
ットをその長手方向がレチクル上で投影対物レンズの光
軸を通る直線に一致するよう構成すると共に、複数のア
ライメント光学系中にそれぞれ設けられた光電検出用の
スリットの相対的位置を該スリットの長手方向に垂直な
方向にて光学的に微小量変化させるためのハービングガ
ラスを、一つのアライメント光学系中に配置したもので
ある。
即ち、このような構成においては、レチクル上に設けら
れる複数のアライメントマークが、対物レンズの光軸上
にて互いに交差するような方向ををしていることを前提
としている。そして、一つのアライメント光学系中に設
けられたハービングガラスの(頃斜角を調整することに
より、ステージ上に設けられた基準指標としてのフィデ
ューシャル・マークに基づいて、ステージの走りに対し
て各アライメント光学系中のスリットが厳密に位置合わ
せされ、レチクルを装置本体に対して位置合わせするた
めの初期設定がなされる。
ここで、望ましくはレチクルを所定平面上にて精密に位
置合わせするために、XおよびY方向位置、そして回転
角の補正のために3個のアライメントマークが互いに直
交するように設けられ、このためにそれぞれのアライメ
ントマークに対応して結像系及び光電検出系からなるア
ライメント光学系を3個づつ設けることが望ましい、そ
して、3個のアライメントマークのうち2つづつを同一
視野内で観察するために、2個のアライメント光学系に
よる像を同一平面上に並列形成するための視野合成プリ
ズムを設けると共に、視野合成される一方のアライメン
ト光学系と残る一つのアライメント光学系との光路を交
差させてこの交差位置に光路切換え反射鏡を設けること
が望ましい。
(実施例) 以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
第1図は、本発明を縮小投影型露光装置に用いた一実施
例のレチクルアライメント光学系を示す概略斜視図であ
る。レチクルRは図示なき照明系により均一照明され、
レチクル上の所定のパターンが投影対物レンズL0によ
り、図示なき被露光体としてのウェハ上に投影露光され
る。レチクルR上の所定パターン領域の周囲には、レチ
クルRを装置本体に対して位置合わせするための3個の
アライメントマーク、即ち、X方向の位置合わせ用アラ
イメントマークMオ、Y方向の位置合わせ用アライメン
トマークMv、及び回転の位置合わせ用アライメントマ
ークMyがそれぞれ、投影対物レンズL0の光軸A、に
交わる如く設けられている。そして、Y方向の位置合わ
せ用アライメントマークM、と回転の位置合わせ用アラ
イメントマークM7とは光軸を通る同一直線上に位宣し
、X方向の位置合わせ用アライメントマークMつはこの
直線に直交する線上に設けられている。そして、各アラ
イメントマークに対応してアライメント光学系が設けら
れており、各アライメント光学系はそれぞれのアライメ
ントマークに対応する゛スリットを有しており、このス
リット上に各マークの像を形成して、これらの位置を検
出することによって装置本体に対するレチクルRの位置
合わせを行う。
3つのアライメント光学系では、それぞれ投影対物レン
ズによるウェハ露光と同一波長の光線が、オプティカル
ファイバーにより照明光として供給されて所謂同軸落射
照明がなされており、照明系、結像系及びスリットによ
る光電検出系は実質的に同一である。そこで、例として
Y方向の位置合わせ用アライメントマークMVについて
のY方向アライメント光学系について説明する。オブテ
ィカルファイバー1からの照明光は、連光レンズ2によ
り視野絞り3上に集光され、光路屈曲用反射鏡4、リレ
ーレンズ5を経て半i3過鏡6で反射される。この反射
光はリレーレンズ7、光路屈曲用反射鏡8及びアライメ
ント対物レンズ9を経て反射鏡10によってレチクルR
上に集光される。リレーレンズ5.7及び対物レンズ9
によりレチクルR上に視野絞り3の像が形成される。視
野絞り3には、スリット状の開口部3aが設けられてお
り、このスリット状開口部3aの長手方向は、レチクル
R北で対物レンズL0の光軸A8に垂直に交差する直線
に−敗するように配置されている。そして、レチクルR
上のアライメントマークMYからの光線は、反射鏡10
により反射されて対物レンズ9、光路屈曲用反射鏡8お
よびリレーレンズ7を逆に進み、半透過鏡6を透過する
。この透過光はリレーレンズ11を通り、半透過鏡12
で反射され微小振動鏡13で反射された後、スリットS
Yを有するスリット板15上に集光され、ここにレチク
ルR,,I:に設けられたアライメントマークMVの像
が形成される。このスリットSアの長手方向は、レチク
ル上にて対物レンズの光軸と交わるように配置され、ア
ライメントマークM、を挟み込むことによって相対的位
置合わせが成される。スリット板の直前にはフィールド
レンズ14が配置されており、スリットSYを通過する
光束が光電検出器16に入射して、この入射光の光量が
光電変換される。この光電検出器の出力を、高速で振動
する微小振動鏡13の駆動信号で同期検波することによ
って、スリットに対するアライメントマークの相対位置
を正確に検出される。このことは、例えば、本願と同一
出願人による特公昭55−25602号公報における従
来技術として開示される通りである。
他のアライメントマークM8及びM、のためのアライメ
ント光学系における照明系、結像系及びスリットによる
光電検出系は上記と実質的に同一であるので、説明を省
略するが、各アライメント光学系におけるスリットは、
共にその長手方向がレチクル面上にて対物レンズ光軸に
交わる直線に対応するように構成されている。そして、
レチクル面上にて、Y方向アライメント光学系のスリッ
トSVと回転アライメント光学系のスリットSTとの長
手方向が同一直線上に−敗し、X方向アライメント光学
系のスリットSXの長手方向がこの直線に直交するよう
に構成されている。尚、図面中において、同一の機能を
臂する部材には同一の図番を記した。このような各アラ
イメント光学系の光電検出系の信号によりレチクルR上
の各7ライメントマークの位置が検出され、各レチクル
アライメントマークが各アライメント光学系のスリー7
1に対して正確に合成するように図示なきサーボ系によ
りレチクルRを移動することによって、レチクルの装置
本体に対する位置合わせが自動的になされる。
、二のような3つのアライメントマークそれぞれの位置
検出のための光電的アライメント系に加えて、各アライ
メントマークの像の位置関係を観察するための観察系が
設けられている。この観察系の構成は、第1図の概略斜
視図にも示したが、第2図の概略平面図に示した。第2
図では、観察系の構成を理解し易くするために2各アラ
イメント光学系の照明系及び同軸照明のための半透過鏡
6を省略すると共に、部分的に部材の位置を変更して示
した。観察系は、各アライメント光学系中に設けられた
半透過鏡12のyi通過光用いて、各アライメントマー
クの像を形成するように構成されている。
まず、レチクルの回転位置検出用アライメントマークM
7についてのアライメント光学系をみるに、半i3過鏡
12のX3過光により、光軸の片側の光束を遮光する第
1遮光板25上にアライメントマークの1次像が形成さ
れる。そして、この1次像からの光束は観察用第1リレ
ーレンズL1と第2リレーレンズL2との収斂作用及び
これらの間に配置されたペンタゴナルダハプリズムPl
の反射作用を受け、視野合成プリズムとしての直角プリ
ズムPtの一方の斜面で反射されて焦点板20上に集光
され、ここにアライメントマークM7の2次像が形成さ
れる。そして、X方向のアライメントマークM。
及びY方向のアライメントマークMVの観察系は、光路
切換えのために)2動可能に設けられたt3動鏡M、に
より共用されており、いずれか一方のアライメントマー
クを観察するように!i択的に構成されている。各アラ
イメント系内の半透過鏡12を透過した光束は、揺動鏡
旧により選択的に観察光路へ導かれ、光軸の片側の光束
を遮光する第2遮光板26上にMオとM、とのいずれか
一方のアライメントマークの1次像が形成される。この
1次像からの光束は、観察用第3リレーレンズL、と第
4リレーレンズL4及びこれらの間に設けられた光路屈
曲用反射JR+tの作用を受けて、視野合成プリズムP
2の他方の斜面で反射されて焦点鏡20上に集光され、
ここにX方向アライメントマーク像8またはY方向アラ
イメントマーク像vの2次像が形成される。
視野合成プリズムP!は、その2つの反射面が交差する
稜線が観察用第2リレーレンズL8と観察用第4リレー
レンズL、との同一光軸に一致するか、またはこの光軸
よりもやや焦点鏡20側に位置する如く配置されている
。そして、第1遮光板25と第2遮光板26とはそれぞ
れ、視野合成プリズムP2の稜線と牌点鏡20との間を
通過しようとする光束を遮光しているため、一方の光路
からの光束が他方の光路に入射してゴーストを生ずるこ
とがない。
また、視野合成プリズムP2の稜線が、焦点鏡の中心、
及び焦点板上の像をテレビカメラ等の逼像装置24の撮
像面上に再結像するためのリレーレンズ21と22との
光軸に一致するように構成されている。
回転位置検出用のアライメント光学系中に配置されたペ
ンタゴナルダハプリズムP、は、そのダハ面により、レ
チクルRが移動した場合に、アライメントマークM?の
像が観察視野内で変位する方向を、同−視野内に形成さ
れる他方のアライメントマーク像の変位方向と合致させ
る機能を有している。
このような視野合成プリズムP!を用いた観察系の構成
により、焦点120上では、第3A図の視野図の如く、
視野の一方の側に回転方向アライメントマークの像MT
  ′が形成され、他方の側にはX方向アライメントマ
ークの像M、l ’またはY方向のアライメントマーク
の像Mv ゛が形成され、陽像装置24によって両者の
位置関係を観察することができる。前述した光電検出系
による自動位置合わせの後には、第3図Bの視野図の如
く、焦点鏡20上に設けられたアライメント用挟み込み
マーク20a&び20bに対して2つのアライメントマ
ークの像My’とMx’又はMv’が整列し、レチクル
の位置合わせがなされた状態を61認することができる
。そして、焦点鏡20上に形成される2つのアライメン
トマーク像のピント合わせのためには、焦点鏡20とリ
レーレンズ21とが一体的に光軸に沿って移動し、異な
った厚さ又は屈折率のレチクルにおいても鮮明な像を観
察することが可能である。
尚、第3A図及び第3B図の視野図の中央に位置する黒
線は、視野合成される2つの観察系中に設けられた遮光
板25.26に対応し、視野合成プリズムの稜線にも対
応している。
以上は、各アライメント光学系によってレチクルR上に
設けられた各アライメントマークの位置を検出し、これ
によって、レチクルをアライメント光学系即ち装置本体
に対して位置合わせを行う場合の説明であった。次に、
このようなアライメント光学系において、位置合わせの
基準となるステージ上のフィデエーンヤル・マークに対
する調整を行う初期設定について説明する。
第4図は、投影対物レンズL0によりステージ30上の
フィデ二−ンヤル・マークとレチクルアライメント光学
系との位置関係を表す光路図である。
第4図では、アライメント光学系の中間部付番省略して
調整のために必要な部材を中心に示した。
ステージ30上に設けられたフィデエーシャル・マーク
は例えば第5図の平面図の如く、X方向アライメントの
ためにY方向に平行に設けられたX方向アライメント用
フィデューンヤル・マークF8と、これと直交する方向
に設けられたY方向アライメント用フィデューンヤル・
マークFyとからなっており、ステージの走りに対する
アライメント光学系の調整のためには、Y方向アライメ
ント用マークFvが用いられる。
いま、第4図中にて実線で示した如く、ステージ30の
移動によりY方向アライメント用フィデュ−シャシ・マ
ークF7をY方向アライメント光学系内のスリットSv
に合致させ、次ぎに図中点線で示す如く、ステージ30
をX方向に移動させてY方向アライメント用のフィデュ
ーシャル・マークFyを回転アライメント光学系内のス
リットS7に合致させるものとする。このときステージ
30の移動に対して回転7ライメント光学系内のスリッ
トSTが調整されていない場合には、例えば第6A図に
示す如く、ステージ移動のX方向に対してアライメント
光学系がθだけ回転していることとなる。このような状
態のままアライメント光学系に対してレチクルを位置合
わせすれば、ステージの送りに対してレチクルが、図中
点線で示した如く、ステージの送りに対して傾斜したま
まウェハへの露光がなされるため、各露光チップの回転
を生じてしまう、そこで、回転アライメント光学系の結
像系内に設けられたハービングガラスH(平行平面板)
を、第4図に示した如く、スリ7トSアの長手方向に対
応する回転軸を中心として微小角度だけ回転することに
よって、フィデューシャル・マークF7に対してスリッ
トS、をその幅ブJ向(長手方向に垂直な方向)で光学
的に相対移動させて、第6B図の如く、両者が合致する
ように調整する。この状態において、ステージの走り即
ち移動方向に対してアライメント光学系の回転誤差が完
全に除かれたことになり、アライメント光学系の装置本
体に対する初期設定が完了する。上記第6A図及び第6
B図は共に、レチクルR上でのフィデューシャル・マー
クと各スリットとの位置関係を示した平面図である。
上記の如きアライメント光学系において、ステージの走
りに対する初期設定を行う場合には、第6図と同様にレ
チクル面上での位置関係を示した第7図に示す如く、投
影対物レンズの倍率が基準倍率から変動していたとして
も、回転誤差を生ずる恐れがない、第7図では、Y方向
アライメント光学系のスリットSVとY方向位置合わせ
用フィデユーシャル・マークドアとを合致させた後、ス
テージを移動して回転アライメント光学系のスリットs
yに対する調整を行う場合において、投影対物レンズの
倍率が基準値βのときのフイデユーシヤル・マークF、
を実線で、倍率がβ゛に変動しているときのフィデュー
シャル・マークFv  ’を点線で示した。即ち、ステ
ージの移動量Xに対して、レチクル8面上でのフィデュ
ーシャル・マークの移動量は、それぞれX/β、X/β
゛となる6図ではこの差を誇張して示した。上述した如
く、本発明による構成では各スリットの長手方向がレチ
クル面上にて投影対物レンズの光軸と交わるように構成
され、Y方向アライメント光学系中のスリー/トSYと
フィデューシャル・マークFvとの合致の後に回転アラ
イメント光学系のスリットS、との位W’J整のために
ステージを移動させる場合の移動方向は、必ず投影対物
レンズの光軸を横切る方向となるため、図示のとおり、
投影対物レンズの倍率が変動している場合にも、フィデ
ューシャル・マークF7のレチクル面上での対応位置は
光軸A、を通る同一直線上に位置する。このため、第8
図に示した従来の如く、X方向でのステージ移動に対し
てY方向での変位を生ずるごとかない。従って、投影対
物レンズの倍率に変動がある場合であっても、ステージ
の走り、即ち装置本体に対してアライメント光学系を回
転誤差なく正確に位置合わせすることが可能である。
尚、ステージの移動は、互いに直交するX方向とY方向
とにおいて共に干渉計による極めて精密な送りがなされ
るため、上記のようにステージのX方向での走りに対し
てのみ回転誤差の補正を行えば、アライメント光学系の
装置本体に対する初期設定は十分である。また、各アラ
イメント系内のリレーレンズ7は、第2図に示した如く
、正レンズと負レンズとで構成された所謂ガリレオ系か
らなり、投影対物レンズが異なる倍率のものに置き換え
て用いられる場合には、各アライメント系内のスリット
上に形成されるフイデユーシヤル・マーク像の大きさが
変わらないように、このガリレオ系を逆転して配置され
る。さらに、上記の実施例は縮小投影型露光装置であっ
たが、これに限らず、ウェハを載置するステージ上に設
けられた基準指標により投影対物レンズを通してレチク
ルアライメント光学系の位置調整を行う投影型露光装置
においては、本発明が等しく有効であることはいうまで
もない、そして、本発明によるレチクルアライメント光
学系により、ウェハ上に形成されるウェハアライメント
マークとレチクルアライメントマークとの位置関係を投
影対物レンズを通して確認することも可能であり、この
場合にはウェハ上の有効パターンを頁域を露光してしま
うことのないように、照明系中の視野絞りをより小さい
開口のものと置き換えることが望ましい。
(発明の効果) 以上の如く、本発明によれば、投影対物レンズの投影倍
率が何等かの原因によって変動した場合にも、レチクル
の位置合わせの基準となるレチクルアライメント光学系
の位−調整を正確に行うことが可能となり、一層集積度
の高くなる超LSIの製造をも可能とする優れた性能の
投影型露光装置が達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明によるレチクルアライメント光学系の
構成を示す概略斜視図、第2図はその概略平面図、第3
A図及び第3B図はアライメント光学系の観察系による
レチクルアライメントマークの観察視野図、第4図はス
テージ上のフィデューシャル・マークとレチクルアライ
メント光学系との位置関係を表す光路図、第5図はフィ
デューシャル・マークの例を示す平面図、第6A図及び
11L6BEはレチクル面上でのフィデューシャル・マ
ークと各スリットとの位置関係を示す平面図、第7図は
投影対物レンズの倍率変動があった場合のレチクル面上
でのフィデューシャル・マークの位置関係を示す平面図
、第8図は投影対物レンズの倍率変動があった場合、従
来のレチクルアライメント方法におけるレチクル面上で
のフィデューシャル・マークの位置関係を示す平面図で
ある。 〔主要部分の符号の説明〕 Lo・・・投影対物レンズ R・・・・・・レチクル  ゛ Aや・・・投影対物レンズの光軸 S++、Sy、St・・・・・・スリットH・・・・・
・ハービングガラス P、・・・・・・ペンタダハプリズム P、・・・・・・視野合成プリズム 20・・・・・・焦点板 30・・・・・・ステージ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)レチクル上のパターンをウェハ上に投影するための
    投影対物レンズと、該レチクル上に設けられた複数のア
    ライメントマークの像をそれぞれ形成する結像光学系と
    該複数のアライメントマークの位置検出のために該結像
    光学系の像面位置にそれぞれ配置された光電検出用スリ
    ットを持つアライメント光学系、並びに該アライメント
    光学系中のスリットの基準位置を設定するためにウェハ
    を載置するステージ上に形成された基準指標とを有する
    投影型露光装置において、前記各アライメント光学系中
    の結像光学系の像面位置に配置された光電検出用のスリ
    ットをその長手方向がレチクル上で投影対物レンズの光
    軸を通る直線に一致するよう構成すると共に、該複数の
    アライメント光学系中にそれぞれ設けられた光電検出用
    のスリットの相対的位置を該スリットの長手方向に垂直
    な方向にて光学的に微小量変化させるためのハービング
    ガラスを、一つのアライメント光学系中に配置したこと
    を特徴とする投影型露光装置。 2)前記アライメント光学系は3個設けられ、該3個の
    アライメント光学系内にそれぞれ配置された光電検出用
    スリットは、その長手方向がレチクル面上にて互いに直
    交するように構成されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載の投影型露光装置。 3)前記3個のアライメント光学系のうち二つの光学系
    による像を同一視野にて形成するための視野合成プリズ
    ムを設けると共に、該視野合成されるアライメント光学
    系の内の一方の光学系と残るアライメント光学系との光
    路を交差させ、該光路の交差位置に光路切換え鏡を配置
    したことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の投影
    型露光装置。 4)前記視野合成される二つのアライメント光学系によ
    る像が形成される焦点板を、該焦点板上の像を観察する
    ためのレンズ系の一部と共に光軸に沿って移動可能に構
    成したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の投
    影型露光装置。
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